JPS5844642A - 含浸型陰極構体の製造方法 - Google Patents
含浸型陰極構体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5844642A JPS5844642A JP14096381A JP14096381A JPS5844642A JP S5844642 A JPS5844642 A JP S5844642A JP 14096381 A JP14096381 A JP 14096381A JP 14096381 A JP14096381 A JP 14096381A JP S5844642 A JPS5844642 A JP S5844642A
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- JP
- Japan
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- copper
- porous tungsten
- impregnated
- section
- tungsten substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は含浸型陰極構体の製造方法に関する亀のである
。
。
含浸型陰極構体は第１図に示すようにモリブデンから々
る陰極支持筒（１）の頂部にＭｅ−Ｒｕろう材を介して
所定形状の含浸型陰極基体部（２）が固着され、ζＯＩ
ｋ極支持筒（１）ｋ内装されたと−タ（３）Ｋより含浸
１１陰極基体部（２）を加熱し、高密度の熱電子を放出
するようｋなされている。
る陰極支持筒（１）の頂部にＭｅ−Ｒｕろう材を介して
所定形状の含浸型陰極基体部（２）が固着され、ζＯＩ
ｋ極支持筒（１）ｋ内装されたと−タ（３）Ｋより含浸
１１陰極基体部（２）を加熱し、高密度の熱電子を放出
するようｋなされている。
このような含浸型陰極構体は通常法のような工程により
製造される。
製造される。
先ず最初に含浸型陰極基体部について説明すると完成後
における工セッション効率およびエミッタの蒸発の防止
などの点から一般にその見かけ比重が１６１ｉ度の多孔
質のタングステン焼結体を材料とし切削加工性をよくす
るために空孔部に銅が含浸されている。次にこの銅を含
浸した多孔質のタングステン棒を所定の形状に切削加工
する。次に例えば直径３Ｑｓｗ、肉厚４■の円板状の銅
含浸多孔質タングステンの場合１（Ｆｉ１５００℃の高
温水素炉で５時間、次に仕上げとして１７００℃で３０
分間加熱し銅を除去する。次にこの多孔質タングステン
基体部とモリブデンから亀る陰極支持筒（１）とをＭｏ
−Ｒｕろう材を用いてろう付けする。次に多孔質タング
ステンｐｃ ＢａＯ，Ａｌｌ０＠ ｇｃ嵩０よりなる電
子放射物質を高温水素炉中で急速に加熱して溶融含浸す
る。
における工セッション効率およびエミッタの蒸発の防止
などの点から一般にその見かけ比重が１６１ｉ度の多孔
質のタングステン焼結体を材料とし切削加工性をよくす
るために空孔部に銅が含浸されている。次にこの銅を含
浸した多孔質のタングステン棒を所定の形状に切削加工
する。次に例えば直径３Ｑｓｗ、肉厚４■の円板状の銅
含浸多孔質タングステンの場合１（Ｆｉ１５００℃の高
温水素炉で５時間、次に仕上げとして１７００℃で３０
分間加熱し銅を除去する。次にこの多孔質タングステン
基体部とモリブデンから亀る陰極支持筒（１）とをＭｏ
−Ｒｕろう材を用いてろう付けする。次に多孔質タング
ステンｐｃ ＢａＯ，Ａｌｌ０＠ ｇｃ嵩０よりなる電
子放射物質を高温水素炉中で急速に加熱して溶融含浸す
る。
前述したように多孔質タングステン基体部は粒径′約３
μ諷のタングステン粉末を見かけ比重が１６程度になる
よう焼結した焼結体であるため前述した銅除去作業で一
般的に０．２ｍ程度の縮みを生じる。
μ諷のタングステン粉末を見かけ比重が１６程度になる
よう焼結した焼結体であるため前述した銅除去作業で一
般的に０．２ｍ程度の縮みを生じる。
そしてこの縮みの度合が一定していれば前もってその形
状を大きめ−に製作しておけば良い訳であるが、この縮
み量は０．１ｍから０．３ ｍ程度ばらつく事が多い。
状を大きめ−に製作しておけば良い訳であるが、この縮
み量は０．１ｍから０．３ ｍ程度ばらつく事が多い。
これに対して含浸型陰極基体部の外形、特に頂面の精度
は極めて正確でなければならず、通常の大きさのもので
０．０２ｍ程度以内の精度が要求されているため、含浸
型陰極構体としての品位が問題となっている。
は極めて正確でなければならず、通常の大きさのもので
０．０２ｍ程度以内の精度が要求されているため、含浸
型陰極構体としての品位が問題となっている。
本発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたものであ
抄、寸法精度の極めて良好な含浸型陰極構体の製造方法
を提供することを目的とし、ている。
抄、寸法精度の極めて良好な含浸型陰極構体の製造方法
を提供することを目的とし、ている。
次に本発明の含浸型陰極構体の製造方法の一実施例を第
２図乃至第７図により説明する。
２図乃至第７図により説明する。
先ず第２図に示すように例えば見かけ比重が１６程度の
多孔質のタングステン焼結体の空孔部に銅を含浸した直
径３０綽程度の銅含浸タングステン焼結体（２）を用意
すると共に第３図に示すような所定径（φ１）の内径を
有する所定長（ｌＩ）のモリブデンからまる陰極支持筒
ａυを用意する。
多孔質のタングステン焼結体の空孔部に銅を含浸した直
径３０綽程度の銅含浸タングステン焼結体（２）を用意
すると共に第３図に示すような所定径（φ１）の内径を
有する所定長（ｌＩ）のモリブデンからまる陰極支持筒
ａυを用意する。
次に第４図のように第２図の銅含浸タングステン焼結体
ａのを切削加工し、含浸型陰極母体０３を形成するが、
この含浸型陰極母体Ｉの陰極支持筒ａυに嵌合させる部
分の直径は含浸型陰極母体ａ１から銅抜きした時の最大
縮み量より０．１露位大きめの直径（４）に仕上げ、陰
極支持筒Ｉより外部は銅抜きした時の縮みを見込んだ直
径よシ少し大匙めの直径（φ、）に仕上げる。
ａのを切削加工し、含浸型陰極母体０３を形成するが、
この含浸型陰極母体Ｉの陰極支持筒ａυに嵌合させる部
分の直径は含浸型陰極母体ａ１から銅抜きした時の最大
縮み量より０．１露位大きめの直径（４）に仕上げ、陰
極支持筒Ｉより外部は銅抜きした時の縮みを見込んだ直
径よシ少し大匙めの直径（φ、）に仕上げる。
次に第４図の含浸型陰極基体部を１５００℃の高温水素
炉で５時間、次に仕上げとして１７００℃で３０分間加
熱して銅を除去し、多孔質タングステン基体部Ｉを形成
する。
炉で５時間、次に仕上げとして１７００℃で３０分間加
熱して銅を除去し、多孔質タングステン基体部Ｉを形成
する。
次に第５図に示すように多孔質タングステン基体部ａ４
を陰極支持筒ＩＯ一端部に嵌着し、Ｍｏ−Ｒｕろう材（
ＩＱでろう付する。
を陰極支持筒ＩＯ一端部に嵌着し、Ｍｏ−Ｒｕろう材（
ＩＱでろう付する。
次に第６図に示すように多孔質タングステン基体部ａ４
の露出部に厚さ０．１ ｍ程度の銅板をプレス成形して
作ったキャップαηを装着し、高周波電気炉を用いて多
孔質タングステン基体部Ｉのごく表面層にのみ銅を含浸
する。この場合、高周波電気炉の温度上昇、下降は急速
に行なわなければならない。この銅を多孔質タングステ
ン基体部（４の露出表面のごく表面層のみに含浸する工
程が本発明の特徴である。そしてこの銅のごく表面層の
みに含浸するにはＭｏ−Ｒｕろう材ａＱで多孔質タング
ステン基体部Ｑ４１の陰極支持筒ａυ内部の面（１４）
を目つぶししておけは銅含浸時、多孔質タングステン基
体部Ｉの内部の気体が銅含浸の迩蔽の役目をし、銅はこ
の多孔質タングステン基体部Ｉの露出部のごく表面層に
のみ含浸することができる。
の露出部に厚さ０．１ ｍ程度の銅板をプレス成形して
作ったキャップαηを装着し、高周波電気炉を用いて多
孔質タングステン基体部Ｉのごく表面層にのみ銅を含浸
する。この場合、高周波電気炉の温度上昇、下降は急速
に行なわなければならない。この銅を多孔質タングステ
ン基体部（４の露出表面のごく表面層のみに含浸する工
程が本発明の特徴である。そしてこの銅のごく表面層の
みに含浸するにはＭｏ−Ｒｕろう材ａＱで多孔質タング
ステン基体部Ｑ４１の陰極支持筒ａυ内部の面（１４）
を目つぶししておけは銅含浸時、多孔質タングステン基
体部Ｉの内部の気体が銅含浸の迩蔽の役目をし、銅はこ
の多孔質タングステン基体部Ｉの露出部のごく表面層に
のみ含浸することができる。
次に第１図に示すように多孔質タングステン基体部ａｅ
ｆ）ｗ、内部のごく表面層にのみ銅の含浸された部分を
陰極支持筒０１）を基準にして精密仕上げを行なう。次
に表面に含浸された銅を除去するが、この銅の除去は多
孔質タンゲステン基体部（１４）のごく表面層にのみし
か存在したいので非常に短時間で除去することができる
。従って多孔質タングステン基体部αくの変形も唖めて
少ない。
ｆ）ｗ、内部のごく表面層にのみ銅の含浸された部分を
陰極支持筒０１）を基準にして精密仕上げを行なう。次
に表面に含浸された銅を除去するが、この銅の除去は多
孔質タンゲステン基体部（１４）のごく表面層にのみし
か存在したいので非常に短時間で除去することができる
。従って多孔質タングステン基体部αくの変形も唖めて
少ない。
次にこの多孔質タングステン基体部αくにＢａＯ，Ａｌ
２Ｏ５゜ＣａＯよりなる電子放射物質を高温水素炉中で
急速に加熱して溶融含浸し含浸型陰極構体を完成する。
２Ｏ５゜ＣａＯよりなる電子放射物質を高温水素炉中で
急速に加熱して溶融含浸し含浸型陰極構体を完成する。
前述のような製造方法によると、電子放出面の形状寸法
を極めて正確に出すことが可能となシ、例えば第８図に
示すジャイロトロンに使用される含浸型陰極構体ｃＪＤ
のように熱電子を破線（イ）方向に正確に放出するよう
になされたものにおいては多孔質タングステン基体部（
財）の軸（２））に対する傾斜角（２）と直径の）が非
常に重要であり、特に直径Φ）の公差はＤ−３０■の場
合０．０１■以内という精度が要求されていることと、
円錐筒状を有する銅含浸タングステン基体部の銅抜き時
の縮み変形量を予測することは非常に難しいので本発明
の製造方法はその対策として極めて効果がある。
を極めて正確に出すことが可能となシ、例えば第８図に
示すジャイロトロンに使用される含浸型陰極構体ｃＪＤ
のように熱電子を破線（イ）方向に正確に放出するよう
になされたものにおいては多孔質タングステン基体部（
財）の軸（２））に対する傾斜角（２）と直径の）が非
常に重要であり、特に直径Φ）の公差はＤ−３０■の場
合０．０１■以内という精度が要求されていることと、
円錐筒状を有する銅含浸タングステン基体部の銅抜き時
の縮み変形量を予測することは非常に難しいので本発明
の製造方法はその対策として極めて効果がある。
前記実施例はＩＩ＃終加工面のごく表面層のみに銅を含
浸させたが、これに限定されるものではなくプラスチッ
クなどを含浸させても良いことは説明する迄もない。
浸させたが、これに限定されるものではなくプラスチッ
クなどを含浸させても良いことは説明する迄もない。
第１図は含浸型１３ｊ構体にヒータを装着した状態を示
す断面図、第２図乃至第７図は本発明の含浸型陰極構体
の一実施例を工程順に示す図であり、第２図は銅含浸タ
ングステン焼結体を示す斜視図、第３図は陰極支持筒の
断面図、第４図は切削加工後の含浸型陰極母体を示す断
面図、第５図は多孔質タングステン基体部をＭｏ−Ｒ，
ｕろう材で陰極支持筒にろう付した状態を示す断面図、
第６図は銅のキャップを装着した状態を示す断面図、第
７図は銅含浸部を精密加工した状態を示す断面図、第８
図は本発明の製造方法に最適なジャイロトロンに使用さ
れる含浸型陰極構体の断面図である。 １．１１・・・陰極支持ａ ２・・・陰極基体部
１４．２４・・−多孔質タングステン基体部１６・・・
ろう材 １７・・・キャップ代理人 弁理士
井 上 −男 第 ６ 図 第 ７ 図第
８図
す断面図、第２図乃至第７図は本発明の含浸型陰極構体
の一実施例を工程順に示す図であり、第２図は銅含浸タ
ングステン焼結体を示す斜視図、第３図は陰極支持筒の
断面図、第４図は切削加工後の含浸型陰極母体を示す断
面図、第５図は多孔質タングステン基体部をＭｏ−Ｒ，
ｕろう材で陰極支持筒にろう付した状態を示す断面図、
第６図は銅のキャップを装着した状態を示す断面図、第
７図は銅含浸部を精密加工した状態を示す断面図、第８
図は本発明の製造方法に最適なジャイロトロンに使用さ
れる含浸型陰極構体の断面図である。 １．１１・・・陰極支持ａ ２・・・陰極基体部
１４．２４・・−多孔質タングステン基体部１６・・・
ろう材 １７・・・キャップ代理人 弁理士
井 上 −男 第 ６ 図 第 ７ 図第
８図
Claims (1)
- 所定の形状よりやや大に切削加工された多孔質タングス
テン基体部と陰極支持筒を高融点ろう材でろう付けする
工程と、前記多孔質タングステン基体部の表面層部に銅
またはプラスチックを含浸する工程と、前記表面層部に
銅またはプラスチックが含浸された前記多孔質タングス
テン基体部を所定の形状に精密切削加工する工程と、前
記鋼またはプラスチックを除去する工程と、電子放射物
質を含浸する工程とを具備することを特徴とする含浸型
陰極構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14096381A JPS5844642A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 含浸型陰極構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14096381A JPS5844642A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 含浸型陰極構体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844642A true JPS5844642A (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=15280885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14096381A Pending JPS5844642A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 含浸型陰極構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844642A (ja) |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP14096381A patent/JPS5844642A/ja active Pending
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