JPS5844571Y2 - インライン・スパツタ装置 - Google Patents
インライン・スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS5844571Y2 JPS5844571Y2 JP11982779U JP11982779U JPS5844571Y2 JP S5844571 Y2 JPS5844571 Y2 JP S5844571Y2 JP 11982779 U JP11982779 U JP 11982779U JP 11982779 U JP11982779 U JP 11982779U JP S5844571 Y2 JPS5844571 Y2 JP S5844571Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- window
- sputtering equipment
- shutter mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はヴアキウム・チェンバー内に収容された複数個
の絶縁基板が順次ターゲット上を移動して連続スパッタ
を行うインライン・スパッタ装置の改良に関す。
の絶縁基板が順次ターゲット上を移動して連続スパッタ
を行うインライン・スパッタ装置の改良に関す。
第１図はこの種インライン・スパッタ装置の代表的一例
を側断面略図を以て示すもので、以下セラミック基板上
に窒化タンタル（ＴａＮ）からなる抵抗被覆を形成させ
る工程について説明する。
を側断面略図を以て示すもので、以下セラミック基板上
に窒化タンタル（ＴａＮ）からなる抵抗被覆を形成させ
る工程について説明する。
１はヴアキウム・チェンバー、２はカソード、３はその
上に載置されたタンタル（Ｔａ）のターゲット、その上
に若干間隔をおいて第２図に拡大した上面図で示す矩形
状の窓４を備えるステンレスよりなるシャッターマスク
５が配設されている。
上に載置されたタンタル（Ｔａ）のターゲット、その上
に若干間隔をおいて第２図に拡大した上面図で示す矩形
状の窓４を備えるステンレスよりなるシャッターマスク
５が配設されている。
６は絶縁基板７の収容筐、８は皮膜生成の完了した基板
の収容筐で夫々ヴアキウム・チェンバー１と開閉バルブ
９を介して結合されている。
の収容筐で夫々ヴアキウム・チェンバー１と開閉バルブ
９を介して結合されている。
図示されない真空ポンプにより、先づ排気孔Ｅよりチェ
ンバー１内が１０”’ｔｏｒｒ程度に排気され次いで吸
気孔Ａよりアルゴン（Ａｒ）窒素（Ｎ）の混合ガスが１
０ ”ｔｏｒｒ程度になるまで送りこまれ、カソード２
（従ってターゲット３）に筐体（従ってシャッターマス
ク５）に対して一５ＫＶの電圧がかけられ、カソード・
マスク間にプラズマが発生する。
ンバー１内が１０”’ｔｏｒｒ程度に排気され次いで吸
気孔Ａよりアルゴン（Ａｒ）窒素（Ｎ）の混合ガスが１
０ ”ｔｏｒｒ程度になるまで送りこまれ、カソード２
（従ってターゲット３）に筐体（従ってシャッターマス
ク５）に対して一５ＫＶの電圧がかけられ、カソード・
マスク間にプラズマが発生する。
このプラズマによって正電位のアルゴン・イオンは高圧
負電位のターゲット３の表面に衝突して、Ｔａ原子をと
び出させ、収容筐６からチェンバー１内に送りこまれ、
シャッターマスク上を左から右へ矢印の如く通りすぎる
絶縁基板７の下面にＴａＮ抵抗皮膜を形成する。
負電位のターゲット３の表面に衝突して、Ｔａ原子をと
び出させ、収容筐６からチェンバー１内に送りこまれ、
シャッターマスク上を左から右へ矢印の如く通りすぎる
絶縁基板７の下面にＴａＮ抵抗皮膜を形成する。
抵抗皮膜の付着を了えた絶縁基板７は順次収容筐８に送
りこまれ、収容されていた基板７の皮膜生成処理が総て
完了するや、開閉バルブ９が閉結され、両収容筐６，８
の図示されない開閉扉を介して、収容筐６には未処理の
絶縁基板が所定数収容され、収容筐８より抵抗皮膜生成
の終了した絶縁基板が取り出され、再び開閉バルブ９が
開けられて、既述の処理工程が再開される。
りこまれ、収容されていた基板７の皮膜生成処理が総て
完了するや、開閉バルブ９が閉結され、両収容筐６，８
の図示されない開閉扉を介して、収容筐６には未処理の
絶縁基板が所定数収容され、収容筐８より抵抗皮膜生成
の終了した絶縁基板が取り出され、再び開閉バルブ９が
開けられて、既述の処理工程が再開される。
かくて処理の終了した絶縁基板の抵抗皮膜は、一様な厚
さ、従って一様な抵抗で形成されていなければならない
が、実際は第３図の特性Ａにみる如く、基板７上の位置
によって蓋しい差ができる。
さ、従って一様な抵抗で形成されていなければならない
が、実際は第３図の特性Ａにみる如く、基板７上の位置
によって蓋しい差ができる。
第３図はシャッター・マスク５の窓４の絶縁基板７の進
行方向の中心線Ｏより両側への距離を横軸に、夫々の部
分の抵抗（抵抗皮膜厚さに反比例）を縦軸に中心線位置
の抵抗を１００とした分布を示すもので、ターゲット径
２１０ｍｍ、シャッターマスク５の窓幅９Ｑｍｍの場合
の測定結果であり、実に側端付近の抵抗は、中心線付近
の抵抗より５割も高くなる。
行方向の中心線Ｏより両側への距離を横軸に、夫々の部
分の抵抗（抵抗皮膜厚さに反比例）を縦軸に中心線位置
の抵抗を１００とした分布を示すもので、ターゲット径
２１０ｍｍ、シャッターマスク５の窓幅９Ｑｍｍの場合
の測定結果であり、実に側端付近の抵抗は、中心線付近
の抵抗より５割も高くなる。
これは生成皮膜の厚みが中心線より側方に遠ざかるに従
って薄くなることを意味する。
って薄くなることを意味する。
この原因はターゲット表面よりタンタル原子が種々雑多
な方向にとび出すため、いきおいターゲット３の周辺付
近からとび出したタンタル原子は上面を通りすぎる絶縁
基板に付着するものに比して、あらぬ方向にとび出して
無駄となるものが多いためである。
な方向にとび出すため、いきおいターゲット３の周辺付
近からとび出したタンタル原子は上面を通りすぎる絶縁
基板に付着するものに比して、あらぬ方向にとび出して
無駄となるものが多いためである。
従って所定の抵抗を備える部分は、生産された抵抗皮膜
基板の一部分に限定されることとなって歩留りは著しく
悪い。
基板の一部分に限定されることとなって歩留りは著しく
悪い。
本考案はこの欠点を防止し、同一条件の生産工程におい
て、歩留りの向上を目的とし、この目的は従来使用され
るシャッターマスクの矩形状の窓の形状寸法を、基板の
移動方向において、中心位置より両側へ漸増するような
すことによって遠戚される。
て、歩留りの向上を目的とし、この目的は従来使用され
るシャッターマスクの矩形状の窓の形状寸法を、基板の
移動方向において、中心位置より両側へ漸増するような
すことによって遠戚される。
これは同時に絶縁基板のスパッタ処理をなされる時間が
該絶縁基板上中心位置より両側に近づく位置程、長くな
ることを意味する。
該絶縁基板上中心位置より両側に近づく位置程、長くな
ることを意味する。
第４図は本考案に利用して有利なシャッターマスク５の
窓４の形状を上面図で示すもので、同図イはつづみ形と
なして基板進行方向で沖心線付近を最も狭く、両側（上
下）へ漸増した寸法となしたもので、同図口は左端のみ
を弧状に形成して同一目的を遠戚するものである。
窓４の形状を上面図で示すもので、同図イはつづみ形と
なして基板進行方向で沖心線付近を最も狭く、両側（上
下）へ漸増した寸法となしたもので、同図口は左端のみ
を弧状に形成して同一目的を遠戚するものである。
第３図の抵抗分布特性Ｂは既述の同一条件のもとに本考
案によるシャッターマスクの窓形状によって得られたも
ので、両側数％の部分を除いて、略均−な抵抗皮膜が生
成されていることを示している。
案によるシャッターマスクの窓形状によって得られたも
ので、両側数％の部分を除いて、略均−な抵抗皮膜が生
成されていることを示している。
以上の如く本考案においては、極めて簡単な手段で、著
しく歩留りを改善することができ、経済的効果と共にそ
の実用的効果は著しい。
しく歩留りを改善することができ、経済的効果と共にそ
の実用的効果は著しい。
第１図はインライン・スパッタ装置の一例を側断面略図
を以て示し、第２図は従来使用されているシャッターマ
スクの形状を上面図を以て、第３図は生産された絶縁基
板上の抵抗皮膜の分布を従来のものＡと本考案によるも
のＢを示し、第４図は本考案になるシャッターマスク窓
の形状の実施例を示す。 図において ３はターゲット、４はシャッターマスク５
の窓、７は絶縁基板を示す。
を以て示し、第２図は従来使用されているシャッターマ
スクの形状を上面図を以て、第３図は生産された絶縁基
板上の抵抗皮膜の分布を従来のものＡと本考案によるも
のＢを示し、第４図は本考案になるシャッターマスク窓
の形状の実施例を示す。 図において ３はターゲット、４はシャッターマスク５
の窓、７は絶縁基板を示す。
Claims (1)
- ヴアキウム・チェンバー内で゛ターゲットとその上を通
過する絶縁基板間に配設されるシャッターマスクの窓の
形状寸法が、基板の移動方向において、中心位置より両
側へ漸増してなることを特徴とする複数個の絶縁基板が
順次ターゲット上を移動して連続スパッタを行うインラ
ンイ・スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11982779U JPS5844571Y2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | インライン・スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11982779U JPS5844571Y2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | インライン・スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638412U JPS5638412U (ja) | 1981-04-11 |
| JPS5844571Y2 true JPS5844571Y2 (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=29352023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11982779U Expired JPS5844571Y2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | インライン・スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844571Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60168185U (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-08 | 豊田合成株式会社 | パネル表示装置 |
-
1979
- 1979-08-31 JP JP11982779U patent/JPS5844571Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638412U (ja) | 1981-04-11 |
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