JPS5843356A - 太陽熱吸収体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ζＯ員−紘、太＠鶏温水器などに用−られる太ｌＩｍ徴
収体６１１法に関するものである。

太爵エネルギーＯ１ｌ収体としては、′可視光域および
近赤外領域の電磁綾に対すゐ徴収率が高く。

しかも赤外領域で６ｊｌｋ射皐の低−ものが要求される
０、。

従来、太陽エネルギーを良好に徴収し、かつ赤外領域で
６１放射が少１に一被膜（一般にＦ選択吸収膜」と呼ば
れる）を表−に形成してなる太陽熱徴収体が一々考え出
１れてお）、このような選択徴皺麿としては鹸化ｊ１１
鋼（ＣｍｓＯ）　被膜中酸化菖嵩銅（Ｃｍ、）　ｍｇな
どＯ鹸化銅被膜がム〈知られて’ｖｈる。′ しかしながら、上記酸化鋼からなる選択吸収膜を基材表
面に形成し九従来の太陽熱吸収体は、一般に耐熱性が悪
いため、喪とえば使用中、熱媒体を導通させない状態で
太陽光に曝されるなどの丸め、ときにより２００’Ｃ−
の高温に達する仁とがｉり、劣化が起きる。その丸め、
近赤外域（波長Ｑ、７〜λ５ンクロン）での吸収率が低
下するほか、下地の鋼成分が酸化されて選択吸収膜の膜
厚が次菖に増側するため、赤外領域における熱放射が増
大すると−うような問題を生ずることが多か一２丸。

発明者らは、仁のような問題を解決する丸めに。

研究を重ね友。その結果、太−熱の吸収率が高く。

かつ耐熱性にすぐれた太陽熱吸収体の製法を提供するこ
とができた。しかし、この方法には選択吸収膜の膜厚管
層ならびに選択吸収特性の安定性に問題がある丸め、さ
ら−：その改善が望まれえ、そζで、ａｍのすぐれ一＃
−≠：１：１−熱吸収体を安定して得る丸め１選択吸収
膜化するＫあ九りて用−る化成ＩＩ＆層液に注ＩＬ、仁
とにその酸化剤濃度とアルカリ添加剤濃度の関連に注目
し、さまざまな種＠０化威鵡層液について検討を加え丸
。その結果、ある魂−の酸化剤濃度およびアルカリ添加
剤濃度を持つ化成、蟲層液を使用すると、性能がすぐれ
、かつそのパッツ命が少ない太陽熱徴収体を容易に得る
ことができると−うことを見出し、ここにこの発明を完
成しえ。

すなわち、こＯ発明にかかる太陽熱吸収体の製法は、化
学的および熱的に安定な表面をもつ金属基ｗｏｎ−に銅
および鋼合金の中から選ばれた金属からな為薄膜層を形
成し、こ、の薄膜層を酸化錫層することによりて選択吸
収膜化するＫあえ少。

化威鵡層液として、亜塩素酸塩・９次亜塩素酸塩および
過硫酸ａＩＯ中から選ばれ九塩からなる酸化剤。

水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムの中から選ばれ
九本酸化物からなるアルカリ添加剤ならびＫＧ−ｈ＊＊
ｐｆ）鵬′Ｏ鋼イオンを含み、かつ水１０００１に対す
るｒ起ア−カリ添加剤の添加量をｘｌ。

酸化剤〇−加一をｙｌとすると、これらｘ、ｙが　　１
゜下記の３式を同時に満足するａｍ内にある水瀝液を４
ｈることを特徴としている。

Ｘ≦１２．５ ｙ≧　１５ ｙ８□に−５ 化学的、熱的に安定な＊面をもつ金属基材としては１例
えばステンレス鋼板、ニッケルメッキ鋼板、クロムメッ
キ鋼板、ニッケルメツ中ステンレス鋼板、りａムメｆキ
ステンレス鋼板などｔｍ用することができる。銅または
銅合金を材質とする基材は、使用中に酸化して酸化鋼と
なり１選択吸収膜の厚みを増加させるのでｈまｐ好まし
くない。

この基材の表面にメッキ法、真空蒸着法、スパッタリン
グ法などの方法ｔＩＩ８％／−ｈて、厚み０．０５−１
　　　。

ミクロン（＃ｍ、以Ｆｒ５Ｊと略す）の銅また社真′ｃ
）ゆうのような鋼合金からなる薄膜層を形成する。

この１１１８１層は、後で遺ＩＲ徴収膜に疵見られるも
の　　。

で・薄膜層の厚みが０．０５μより薄いと、得られる遥
ＩＲ徴収展層が薄くな９すぎて太陽熱の歇シが不充分と
なる。逆に、薄膜層０４みが１．０．を越えると１選択
吸収膜が厚くな）すぎて熱款射皐が黒色ペイント根皮に
高くなｌｌｌ１合的な太ｌＩ＃＃に吸収率が低下するよ
うになるので、いずれの場合もめｔ〉好ましくない。

選択吸収膜の最適Ｏ厚みは、基材表−の状態に大きく左
右される。基材ｌｌ！面が、これに対する光の反射を基
準としてみて比較的平坦な場合、すなわち例えば液長Ｑ
、　３−Ｌ５μｍｆ、に対する平均反射率が７０１１を
越える場合は、最適膜厚は２０００〜４０００λ（０，
２〜０．４声）である。他午基材表向が平坦で轄なく微
細構造を持つ場合７例えばＯｏ−〜１５μの光に対する
平均反射率が１０〜２゜嚢である場合は、最適膜厚は１
ｏｏｏＡ（ａ、１　）以下となる。この様に選択−収膜
の一遍膜厚恍。

基材表面℃状態によシ変化するので、それにやじて膜厚
を変える必Ｉ！−ある。また、基材表面や状態にかかわ
４らｆ、ＩＩ厚が５ｏｏｉ＜ｏ、ｏｓｐ　）以下では太
陽熱の徴収率が小さくなり、　１ｏｏｏｏＡ（ｔμ）以
上では熱款射皐が大金くなる。そのため、薄膜層Ｏ厚み
ｔａｏｓ〜ｘｐｏ関で必！！に、応堅変えなけれｄなら
ないのである。

つぎに、上記鋼または銅合金からなる薄膜層に化成錫層
による酸化処理を施して、ｌｌ化＄１１２鋼（ＣｕＯ）
からなる選択吸収膜とする。

ζｏｉｉａ明は、この１楊において、後に述べる畳別Ｏ
条件を選ぶとζろに４１黴がある。このような条件を４
つ化成ＪＩＩ＆ｌｌ液を用−て酸化地層を施せば。

上記鋼または銅合金からなる薄膜層は、長径方向の長さ
がはぼ０．６〜．ｔ、Ｏｊの、おおよそ鐵−状ないし葉
状を呈する酸化１１２銅結晶からなる遥Ｒ徴収属とな〕
、その膜厚およびＩｌＩ面の黴麟構造が一定し、近赤外
域での太陽熱吸収率が高−高品質の太陽光選択徴収膜が
確実に得られるからである。

繊維状ないし葉状の結晶は、一つの繊維状な−し葉状結
晶から別の繊維状なｉし葉状結晶が成長すると−う形で
成長すること１ｈる。

ｊＩＩ−は、酸化＄１２１１４　（Ｃｏｏ）　ｊ％　０
選択吸収膜Ｏ光学的畳性をあられすグラフでありて、　
（Ａ）　、　（ＩＩ）はともに選択吸収膜の膜厚が０．
１・−声の場合で番）。

うち（＾）は前記繊維状＋１％／−ｈし葉状Ｏ結晶Ｏ長
Ｉ＆方向長さく一つの結晶におけるもうとも長い一分の
長さ）が１６＃のとき、（Ｂ）はその長さが１ｉＯとき
の徴収率の変化をそれぞれあられし、（Ｃ）は膜厚がＱ
、ｏｓｐ以下の場合の徴収率の変化をあられす、’＊化
菖２銅細晶からなる選択徴収膜では一般に、（Ｌ７ｊＩ
以上０＠長の−わゆる近赤外領域での徴収率が低下する
が、この低下の度合いは選択吸収膜の膜厚中黴顔構造お
よび基材表−の黴細構違によりて大金（影響される。こ
ζで（Ａ）、　　（Ｂ）。

（Ｃ）　０遥択徴収膜紘基鞍表面の機側構造が同じもの
を＃Ｉ−である。膜厚が仮０５声のも０　（Ｃ）と膜厚
ｔＬ４ｐＯ％ｔ）（ム）　、　（Ｂ）　　とを比べると
、（Ａ）　、　（Ｂ）の方が低下が少な−ことから、膜
厚が龜０５＃では薄すぎることがわかる。また＝ｌ［厚
が同じ（Ａ）と（Ｂ）を比べると、　ＩＩＩ＆Ｏ長径方
向長さが０．６声のものＯ″Ｊが低下が少な−。これは
、近赤外領域（波長＆７−ｔｓｐ＞ｏ党に対し、上記結
晶の長さが＠Ｌ３＃以下であれｄａｆ！学的に平らな−
となるゝ・＆４４μ上１−；ば多重反射を起２して徴収
率が向上するえめで　ろうと考えられる。なお、実験０
ＩＩＩＪＩ＆では、上記結晶長が＆６〜１０＃の纏−に
お−ては、自ａｌｌ（ム）で示す吸収率の壜まで、それ
以上吸収率が向上することはなかった。なお、上記説明
において、結晶長が０．６〜２．０μである一Ｃもかか
わらず選択吸収膜の膜厚が０．４μと薄いのは、との膜
厚が、通常、電解還元法などＫよって測定されるため空
隙ないし凹凸のない平らな層の厚みに換算してあられさ
れているからである。

このように、結晶形が忽右よそ繊維状ないし葉状であり
、かつ結晶長が０．６〜２．・０μの酸化第２銅結晶か
らなる選択吸収膜がすぐれた特性能をもつのであるが、
以下に述べる化成処理液を用いて銅または銅合金の薄膜
層を酸化処理すれ□ば、このような選択吸収膜が安定し
て得られる。な詔、この場合、選択吸収膜中に銅（Ｃｍ
）また□は酸化第１銅（Ｃｍ０）が多量に残留すると、
使用中に劣化するので、この酸化処理は充分に２行なう
必要がある。

酸化処理用の化成処理液は、酸化剤とアルカリ添加剤と
の混合水溶液、または仁の混合水溶液に銅イオンを添加
したものであり、酸化剤としては、亜塩素酸ナトリウム
（ＮｍＣｊＯｌ　）　、次亜酸素酸ナトＩＪ　ｆ）　Ａ
　（Ｎｓ＋Ｃｌ０）　、過硫酸カリウム（監、Ｓ、Ｏ・
）、過ｉ１ｍナトリウム（Ｈａ雪５２０＠　）　＊過硫
酸アンモニウム［（Ｎｉｂ）ｓｓｘｏ・〕　なとの亜塩
素酸塩１次亜塩素酸塩まえは過硫ｓｌ塩が用ｉられ、ア
ルカリ添加剤としては水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）　
　、水酸化カリ□ウム（［０１１）などが＃Ｉｖｈられ
る。酸化剤としてＮａＣ１Ｏｓを、またアルカ啼添加剤
とじてＮａ０Ｂ　を用いるのが実＃Ｉ的に最もすぐれて
−る。

化ＩＩ＆＃＆纏筐に用いる酸化剤とアルカリ添加剤の添
加量につｉで述べれば１次のとおりである。すなわち、
水１０００１に対するアルカリ添加剤の′添加量をｘｌ
とし、鹸化剤の添加量をＦＪＦ　とするｊと。

これらｘ、ｙが次の３式を同時Ｋｌｌ゛昆する必要−が
ある。

Ｘ≦１２６ ｙ≧　１５ ｙ≦−３５ｘ＋。

４ 化成ａｌｌ波中には銅イオンが必ずなければならｔｋｖ
％と−う４のでも＆−が、鍋イオンが存在す□ると太ｌ
ｌＩ熱徴収体０＊＊すなわち光学約特性がわずかで紘あ
るが向上する。化成錫層液中の銅イオンの役割はかなら
ずしも明らかでは＆いが、銅イオンの存在によ）、Ｃｕ
Ｏ遥訳徴収膜の光学的骨性が向上することが実験的に確
かめられ丸。化成感層液中Ｏ銅イオンの濃度は５００　
ｐｐｍ　　以下とするのが効果的である。化成他層液中
への銅イオンの添加方法は、自由であって、九とえば硫
酸鋼（ＣｕＳＯａ　）＊硝酸鋼（Ｃｕ（Ｎｏｗ）ｎＬ塩
化鋼（ＣｕＣ１ｇ）など銅塩Ｏ水―液を微量―加すると
−う方法によってもよく。

まえ金属鋼を化成＃＆層液中に浸漬し、この液で感層す
ることＫよりて銅イオンを増加させると−う方法により
てもよい。

この発明にｓＰｈて、酸化剤およびアルカリＩＩＩＩ加
剤Ｏ添加量が上記のように遥ばれる理由は、以下のとか
）である。

嬉２ｍは、化成感層液をつくる場合ＫＴｈける。

鹸化剤およびアルカリ添加鋼のｆＩＪＥ１量゛と、その
化ｇｍ、ｉｌ＊ｔｍ″？ｅで、、９１１°１２０関係を
あられす説明図で泰る。水１０００＃に対する酸化剤お
よびアルカ号添加剤の添加量Ｏちが−によりて分けられ
友図の五つの区域Ｄ−Ｈでは。

得られる太−熱徴収体の性能がそれぞれ異なる。

３本の実直線Ｌｌ　（Ｘ＝１２５）、Ｌｍ（ｙ＝１５）
およびＬｓ　（ｙ＝　ｊｊ　ｘ　−５）で囲まれ九斜纏
で示す区４ 域りは、上記の３式を同時に満足し、この発明において
ｇＩｌ用される化成部層液Ｏ鹸化剤添加量およびアルカ
リ添加剤添加量を示す１ｉｕｉである。この纏■内にお
ける配杏にすれば、ａｌ化菖２銅（Ｃｕｂ）膜厚Ｏ調整
が容畠であ）、一定の微細構造を持ち太陽光の近赤外域
での徴収率が高−１高品質の太陽光選択徴収膜が得られ
る。

これに対し、−において実直線Ｌ３・Ｏ下ならびに破−
Ｌ４０左に各所在する区域Ｅでは、化成錫層筐の酸化力
が弱く、ｌＩの銅等の薄膜層を完全に酸化するＯＫ長長
時間中る。その上、その必要時間も一定せず１選択徴収
膜の性能を安定させることができな、−０破纏Ｌ４と実
直１１Ｌｓ　（ｙ＝ｘ　）で挾まれ九区−Ｆでは酸化銅
結晶の長径方向長さ′１ が小さく１ｋ）ヤ゛す〈、そのため、近赤外域（Ｑ、７
〜Ｌ５＃）での＊陽熱の徴収率が低くなる。たとえば、
下地をニッケルとじそＯ１ｋ収皐が０．２以下の場合で
は０．５〜０．６となる。実直線Ｌｓ　拳Ｌｓ　　およ
び実直線Ｌｓでａすれえ区域Ｇでは、近赤外域での徴収
率が大急かり良）、小さかり７１１りして性能が安定し
ｅ％／％。えとえば下地＝ｖケルの徴収率が０１以下の
場合では、Ｑ、６〜（Ｌ９０関でばらりｉ九徴収率を持
つ太陽熱徴収体が得られみ、最１１Ｋ。

図において実直＠ＬＩＯ右に所在する区域Ｈは。

Ｃ−〇〇−出が大急Ｖ％大め・、一定Ｏ膜厚を得ること
が固−である。液を撹拌し丸場合は４ちるん、４１に液
温か低−場合（ｇｏ’ｃＪｊＡ下）ではＣ輸００霞出が
歇しく、ａ４Ｆ、Ｉ＆膳中Ｋ　Ｃｕｏがなくなりてし壜
・うことさえある。

こ０ＩＩＩＫ、この弛−にかかる側法で用ｉる化威島運
＠０添加量ａｍ、すなわち区域り以外では。

高性＃！Ｏ太ｌ１１ｆｌｈ徴収体を安定して得ることか
で龜な−ので６４゜ ζこでもし、化成鵡鳳後にお−て薄膜層Ｏ＃Ｉが完全Ｋ
Ｃ−〇となるのではなく、そＯえめＣｕＯ層にＣｔａ＠
Ｏが存在してｖｈ丸場合にりいて遮べ為と、ｅの場合に
は＠Ｊ１４１性紘非當に＾い、　ＣｕＯＯが存在すると
、近赤外域でＯ徴収率が高くなるからである。しかし、
−（１ａＱ〜２００℃）を受けると、こＯＣｗｌＯはＣ
ｕＯに変化して、このと龜には繊維状もしくは葉状でな
く粒状Ｏ＃ｌ晶にな）、劣化が激しくなる。その丸６．
最初から繊維状もしくは葉状のＣｏｏ　Ｏみからなる場
合に比し、緒ＪＩ、近赤外域でＯ徴収率が愚（なる、　
Ｃｕｅ層中ＫＣｕ　が残りて−ると、ｊｉ赤外域での徴
収皐Ｏ低下が１ｉＡ１することは勿論、膜厚増に・よ）
放射率の増大も起暑る。

そＯｊ、区域ＤＫ属する化成感層液を用いれば。

ＣｕｆＣｍ怠Ｏが残らな−のである。

りぎに、ζＯよ５Ｋしてｍ遡される太陽熱徴収体の耐久
性をさ＆に向上させるには、ｌＩられた選択吸収膜Ｏ表
ｍＫｉｔ鵬性をそなえた保−被膜を、形成してお（Ｏが
効果的である。こＯような保臘被膜としては、シリコン
ｌ１ｌｊｌｌｉ１被膜、７シ嵩＊盾被膜。

ＢＴＩｉｌｌ（ビスマレイミドのトリアジｙＩＩＩｉＪ
１１）被膜などｏｍｍ＊ｍｏほか、シｌカ質の無機質コ
ーテイングなどがｈ珈、太ｉＩ熱徴収体０１！用条件・
設置儒１ｉＩｔｋどに応じて選ぶことが必要である。

保−被膜として１例えばシリコンＩＩＩＩＩ脂被膜を表
面に形成する場合は、市販のシリコン樹Ｉｔ（例えば、
信越化学工業社製、ＫＲ−１７７Ｎ）を中シレンで固形
分１０１１１に悌（以下「−」と略す）程度に稀釈した
液に浸漬し、塗膜を形成し九のち、　１００℃で５分間
龜度加熱し、―膜を硬化させる。フッ素＊ｒｉｔｏ場会
はトルエンで稀釈するのがよい。

保膿被膜としてシリカ質の被膜を形成する方法につ−て
説明すると、選択徴収膜の上にケイ酸り′チウム１ケイ
酸カリウム、ケイ酸ナトｖＩ）ムの如きケイ酸塩の水ｓ
＊ｔｉｍ布し、乾燥して塗膜化し。

これを錦龜付ける方法が一般的である。しかしながら、
よ襲小孔の少なｉ、すぐれた被膜を得ようとすれば、造
膜性に富み、かつ耐衝撃性Ｋｌｌんに被膜を形成し中す
いケイ酸ナト□リウムの被膜を遥択敷収向上ｒ：まず形
成し、七〇のち、その上に耐・、）：ｉ・ 薬品性に富んに被膜を形成ソ１．．．：、す“ケイ酸１
チウムＯ被膜を形成しておくのがよ−０このような二重
構造の被膜を形成する方法にクーて＾体的に説明すれば
次の通砂である。

ケイ酸ナト９ウムおよびケイ酸リチウムの水爵筐は、そ
れヤれ濃ＩＩが１〜３０−の範ｓＫあるのが好まし一０
３０憾よ）高いと塗布−ＩＩＸＦｊＡ−になるとともに
、′焼付けｏｗｔｖｃタラＶ夕が入りた如発泡しえ）し
中すくなる。逆ｔｃｉｎより低いと１ＩＩＩ呆的ｔｋ麹
膜の形成が固−となる。前記選択徴収膜の表−に、ｔず
ケイ酸ナトリウムの水ｓｎｉを、１１毛塗）中浸ＩＩ法
など通常用ｉられる方法で塗布する。

つぎに、この―布面を風乾し九の５．１００℃未満Ｏａ
ｍで予備乾燥する。予備乾燥は焼付け０＠０脅池を鋳止
する九めに行なうもので、過常ｓｏ℃以上′１０・℃未
＃Ｏａ度で（Ｌ５〜３０分関行なわれる。予備乾燥が＃
Ｉり九も、ケイ酸ナトリウムの塗膜を高温で焼龜付けて
ｍｌのシリカ質被膜とするが、この篩付けは、低温（１
＠Ｏ〜２０　＠’Ｃ）で行なう１次篩付けと、高温Ｃ２
Ｑ＠℃を超え４００’Ｃ以下）′″ｆｆ１″５２次―付
祷、：０２段ｊｌＫ＋ｆｆ？ｆｉ＆５゜が、形成される
被膜　Ｏ小孔の発生を抑えるうえで好まし−、ζＯ場会
、１次鋳付けの時間は０．５−３・分間とするＯが好ま
しく、２次焼付けの時間はＯ，ｓ〜３０分関とするのが
好まし−。このようにして菖１４０シリカ質−属が形成
されたら、つぎに、その上からケイ酸すテ、ウムＯ＊１
ｌｌＩ［をＩ１１嶺し、ケイ酸ナトリウムの場合と同様
ｔｋ７６層を膳して１１４２（Ｄシリ、素質被膜を形成
する。このようにして二重構造を有する。すぐれ丸被膜
が得られるのである。

なお、上記保膿被膜の膜厚は、　Ｑ、１−２ｐとするの
が好ましい。０．１ｐよ）薄くすると保−効果が充分で
はなく、２μよ〕厚くすると熱放射が増以上Ｏ＊＠から
明らかなよ゛うに、この発明にかかる太陽島吸収体Ｏ剃
法によれば、太＃ＩＩＩ熱の徴収効率が良好で、耐−性
にすぐれ丸太１ｌＩＩＩｋ徴収体をうまく展進すること
かで自為のである。

つｒＫ、この弛−の実施例および比較例にりいて鋭−す
る。

（ＩＩ施例および比較例〕 一〇を基材として使用し、との基材表−にシアン化銅系
の銅メツ命を施して銅の薄膜層を形成した。

な）、ニッケルメッキは、過當、市販の光沢剤を含む液
をｊｌｖ％て行われ丸。その後、菖１表に示す条件で化
威蟲層を施し、９２表に示すような選択徴収膜を基材表
ｔｌｉｊＪＫそなえ丸太陽熱徴収体を畳九。

この太ＨＩＩＩ＆徴収体の光学的特性は、ｇＳ表に示す
通かであり表。

ｃ以下余ａ） 第　　　１　　　表 ＄１．米２：単位はＩでｈ為。

米３　　　：単位は一一で獣予。

第　　　２　　　表 （注）試験方〒後記 １ 第３表 （注）試験方法は後記 銅メツ命厚：　中央製作所製電解弐膜厚欄定器を使用し
た。

２ｕＯｌ［ｊｌ　：　　定電ｍ、を元法を用ｉた。　　
　　□確晶長：Ｃｌｌ０形成初期（ＣｍＯ結晶がまだら
なと１１）に電子顕微鏡写真により長嫌 方向の長さを一定した。　Ｃｕ０−晶は。

時間、温度に関係なく、化成鵡層液 Ｏ組威によ）定まるので、この方法 によりてよｉ。

」　成：　　Ｘ［ｌＩ折法を用いて同定した。

ここでａ；徴収率（太陽全エネルギーに対する） ＩＡ；太陽光ｏｗｔ＊＾０１１ＬＩＩ！強度ご ここでＣ；放射率（黒体放射全エネルギーに対する） Ｓ□Ｔ：１．。；ｌ５ＯＴ：Ｏ黒体からの波長λの放射
強度 Ｃλ；波長人の放射率（黒体に対す る） 、なお、赤外分光光度針で赤外域の反射率ＰＡを一定し
、　ｇ、−１−Ｐ、とした。

【図面の簡単な説明】

菖１ａｌ紘ＣｕＯからなる選択吸収膜Ｏ光宇釣費性をあ
られナグラフでｈ＊、菖２−は化威錨運液Ｏ」成と化成
熟思くよ）得られる選択吸収膜の性能の関係を説明する
丸めＯ鋭＠図である。 特許出願人　松下電工株式会社 代理人　弁理士　松　、本　武　　彦 手続補正書（自発） 昭和５７年３月２４日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許−第１４１４９７号 λ　発明の名称 太陽熱吸収体の製法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　　　　　大阪府門真市大字門真１０４８番地
名　称　　　　（５８３）松下電工株式会社代表者　　
　　　　代表取締役　　小　　林　　　　郁４、代理人 な　　　　し ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１）明細＊第１４頁第１Ｏ行から１１行にかけて［そ
の点、区域りに属する化成処理液を用いれば、ＣｕやＣ
ｕ２Ｏが残らないのである。」とあるを削除する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ω　化学的および熱的に貸室な表面をもつ金属基材の表
   面に銅および銅ｉ会の中からｉばれ九金属からなる薄膜
   層を形成し、この薄膜層を酸化感層する２メによりて遥
   −徴収膜化するにあ九１□ 化成鵡濡筐として、亜塩素酸塩１次亜塩素酸塩および過
   硫酸塩の中かｉ−ばれえ塩かｉな一駿化剤。 水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムの中から選ばれ
   大水酸化物からなるアルカリ添加剤ならびＫＯ−５ＯＯ
   ｐｐｍの鋼イオンを含み、かつ水１００・１に対する上
   記アーカー添加剤６＃Ａ加量をｘｌＦｅ酸化剤の添加量
   を７１とすゐと、これら翼、ｙが下記０３式を同時に満
   足すゐ範−内’Ｋ　６６　＊　ＩＩ　＃１を用いること
   を特徴とする太−熱吸収体Ｏｊｌ法。 翼≦１！５　　　　′ ｙ≧　１５ ｙ≦百８−５ （２）酸化剤およびアルカリ添加剤がそれてｆＬ龜膓嵩
   駿ナトリウムおよび水酸化ナトリウムである譬許鰭求Ｏ
   ＩＩ■ｊｌｌｌ［記載Ｏ太陽熱吸収体の製法。 （２）遥ＩＲ徴収ｌｌｌ０属厚がａＯ８〜１．（ｌクロ
   ンである特許■求ＯＳＳ館１項または菖２ＪＪ記−の太
   陽熱徴収体ＯＩＩ法。