JPS598360A - 硝子封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
硝子封止半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS598360A JPS598360A JP57117529A JP11752982A JPS598360A JP S598360 A JPS598360 A JP S598360A JP 57117529 A JP57117529 A JP 57117529A JP 11752982 A JP11752982 A JP 11752982A JP S598360 A JPS598360 A JP S598360A
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- JP
- Japan
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- glass
- insulating substrate
- semiconductor device
- semiconductor element
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置、特に大型な半導体素子を搭載を
可能する硝子封止半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
可能する硝子封止半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
従来、硝子封止半導体装置の製造方法は、アルミナの絶
縁基板の略中央部に半導体素子を固着するキャビィティ
部を除く絶縁基板の全面に硝子材料を印刷法を用いて均
一にグレーズする。
縁基板の略中央部に半導体素子を固着するキャビィティ
部を除く絶縁基板の全面に硝子材料を印刷法を用いて均
一にグレーズする。
その後、絶縁基板を加熱し、硝子材料を軟化させながら
、ＩＣ用リードフレームを熱圧着し、パッケージを製造
する。上述のパッケージのキャビィティ部に半導体素子
を固着しＩＣ用リードフレームのインナーリード先端と
半導体素子との間を金属細線にて配線したのち、硝子材
料がグレーズされた絶縁蓋部材で硝子封止して硝子封止
半導体装置を製造している。
、ＩＣ用リードフレームを熱圧着し、パッケージを製造
する。上述のパッケージのキャビィティ部に半導体素子
を固着しＩＣ用リードフレームのインナーリード先端と
半導体素子との間を金属細線にて配線したのち、硝子材
料がグレーズされた絶縁蓋部材で硝子封止して硝子封止
半導体装置を製造している。
この方法による、硝子封止半導体装置の製造方法は絶縁
基板に有するキャビィティ部の寸法と硝子材料をグレー
ズした時の印刷のズレ及び硝子流れにより実効の固着面
積は小さくなる。又、硝子拐料をグレーズする事によっ
て、キャビィティ面から、グレーズ面の高さが０．３〜
０．５Ｎ程度になる為、半導体素子を固着する時に壁と
なり、半導体素子を吸着するコレット又はピンセットの
動きが制限される。
基板に有するキャビィティ部の寸法と硝子材料をグレー
ズした時の印刷のズレ及び硝子流れにより実効の固着面
積は小さくなる。又、硝子拐料をグレーズする事によっ
て、キャビィティ面から、グレーズ面の高さが０．３〜
０．５Ｎ程度になる為、半導体素子を固着する時に壁と
なり、半導体素子を吸着するコレット又はピンセットの
動きが制限される。
その為、絶縁基板のキャビィティ部の寸法を有効に使用
する事が出来ない為、大きな半導体素子を固着する事が
出来なかった。
する事が出来ない為、大きな半導体素子を固着する事が
出来なかった。
本発明の目的は上述した従来の硝子封止半導体装置の製
造方法を改良し、大きな半導体素子の固着を可能にした
硝子封止半導体装置の製造方法を提供するものである。
造方法を改良し、大きな半導体素子の固着を可能にした
硝子封止半導体装置の製造方法を提供するものである。
即ち本発明の硝子封止半導体装置の製造方法は絶縁基板
の半導体素子固着部に半導体素子を固着した後に硝子材
料の取付けＩＣ用リードフレームを形成する事を特徴と
する硝子封止半導体装置の製造方法である。
の半導体素子固着部に半導体素子を固着した後に硝子材
料の取付けＩＣ用リードフレームを形成する事を特徴と
する硝子封止半導体装置の製造方法である。
よシ具体的には、本発明は絶縁基板の素子固着部に半導
体素子を固着する工程と硝子材料を粉末成型し、焼成し
て硝子フレームを形成する工程と該絶縁基板に該硝子フ
レームとＩＣ用リードフレームを順次に熱圧着で取付け
る工程と、該ＩＣ用リードフレームのインナーリード先
端と該半導体素子との間を金属細線にて配線したのち硝
子封止する工程とを含む硝子封止半導体装置の製造方法
にある。又、本発明は硝子フレームをＩＣ用リードフレ
ームに熱圧着で取付けて一体にした後に該絶縁基板に取
付ることを特徴とする前記硝子封止半導体装置の製造方
法にある。
体素子を固着する工程と硝子材料を粉末成型し、焼成し
て硝子フレームを形成する工程と該絶縁基板に該硝子フ
レームとＩＣ用リードフレームを順次に熱圧着で取付け
る工程と、該ＩＣ用リードフレームのインナーリード先
端と該半導体素子との間を金属細線にて配線したのち硝
子封止する工程とを含む硝子封止半導体装置の製造方法
にある。又、本発明は硝子フレームをＩＣ用リードフレ
ームに熱圧着で取付けて一体にした後に該絶縁基板に取
付ることを特徴とする前記硝子封止半導体装置の製造方
法にある。
次に本発明の詳細な説明する。
第１図は絶縁基板１の略中央部の素子固着部２に半導体
素子３を固着する工程である。素子固着部２は金属層又
はガラス層等、固着方法によυ適当に選択して形成する
。
素子３を固着する工程である。素子固着部２は金属層又
はガラス層等、固着方法によυ適当に選択して形成する
。
第２図は硝子材料４を絶縁基板１の素子固着部２の領域
を除いた硝子フレーム５を粉末成型及び焼成等の工程を
経て形成している。
を除いた硝子フレーム５を粉末成型及び焼成等の工程を
経て形成している。
第３図はＩＣ用リードフレーム６を示し第４図は第１図
の半導体素子３を固着した絶縁基板１に第２図の硝子フ
レーム第３図のＩＣ用リード７レーム６を順次に重ね合
せて、硝子材料４の溶融温度に加熱処理に製造したもの
である。
の半導体素子３を固着した絶縁基板１に第２図の硝子フ
レーム第３図のＩＣ用リード７レーム６を順次に重ね合
せて、硝子材料４の溶融温度に加熱処理に製造したもの
である。
第５図はＩＣ用リードフレーム６のインナーリ子材料４
にて硝子封止する（第７図）。
にて硝子封止する（第７図）。
この様な硝子封止半導体装置の製造方法は硝子材料４を
絶縁基板１に形成する前に半得体索子３を素子固着部２
に固着する為、素子固Ｎ都の頭載を肩効に使用すること
が出来、しかも硝子材料による硝子の流れ出し、及び硝
子の付着に依る影響もなく、半導体素子を固着すること
が出来る。
絶縁基板１に形成する前に半得体索子３を素子固着部２
に固着する為、素子固Ｎ都の頭載を肩効に使用すること
が出来、しかも硝子材料による硝子の流れ出し、及び硝
子の付着に依る影響もなく、半導体素子を固着すること
が出来る。
従って、絶縁基板の素子固着部に最大限の大きさの半導
体素子を容易に固着する事が出来る。本発明の一実施例
について述べたが絶縁基板上に硝子フレームとＩＣ用リ
ードフレームの増刊りを位置精度よく行なう方法として
、硝子フレーノ・とＩＣ用リードフレームを固定用治具
を用いて、熱処理を行ない硝子フレームをＩＣ用リード
フレームに取付けてから、ＩＣ用リードフレームの外形
を使用して、半導体素子を固着した絶縁基板に熱圧着に
より取付けると位置精度良く行なうことが出来る。
体素子を容易に固着する事が出来る。本発明の一実施例
について述べたが絶縁基板上に硝子フレームとＩＣ用リ
ードフレームの増刊りを位置精度よく行なう方法として
、硝子フレーノ・とＩＣ用リードフレームを固定用治具
を用いて、熱処理を行ない硝子フレームをＩＣ用リード
フレームに取付けてから、ＩＣ用リードフレームの外形
を使用して、半導体素子を固着した絶縁基板に熱圧着に
より取付けると位置精度良く行なうことが出来る。
以上説明した様にこの発明による硝子封正午尋体素子の
製造方法は大きな半導体素子全容易に同層する事が出来
る。
製造方法は大きな半導体素子全容易に同層する事が出来
る。
導体装置の製造方法を示す工程斜榛図である。
尚、図において、１・・・・・・絶縁基板、２・・・・
・・素子固増部、３・・・・・・半導体素子、４・・・
・・・硝子材料、５・・・・・・硝子フレーム、６・・
・・・・ＩＣ用リードフレーム、７・・・・・・金属細
線、８・・・・・・絶縁蓋部である。
・・素子固増部、３・・・・・・半導体素子、４・・・
・・・硝子材料、５・・・・・・硝子フレーム、６・・
・・・・ＩＣ用リードフレーム、７・・・・・・金属細
線、８・・・・・・絶縁蓋部である。
纂 ｌ 図
柔２ 閉
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早４ 図
茅６目
第５ 図
痢７７ 図
Claims (2)
- （１）絶縁基板の素子固着部に半導体素子を固着する工
程と、硝子材料を粉末成型し、焼成して硝子フレームを
形成する工程と、該絶縁基板に該硝子フレームを取付け
その上にＩＣ用リードフレーム取付ける工程と、該ＩＣ
用リードフレームのインナーリード先端と該半導体素子
との間を金属細線にて配線したのち硝子封止する工程と
を含むことを特徴とする硝子封止半導体装置の製造方法
。 - （２）硝子フレームをＩＣ用リードフレームに熱圧着で
取付けて一体にした後に該絶縁基板に取付ることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項に記載の硝子封止半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117529A JPS598360A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117529A JPS598360A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598360A true JPS598360A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14714040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117529A Pending JPS598360A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278653A (en) * | 1989-11-15 | 1994-01-11 | Rank Cintel Limited | Methods and apparatus for digital correction of afterglow in flying spot scanners |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57117529A patent/JPS598360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278653A (en) * | 1989-11-15 | 1994-01-11 | Rank Cintel Limited | Methods and apparatus for digital correction of afterglow in flying spot scanners |
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