JPS5843545A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5843545A JPS5843545A JP56141688A JP14168881A JPS5843545A JP S5843545 A JPS5843545 A JP S5843545A JP 56141688 A JP56141688 A JP 56141688A JP 14168881 A JP14168881 A JP 14168881A JP S5843545 A JPS5843545 A JP S5843545A
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- film
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- resin
- photosensitive
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- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な方法でｇｉｉｌｆｉ蔽膜會形成した半導
体装置に関するもの′！：ある。 − 一般に５．トランジスタ咎が形成され九半導体素子はセ
ラミック封止体、樹脂封止体などの封止体で封止される
。こ朴らの封止体に紘つ２ニウムやトリク４勢の不純物
が含まれている。
体装置に関するもの′！：ある。 − 一般に５．トランジスタ咎が形成され九半導体素子はセ
ラミック封止体、樹脂封止体などの封止体で封止される
。こ朴らの封止体に紘つ２ニウムやトリク４勢の不純物
が含まれている。
これらの不純物は、たとえば、１６ｔｈ Ａｎ４ｃａｌ
Ｐｒｔｓａａｅｄイー９１ ｏｆ １９７８１ｎｔａｒ
ｎａｔｉｔｎｗｘｌ Ｒａｌ砺１ｉｔｙ Ｐｋｙａｉｅ
ａ ｌｉ＠ｇｓａａｉｍ（１９７８）ｐ３３に述べられ
ているように、＃１ｉｆｆｉ放出し半導体素子内、に形
成されたダイナミックメモリ回路の誤動作・（ソフトエ
ラと呼ぶ）の要因となることが知られている。
Ｐｒｔｓａａｅｄイー９１ ｏｆ １９７８１ｎｔａｒ
ｎａｔｉｔｎｗｘｌ Ｒａｌ砺１ｉｔｙ Ｐｋｙａｉｅ
ａ ｌｉ＠ｇｓａａｉｍ（１９７８）ｐ３３に述べられ
ているように、＃１ｉｆｆｉ放出し半導体素子内、に形
成されたダイナミックメモリ回路の誤動作・（ソフトエ
ラと呼ぶ）の要因となることが知られている。
このソフトエラを防止する方法の一つとして、半導体素
子の表面にａ！１蓮蔽膜を設ける方法が知られている。
子の表面にａ！１蓮蔽膜を設ける方法が知られている。
ａｌｌ遮蔽膜は、５０Ｐ以上の厚膜形成が可能であるこ
と、半導体素子の封止工程に耐えるだけの耐熱性を有す
ること、Ｃ線発生源のウラニウムやトリウムおよび素子
に悪影響を及ぼすナトリウ１など？Ｔ＃ＩＩ！１′−有
量が讐めて小さ“こと・な箭特性會有している必要があ
る。これらの特性を満足する材料として、ポリイミド系
樹脂が好んで用ｉられている６１／ｂ ポリ信ド士樹脂管“線遮蔽膜に用“た半導体素子とし１
２− は、第１図に示すように、半導体基体１ｔ−パッケージ
の所定の位置にグイボンデイングムさらに外部接続のた
めにボンデ４ングワイヤ２門接着した徴、ポリイミド系
樹脂膜１會ポツテイングで形成１つ匹で、第２ｍのよう
に、セラミック封止体で気密封止したものが広く製造さ
れている。この場合、通常、ボリイぐド系樹脂膜３は第
１図に示しであるように、半導体基体の全面ｔ−扱って
おシ、ボンディングワイヤの一部にもかかつている。第
２図で示し九ような気密封止の場合はこの構造で全く問
題ないが、第５図で示すような樹脂封止した場合は、ボ
ンディングワイヤにかかつているポリインド系・１・ 樹脂と封止樹脂の界面１０の部分でせん断応力が働き、
ボンディングワイヤ切れを生じて素子、の信Ｓｔ性が著
しく低下する。
と、半導体素子の封止工程に耐えるだけの耐熱性を有す
ること、Ｃ線発生源のウラニウムやトリウムおよび素子
に悪影響を及ぼすナトリウ１など？Ｔ＃ＩＩ！１′−有
量が讐めて小さ“こと・な箭特性會有している必要があ
る。これらの特性を満足する材料として、ポリイミド系
樹脂が好んで用ｉられている６１／ｂ ポリ信ド士樹脂管“線遮蔽膜に用“た半導体素子とし１
２− は、第１図に示すように、半導体基体１ｔ−パッケージ
の所定の位置にグイボンデイングムさらに外部接続のた
めにボンデ４ングワイヤ２門接着した徴、ポリイミド系
樹脂膜１會ポツテイングで形成１つ匹で、第２ｍのよう
に、セラミック封止体で気密封止したものが広く製造さ
れている。この場合、通常、ボリイぐド系樹脂膜３は第
１図に示しであるように、半導体基体の全面ｔ−扱って
おシ、ボンディングワイヤの一部にもかかつている。第
２図で示し九ような気密封止の場合はこの構造で全く問
題ないが、第５図で示すような樹脂封止した場合は、ボ
ンディングワイヤにかかつているポリインド系・１・ 樹脂と封止樹脂の界面１０の部分でせん断応力が働き、
ボンディングワイヤ切れを生じて素子、の信Ｓｔ性が著
しく低下する。
セラミック封止のような気密封止鉱製造コストが高く、
樹脂封止への移行が必然となっている。仁のために社、
前述のワイヤ切れｔ防止する手段が必要である。
樹脂封止への移行が必然となっている。仁のために社、
前述のワイヤ切れｔ防止する手段が必要である。
この問題を回避するためには、第４図で示すように少な
くともポンディングパッド部管除く領域にあらかじめポ
リイミド系樹脂の膜を形成しておき、ついでボンディン
グワイヤを接続することによタボンデイングワイヤにポ
リイミドがかからないようにする必賛宰６る。
くともポンディングパッド部管除く領域にあらかじめポ
リイミド系樹脂の膜を形成しておき、ついでボンディン
グワイヤを接続することによタボンデイングワイヤにポ
リイミドがかからないようにする必賛宰６る。
ポンディングパッド部を除く領域にポリイミド系樹脂の
膜を形成する方法として、半導体素子を形成したシリコ
ン・ウェーハにポリイミドを塗布し不要部をエツチング
で除去する方法が広く用いられている。このポリイミド
系樹脂膜の形成方法をさらに詳細に説明すると、 （１） シリコン・つ千−ノ）にポリイミド系樹脂の
前駆体の溶液′ｉｔ１ を全面に均−塗置し、プリベークする、パ１１ （２） ネガ型７オトレレストを全面塗布しプリベー
クする、（３）轍路的に残すべきポリイミド展の部分に
相当する個所のフォトレジストに光が当るようなフォト
マスク管使用し紫外光を照射する、 （４） フォトレジストの現像全行なう、（５）
耐エツチング性を上げるために７オトレジスト會ポスト
ベークする、 （６）ヒドラジン系エッチャントなどでポリイミド上エ
ツチングするζ （７） フォトレジスＩｔ剥離する、（８）ポリイミ
ド系樹脂を熱処理する、という煩雑な工程から成ってお
り、より簡易な形成方法が望まれている。
膜を形成する方法として、半導体素子を形成したシリコ
ン・ウェーハにポリイミドを塗布し不要部をエツチング
で除去する方法が広く用いられている。このポリイミド
系樹脂膜の形成方法をさらに詳細に説明すると、 （１） シリコン・つ千−ノ）にポリイミド系樹脂の
前駆体の溶液′ｉｔ１ を全面に均−塗置し、プリベークする、パ１１ （２） ネガ型７オトレレストを全面塗布しプリベー
クする、（３）轍路的に残すべきポリイミド展の部分に
相当する個所のフォトレジストに光が当るようなフォト
マスク管使用し紫外光を照射する、 （４） フォトレジストの現像全行なう、（５）
耐エツチング性を上げるために７オトレジスト會ポスト
ベークする、 （６）ヒドラジン系エッチャントなどでポリイミド上エ
ツチングするζ （７） フォトレジスＩｔ剥離する、（８）ポリイミ
ド系樹脂を熱処理する、という煩雑な工程から成ってお
り、より簡易な形成方法が望まれている。
本発明Ｆｉこのような現状を鑑みてなされたものでＩ、
そ１
。
そ１
。
の目的は、簡易な方法による樹脂封止可能なａｍ［蔽用
ポリイミド展の形成方法Ｏ提供にある。
ポリイミド展の形成方法Ｏ提供にある。
すなわち、本発明は、半導体素子表面に、ボンディング
／くラド部を除く領域にα線遮蔽用ポリイミド系樹脂膜
を設けた、樹脂封止してなる半導体装置において、該ポ
リインド系樹脂膜が感光性ポリイミド系樹脂を用いて形
成されたものであることｔ％徴とする半導体装置に関す
るものでらる。
／くラド部を除く領域にα線遮蔽用ポリイミド系樹脂膜
を設けた、樹脂封止してなる半導体装置において、該ポ
リインド系樹脂膜が感光性ポリイミド系樹脂を用いて形
成されたものであることｔ％徴とする半導体装置に関す
るものでらる。
感光性ポリイミド系樹脂とは、ポリインド系樹脂または
その前駆体に感光基を導入したもので、その樹脂に光（
通常、紫外線）を照射テることによシ、光照射部と非照
射部で特定の溶媒に対する溶解性に差を生ずるものであ
る。・ ・ポリイミド系樹脂の前駆体と蝶、テトラ
カルポジ酸二無水物とジアミンとを反応させる２＞Ｓま
たはこの系にさらにトリアミン、テトラアミン、ジアミ
ノモノアミド、トリカルボン酸−無水物、ジイソシアネ
ートまたはその他の共重合可能な化合物から選ばれた化
合物を共重合成分として共存させて反応させて得たポリ
アミド酸系樹脂で、これらの樹脂を熱処理するとポリイ
ミド系樹脂となる。半導体装置のα線迩蔽膜として用６
る場合、通常、耐熱性が必要であ広芳香族ポリイミド系
樹脂が好ましく用いられる。
その前駆体に感光基を導入したもので、その樹脂に光（
通常、紫外線）を照射テることによシ、光照射部と非照
射部で特定の溶媒に対する溶解性に差を生ずるものであ
る。・ ・ポリイミド系樹脂の前駆体と蝶、テトラ
カルポジ酸二無水物とジアミンとを反応させる２＞Ｓま
たはこの系にさらにトリアミン、テトラアミン、ジアミ
ノモノアミド、トリカルボン酸−無水物、ジイソシアネ
ートまたはその他の共重合可能な化合物から選ばれた化
合物を共重合成分として共存させて反応させて得たポリ
アミド酸系樹脂で、これらの樹脂を熱処理するとポリイ
ミド系樹脂となる。半導体装置のα線迩蔽膜として用６
る場合、通常、耐熱性が必要であ広芳香族ポリイミド系
樹脂が好ましく用いられる。
テトラカルボン酸二無水物の例としては、ピロメリット
酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルポン鐵二無水物
、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸
二無水物が挙げられるが、これらに限定されるもので鉱
ない。
酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルポン鐵二無水物
、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸
二無水物が挙げられるが、これらに限定されるもので鉱
ない。
ジアミンの例としては、シア５ノジフエニルエーテル、
シフ２ノジフエニルスルホン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ビス（３−アミノプロピル）テトラメテルジシ四キ
ナンなどが挙けられるが、これらに限定されるもので蝶
ない。
シフ２ノジフエニルスルホン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ビス（３−アミノプロピル）テトラメテルジシ四キ
ナンなどが挙けられるが、これらに限定されるもので蝶
ない。
テトラカルボン酸二無水物、ジアミノと共重合可能な化
合物の例としては、３・４・４） −）リアミノジフェ
ニルエーテ、′１ ル、３−モノアミド−４・ａ’−１’ｌミノジフエニル
エーテル、３・４・３′・４′−テトラアミノジフェニ
ルエーテル、トリノリット酸無水物塩化物、４・４′−
ジフェニルエーテルジイソシアネートなどが例として挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
合物の例としては、３・４・４） −）リアミノジフェ
ニルエーテ、′１ ル、３−モノアミド−４・ａ’−１’ｌミノジフエニル
エーテル、３・４・３′・４′−テトラアミノジフェニ
ルエーテル、トリノリット酸無水物塩化物、４・４′−
ジフェニルエーテルジイソシアネートなどが例として挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
感光基とは、光（ｉ常、紫外光）１照射した時、ポリイ
ンド系樹脂またはその前駆体に架橋構造を形成ＬＡｑ＃
定の溶剤への溶解性を低下させる効果のあるものである
。感光基の例として、メタクリル基、アクリル基、アリ
ル基、メタリル幕シンナメート基、アジド基などが挙げ
られる臥・これらに紘限定されない。
ンド系樹脂またはその前駆体に架橋構造を形成ＬＡｑ＃
定の溶剤への溶解性を低下させる効果のあるものである
。感光基の例として、メタクリル基、アクリル基、アリ
ル基、メタリル幕シンナメート基、アジド基などが挙げ
られる臥・これらに紘限定されない。
ポリイミド系樹脂の前駆体に感光基を導入する方法とし
ては、ポリイミド系樹脂′め前駆体の溶液に、ビスアジ
ド化合物、ジメチルアミノエチルメタクリレート、アリ
ルアンンなどを混合する方法が一例として挙けられる。
ては、ポリイミド系樹脂′め前駆体の溶液に、ビスアジ
ド化合物、ジメチルアミノエチルメタクリレート、アリ
ルアンンなどを混合する方法が一例として挙けられる。
ｌｉｓ
感光性ポリインド前駆体は、通常、溶媒中で合成または
調合オペ溶液の形で実用に供せられる二また、感□光性
ポリイ、′ ミド１駆体の溶液には、通常、感度管上げるために−
ｔｉ−ズ・ケトンのような光開始剤が加えられている。
調合オペ溶液の形で実用に供せられる二また、感□光性
ポリイ、′ ミド１駆体の溶液には、通常、感度管上げるために−
ｔｉ−ズ・ケトンのような光開始剤が加えられている。
半導体素子へのポリイミド系樹脂膜の形成は次？工程で
行なわれる。
行なわれる。
の溶液を全面に均一塗布ムプリベークする、（２）最終
的に残すべきポリイミド膜の部分に光が当るようなフォ
トマスクを使用し、紫外線管照射する、（３） 現像す
る、 （４）熱処理金する。
的に残すべきポリイミド膜の部分に光が当るようなフォ
トマスクを使用し、紫外線管照射する、（３） 現像す
る、 （４）熱処理金する。
本工程は前述の従前の工程に比較して著しく合理化され
ておｐ１大幅なコストダウンに結びり〈。
ておｐ１大幅なコストダウンに結びり〈。
次に実施例に基づいて本発＠會説明する。
実施例 １゜
ペンゾフエノンテト多カルボン酸二無水物と、ジアンノ
ジフェニルエーテルから合成されたポＩＪイ叱ド前駆体
のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液に、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート及びミヒラーズ・ケ）ｙ？添加し
て感光性ポリイミド前駆体溶液會えた。
ジフェニルエーテルから合成されたポＩＪイ叱ド前駆体
のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液に、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート及びミヒラーズ・ケ）ｙ？添加し
て感光性ポリイミド前駆体溶液會えた。
メモリ回路管形成したシリコン・ウェー／１に、スピン
ナで、 ゛ 、 ・ 皺感光性でリイ゛７．ド前駆体溶液管塗布り、、ａｏｃ
ｉ時間乾燥した。ポンディングパッド部および＊ｓｍ蔽
膜會形成する必要のない部分に光が尚らなｉような７オ
トマスクを使用し、超高圧水銀灯管用＾て紫外線管照射
した。現像液で現像して、ポンディングパッド部および
ａ線遮蔽膜を形成する必要のない部分の膜−除去ヒた・
ついで・熱処理して・ボンディング・（ツ）ｍｌＫ＃１
ｌｉｏな％Ａ−線遮蔽Ｗ＆を形成した。シリコン・ウェ
ーハからチップｔｇ：Ｊ多出し、リードフレームにダイ
ボンデインクし九。ボンディングレイヤを接続し、第３
図のように樹脂封止した。
ナで、 ゛ 、 ・ 皺感光性でリイ゛７．ド前駆体溶液管塗布り、、ａｏｃ
ｉ時間乾燥した。ポンディングパッド部および＊ｓｍ蔽
膜會形成する必要のない部分に光が尚らなｉような７オ
トマスクを使用し、超高圧水銀灯管用＾て紫外線管照射
した。現像液で現像して、ポンディングパッド部および
ａ線遮蔽膜を形成する必要のない部分の膜−除去ヒた・
ついで・熱処理して・ボンディング・（ツ）ｍｌＫ＃１
ｌｉｏな％Ａ−線遮蔽Ｗ＆を形成した。シリコン・ウェ
ーハからチップｔｇ：Ｊ多出し、リードフレームにダイ
ボンデインクし九。ボンディングレイヤを接続し、第３
図のように樹脂封止した。
ボンディングワイヤの切断もなく、かつ、充分なｇ線遮
蔽効果があった。
蔽効果があった。
第１図Ｆｉα！Ｉ！１蔽膜を半導体基体上にポツティン
グ法により形成した半導体基体の断呵図、第２図はセラ
ンツク封止した半導体装置の断面図、第３図紘本警明の
方法により樹脂封止した半導体装置の一面図、第４因略
ボ／ディングパッド部を除く部分にａｌＩｍ蔽膜を形成
し本手導体基体の断頁図、第５図はボッティング法によ
り＝Ｉｉ；−展！形成し樹脂封止１・・・・・・半導体
基体、２−−−−−ボン４シイグワイヤ、３．３３・・
・・・・＃線遮蔽ｌＩ（ポリイミド）、４，５・・・・
−セラ、ミック封止体、６・・・・・・シールガラス、
？−−−−−−リード、８−−−−樹脂封止体。 ゛色 １１団 ｖ；３ｒｍ ３ 直 ″ １畑 富２０
グ法により形成した半導体基体の断呵図、第２図はセラ
ンツク封止した半導体装置の断面図、第３図紘本警明の
方法により樹脂封止した半導体装置の一面図、第４因略
ボ／ディングパッド部を除く部分にａｌＩｍ蔽膜を形成
し本手導体基体の断頁図、第５図はボッティング法によ
り＝Ｉｉ；−展！形成し樹脂封止１・・・・・・半導体
基体、２−−−−−ボン４シイグワイヤ、３．３３・・
・・・・＃線遮蔽ｌＩ（ポリイミド）、４，５・・・・
−セラ、ミック封止体、６・・・・・・シールガラス、
？−−−−−−リード、８−−−−樹脂封止体。 ゛色 １１団 ｖ；３ｒｍ ３ 直 ″ １畑 富２０
Claims (1)
- 半導体素子表面に、ポンプイングツ（ラド部を除く領域
にａ線遮蔽膜用ポリイミド系樹脂膜を設けた、樹脂封止
してなる半導体装置において、該ポリイミド系樹脂膜が
感光性ポリイミド系樹脂を用いて形成され良もの、であ
ること會特徴とする半導体装置。 、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141688A JPS5843545A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141688A JPS5843545A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843545A true JPS5843545A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15297899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141688A Pending JPS5843545A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045918A (en) * | 1986-12-19 | 1991-09-03 | North American Philips Corp. | Semiconductor device with reduced packaging stress |
| US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568659A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP56141688A patent/JPS5843545A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568659A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045918A (en) * | 1986-12-19 | 1991-09-03 | North American Philips Corp. | Semiconductor device with reduced packaging stress |
| US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
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