JPS5843522A - ウエハ上の層をエツチングする方法 - Google Patents
ウエハ上の層をエツチングする方法Info
- Publication number
- JPS5843522A JPS5843522A JP57144881A JP14488182A JPS5843522A JP S5843522 A JPS5843522 A JP S5843522A JP 57144881 A JP57144881 A JP 57144881A JP 14488182 A JP14488182 A JP 14488182A JP S5843522 A JPS5843522 A JP S5843522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- layer
- etching
- etched
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/20—Cleaning during device manufacture
- H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H10P70/273—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation of conductive layers, e.g. by RIE
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
- H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
- H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
- H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
- H10P50/268—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/917—Differential etching apparatus having a barrel reactor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウニ４４反応容器中にマウントす゛）
る工程及び容器中にエツチングプラズマを形成する工程
から成るウェハ上の層エツチング法に係る。
から成るウェハ上の層エツチング法に係る。
半導体つ、二〇のような試料朽パターン、形成するため
に、ドライプロセス技術を用いることに、かなりの関心
かも、たれてい、る。ドライプロセスへの関心は、標準
的な湿式エツチングに比べ、一般的・、に分解能が高く
かつ寸法及び、形状の制御性がよ〜）、ことによる。従
って、。
に、ドライプロセス技術を用いることに、かなりの関心
かも、たれてい、る。ドライプロセスへの関心は、標準
的な湿式エツチングに比べ、一般的・、に分解能が高く
かつ寸法及び、形状の制御性がよ〜）、ことによる。従
って、。
ドライエラ、チングはたと、えば悲常に大規模な集積（
、Ｖ、、、Ｌ ８ 工）デバ、イスを、−形成するた、
めに。
、Ｖ、、、Ｌ ８ 工）デバ、イスを、−形成するた、
めに。
半導体ウェハな加工する過程に、おいで、細線、パター
ン形成に用いられるこ２とが多くなっている。
ン形成に用いられるこ２とが多くなっている。
反応容、器中のラジオ周波（、ｒｆ ）−プラズマ−を
、含む各種ドライエッチ、ングプロセスが知られている
。これらのいわゆるプラズマ補助プロセスには９反応、
性スパッタ（又はイオン）エツチングが、含まれ、る。
、含む各種ドライエッチ、ングプロセスが知られている
。これらのいわゆるプラズマ補助プロセスには９反応、
性スパッタ（又はイオン）エツチングが、含まれ、る。
１、反応性スパッタエラ。
チングにおいて“−パターン形成すべき試料は。
反応容器中のｒｆ 駆動カソード電極上、に置かれる。
典型的な場合プラズマエツチングとよばれる別のプラズ
マ補助プロセスにおいて。
マ補助プロセスにおいて。
試料は反応容器、中の接地された７ノード電極上に置か
れる。ＶＬＳＩデバイス製作に適したこれらのプロセス
及び他のプロセスにつ℃）ては・たキえばシー、エム、
メ、リアースミス（Ｃ０Ｍ、 Ｍｅｌｌｉａｒ −５ｗ
１ｔｈ ）及びシー、ジエ、イ、モガブ（Ｃ，、Ｊ、、
Ｍｏｇａりによる１）くり１−ン描画のため、の、プ
ラズマ補助工、ツチング技術”ｙ＜、：、ｔ −、ｙ＜
ｔｂｈ ａ−プ、ＯＦ ’Ｘ （ＴｈｉｎＦｉｌｍ
Ｐｒｏｃｅｓｓ ） 、ジエイ、エル、ポ！ン（Ｗ、、
Ｋｅｒｎ ）編、アカデミツク・プレ、ス、 ニュ
、−ヨーク、１９７．８，４９７−５．５２頁に述べら
れている。、 − これまヂ実施されてきたように、ＶＬＳＩ法のパターン
形成をするために設計されたプラズマ補助エッチングプ
１口γ、スは、しばしば比較的生産憔が低いことが問題
になってきた。
れる。ＶＬＳＩデバイス製作に適したこれらのプロセス
及び他のプロセスにつ℃）ては・たキえばシー、エム、
メ、リアースミス（Ｃ０Ｍ、 Ｍｅｌｌｉａｒ −５ｗ
１ｔｈ ）及びシー、ジエ、イ、モガブ（Ｃ，、Ｊ、、
Ｍｏｇａりによる１）くり１−ン描画のため、の、プ
ラズマ補助工、ツチング技術”ｙ＜、：、ｔ −、ｙ＜
ｔｂｈ ａ−プ、ＯＦ ’Ｘ （ＴｈｉｎＦｉｌｍ
Ｐｒｏｃｅｓｓ ） 、ジエイ、エル、ポ！ン（Ｗ、、
Ｋｅｒｎ ）編、アカデミツク・プレ、ス、 ニュ
、−ヨーク、１９７．８，４９７−５．５２頁に述べら
れている。、 − これまヂ実施されてきたように、ＶＬＳＩ法のパターン
形成をするために設計されたプラズマ補助エッチングプ
１口γ、スは、しばしば比較的生産憔が低いことが問題
になってきた。
これらの／口、セスでよりよい結果を得る上での主要な
障害の一つは、エツチング装置の反応容器中での一見不
可避な汚染の存在で多゛つた。出願人はこれらの汚染は
、た゛とえは反応容器中の各種表面からエツチングされ
る材料片あるいはエツチング容器中に発生する化学・物
質から成ることを確認した。それらの汚染物質は、たと
えばエツチングすべき選択的にマスクされた層の表面上
に堆積し、それによ゛り堆積した汚染物質の下にある層
のマスクされない部分がエツチングされるのを、実効的
に妨げる。その結果、汚染された層中にエッチされたパ
ターンは、上のマスク中く形成されたパターンを正確に
再現したものではな（なる可能性がある。実際に゛重要
な多（の場合。
障害の一つは、エツチング装置の反応容器中での一見不
可避な汚染の存在で多゛つた。出願人はこれらの汚染は
、た゛とえは反応容器中の各種表面からエツチングされ
る材料片あるいはエツチング容器中に発生する化学・物
質から成ることを確認した。それらの汚染物質は、たと
えばエツチングすべき選択的にマスクされた層の表面上
に堆積し、それによ゛り堆積した汚染物質の下にある層
のマスクされない部分がエツチングされるのを、実効的
に妨げる。その結果、汚染された層中にエッチされたパ
ターンは、上のマスク中く形成されたパターンを正確に
再現したものではな（なる可能性がある。実際に゛重要
な多（の場合。
汚染物質によりエッチされ仝ことを妨げられた層の部分
、は、′製作＾中のデバイス内に描かれる許容できない
パターン聾生ずる。あるいは。
、は、′製作＾中のデバイス内に描かれる許容できない
パターン聾生ずる。あるいは。
これらのエッチされない′漬、分のある゛ものは。
細片又はいわゆる１草地”領域を構成し、デバイス製作
工程中折れたシ、横方向に伝わったり、あるいは下の層
に浸透し、それによってデバイス中に欠陥を生ずる。
工程中折れたシ、横方向に伝わったり、あるいは下の層
に浸透し、それによってデバイス中に欠陥を生ずる。
これらの理由及びその他の理由により、プラズマ補助エ
ツチング装置の反応容器中での汚染効果を減そうと・す
ることを目的としたかなりの努力が当業者により払われ
てき゛た。そのような努力はもし成功するならば、生産
性は向上し、それによってそのようなエツチング装置中
で行われるド′−ライパターン形成工程を含む裏作工程
に従い作られる゛デバイスの価格は減少する−であろう
。
ツチング装置の反応容器中での汚染効果を減そうと・す
ることを目的としたかなりの努力が当業者により払われ
てき゛た。そのような努力はもし成功するならば、生産
性は向上し、それによってそのようなエツチング装置中
で行われるド′−ライパターン形成工程を含む裏作工程
に従い作られる゛デバイスの価格は減少する−であろう
。
本発明に従−５と、゛この問題はエツチングすべきウェ
ハな、内部表面の少くともある程度がポリ７リーレート
重合体で被膚された反応容器内にセウントすることを特
徴°としたプラズマ補助エツチシ゛グ、法により解決さ
れ゛る。
ハな、内部表面の少くともある程度がポリ７リーレート
重合体で被膚された反応容器内にセウントすることを特
徴°としたプラズマ補助エツチシ゛グ、法により解決さ
れ゛る。
本発明の原理Ｇｔ、標準的、なプラズマエツチング装置
及び方竺１．標準的な反応性スパッタエツチング装置云
び方法の両方の改善に適゛翔できる。ここでは具体的な
実施例を示す目、的のため１本発明の原理を実施する反
応性スパッタエツチング装置に基本的な重点を置（。
及び方竺１．標準的な反応性スパッタエツチング装置云
び方法の両方の改善に適゛翔できる。ここでは具体的な
実施例を示す目、的のため１本発明の原理を実施する反
応性スパッタエツチング装置に基本的な重点を置（。
しかし、これらの原理はまた。プラズマエツチング装置
に肘用しても有利であることが。
に肘用しても有利であることが。
明らかに理解されるはずである。
更に、各種の構成の反応性スパツタエッチンク装置が刈
られている。これらの中には平行プレート反応容器又は
米国特許第５５９８，７１０号に述べられているいわゆ
るパンケーキ反応容器が含まれる。具体例を示す目的の
ため。
られている。これらの中には平行プレート反応容器又は
米国特許第５５９８，７１０号に述べられているいわゆ
るパンケーキ反応容器が含まれる。具体例を示す目的の
ため。
ここでは周・知の多面体円筒型の反応容器に基本的に重
点を置くことにする。しかし９本発明の原理はまた。平
行プレート型のような他の反応容器に応用しても有′利
もあることが。
点を置くことにする。しかし９本発明の原理はまた。平
行プレート型のような他の反応容器に応用しても有′利
もあることが。
明らかに理解されるはずである。 □本発明の原理
を実施する多面体反応性スパッタエツチング装置の具体
例が、第１図に示されている。第１図に示された装置と
従来技術によるそのような装置の主な違いは、第１図の
反応容器中の表面は、たとえばポリアリ−レート重合体
の箔のような層で被覆されて□ いるという事実である
。たとえば以下で具体的に述べるような各種のエツチン
グプロセスの場合、そのような層はここで述べる反応容
器中で行われるエツチングプロセスに対し”。
を実施する多面体反応性スパッタエツチング装置の具体
例が、第１図に示されている。第１図に示された装置と
従来技術によるそのような装置の主な違いは、第１図の
反応容器中の表面は、たとえばポリアリ−レート重合体
の箔のような層で被覆されて□ いるという事実である
。たとえば以下で具体的に述べるような各種のエツチン
グプロセスの場合、そのような層はここで述べる反応容
器中で行われるエツチングプロセスに対し”。
特に有利な低汚染特性をもたらすことが確認されている
。
。
第１・、図に描かれた具体的なエツチングシステムは、
たとえばアルミニウム又はステンレススチールのような
導電性材料で作られた円５゛筒状試料室（１０）により
一部が規定された反応容器から成る。、試料室（１０）
は描かれた構造内の中心にマウントされた試料支持具（
１２）に近づけるため、上方に移動さ゛せることかでき
る。第１図に示された具体的な支持具（１２）は、６７
個の平坦表面又は小面を含む。具体例として、第１図に
示されたそのよう、な表面のそれぞれは、その上に６枚
・の４・インチウェハがマウン４トされるよ−うに設計
さ４−れているとする。支持具（１２）上につ・工・八
をマウントするための皿又はウニ・ハ包含機構（１１）
については、第２図に関連してより詳細に述べる。
たとえばアルミニウム又はステンレススチールのような
導電性材料で作られた円５゛筒状試料室（１０）により
一部が規定された反応容器から成る。、試料室（１０）
は描かれた構造内の中心にマウントされた試料支持具（
１２）に近づけるため、上方に移動さ゛せることかでき
る。第１図に示された具体的な支持具（１２）は、６７
個の平坦表面又は小面を含む。具体例として、第１図に
示されたそのよう、な表面のそれぞれは、その上に６枚
・の４・インチウェハがマウン４トされるよ−うに設計
さ４−れているとする。支持具（１２）上につ・工・八
をマウントするための皿又はウニ・ハ包含機構（１１）
については、第２図に関連してより詳細に述べる。
第１図に示されたエツチングシステム全体の一部を構成
する補助装置（１４）は、流体誘導管及び導電性バスを
その中に含む導管を含む。管中な誘導、される流体は、
試料支持具（１２）を冷却するために用いられ、バスは
支持具（１２）に高周波電位を容量的に結合させるため
のものである。
する補助装置（１４）は、流体誘導管及び導電性バスを
その中に含む導管を含む。管中な誘導、される流体は、
試料支持具（１２）を冷却するために用いられ、バスは
支持具（１２）に高周波電位を容量的に結合させるため
のものである。
導管（１８）（第１図）は装置（１４）中の標準的な真
空ポンプに接続されており、試料室（１０）中にあらか
じめ決められた低圧力条件を作る働きをする。。加えて
、入力管（２０）は装置（１４）から描かれた反応容器
中へ、指定された気体又★ｉ気体混合物を誘導するため
に用いられる。： 先に述べたバスは第１蔓に示された試料支持具（１２）
に接続され、試″料室（１０）は電気的接地のような基
準電位の固定点に接続されている。試料支持具（１２）
はカンードを構成し、試料室（１０）は描かれた装置の
７１−ドな構成する。周知のように、７ノ一ド対カソー
ド面積比は、１を越えるように設計される。
空ポンプに接続されており、試料室（１０）中にあらか
じめ決められた低圧力条件を作る働きをする。。加えて
、入力管（２０）は装置（１４）から描かれた反応容器
中へ、指定された気体又★ｉ気体混合物を誘導するため
に用いられる。： 先に述べたバスは第１蔓に示された試料支持具（１２）
に接続され、試″料室（１０）は電気的接地のような基
準電位の固定点に接続されている。試料支持具（１２）
はカンードを構成し、試料室（１０）は描かれた装置の
７１−ドな構成する。周知のように、７ノ一ド対カソー
ド面積比は、１を越えるように設計される。
第１図はまた格子要素（２６）を含むと有利であり、そ
の構造及び機能につ−１ては、先に引用したメイダンの
特許明細書中に詳細に述べられている。
の構造及び機能につ−１ては、先に引用したメイダンの
特許明細書中に詳細に述べられている。
第１図のウェハ・マウントトレイ（１１）は、第２図中
により詳細に示されているように、トレイ（１１）はた
とえびアルミニウムで作られたベースプレート（２８）
から成る。
により詳細に示されているように、トレイ（１１）はた
とえびアルミニウムで作られたベースプレート（２８）
から成る。
６個のウェハ支持用（ばみが、プレー） （２８）中に
形成されている。これらの（ぼみは典型的な場合円筒状
で、その中に置（よう設計された各ウェハよ）直径がほ
んのわずか大きい。、ヶ、）７．よ−ｊ：１；ト、、ウ
ェア、。。、４．１つある。そのような（ばみ（ＳＯ）
はその中にウェハ（Ｓ２）を含んでおり、第２図に示さ
れている。プレート（２Ｂ）中の（ばみと位置を合わせ
た６個の貫通孔を含む最上部プレー）（３４）もまた、
第２図に示されてｔする。
形成されている。これらの（ぼみは典型的な場合円筒状
で、その中に置（よう設計された各ウェハよ）直径がほ
んのわずか大きい。、ヶ、）７．よ−ｊ：１；ト、、ウ
ェア、。。、４．１つある。そのような（ばみ（ＳＯ）
はその中にウェハ（Ｓ２）を含んでおり、第２図に示さ
れている。プレート（２Ｂ）中の（ばみと位置を合わせ
た６個の貫通孔を含む最上部プレー）（３４）もまた、
第２図に示されてｔする。
たとえば、最上部プレート（３４）はねじ（その１つは
（３’６）と記されておりｐ第２図に示されている。）
によりベースプレート（２８）に固着されている。
（３’６）と記されておりｐ第２図に示されている。）
によりベースプレート（２８）に固着されている。
最上部プレート（５４）中の６孔の直径はそのすぐ下の
くぼみの中に含まれたウニ／−の直径より、わずかに小
さ゛い。従って、プレート（５１４）はエツチングすべ
き試料”を、ベースプレート（２８）と位置を合わせて
保持する働きをする。保持された６試・料の最上表面の
主要部分は、プレート（３４）中の６孔を通して露出さ
れる。ウェハ包含機構が支持具（１２）上の小面上に位
置を合わせて固着された時、保持された試料の露出され
た表面は。
くぼみの中に含まれたウニ／−の直径より、わずかに小
さ゛い。従って、プレート（５１４）はエツチングすべ
き試料”を、ベースプレート（２８）と位置を合わせて
保持する働きをする。保持された６試・料の最上表面の
主要部分は、プレート（３４）中の６孔を通して露出さ
れる。ウェハ包含機構が支持具（１２）上の小面上に位
置を合わせて固着された時、保持された試料の露出され
た表面は。
第１図の装置−中にエツチングのため１位置をあわせて
マウントされる。
マウントされる。
本発明の原理に従うと、第１図の反応容器の内表面のあ
る程度又は全体が、ポリアリ−レート重合体の層で被覆
される。これらの表面に、はウェハ技術機−中に含まれ
る最上部プレート（たとえば第２図に示された最上部プ
レー）（３４））の表面、試料室（１０）（第１図）の
内表面、及び描かれた反応室内のエツチングプラズマに
露出された他の表面カー含まれる。
る程度又は全体が、ポリアリ−レート重合体の層で被覆
される。これらの表面に、はウェハ技術機−中に含まれ
る最上部プレート（たとえば第２図に示された最上部プ
レー）（３４））の表面、試料室（１０）（第１図）の
内表面、及び描かれた反応室内のエツチングプラズマに
露出された他の表面カー含まれる。
エツチング中汚染を最小にするために、先に述べたウェ
ハ支持機構中に最上部プレートの表面は、保護のため被
覆すること針特に重要である。従って９本発明の原理に
従うと。
ハ支持機構中に最上部プレートの表面は、保護のため被
覆すること針特に重要である。従って９本発明の原理に
従うと。
これら機構の少（とも最上部プレートは、たとえばポリ
アリ−レート重合体筒のような層で被覆される。（、も
ちろん２反応容器中の他の露出された表面のある程度又
は全体も被覆すると有利である。）従って、第２図の例
で示されるよ〉に、ポリアリ−レート重合体の層（３８
）が、プレート（３４）の最上表面を被覆する。たとえ
ば１層（５８）はプレー）（３４）の最上表面に適合す
るように型にはめるかあるいは他の方法で整形されたプ
リアリ−レートの１６分の１インチ厚の標準的な市販の
箔から成る。あるいは、プレート（３４）それ自身を２
分の１インチ厚のポリアリ−レート重合体プレートの適
当な形状にするために、棒から型にはめるか又は（たと
えば鋳造のように）他の方法で形成してもよい。
アリ−レート重合体筒のような層で被覆される。（、も
ちろん２反応容器中の他の露出された表面のある程度又
は全体も被覆すると有利である。）従って、第２図の例
で示されるよ〉に、ポリアリ−レート重合体の層（３８
）が、プレート（３４）の最上表面を被覆する。たとえ
ば１層（５８）はプレー）（３４）の最上表面に適合す
るように型にはめるかあるいは他の方法で整形されたプ
リアリ−レートの１６分の１インチ厚の標準的な市販の
箔から成る。あるいは、プレート（３４）それ自身を２
分の１インチ厚のポリアリ−レート重合体プレートの適
当な形状にするために、棒から型にはめるか又は（たと
えば鋳造のように）他の方法で形成してもよい。
もちろんその場合、プレート（Ｓ４）上の別の最上部箱
（Ｓ８）は必要ない。
（Ｓ８）は必要ない。
本発明の原理に従うと、ポリアリ−レート重合体はプラ
ズマ補助エツチング装置の反応容器中で用いるのに特に
適していることが確認された。特に、これらの重合体は
プラズマ補助エツチングプロセス・中で各種材料をパタ
ーン形成するために有利１・であることが確認された。
ズマ補助エツチング装置の反応容器中で用いるのに特に
適していることが確認された。特に、これらの重合体は
プラズマ補助エツチングプロセス・中で各種材料をパタ
ーン形成するために有利１・であることが確認された。
しかし、これらの材料及びそのためのエツｆ、ヶ−ｚ、
、ｃｖｒｃ＄！ａ□、報。□について述べる前に２プラ
ズマ補助エツチング装置の反応容器中で用いるための適
当なポリアリ−レート被膜に関するより具体的な情報に
ついて述べる。
、ｃｖｒｃ＄！ａ□、報。□について述べる前に２プラ
ズマ補助エツチング装置の反応容器中で用いるための適
当なポリアリ−レート被膜に関するより具体的な情報に
ついて述べる。
各種あ耐高温性ポリアリ−レート重合体が。
本発明の原理に従って作られる反応性スパッタエツチン
グ装置の反応容器に含めるのに適している・。そのよう
な重合体の有利なものの一つはアーデルと呼ばれ、ユニ
オン・カーバイド（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ ）
、バウンドプルツク（Ｂｏｕｎｄ Ｂｒｏｏｋ ） ｗ
ニュージャーシイ（ＮｅｗＪａｒａｅｙ ）によ）作
られ、ペレット状のものが入手できる。一方、アーデル
重合体ペレットはペレット状の材料を帯、リボン、板又
はシートに変換する市販の多数の整形剤により処理され
る。たとえば８分の１インチ厚のシート状の変換された
アーデルの１つの供給源は、ウェストレーク・プラステ
ィックス、レニ、ペンシルバ巨ア（Ｗｅａｔｌａｋｅ
Ｐｌａａｔｉｃｇ′：、：・１・： Ｌ＠ ｎ ｎ Ｉ Ｐ＠ ｎ ｎ ａ ７１１ｖａ、ｉ
ｎｌ ＆ ）である０アーデル重合体はユニオン・カー
バイドからそれぞれアーデル２０５．アーデル２０５及
びアーデル２０８とよばれる各種の形のものが得られる
。プラズマ補助エツチフグ中汚染を最小にするため、こ
こで述べた反応容器中に含めるのには、すべ【が適して
いる。具体例を示す目的のために、ここでは包括的にア
ーデルとのみ使う場合は常にアーデル１００を意図する
ものと仮定する。
グ装置の反応容器に含めるのに適している・。そのよう
な重合体の有利なものの一つはアーデルと呼ばれ、ユニ
オン・カーバイド（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ ）
、バウンドプルツク（Ｂｏｕｎｄ Ｂｒｏｏｋ ） ｗ
ニュージャーシイ（ＮｅｗＪａｒａｅｙ ）によ）作
られ、ペレット状のものが入手できる。一方、アーデル
重合体ペレットはペレット状の材料を帯、リボン、板又
はシートに変換する市販の多数の整形剤により処理され
る。たとえば８分の１インチ厚のシート状の変換された
アーデルの１つの供給源は、ウェストレーク・プラステ
ィックス、レニ、ペンシルバ巨ア（Ｗｅａｔｌａｋｅ
Ｐｌａａｔｉｃｇ′：、：・１・： Ｌ＠ ｎ ｎ Ｉ Ｐ＠ ｎ ｎ ａ ７１１ｖａ、ｉ
ｎｌ ＆ ）である０アーデル重合体はユニオン・カー
バイドからそれぞれアーデル２０５．アーデル２０５及
びアーデル２０８とよばれる各種の形のものが得られる
。プラズマ補助エツチフグ中汚染を最小にするため、こ
こで述べた反応容器中に含めるのには、すべ【が適して
いる。具体例を示す目的のために、ここでは包括的にア
ーデルとのみ使う場合は常にアーデル１００を意図する
ものと仮定する。
容器中の表面を被覆す、るために、ここで述べた反応容
器中に含、めるのに適した他の耐高温性ポリアリ−レー
ト重合体には、シート状。
器中に含、めるのに適した他の耐高温性ポリアリ−レー
ト重合体には、シート状。
棒状、リボン状、帯状などのものかあシ、ユニチカ（ｕ
ｎｔｉｔｋａ ）社、ロンドン、英国により作られるＵ
−重合体及びカーボランダム社（Ｃａｒｂｏｒｕｎｄｕ
ｍ ） 、ナイアガラ フォールス。
ｎｔｉｔｋａ ）社、ロンドン、英国により作られるＵ
−重合体及びカーボランダム社（Ｃａｒｂｏｒｕｎｄｕ
ｍ ） 、ナイアガラ フォールス。
ニューヨークにより作られるエコノール重合体（高形、
低形、充満ポリテトラフッ化エチレン形）が含まれる。
低形、充満ポリテトラフッ化エチレン形）が含まれる。
本発明の原理に従うと、アーデルのようなポリアリール
重合体は、たとえばアルミニウム、マグネシウム、チタ
ン、ステンレススチール、セラミック、プラスティック
又はガラスでできた表面に形成できる。たとえばねじ止
め、リベット止め又は固着ボンディングによりそのよう
に形成された被膜は、高密度。
重合体は、たとえばアルミニウム、マグネシウム、チタ
ン、ステンレススチール、セラミック、プラスティック
又はガラスでできた表面に形成できる。たとえばねじ止
め、リベット止め又は固着ボンディングによりそのよう
に形成された被膜は、高密度。
低孔質性で、下の基板に対する付着性は良く。
プラズマ補助エツチング装置の反応容器中に典型的な場
合存在する荒れた状態においても。
合存在する荒れた状態においても。
優れた構造的な完全性を特徴とする。
本発明の原理に従うと、各種のポリアリ−レート蓋合体
プラズマー補助エツチング装置の反応容器内の表面を被
覆するために使用できる。反応容器の表面がアーデルで
被覆された具体的な反応性スパッタエツチング装置の一
例の場合、被覆の厚さは約１６分の１インチにすると有
利℃あった。
プラズマー補助エツチング装置の反応容器内の表面を被
覆するために使用できる。反応容器の表面がアーデルで
被覆された具体的な反応性スパッタエツチング装置の一
例の場合、被覆の厚さは約１６分の１インチにすると有
利℃あった。
出願人は上に述べた形のポリアリ−レート重合体部分は
、各種の材料の層をパターン形成するために設計された
プラズマ補助装置の反応容器中で用いるのに、特に適し
ていることを見い出した。実際そのような部分は層のド
ライエツチング中、ＶＬＳＩウェハに対しあったとして
もきわめてわずかの汚染しか生じないことが確認されて
いる。 −より具体的には９本発明の原理に従うと
。
、各種の材料の層をパターン形成するために設計された
プラズマ補助装置の反応容器中で用いるのに、特に適し
ていることを見い出した。実際そのような部分は層のド
ライエツチング中、ＶＬＳＩウェハに対しあったとして
もきわめてわずかの汚染しか生じないことが確認されて
いる。 −より具体的には９本発明の原理に従うと
。
ポリアリ−レート重合体部分はたとえばアルミニウム、
多結晶シリコン、二酸化シリコン。
多結晶シリコン、二酸化シリコン。
レジスト友び二珪酸タンタル層のパターン形成中９反応
性スパッタエツチング装置の反応容器中に含めるのに有
利であることが見い出されている。アルミニウムの場合
、プラズマはたとえば三塩化ホウ素及び塩素ガスの混合
物から誘導される。アルミニウムの非等方性エツチング
に適したそのような混合物については、米国特許第４．
２５６，５３４号に詳細に述べられている。（必要に応
じ三塩化ホウ素及び塩素混合物に、゛比較的少量のヘリ
ウムを添加しても゛よい。）多−品シリコンの場合。
性スパッタエツチング装置の反応容器中に含めるのに有
利であることが見い出されている。アルミニウムの場合
、プラズマはたとえば三塩化ホウ素及び塩素ガスの混合
物から誘導される。アルミニウムの非等方性エツチング
に適したそのような混合物については、米国特許第４．
２５６，５３４号に詳細に述べられている。（必要に応
じ三塩化ホウ素及び塩素混合物に、゛比較的少量のヘリ
ウムを添加しても゛よい。）多−品シリコンの場合。
プラズマはたとえば三’ｌ＆・・、化ホウ素と塩素の混
合物又は塩素のみから誘導してよい。二酸化シリコンの
場合、プラズマはたとえば三フッ−化メタンとアンモニ
アの混合物から誘導される。米国特許第４．２４４，７
９９号に述べられているいわゆる三段階プロセス中で用
いられるような硬化レジスト材料の場合、プラズマはた
とえば酸素と三フッ化炭素のようなハロゲン化炭素又は
酸素のみから誘導される。三′珪酸タンタルの場合、プ
ラズ、マはそれぞれタンタル及びシリコンに対する主要
なエツチング剤としてたとえばフッ素及び塩素成分を含
む活性エツチングラジカルから成る。
合物又は塩素のみから誘導してよい。二酸化シリコンの
場合、プラズマはたとえば三フッ−化メタンとアンモニ
アの混合物から誘導される。米国特許第４．２４４，７
９９号に述べられているいわゆる三段階プロセス中で用
いられるような硬化レジスト材料の場合、プラズマはた
とえば酸素と三フッ化炭素のようなハロゲン化炭素又は
酸素のみから誘導される。三′珪酸タンタルの場合、プ
ラズ、マはそれぞれタンタル及びシリコンに対する主要
なエツチング剤としてたとえばフッ素及び塩素成分を含
む活性エツチングラジカルから成る。
プラズマ補助エツチング装置の反応容器中の表面を被覆
するのにポリアリ−レート重合体を用いることにより、
ＶＬＳＩデバイス構造に含まれる他の材料の層もまた９
本質的に汚染され・ず従って高歩留りでパターン形成さ
れる“。也のよう、、：にエッチできる他の材料には。
するのにポリアリ−レート重合体を用いることにより、
ＶＬＳＩデバイス構造に含まれる他の材料の層もまた９
本質的に汚染され・ず従って高歩留りでパターン形成さ
れる“。也のよう、、：にエッチできる他の材料には。
４″”°′”上罠二＞’ｔｊＪ’ｙ−）ｉ５“″化ホウ
素、単結晶１リコン、タンタル及びタングステンが含ま
れる。
素、単結晶１リコン、タンタル及びタングステンが含ま
れる。
アルミニウム層がアーデルで被覆された表面を含む容器
内で非等方的にエッチされる一実施例において、先に述
べた気体混合物は。
内で非等方的にエッチされる一実施例において、先に述
べた気体混合物は。
容積で７５パーセントの三塩化ホウ素及び容積で２５パ
ーセントの塩素を含んだ。（口ないし９０パーセントの
範囲の三塩化ホウ素及−び１００ないし１０の範囲の塩
素を含むものもまた。十分ぶ結果をもたらした。約６な
いし５パーセントのヘリウムも必要に応じて含めてもよ
い。）容器中への混合気体の流れは。
ーセントの塩素を含んだ。（口ないし９０パーセントの
範囲の三塩化ホウ素及−び１００ないし１０の範囲の塩
素を含むものもまた。十分ぶ結果をもたらした。約６な
いし５パーセントのヘリウムも必要に応じて含めてもよ
い。）容器中への混合気体の流れは。
１分当り約７５立方センチメートルであった。
（１分当り５０ないし１００立方センチメートルの範囲
の流量で十分である。）容器中の圧力は約２０マイクロ
メータに保たれた。（５ないし５０マイクロメータ中の
圧力においても、′十分な動作が行えた。）エッチすべ
き表面における１平方センチメートル当りのパワーは、
１平方センチメートル当り約、１５ワツトにした。（１
平方センチメートル当り”、１ないし“、２ワツトの範
囲のパワー密度が満足する。）接地に対するカソード又
はウェハ支持電極の直流バイアスは、約２１０ボルトで
あった。（６０ないし３５０ボルトｄＯの範囲のバイア
ス電圧が十分である。）これらの特定の条件下で、アル
ミニウム層は１分当り・約８００オングストロームの速
度で１本質的に汚染１なしに非等方的にエッチされた。
の流量で十分である。）容器中の圧力は約２０マイクロ
メータに保たれた。（５ないし５０マイクロメータ中の
圧力においても、′十分な動作が行えた。）エッチすべ
き表面における１平方センチメートル当りのパワーは、
１平方センチメートル当り約、１５ワツトにした。（１
平方センチメートル当り”、１ないし“、２ワツトの範
囲のパワー密度が満足する。）接地に対するカソード又
はウェハ支持電極の直流バイアスは、約２１０ボルトで
あった。（６０ないし３５０ボルトｄＯの範囲のバイア
ス電圧が十分である。）これらの特定の条件下で、アル
ミニウム層は１分当り・約８００オングストロームの速
度で１本質的に汚染１なしに非等方的にエッチされた。
エッチすべきアルミ百つム層と多結晶シリコン層の両方
を含むｖＬＳＩ構造において。
を含むｖＬＳＩ構造において。
アーデルで被覆された表面を含む容器中の。
先に述べた三基゛化ホウ素−塩素気体混合物から誘導し
たプラズマ内で、多結晶シリコン層もまた非等方的′に
パターン形成された。あるいは、多結晶シリコン層はそ
のような容器中の他のプラズマ内でエツチングしてもよ
い。
たプラズマ内で、多結晶シリコン層もまた非等方的′に
パターン形成された。あるいは、多結晶シリコン層はそ
のような容器中の他のプラズマ内でエツチングしてもよ
い。
多結晶シリコンをエッチするための別の有利なプラズマ
は、塩素ガスから誘導される。
は、塩素ガスから誘導される。
ドープしてない多結晶シリコンの場合、エッチされた材
料の端部形状は非等方的で、ドープした多結晶シリコン
の場合、端部形状は完全に等方的なものから′完全に非
等方的なものまでを得るように制御できる。
料の端部形状は非等方的で、ドープした多結晶シリコン
の場合、端部形状は完全に等方的なものから′完全に非
等方的なものまでを得るように制御できる。
ドープしてない多結晶シリコン層がアーデルで被覆され
た表面を含む容器中で非等方的にエッチされた一具体例
において、エッチジグプラズマは本質的に純粋な塩素ガ
ス雰囲気 ５１、。
た表面を含む容器中で非等方的にエッチされた一具体例
において、エッチジグプラズマは本質的に純粋な塩素ガ
ス雰囲気 ５１、。
から誘導された。容器中への混合ガスの流量 １は、１
分当り約４０立方センチメートルであった。（１分当り
２０ないし、８０立方センチ° “１メートルの範囲が
満足する。）容器内の圧力は約１０マイクロメータに保
たれた。（５ないし４０÷イクロメータの範囲の圧力で
、十分な動作が行える。）エッチすべき表面にお□ける
１平方センチメートル当りのパワーは。
分当り約４０立方センチメートルであった。（１分当り
２０ないし、８０立方センチ° “１メートルの範囲が
満足する。）容器内の圧力は約１０マイクロメータに保
たれた。（５ないし４０÷イクロメータの範囲の圧力で
、十分な動作が行える。）エッチすべき表面にお□ける
１平方センチメートル当りのパワーは。
１平方センチメートル当り約、１ワツトにした。（１平
方センチメートル当り、０５ないし、２ワツトの範囲の
パワー密度が満足する。）接地に対するカソード又＆↑
ウェハ支持電極のだ。（６０ないし３５０ボルトｄｏの
範囲のバイアス電圧が満足する。）これらの特定の条件
下において、１分当り約５００オン゛ゲストロームの速
度で、多結晶シリコン層は本質的に汚染なしに非等方的
にエッチされた。
方センチメートル当り、０５ないし、２ワツトの範囲の
パワー密度が満足する。）接地に対するカソード又＆↑
ウェハ支持電極のだ。（６０ないし３５０ボルトｄｏの
範囲のバイアス電圧が満足する。）これらの特定の条件
下において、１分当り約５００オン゛ゲストロームの速
度で、多結晶シリコン層は本質的に汚染なしに非等方的
にエッチされた。
アーデルで被覆された゛表面を含む容器中で二酸化シリ
コン層が非等方的にエッチされた９６容積パーセントの
三フッ化メタンと４容積″パーセントのアンモニアを含
む混合物から誘導された。容器中への混合気体の流れは
。
コン層が非等方的にエッチされた９６容積パーセントの
三フッ化メタンと４容積″パーセントのアンモニアを含
む混合物から誘導された。容器中への混合気体の流れは
。
１分当り約３０立方センチメートルであった。
（１分当り５ないし７０゛立方センチメートル、の範囲
の流れが一足する。）容器中の圧力は約５０マイクロメ
ニタに保たれた。（５ないし１００−マイクロメータの
範囲の圧力で十分な動作を行わ゛せ隘ことができる。）
エッチすべき表面における１平方センチメートル当りの
パワ、−は、１平方センチメートル当り釣用ワットに習
た。（１平方センチ−メート（。
の流れが一足する。）容器中の圧力は約５０マイクロメ
ニタに保たれた。（５ないし１００−マイクロメータの
範囲の圧力で十分な動作を行わ゛せ隘ことができる。）
エッチすべき表面における１平方センチメートル当りの
パワ、−は、１平方センチメートル当り釣用ワットに習
た。（１平方センチ−メート（。
九当り、１ないし ３ワツトの範囲のパワー密度が満足
する。）接地に対するカソード又はウェハ支持電極の直
流バイアスは、約６００ボルトと測定された。（４００
ないし８００ボルトｄＯの範囲のバイアス電圧が満足す
も）これらの特定の条件下において、二酸化シリコン層
は１分当り約３００オングストロームの速′度で９本質
的に汚染なしに非等方的にエッチされた。
する。）接地に対するカソード又はウェハ支持電極の直
流バイアスは、約６００ボルトと測定された。（４００
ないし８００ボルトｄＯの範囲のバイアス電圧が満足す
も）これらの特定の条件下において、二酸化シリコン層
は１分当り約３００オングストロームの速′度で９本質
的に汚染なしに非等方的にエッチされた。
最後に、上に述べた装置及び工程は、単に本発明の原理
を示すためのものであることを理解すべきである。これ
らの原理に従うと。
を示すためのものであることを理解すべきである。これ
らの原理に従うと。
本発明の精神及び視野から離れることな（。
当業者に、は多くの修正及び変形が考案されよう。たと
えば、７−デルのようなポリアリ−レート重合体のよう
な箔で被覆された表面に基本的な重点を置いてきたが、
これらの表面は他の標準的な方法（たとえばスプレー）
によっても被覆できることを理解すべきである。
えば、７−デルのようなポリアリ−レート重合体のよう
な箔で被覆された表面に基本的な重点を置いてきたが、
これらの表面は他の標準的な方法（たとえばスプレー）
によっても被覆できることを理解すべきである。
第１図は本発明の原理に従い作られたプラズマ補助エツ
チング装置の具体例を示す図。 第２図は第１図の装置の一部の断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 反応器−＝−−−−−−一−−−ｉ。 ポリアリ−レート重合体層−−−−−！ｔ８安 井
幸 −輯
チング装置の具体例を示す図。 第２図は第１図の装置の一部の断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 反応器−＝−−−−−−一−−−ｉ。 ポリアリ−レート重合体層−−−−−！ｔ８安 井
幸 −輯
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ウェハを反応容器内にマウントする工程及び容器内
にエツチングプラズマを形成する工程から成るウニへ上
の層をエツチングする方法において、 ゛ エッチすべきウェハは内部表面の少くともある程度がポ
リアリ−レート重合体の層で被覆された反応容器内にマ
ウントされることを特徴とするウェハ上の層をエツチン
グする方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された方法において。 反応容器の内部表面のほとんどが、ポリアリ−レート重
合体の層で被覆されることを更に特徴とするウェハ上の
層をエツチングする方法。 五 特許請求の範囲第１項に記載された方法において。 該重合体はアーデル１００，７−デル ２０５．７−デル２０５．アーデル２０８゜Ｕ−重合体
、エコノール高形、エコノール似形、エコノール充満ポ
リテトラフッ化エチレン形から成るグループから選択さ
れることを更に特徴とするウェハ上の層なエツチングす
る方法。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された方法において。 カソード電極が該反応容器内に含まれ。 エツチングすべき該ウェハは該カソード電。 極上にマウントされることを更に特徴とするウェハ上の
層をエツチングする方法。′５、特許請求の範囲第４項
に記載された方法・において。 該ウェハはエツチングすべきアルミニウムの層を含み。 該プラズマ形成工程は三塩化ホウ素及び塩素ガスの混合
気体を、該容器内に導入する過程な′含むことを更に特
徴とするウェハ上の層をエツチングする方法。
。 ６、特許請求の範囲第４項に記載された方法よ這、工。 該ウェハはエツチングすべき多結晶シリコンの層を含み
、 “ 該プラズマ形成工程は三塩化ホウ素及び塩素ガスの混合
気体を、該容器内に導入する過程を含むことを更に特徴
とするウェハ上の層をエツチングする方法。 ２、特許請求の範囲第４項に記載された方法において。 該ウェハはエツチングすべき多結晶シリコンの層を含み
。 該プラズマ形成工程は、□本質的に門枠な塩素ガスを該
容器中−に゛導Ｑる過程を含むことを更に特徴とするウ
ェハ上の層をエツチングする方法。 ８、特許請求の範囲第４項に記載された方法” 該ウ
ェハはエツチングすべき二酸化シリ、 、コ、ンの層を
含み。 該プラズマ形成千程は三フッ化メタン及びアンモニアガ
曵の混合気体を、該容器内に導入する過程を含むことを
更に特徴とするウェハ上の層をエツチングする方法。 ９ 特許請求の範囲第４項に記載された方法において。 該ウェハはエツチングすべき硬化レジスト材料の層を含
み。 することを更に特徴、とするウェハ上の層をエツチング
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/295,839 US4397724A (en) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers |
| US295839 | 1981-08-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843522A true JPS5843522A (ja) | 1983-03-14 |
| JPH0462170B2 JPH0462170B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=23139426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144881A Granted JPS5843522A (ja) | 1981-08-24 | 1982-08-23 | ウエハ上の層をエツチングする方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4397724A (ja) |
| JP (1) | JPS5843522A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003798A1 (en) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Reactive ion etching apparatus |
| JPS59207632A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-24 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 金属ケイ化物又はケイ化物・ポリシリコン二重層構造の製造方法 |
| JPS61228648A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-10-11 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | 半導体ウェハ製造装置、半導体ウェハ処理装置及びチャック装置 |
| EP0128242A3 (en) * | 1983-04-20 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Etching apparatus for polymer film patterning |
| JPH0631703B2 (ja) * | 1986-02-03 | 1994-04-27 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | ヒートパイプおよびヒートパイプを保持するための装置 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3248121A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten |
| US4495090A (en) * | 1983-01-03 | 1985-01-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Gas mixtures for aluminum etching |
| US4481251A (en) * | 1983-04-27 | 1984-11-06 | At&T Bell Laboratories | Polyarylate polymer coatings |
| US4526670A (en) * | 1983-05-20 | 1985-07-02 | Lfe Corporation | Automatically loadable multifaceted electrode with load lock mechanism |
| US4439261A (en) * | 1983-08-26 | 1984-03-27 | International Business Machines Corporation | Composite pallet |
| JPS60198822A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH0622222B2 (ja) * | 1984-09-18 | 1994-03-23 | 株式会社東芝 | 光処理装置 |
| DE3577020D1 (de) | 1984-12-18 | 1990-05-10 | American Telephone & Telegraph | Verfahren zur herstellung einer anordnung. |
| US4871420A (en) * | 1984-12-18 | 1989-10-03 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Selective etching process |
| US4734157A (en) * | 1985-08-27 | 1988-03-29 | International Business Machines Corporation | Selective and anisotropic dry etching |
| US5112435A (en) * | 1985-10-11 | 1992-05-12 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for etching silicides, polycrystalline silicon and polycides |
| US5262029A (en) * | 1988-05-23 | 1993-11-16 | Lam Research | Method and system for clamping semiconductor wafers |
| US4937206A (en) * | 1989-07-10 | 1990-06-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing cross contamination of species during the processing of semiconductor wafers |
| DE3935189A1 (de) * | 1989-10-23 | 1991-05-08 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen |
| JPH03156927A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-07-04 | Hewlett Packard Co <Hp> | アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法 |
| JPH03148118A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| DE4022708A1 (de) * | 1990-07-17 | 1992-04-02 | Balzers Hochvakuum | Aetz- oder beschichtungsanlagen |
| JP3024449B2 (ja) * | 1993-07-24 | 2000-03-21 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉及び熱処理方法 |
| US5705080A (en) * | 1994-07-06 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-inert cover and plasma cleaning process |
| US5698113A (en) * | 1996-02-22 | 1997-12-16 | The Regents Of The University Of California | Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates |
| US5911830A (en) * | 1996-05-09 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| US6093655A (en) * | 1998-02-12 | 2000-07-25 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods |
| US6235213B1 (en) * | 1998-05-18 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers |
| US6291358B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma deposition tool operating method |
| US6613442B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-09-02 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US7202171B2 (en) * | 2001-01-03 | 2007-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a contact opening in a semiconductor device |
| US20030159778A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Kunihiko Koroyasu | Plasma processing apparatus, protecting layer therefor and installation of protecting layer |
| US7022620B2 (en) * | 2003-11-18 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Conditioning of a reaction chamber |
| CN121908801A (zh) * | 2026-03-26 | 2026-04-21 | 四川科尔威光电科技有限公司 | 一种半导体制冷器的低成本稳定干刻方法及干刻系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394565U (ja) * | 1976-12-29 | 1978-08-01 | ||
| JPS5394565A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of phenolic laminated plate |
| JPS53124979A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS5595327A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-19 | Hitachi Ltd | Reactive sputter-etching |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2594243A (en) * | 1947-10-13 | 1952-04-22 | Winkler Alfred | Sprinkler |
| US3627599A (en) * | 1969-04-25 | 1971-12-14 | Rca Corp | Method of applying an n,n{40 diallylmelamine resist to a surface |
| DE2547792C3 (de) * | 1974-10-25 | 1978-08-31 | Hitachi, Ltd., Tokio | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| US4153741A (en) * | 1976-07-30 | 1979-05-08 | Rca Corporation | Method for forming a surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer |
| US4126712A (en) * | 1976-07-30 | 1978-11-21 | Rca Corporation | Method of transferring a surface relief pattern from a wet poly(olefin sulfone) layer to a metal layer |
| JPS5414679A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-03 | Hitachi Ltd | Plasma etching device |
| JPS54162929A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Fujitsu Ltd | Sheet cut control system |
| US4268374A (en) * | 1979-08-09 | 1981-05-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High capacity sputter-etching apparatus |
| US4278753A (en) * | 1980-02-25 | 1981-07-14 | Horizons Research Incorporated | Plasma developable photoresist composition with polyvinyl formal binder |
| US4333793A (en) * | 1980-10-20 | 1982-06-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer |
-
1981
- 1981-08-24 US US06/295,839 patent/US4397724A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57144881A patent/JPS5843522A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394565U (ja) * | 1976-12-29 | 1978-08-01 | ||
| JPS5394565A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of phenolic laminated plate |
| JPS53124979A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS5595327A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-19 | Hitachi Ltd | Reactive sputter-etching |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003798A1 (en) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Reactive ion etching apparatus |
| EP0128242A3 (en) * | 1983-04-20 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Etching apparatus for polymer film patterning |
| JPS59207632A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-24 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 金属ケイ化物又はケイ化物・ポリシリコン二重層構造の製造方法 |
| JPS61228648A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-10-11 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | 半導体ウェハ製造装置、半導体ウェハ処理装置及びチャック装置 |
| JPH0631703B2 (ja) * | 1986-02-03 | 1994-04-27 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | ヒートパイプおよびヒートパイプを保持するための装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4397724A (en) | 1983-08-09 |
| JPH0462170B2 (ja) | 1992-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0462170B2 (ja) | ||
| CA1121306A (en) | Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces | |
| US3971684A (en) | Etching thin film circuits and semiconductor chips | |
| US4211601A (en) | Device fabrication by plasma etching | |
| US4427516A (en) | Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers | |
| US3923568A (en) | Dry plasma process for etching noble metal | |
| US4797178A (en) | Plasma etch enhancement with large mass inert gas | |
| US4073669A (en) | Plasma etching | |
| US4380488A (en) | Process and gas mixture for etching aluminum | |
| US4182646A (en) | Process of etching with plasma etch gas | |
| US4624214A (en) | Dry-processing apparatus | |
| JPS61253823A (ja) | プラズマ反応器 | |
| JPH05308062A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS5947734A (ja) | 有機材料のプラズマエツチング法 | |
| JPS6086285A (ja) | 銅のドライ・エツチング法 | |
| JPH038580B2 (ja) | ||
| Jackel et al. | 50− nm silicon structures fabricated with trilevel electron beam resist and reactive‐ion etching | |
| CA1144517A (en) | High capacity etching apparatus | |
| US4414057A (en) | Anisotropic silicide etching process | |
| JPH0722393A (ja) | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | |
| JPS6158975B2 (ja) | ||
| US4736087A (en) | Plasma stripper with multiple contact point cathode | |
| JPH0560650B2 (ja) | ||
| JPS6219051B2 (ja) | ||
| JPH07183284A (ja) | 薄層をエッチングするための装置および方法 |