JPS584351Y2 - スイヘイヘンコウシユツリヨクトランジスタノレイシンカイロ - Google Patents
スイヘイヘンコウシユツリヨクトランジスタノレイシンカイロInfo
- Publication number
- JPS584351Y2 JPS584351Y2 JP1975097553U JP9755375U JPS584351Y2 JP S584351 Y2 JPS584351 Y2 JP S584351Y2 JP 1975097553 U JP1975097553 U JP 1975097553U JP 9755375 U JP9755375 U JP 9755375U JP S584351 Y2 JPS584351 Y2 JP S584351Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- output transistor
- base
- excitation
- horizontal deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
水平走査周期でスイッチング動作を行なう水平偏向出力
トランジスタとダンパダイオードとを用いて水平偏向コ
イル中に水平偏向用のこぎり波電流を流すように構成さ
れたトランジスタ水平偏向回路における水平偏向出力ト
ランジスタは、スイッチング動作時に飽和域及び遮断域
で動作する。
トランジスタとダンパダイオードとを用いて水平偏向コ
イル中に水平偏向用のこぎり波電流を流すように構成さ
れたトランジスタ水平偏向回路における水平偏向出力ト
ランジスタは、スイッチング動作時に飽和域及び遮断域
で動作する。
ところで、水平偏向出力トランジスタを飽和域及び遮断
域で動作させるためには、それぞれの動作状態において
必要とされる入力ベース電流として、それが飽和域の場
合には、入力ベース電流ｉｂ＋が、 上記の（１）式で示されるようなものが必要であり、ま
た、それが遮断域の場合には、入力ベース電流ｉｂ□が
、 上記の（２）式で示されるようなものが必要である。
域で動作させるためには、それぞれの動作状態において
必要とされる入力ベース電流として、それが飽和域の場
合には、入力ベース電流ｉｂ＋が、 上記の（１）式で示されるようなものが必要であり、ま
た、それが遮断域の場合には、入力ベース電流ｉｂ□が
、 上記の（２）式で示されるようなものが必要である。
（ただし、上記の（１） 、 （２）式において、ｈｆ
ｅは水平偏向出力トランジスタｈのパラメータ、Ｉｃｐ
は水平偏向出力トランジスタのピークコレクタ電流であ
る。
ｅは水平偏向出力トランジスタｈのパラメータ、Ｉｃｐ
は水平偏向出力トランジスタのピークコレクタ電流であ
る。
）そして、通常のテレビジョン受像機においては大型の
受像管が使用されており、そのため、画像の映出に当っ
ては相当に大きな水平偏向電力が必要とされるものであ
り、水平偏向出力トランジスタのピークコレクタ電流も
大きく、シたがって、水平偏向出力トランジスタを駆動
するために必要とされろ水平偏向出力トランジスタへの
入力ベース電流も相当大きな値のものとなる。
受像管が使用されており、そのため、画像の映出に当っ
ては相当に大きな水平偏向電力が必要とされるものであ
り、水平偏向出力トランジスタのピークコレクタ電流も
大きく、シたがって、水平偏向出力トランジスタを駆動
するために必要とされろ水平偏向出力トランジスタへの
入力ベース電流も相当大きな値のものとなる。
そこで、従来は励振段のトランジスタの出力を励振変圧
器を介して水平偏向出力トランジスタのベースへ与える
ように構成されているのが普通であった。
器を介して水平偏向出力トランジスタのベースへ与える
ように構成されているのが普通であった。
ところが一般に、回路の構成部品として変圧器を使用し
た場合には回路構成上において大きな空間部分が変圧器
の存在のために必要とされるし、また、変圧器はその変
換能率が理想的なものではないために、変圧器の使用に
よって電力損失が生じる他、変圧器は他の部分に比べて
価格が高いのでコスト面からみても支障となる。
た場合には回路構成上において大きな空間部分が変圧器
の存在のために必要とされるし、また、変圧器はその変
換能率が理想的なものではないために、変圧器の使用に
よって電力損失が生じる他、変圧器は他の部分に比べて
価格が高いのでコスト面からみても支障となる。
一方、小型の受像管を用いたテレビジョン受像機におい
ては、画像の映出に当って必要とされる水平偏向電力が
少なくてもよいので、水平偏向出力トランジスタのピー
クコレクタ電流値が少なくて済み、また、その場合には
ｈｒｅの値の大きなトランジスタを使用することも可能
となって、必要な水平偏向電流を水平偏向コイルに流す
ように動作する水平偏向出力トランジスタに対して与え
るべき入力ベース電流値も小さくて良いので、このよう
な場合には上記したような色々な欠点のある励振変圧器
の使用を避ける方向で回路構成を行なうことも可能と考
えられる。
ては、画像の映出に当って必要とされる水平偏向電力が
少なくてもよいので、水平偏向出力トランジスタのピー
クコレクタ電流値が少なくて済み、また、その場合には
ｈｒｅの値の大きなトランジスタを使用することも可能
となって、必要な水平偏向電流を水平偏向コイルに流す
ように動作する水平偏向出力トランジスタに対して与え
るべき入力ベース電流値も小さくて良いので、このよう
な場合には上記したような色々な欠点のある励振変圧器
の使用を避ける方向で回路構成を行なうことも可能と考
えられる。
本考案は、出力トランジスタのベースと接地との間に、
出力トランジスタのベース・エミッタ間で゛形成されて
いる等価ダイオードの接続極性とは逆の接続極性となる
ようにダイオードを接続し、また、出力トランジスタの
ベースと励振段のトランジスタのコレクタの間に、静電
容量値Ｃが、（ただし、Ｒは励振段のトランジスタのコ
レクタ負荷抵抗、Ｒ＋は出力トランジスタの入力抵抗、
■。
出力トランジスタのベース・エミッタ間で゛形成されて
いる等価ダイオードの接続極性とは逆の接続極性となる
ようにダイオードを接続し、また、出力トランジスタの
ベースと励振段のトランジスタのコレクタの間に、静電
容量値Ｃが、（ただし、Ｒは励振段のトランジスタのコ
レクタ負荷抵抗、Ｒ＋は出力トランジスタの入力抵抗、
■。
２は出力トランジスタのピークコレクタ電流、ｈｆｅは
出力トランジスタのｈパラメータ、■ｃｏはコレクタ負
荷抵抗Ｒが接続されている電源の電圧、Ｔは励振段のト
ランジスタの遮断動作期間）前記の（ａ）式で示される
値以上の静電容量値を有する結合コンデンサを接続する
ことにより、前記した結合コンデンサと出力トランジス
タの入力抵抗ならびに励振段のトランジスタのコレクタ
負荷抵抗などで構成された時定数回路の充電時定数が、
励振段のトランジスタの遮断動作期間に比べて充分に長
いものとし、励振段のトランジスタの遮断動作期間にわ
たって前記の充電時定数回路を通して出力トランジスタ
に所要な順方向ベース電流が供給されるようにしてなる
水平偏向出力トランジスタの励振回路を提供して、既述
した問題点を解消したものであり、以下、添付図面を参
照してその内容を具体的に説明する。
出力トランジスタのｈパラメータ、■ｃｏはコレクタ負
荷抵抗Ｒが接続されている電源の電圧、Ｔは励振段のト
ランジスタの遮断動作期間）前記の（ａ）式で示される
値以上の静電容量値を有する結合コンデンサを接続する
ことにより、前記した結合コンデンサと出力トランジス
タの入力抵抗ならびに励振段のトランジスタのコレクタ
負荷抵抗などで構成された時定数回路の充電時定数が、
励振段のトランジスタの遮断動作期間に比べて充分に長
いものとし、励振段のトランジスタの遮断動作期間にわ
たって前記の充電時定数回路を通して出力トランジスタ
に所要な順方向ベース電流が供給されるようにしてなる
水平偏向出力トランジスタの励振回路を提供して、既述
した問題点を解消したものであり、以下、添付図面を参
照してその内容を具体的に説明する。
第１図は本考案の水平偏向出力トランジスタの励振回路
の実施例回路図であって、図においてＱｌは励振段のト
ランジスタ（以下、トランジスタＱ１という）、Ｑ２は
水平偏向出力トランジスタ（以下、トランジスタＱ２と
いう）である。
の実施例回路図であって、図においてＱｌは励振段のト
ランジスタ（以下、トランジスタＱ１という）、Ｑ２は
水平偏向出力トランジスタ（以下、トランジスタＱ２と
いう）である。
トランジスタＱ２のベースと接地との間には、ダイオー
ドＤが、トランジスタＱ２におけるベース・エミッタ間
に形成されている等価ダイオードの接続極性とは逆の接
続極性となるように接続されており、また、負荷抵抗Ｒ
を介して電源■。
ドＤが、トランジスタＱ２におけるベース・エミッタ間
に形成されている等価ダイオードの接続極性とは逆の接
続極性となるように接続されており、また、負荷抵抗Ｒ
を介して電源■。
０に接続されたトランジスタＱ。のコレクタとトランジ
スタＱ２のベースとの間には、結合コンデンサＣが接続
されている。
スタＱ２のベースとの間には、結合コンデンサＣが接続
されている。
トランジスタＱ１に対して励振パルスが与えられると、
トランジスタＱ１はその励振パルスによって導通状態と
なされたり、あるいは遮断状態となされたりする。
トランジスタＱ１はその励振パルスによって導通状態と
なされたり、あるいは遮断状態となされたりする。
第２図（ａ）図はトランジスタＱ１のベース電位の変化
態様を例示したものである。
態様を例示したものである。
今、トランジスタＱ１が時刻ｔ。
において導通状態から遮断状態になされると、電源Ｖ。
Ｃ→負荷抵抗Ｒ→結合コンデンサＣ→トランジスタＱ２
のベース・エミッタ間に形成された等価ダイオード→接
地の回路を通して、結合コンデ゛ンサＣの充電々流１１
が流れる。
のベース・エミッタ間に形成された等価ダイオード→接
地の回路を通して、結合コンデ゛ンサＣの充電々流１１
が流れる。
上記した結合コンデンサＣの充電々流１１は負荷抵抗Ｒ
の抵抗値をＲ１結合コンデンサＣの静電容量値をＣ、ト
ランジスタＱ２の入力抵抗をＲ１とすると、 上記の（３）式のように示される。
の抵抗値をＲ１結合コンデンサＣの静電容量値をＣ、ト
ランジスタＱ２の入力抵抗をＲ１とすると、 上記の（３）式のように示される。
トランジスタＱ１は、第２図（ａ）図に示す時刻ｔｏか
ら時刻ｔ１の期間に遮断状態にあり、時刻ｔ１において
導通状態に変わり、さらに時刻ｔ２において再び遮断状
態に変化するというように励振パルスに応じてその動作
状態を変化しているが、今、負荷抵抗Ｒと結合コンデン
サＣとトランジスタＱ２の入力抵抗Ｒ１などで構成され
ている充電時定数回路の時定数（Ｒ十Ｒ，）Ｃの値をト
ランジスタＱ１の遮断動作期間Ｔ（第２図（ａ）図中ノ
ｔ。
ら時刻ｔ１の期間に遮断状態にあり、時刻ｔ１において
導通状態に変わり、さらに時刻ｔ２において再び遮断状
態に変化するというように励振パルスに応じてその動作
状態を変化しているが、今、負荷抵抗Ｒと結合コンデン
サＣとトランジスタＱ２の入力抵抗Ｒ１などで構成され
ている充電時定数回路の時定数（Ｒ十Ｒ，）Ｃの値をト
ランジスタＱ１の遮断動作期間Ｔ（第２図（ａ）図中ノ
ｔ。
−＋ｔ１期間、ｔ２→ｔ３期間など）に比べて充分に長
いものとし、トランジスタＱ１が遮断状態から導通状態
に変化する時点（例えば、時刻ｔ１．ｔ３など）におい
ても、結合コンデンサＣの充電々流１１の値が、前記し
た（１）式で示すトランジスタＱ２のベース電流ｉｂ□
の値以上となるようにすると、トランジスタＱ２のベー
スにはトランジスタＱ１の遮断動作期間中にわたって所
要な順方向ベース電流が供給され、トランジスタＱ２は
導通状態となされる。
いものとし、トランジスタＱ１が遮断状態から導通状態
に変化する時点（例えば、時刻ｔ１．ｔ３など）におい
ても、結合コンデンサＣの充電々流１１の値が、前記し
た（１）式で示すトランジスタＱ２のベース電流ｉｂ□
の値以上となるようにすると、トランジスタＱ２のベー
スにはトランジスタＱ１の遮断動作期間中にわたって所
要な順方向ベース電流が供給され、トランジスタＱ２は
導通状態となされる。
第２図（ｂ）図はトランジスタＱ２のベース電位の変化
態様を例示したものである。
態様を例示したものである。
トランジスタＱ１の遮断動作期間Ｔ中にわたって、その
充電々流１１によりトランジスタＱ２のベースに対して
（１）式で示すようなベース電流ｉ５、を供給できるよ
うにするための結合コンデンサＣとしては、次の（４）
式で示されるような静電容量値以上の静電容量値が必要
である。
充電々流１１によりトランジスタＱ２のベースに対して
（１）式で示すようなベース電流ｉ５、を供給できるよ
うにするための結合コンデンサＣとしては、次の（４）
式で示されるような静電容量値以上の静電容量値が必要
である。
次に、トランジスタＱ１が遮断状態から導通状態に変化
した場合を考えると、トランジスタＱ１の導通によりト
ランジスタＱ１のコレクタの電位は略々接地位置となさ
れるから、結合コンテ゛ンサＣ中に蓄積されていた電荷
は、結合コンテ゛ンサＣ→トランジスタＱ１のコレクタ
→同エミッタ→接地→ダイオードＤ→結合コンテ゛ンサ
Ｃの回路で放電する。
した場合を考えると、トランジスタＱ１の導通によりト
ランジスタＱ１のコレクタの電位は略々接地位置となさ
れるから、結合コンテ゛ンサＣ中に蓄積されていた電荷
は、結合コンテ゛ンサＣ→トランジスタＱ１のコレクタ
→同エミッタ→接地→ダイオードＤ→結合コンテ゛ンサ
Ｃの回路で放電する。
図中の１２は上記した回路に流れる放電々流で゛ある。
そして、ダイオードＤのアノード・カソード間の内部抵
抗に上記した放電々流１２が流れたことにより生じた電
圧降下によって、トランジスタＱ２のベースは接地電位
に対して充分に負の電位にバイアスされ、トランジスタ
Ｑ２はトランジスタＱ１の導通期間中は確実に遮断状態
となされる。
抗に上記した放電々流１２が流れたことにより生じた電
圧降下によって、トランジスタＱ２のベースは接地電位
に対して充分に負の電位にバイアスされ、トランジスタ
Ｑ２はトランジスタＱ１の導通期間中は確実に遮断状態
となされる。
以上の説明から明らかなように、本考案の水平偏向出力
トランジスタの励振回路は、１個のダイオードと結合コ
ンデンサ及び抵抗を用いるだけという極めて簡単な構成
により、水平偏向出力トランジスタに対して良好に励振
パルスを供給することができるのであり、本考案回路に
よれば従来回路において必要とされていた励振変圧器を
不要としたものであるから、本考案回路の採用により既
述した従来の問題点は良好に解消される。
トランジスタの励振回路は、１個のダイオードと結合コ
ンデンサ及び抵抗を用いるだけという極めて簡単な構成
により、水平偏向出力トランジスタに対して良好に励振
パルスを供給することができるのであり、本考案回路に
よれば従来回路において必要とされていた励振変圧器を
不要としたものであるから、本考案回路の採用により既
述した従来の問題点は良好に解消される。
第１図は本考案の水平偏向出力トランジスタの励振回路
の実施例回路図、第２図（ａ）、（ｂ）図は説明用波形
図である。 Ｑｌ・・・・・・励振段のトランジスタ、Ｑ２・・・・
・・水平偏向出力トランジスタ、Ｄ・・・・・・ダイオ
ード、Ｒ・・・・・・コレクタ負荷抵抗、Ｃ・・・・・
・結合コンテ゛ンサ。
の実施例回路図、第２図（ａ）、（ｂ）図は説明用波形
図である。 Ｑｌ・・・・・・励振段のトランジスタ、Ｑ２・・・・
・・水平偏向出力トランジスタ、Ｄ・・・・・・ダイオ
ード、Ｒ・・・・・・コレクタ負荷抵抗、Ｃ・・・・・
・結合コンテ゛ンサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 出力トランジスタのベースと接地との間に、出力トラン
ジスタのベース・エミッタ間で形成されている等価ダイ
オードの接続極性とは逆の接続極性となるようにダイオ
ードを接続し、また、出力トランジスタのベースと励振
段のトランジスタのコレクタとの間に、静電容量値Ｃが
、 （ただし、Ｒは励振段のトランジスタのコレクタ負荷抵
抗、Ｒ＋は出力トランジスタの入力抵抗、Ｉｃｐは出力
トランジスタのピークコレクタ電流、ｈｆｅは出力トラ
ンジスタのｈパラメータ、■ｃｃはコレクタ負荷抵抗Ｒ
が接続されている電源の電圧、Ｔは励振段のトランジス
タの遮断動作期間）前記の（ａ）式で示される値以上の
静電容量値を有する結合コンデンサを接続することによ
り、前記した結合コンデンサと出力トランジスタの入力
抵抗ならびに励振段のトランジスタのコレクタ負荷抵抗
などで構成された時定数回路の充電時定数が、励振段の
トランジスタの遮断動作期間に比べて充分に長いものと
し、励振段のトランジスタの遮断動作期間にわたって前
記の充電時定数回路を通して出力トランジスタに所要な
順方向ベース電流が供給されるようにしてなる水平偏向
出力トランジスタの励振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975097553U JPS584351Y2 (ja) | 1975-07-14 | 1975-07-14 | スイヘイヘンコウシユツリヨクトランジスタノレイシンカイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975097553U JPS584351Y2 (ja) | 1975-07-14 | 1975-07-14 | スイヘイヘンコウシユツリヨクトランジスタノレイシンカイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5212414U JPS5212414U (ja) | 1977-01-28 |
| JPS584351Y2 true JPS584351Y2 (ja) | 1983-01-25 |
Family
ID=28579209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1975097553U Expired JPS584351Y2 (ja) | 1975-07-14 | 1975-07-14 | スイヘイヘンコウシユツリヨクトランジスタノレイシンカイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584351Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS425900Y1 (ja) * | 1965-05-25 | 1967-03-23 |
-
1975
- 1975-07-14 JP JP1975097553U patent/JPS584351Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5212414U (ja) | 1977-01-28 |
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