JPS5845640A - 静電容量値の変化検出型再生針の電極に対する高周波電圧印加回路 - Google Patents
静電容量値の変化検出型再生針の電極に対する高周波電圧印加回路Info
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- JPS5845640A JPS5845640A JP56144332A JP14433281A JPS5845640A JP S5845640 A JPS5845640 A JP S5845640A JP 56144332 A JP56144332 A JP 56144332A JP 14433281 A JP14433281 A JP 14433281A JP S5845640 A JPS5845640 A JP S5845640A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
情報信号ど対応するピノ1が渦巻状あるいは同心固状に
配列されることによって形成さ」また記録跡を備えてい
る情報記録媒体円盤(ディスク)における記録跡上にp
I生素子(ビック/ツノ)の再生釦を摺接させ、記録跡
中の情報信月の状態に従って生じる静電界・量値の変化
を電気j6の変化とし2て検出することによって、ディ
スク・\高密度に記録されている情報信号を再生[るよ
うにした、いわゆる静電容量値の変化検出型の情報記録
内生方式は、ディスクにおげろ記録跡中の情報(ごy(
の読取りが、再生釦に設けた電極部によって静電容量値
の変化を検出することVこよって行なj−) J+、ろ
がら、前記した再生釦におけろ電極部の電極の厚さ−・
1法を情報信号と対応するピットの長さくi己録跡の延
びている方向におけるピットの大きさ)寸法に比べて充
分に小さくして分NG比を高めろことができ、したがっ
て、ディスクの回転数を低(しても情報信号の記録再生
が可能でルンろとい51持長を有する他に、多くの他の
利点ナイ]シているために、それの実用化研究が強力に
推進された結果、近年にな−)で実用化の域v?X土で
達した。
配列されることによって形成さ」また記録跡を備えてい
る情報記録媒体円盤(ディスク)における記録跡上にp
I生素子(ビック/ツノ)の再生釦を摺接させ、記録跡
中の情報信月の状態に従って生じる静電界・量値の変化
を電気j6の変化とし2て検出することによって、ディ
スク・\高密度に記録されている情報信号を再生[るよ
うにした、いわゆる静電容量値の変化検出型の情報記録
内生方式は、ディスクにおげろ記録跡中の情報(ごy(
の読取りが、再生釦に設けた電極部によって静電容量値
の変化を検出することVこよって行なj−) J+、ろ
がら、前記した再生釦におけろ電極部の電極の厚さ−・
1法を情報信号と対応するピットの長さくi己録跡の延
びている方向におけるピットの大きさ)寸法に比べて充
分に小さくして分NG比を高めろことができ、したがっ
て、ディスクの回転数を低(しても情報信号の記録再生
が可能でルンろとい51持長を有する他に、多くの他の
利点ナイ]シているために、それの実用化研究が強力に
推進された結果、近年にな−)で実用化の域v?X土で
達した。
ところで、情報信号が高い記録密度で記録されているラ
イスフからの情報信号の再生が、電極部をイハ11えた
再生釦を用いて行なわJlイ)ようになさJlでいろ静
電容量値の変化検出型の情作記録出生力式では、有限長
のカッチl/バーの先端部伺近に数句げられているfr
生釧に構成さJ’L、−cいろ電画を、接続線を介して
半同軸共振器の中心力体の先端部に接続し、また、前記
の半同軸共振器を例えば約+%cnzで発振している尚
周波発振器と電融結合させておき、再生釦の電極で検知
した微小lf静電容昂値の変化が、鋭ろどい共振性(l
1曲線をイイする半同軸共振器中で大きな電磁界強度の
変化として拡大されろようにして、半同軸共振器と結合
するように設(]られた検検回路から、再生釦の電極に
よってディスクの情報信号と対応して読取ら、!また静
電容量値の微小な変化を大きな電気信号どして取出して
利用できるようにしている。
イスフからの情報信号の再生が、電極部をイハ11えた
再生釦を用いて行なわJlイ)ようになさJlでいろ静
電容量値の変化検出型の情作記録出生力式では、有限長
のカッチl/バーの先端部伺近に数句げられているfr
生釧に構成さJ’L、−cいろ電画を、接続線を介して
半同軸共振器の中心力体の先端部に接続し、また、前記
の半同軸共振器を例えば約+%cnzで発振している尚
周波発振器と電融結合させておき、再生釦の電極で検知
した微小lf静電容昂値の変化が、鋭ろどい共振性(l
1曲線をイイする半同軸共振器中で大きな電磁界強度の
変化として拡大されろようにして、半同軸共振器と結合
するように設(]られた検検回路から、再生釦の電極に
よってディスクの情報信号と対応して読取ら、!また静
電容量値の微小な変化を大きな電気信号どして取出して
利用できるようにしている。
前記のように、静電容量値の変化検出型内生方式におけ
るディスクからの情報信号のrfT生に当って(ま、再
生釦における電極に7=J L −C高周波T’lt圧
が印加されて)ようになされていイ)が、この再生企1
の電極に印加さ牙また高周波電圧によって、再生釦の電
極の先端部どテ・イスク(F%げろ電極面との間に生l
コろ高周波電界の電が強度(J、数(■KV、、/rm
にも達ずろから、ディスクにお()ろ電極面上に設けら
れている誘電体層としては、そ」1の絶縁1制月が前日
こした数値以十のものとなされていることが必要どされ
ろ。
るディスクからの情報信号のrfT生に当って(ま、再
生釦における電極に7=J L −C高周波T’lt圧
が印加されて)ようになされていイ)が、この再生企1
の電極に印加さ牙また高周波電圧によって、再生釦の電
極の先端部どテ・イスク(F%げろ電極面との間に生l
コろ高周波電界の電が強度(J、数(■KV、、/rm
にも達ずろから、ディスクにお()ろ電極面上に設けら
れている誘電体層としては、そ」1の絶縁1制月が前日
こした数値以十のものとなされていることが必要どされ
ろ。
また、フイスク面−hK摺接された状態で使用されてい
る再生釦によってディスク面に加えられて数百に9/c
rl となっているから、ディスクVこおいてそれの
電極面上に構成されている誘電体層としては、既述のよ
うに高い絶縁配圧を有してい乙)と共に、−に記の理由
により大きな機械的強度を有しているものとffされて
いることが必要とされる。
る再生釦によってディスク面に加えられて数百に9/c
rl となっているから、ディスクVこおいてそれの
電極面上に構成されている誘電体層としては、既述のよ
うに高い絶縁配圧を有してい乙)と共に、−に記の理由
により大きな機械的強度を有しているものとffされて
いることが必要とされる。
さて、静電容量値の変化検出型内生方式において使用さ
れるディスクとしては、従来から(1)例えば、塩化ヒ
ニールと酢酸ヒニールとの共重合体を主体どする樹脂月
利を用いて、例えばコンソレノノヨン・士−ルティンタ
法などに」:す、スタンパから情報信号と対応するピッ
トパターンを前記し。
れるディスクとしては、従来から(1)例えば、塩化ヒ
ニールと酢酸ヒニールとの共重合体を主体どする樹脂月
利を用いて、例えばコンソレノノヨン・士−ルティンタ
法などに」:す、スタンパから情報信号と対応するピッ
トパターンを前記し。
た樹脂月利の表面に転写させ、前記したピットパターン
が転写された樹脂月利の表面に電極となる金属薄膜を+
1着させた後に、前記の金属薄膜上に厚さが数1fオノ
クストロ−1、の高誘電率物質の薄膜を旧著させた構造
のもの、(2)塩化ビニールと酢酸ヒーーールとの共重
合体を主体とする樹脂月利中にカーホンの微粉末を混入
させたものを用いて、例えばコンク“レノンヨン・千−
刀テインク法などにより、スタンパから情報信号と対応
するビットバター/を転写させた構造のもの、が用(・
らilでいるが、前記した(1) 、 (2)の何れの
構造のディスクにおいても、ディスク・プレーヤにおけ
る再生モートがノーマル再生モードとな゛されている場
合の再生動作時のように、再生り1の摺接面がディスク
面に正しく摺接された状態においては、ディスクの誘電
体層における上述し、た電気的及び機械的な強度は充分
なものであって、この状態におけるディスクへの再生釦
の摺接によっても、ディスクが損傷さ」1.るなどの事
態は発生しないが、何かの原因に」:ってディスク面に
対−4“ろ再生釦の当接姿態が変化して、再生釦におけ
る電極端部かディスク面に突きささるような態様でディ
スク面に当接した場合には、ディスク面におけろ誘電体
層に、それの絶縁耐圧以十の高周波電圧と誘電体層を破
壊させるような荷重が加えられて誘電体層が破壊された
り、あるいは再生釦の摺接面の輪郭におけろ突起部分が
ディスク面に突きささるような態様で当接した場合には
、ディスク面の誘電体層にそれを破壊させろような荷重
が加えられて誘電体層が破壊されてしまうことが起こる
。
が転写された樹脂月利の表面に電極となる金属薄膜を+
1着させた後に、前記の金属薄膜上に厚さが数1fオノ
クストロ−1、の高誘電率物質の薄膜を旧著させた構造
のもの、(2)塩化ビニールと酢酸ヒーーールとの共重
合体を主体とする樹脂月利中にカーホンの微粉末を混入
させたものを用いて、例えばコンク“レノンヨン・千−
刀テインク法などにより、スタンパから情報信号と対応
するビットバター/を転写させた構造のもの、が用(・
らilでいるが、前記した(1) 、 (2)の何れの
構造のディスクにおいても、ディスク・プレーヤにおけ
る再生モートがノーマル再生モードとな゛されている場
合の再生動作時のように、再生り1の摺接面がディスク
面に正しく摺接された状態においては、ディスクの誘電
体層における上述し、た電気的及び機械的な強度は充分
なものであって、この状態におけるディスクへの再生釦
の摺接によっても、ディスクが損傷さ」1.るなどの事
態は発生しないが、何かの原因に」:ってディスク面に
対−4“ろ再生釦の当接姿態が変化して、再生釦におけ
る電極端部かディスク面に突きささるような態様でディ
スク面に当接した場合には、ディスク面におけろ誘電体
層に、それの絶縁耐圧以十の高周波電圧と誘電体層を破
壊させるような荷重が加えられて誘電体層が破壊された
り、あるいは再生釦の摺接面の輪郭におけろ突起部分が
ディスク面に突きささるような態様で当接した場合には
、ディスク面の誘電体層にそれを破壊させろような荷重
が加えられて誘電体層が破壊されてしまうことが起こる
。
すなわち、ノーマル再生上−1・における再生動作時に
おいて再生釦Sけ、第1図(a)図に示すようにそねの
摺接面1がディスクDの誘電体N5の表面に広い面積で
摺接しており、ディスクDの誘電体層5には部分的に極
端に大きな荷重が加わることもなく、また、再生針Sの
電極2に与えられていろ高周波電圧も、ティスフDの誘
電体層5に極端に大きな高周波電界を生じさせることが
ないから、ティスフDにおける誘電体層5がその上に摺
接している4jj生#ISによっても破壊されるような
ことは起こらないのであるが、再生釦S h−第1図(
b1図に示すように、それの摺接面1の−・部がティス
フDの表面から浮上がって、再生釦Sにおける突出部分
がケイスフDの表d口に突きささる場合に6丁、ティス
フ1〕の表面に対1〜で例えば数トン乃至数十)ン/
cniというような大きな荷重がかかることにより、テ
・fスフDの表面の誘電体層5が機械的に破#き、!1
て1.十ったり、ル)ろいは、第1図(b)図示のよう
に、ティスフI〕の表面に突きささる部分が再生′f+
Sにおける電極2の存在する部分である場合には、前
記した機械力による破壊に加えて、誘電体層5に生じろ
強力な強電界に」′って誘電体層5は電気力によっても
破壊されることになる。
おいて再生釦Sけ、第1図(a)図に示すようにそねの
摺接面1がディスクDの誘電体N5の表面に広い面積で
摺接しており、ディスクDの誘電体層5には部分的に極
端に大きな荷重が加わることもなく、また、再生針Sの
電極2に与えられていろ高周波電圧も、ティスフDの誘
電体層5に極端に大きな高周波電界を生じさせることが
ないから、ティスフDにおける誘電体層5がその上に摺
接している4jj生#ISによっても破壊されるような
ことは起こらないのであるが、再生釦S h−第1図(
b1図に示すように、それの摺接面1の−・部がティス
フDの表面から浮上がって、再生釦Sにおける突出部分
がケイスフDの表d口に突きささる場合に6丁、ティス
フ1〕の表面に対1〜で例えば数トン乃至数十)ン/
cniというような大きな荷重がかかることにより、テ
・fスフDの表面の誘電体層5が機械的に破#き、!1
て1.十ったり、ル)ろいは、第1図(b)図示のよう
に、ティスフI〕の表面に突きささる部分が再生′f+
Sにおける電極2の存在する部分である場合には、前
記した機械力による破壊に加えて、誘電体層5に生じろ
強力な強電界に」′って誘電体層5は電気力によっても
破壊されることになる。
第1図(a)〜(c)図において、3はツイスタDの樹
脂4A利による基体、4は金属薄11αに」、る電極、
P。
脂4A利による基体、4は金属薄11αに」、る電極、
P。
P・・はピノI・である。また、この第1図(a) 、
(b)図に示すティスフDは、何れも樹脂利料による
基体3の表面に金属薄膜11による電極を設け、その表
面に誘電体、@5を旧著形成さぜた構成形態のものとし
て示さn’1. ”Cいるが、ティスフがツノー十ンの
微粉末を混入した樹11旨利月を用い℃作ら太したもの
であって、それにl’j特に金属の薄暎によイ)電極が
設けられ−Cいないような構成形態のティスフの場合で
あっても、そのティスフ(ま表面に薄い誘電体層が形成
されている第1図(a) 、 (b)図示のティスフと
同様な再生動作を行なうことができろものであるから、
そのティスフの表面には実質的に薄い誘電体層が形成さ
れているものと考えらJするのであり、その実質的な誘
電体層に再生釦Sにおける摺接面の輪郭における突起部
分がティスフの表面に突きささるような態様で当接した
り、あろい←目14生釧Sにおける電極2の部分が突き
ささるような態様で当接したりした場合には、ティスフ
の表面における実質的な誘電体層が前述したような理由
によって破壊されるのである。そして、[4生釧Sにお
けろ電極2の部分がティスフ1〕の表面VC突きささろ
ような動態で当接する状態は、演奏の開始時に再生f?
t SをティスフDの盤面子にt6ろす場合、及て丁、
演奏の終了時に再生釦SをティスフDの盤面から引」−
げる場合に生じ、また、再生釦Sにおける摺接面の輪郭
の突起部分がティスフDの表面に突きささる(ハ)態で
当接する状態は、ティスフDの面鴎れ、あるいはひA7
ばんなう/クムアクセスにおけろ11f生針Sの移動時
などで生じろことが多い1゜1′lI記のようにして誘
電体層が破壊されて盤面に傷が生じたティスフDを用い
て情報信号の再生を行なった場合には、盤面に生じた傷
の部分における再生信号中に信号の欠落(I・ロノプγ
ウド)が生じることになるが、再生信号のドロップ/ウ
ドは欠落信号補償回路によって容易に補償することがで
きるので、ティスフD自体に関してはそれの誘電体層の
破壊が致命的な障害どはならず、また、電極2の電極1
1]よりも非常に大きな14]を有していて広い面積の
摺接面1がティスフDの表面に摺接した状態で+4r生
動作を行なう再生釦Sは、ティスフDの誘電体層5が部
分的に破壊されていても、第1図(c)図に示すように
ティスフの誘電体層5−1を摺接しているから、]]■
生釧Sの電極2がテ・rスフ1〕の電極となる金属薄膜
4と短絡−4−ろようなことはなく、再生針ぐロゴ支障
なく行なA・) J]、 T!)乙のである3゜ しかしながら、Ff生@lSにおけろ電極2が第1図(
a)図に示すように、ティスフI)θ)表向に突きささ
るような姿態で当接して、テ、fスクDの誘電体層5が
破壊される時には、内生金ISにお0ろ電極2がティス
フDにおげイ)電極となる金属薄膜11ど短絡すること
があり、前記の短絡によ−って丙牛釧Sの電極2の先端
部とティスフDの電極との双方が溶解蒸発し、特に再生
針Sの電極2の損傷によって以後の再生動作が回復不能
な支障を受はイ)ことがある。
(b)図に示すティスフDは、何れも樹脂利料による
基体3の表面に金属薄膜11による電極を設け、その表
面に誘電体、@5を旧著形成さぜた構成形態のものとし
て示さn’1. ”Cいるが、ティスフがツノー十ンの
微粉末を混入した樹11旨利月を用い℃作ら太したもの
であって、それにl’j特に金属の薄暎によイ)電極が
設けられ−Cいないような構成形態のティスフの場合で
あっても、そのティスフ(ま表面に薄い誘電体層が形成
されている第1図(a) 、 (b)図示のティスフと
同様な再生動作を行なうことができろものであるから、
そのティスフの表面には実質的に薄い誘電体層が形成さ
れているものと考えらJするのであり、その実質的な誘
電体層に再生釦Sにおける摺接面の輪郭における突起部
分がティスフの表面に突きささるような態様で当接した
り、あろい←目14生釧Sにおける電極2の部分が突き
ささるような態様で当接したりした場合には、ティスフ
の表面における実質的な誘電体層が前述したような理由
によって破壊されるのである。そして、[4生釧Sにお
けろ電極2の部分がティスフ1〕の表面VC突きささろ
ような動態で当接する状態は、演奏の開始時に再生f?
t SをティスフDの盤面子にt6ろす場合、及て丁、
演奏の終了時に再生釦SをティスフDの盤面から引」−
げる場合に生じ、また、再生釦Sにおける摺接面の輪郭
の突起部分がティスフDの表面に突きささる(ハ)態で
当接する状態は、ティスフDの面鴎れ、あるいはひA7
ばんなう/クムアクセスにおけろ11f生針Sの移動時
などで生じろことが多い1゜1′lI記のようにして誘
電体層が破壊されて盤面に傷が生じたティスフDを用い
て情報信号の再生を行なった場合には、盤面に生じた傷
の部分における再生信号中に信号の欠落(I・ロノプγ
ウド)が生じることになるが、再生信号のドロップ/ウ
ドは欠落信号補償回路によって容易に補償することがで
きるので、ティスフD自体に関してはそれの誘電体層の
破壊が致命的な障害どはならず、また、電極2の電極1
1]よりも非常に大きな14]を有していて広い面積の
摺接面1がティスフDの表面に摺接した状態で+4r生
動作を行なう再生釦Sは、ティスフDの誘電体層5が部
分的に破壊されていても、第1図(c)図に示すように
ティスフの誘電体層5−1を摺接しているから、]]■
生釧Sの電極2がテ・rスフ1〕の電極となる金属薄膜
4と短絡−4−ろようなことはなく、再生針ぐロゴ支障
なく行なA・) J]、 T!)乙のである3゜ しかしながら、Ff生@lSにおけろ電極2が第1図(
a)図に示すように、ティスフI)θ)表向に突きささ
るような姿態で当接して、テ、fスクDの誘電体層5が
破壊される時には、内生金ISにお0ろ電極2がティス
フDにおげイ)電極となる金属薄膜11ど短絡すること
があり、前記の短絡によ−って丙牛釧Sの電極2の先端
部とティスフDの電極との双方が溶解蒸発し、特に再生
針Sの電極2の損傷によって以後の再生動作が回復不能
な支障を受はイ)ことがある。
すなわち、再生針Sにおけろ電極2の先端部が上記のよ
うな原因によって溶解蒸発に」:り損傷された場合には
、再生信号のC/Nが著るしく低重ずろことになるが、
このJ:うに損傷された再生釦Sによって再生された信
号のQ→Jを改善(丁電気回路にJこっては補償判るこ
とはできないのてあり、損傷を受;また再生釦を新らし
い再生釦に交換ずろ以夕1に再生信号のQへを向上さぜ
ることはできないのであイン、。
うな原因によって溶解蒸発に」:り損傷された場合には
、再生信号のC/Nが著るしく低重ずろことになるが、
このJ:うに損傷された再生釦Sによって再生された信
号のQ→Jを改善(丁電気回路にJこっては補償判るこ
とはできないのてあり、損傷を受;また再生釦を新らし
い再生釦に交換ずろ以夕1に再生信号のQへを向上さぜ
ることはできないのであイン、。
本発明は、ティスフ■)に対すイ)演奏の開始時及び、
演奏の終了時におけろティスフDの盤面に対する再生釦
Sのあげおろし動作に際して、再生釦Sの電極2がティ
スフDの表面に突きささるよう7j姿帖を示してティス
フDに当接ずろ状態となされろ時に、再生釦Sの電極2
とティスフDの電極とに短絡電流が流れイ)ようなこと
かl、「いようにして、前記した問題点を解決したもの
であり、以下、本発明の静電容量値の変化検出型再生釦
の電極に対する高周波電圧印加回路の具体的な内容につ
いて詳細に説明−4ろ。
演奏の終了時におけろティスフDの盤面に対する再生釦
Sのあげおろし動作に際して、再生釦Sの電極2がティ
スフDの表面に突きささるよう7j姿帖を示してティス
フDに当接ずろ状態となされろ時に、再生釦Sの電極2
とティスフDの電極とに短絡電流が流れイ)ようなこと
かl、「いようにして、前記した問題点を解決したもの
であり、以下、本発明の静電容量値の変化検出型再生釦
の電極に対する高周波電圧印加回路の具体的な内容につ
いて詳細に説明−4ろ。
第2図は、本発明回路の一実施輻様を示ずノIフッタ図
であって、この第2図においてSW、、5W2(丁再生
釧の昇降動作を制御するメインスイッチであり、このメ
インスイッチSW、、SW2は連動するスイッチである
。メインスイッチ5WII SW2は、再生釦Sをティ
スフI)の盤面−ににおろそうとする際にそれらの可動
接点a、、a2が固定接点01’l側に切換えらね1、
また、再生釦SをティスフI〕の盤面上から上列さぜよ
5とすイ)際には、そ、hらの可動接点a、、a、、が
固定接点off側に切換えられろ。
であって、この第2図においてSW、、5W2(丁再生
釧の昇降動作を制御するメインスイッチであり、このメ
インスイッチSW、、SW2は連動するスイッチである
。メインスイッチ5WII SW2は、再生釦Sをティ
スフI)の盤面−ににおろそうとする際にそれらの可動
接点a、、a2が固定接点01’l側に切換えらね1、
また、再生釦SをティスフI〕の盤面上から上列さぜよ
5とすイ)際には、そ、hらの可動接点a、、a、、が
固定接点off側に切換えられろ。
メインスイッチSWIの固定接点Onは第1の時定数回
路6(遅延回路6)の入力端側に接続されており、また
、メインスイッチSWIの固定接点offは無接続とな
さJlでいろ3.第1の時定数回路(]の出力端側から
出力さ」1ろ出力信号は制御器7に接続されている。前
記した第1の時定数回路6は、図示の例では抵抗6aと
コンチンdノロbとに」:って構成されている。
路6(遅延回路6)の入力端側に接続されており、また
、メインスイッチSWIの固定接点offは無接続とな
さJlでいろ3.第1の時定数回路(]の出力端側から
出力さ」1ろ出力信号は制御器7に接続されている。前
記した第1の時定数回路6は、図示の例では抵抗6aと
コンチンdノロbとに」:って構成されている。
前記した制御器7は、第1の時定数回路6からそれに入
力信号どして与えられた信号が予め定められた電圧値を
超えた時に、それからの出力電圧を駆動装置8と第2の
時定数回路9(遅延回路9)とに供給する。駆動装置8
は、それに制御器7からの出力電圧が与えらねた時に、
再生釦Sが堆利けもれているカンチレバー16を第3図
(a)図に示きれているように下方へ押し下げるような
動作を行なう。第2の時定数回路9は、図示の例では抵
抗9aとコンデンサ9bとによって構成されている。
力信号どして与えられた信号が予め定められた電圧値を
超えた時に、それからの出力電圧を駆動装置8と第2の
時定数回路9(遅延回路9)とに供給する。駆動装置8
は、それに制御器7からの出力電圧が与えらねた時に、
再生釦Sが堆利けもれているカンチレバー16を第3図
(a)図に示きれているように下方へ押し下げるような
動作を行なう。第2の時定数回路9は、図示の例では抵
抗9aとコンデンサ9bとによって構成されている。
第2の時定数回路の出力端はメインスイッチSW。
の固定接点onに接Hさ′11でおり、また、メインス
イッチSW2の固定接点offは接地に接続されており
、さらに、メインスイッチSW2の可動接点a2は発振
器制御器100入力端に接続されている。発振器制呻器
10はそれに加えられた人力信号の大きさが予め定めら
れた大きさとなった時に出力電圧を高周波発振器11に
与えて、高周波発振器11の発振が開始されるようにす
る。
イッチSW2の固定接点offは接地に接続されており
、さらに、メインスイッチSW2の可動接点a2は発振
器制御器100入力端に接続されている。発振器制呻器
10はそれに加えられた人力信号の大きさが予め定めら
れた大きさとなった時に出力電圧を高周波発振器11に
与えて、高周波発振器11の発振が開始されるようにす
る。
高周波発振器11からの発振波は、静電容量値変化検出
回路12に供給される。12aは高周波発振器11の発
振波を半同軸共振器121)へ結合させる結合コイルで
あり、また、半同軸共振器12bに接続されている可変
コンテンツ△Cは、再生釦Sの電極2とティスフDの電
極との間の静電容量値を示している。また、12cは半
同軸共振器12bと復調回路との間に設けられた結合コ
イル、+2di’!振幅復調川クイオート、12eは低
域濾波器、0は再生信号の出力端子で・ある。
回路12に供給される。12aは高周波発振器11の発
振波を半同軸共振器121)へ結合させる結合コイルで
あり、また、半同軸共振器12bに接続されている可変
コンテンツ△Cは、再生釦Sの電極2とティスフDの電
極との間の静電容量値を示している。また、12cは半
同軸共振器12bと復調回路との間に設けられた結合コ
イル、+2di’!振幅復調川クイオート、12eは低
域濾波器、0は再生信号の出力端子で・ある。
第3図(a) 、 (b)図は、前記した駆動装置8に
よって再生@1. Sが昇降されイ)動作を図示説明し
た図であって、この第13図(a) 、 (bj図にお
いて、13(丁ベース、14(ゴタンパ、15はカンチ
レバー16に固着されたマク不]1、であり、第3図(
a)図(ま駆動装置8に電圧が加えられて駆動装置8の
磁心が磁化され、それにより、カンチレノ・−16に固
着されているマク不ツ]・15が駆動装置8の磁心に生
じた磁極との間の反発力によってカンチレノ・−16を
ティスフD側に押し下げた状態を示しており、また、第
3図(b)図は駆動装置8に電圧が印加されていない状
態において、カンチレバー16がダンパ14の弾力によ
ってティスフ面から離れた位置に置かれている場合を示
している。再生11 SをティスフDの面に接離させろ
ための機構としては、第3図に例示した構成態様のもの
以外のものが使用されてもよいことは勿論である。
よって再生@1. Sが昇降されイ)動作を図示説明し
た図であって、この第13図(a) 、 (bj図にお
いて、13(丁ベース、14(ゴタンパ、15はカンチ
レバー16に固着されたマク不]1、であり、第3図(
a)図(ま駆動装置8に電圧が加えられて駆動装置8の
磁心が磁化され、それにより、カンチレノ・−16に固
着されているマク不ツ]・15が駆動装置8の磁心に生
じた磁極との間の反発力によってカンチレノ・−16を
ティスフD側に押し下げた状態を示しており、また、第
3図(b)図は駆動装置8に電圧が印加されていない状
態において、カンチレバー16がダンパ14の弾力によ
ってティスフ面から離れた位置に置かれている場合を示
している。再生11 SをティスフDの面に接離させろ
ための機構としては、第3図に例示した構成態様のもの
以外のものが使用されてもよいことは勿論である。
次に、メインスイッチSW1.SW2 がオン、オフ
されるのに伴71[って、第2図示のtIN生釦の電極
に対する高周波電圧印加回路がどの31:うに動作1ろ
のか(lrCツい−C1第4図(a)〜(g)図に示す
タイツ・Jヤードを参照して説、明する。
されるのに伴71[って、第2図示のtIN生釦の電極
に対する高周波電圧印加回路がどの31:うに動作1ろ
のか(lrCツい−C1第4図(a)〜(g)図に示す
タイツ・Jヤードを参照して説、明する。
第4図(a)図は、第2図中のメイ/ス・千ノチSW、
。
。
SW、のオ/、オフを示す曲線図でル〕って、第4図示
の動作の例において(・ゴ1./インスイッチSW、
。
の動作の例において(・ゴ1./インスイッチSW、
。
SW2は時刻t1に」ンの状態、ずなわち、時刻t、に
メインスイッチSWl、SW2の可動接点a、、a2が
固定接点On側(で切換えられ、土だ、時刻t4にメイ
ンスイッチ5WllSW2が飼〕の状態、すなわち、時
刻t4にメインスイッチsw、、sw2 の可動接点a
、 、 a、、 カ固定接点off側に切換えら」1ろ
ものとされている。
メインスイッチSWl、SW2の可動接点a、、a2が
固定接点On側(で切換えられ、土だ、時刻t4にメイ
ンスイッチ5WllSW2が飼〕の状態、すなわち、時
刻t4にメインスイッチsw、、sw2 の可動接点a
、 、 a、、 カ固定接点off側に切換えら」1ろ
ものとされている。
メインスイッチSW、 、 SW2がオンの状態とされ
た時刻t1において、メインスイッチSW、、SW、の
可動接点a1.a2け固定接点on側に切換えられて、
電源十Bの電圧がメインスイッチSWIの1■動接点a
1→固定接点011の回路を介して第1の時定数回路6
の入力端に印加されろ。
た時刻t1において、メインスイッチSW、、SW、の
可動接点a1.a2け固定接点on側に切換えられて、
電源十Bの電圧がメインスイッチSWIの1■動接点a
1→固定接点011の回路を介して第1の時定数回路6
の入力端に印加されろ。
第・1図(5)同文は第1の時定数回路60入力端の電
圧変化を示す波形図でルンろ。また、第・1図(c)図
は第1の時定数回路6の出力端の電圧変化、1なわち制
御器70入力端の電圧変化を示しでいる。
圧変化を示す波形図でルンろ。また、第・1図(c)図
は第1の時定数回路6の出力端の電圧変化、1なわち制
御器70入力端の電圧変化を示しでいる。
そj7て、制御器7げ、それにlJl’lえられた入力
端子の電圧値が、予め定められた電圧値El(しきい値
電圧E、)を超えた時刻L2に第・1図(d)図示のよ
うな出力P1を出力−4ろ。1間ii!ll器7からθ
)出力p、i′j′駆動装置8と第20時起数回路()
どに供給され、駆動装置8G丁前記した制御器70出力
P1(t(よって、それの磁心((巻回さJlている=
」イルに通電されろことにより磁心が励磁きれて、))
:/−f1/バー16に固着されているマク半ノドI
5がノ)ンブレハ−16を押し下げて、再生It Sを
第3図(a)図に示すようにディスクDの面まで下降さ
せろ。第4図(e)図(・ま再生釦Sの高さ方向の変化
を示す曲線図である。1一方、前記1−た制φ御盟7の
出力P1がそれの入力端に与えられた第2の時定数回路
9の出力端には、そJlの入力端に制御器7の出力Pl
が供給された時刻t2より遅れて第4図(f)図示のよ
うに出力電圧P2が生じる。この第2の時定数回路9か
らの出力電圧P2は、メインスイッチSW2の固定接点
On→可動接点a2の回路を経て、発振器制御器10へ
それの入力端子として加えらJl、発1辰器制御器10
では、それに供給された入力電圧の電圧値が、予め定め
られた電圧値E2を超えた時点し、に第・1図(g)図
示のような出力電圧P、を出力して、それを高周波発振
器11にJjえ、高周波発振器11では第4図(g)図
示の出力P3がノ・イレベルの期間中にわたー)で発振
動作を行なって発振波を静電容量値変化検出回路12に
イ」(給し続げろ。
端子の電圧値が、予め定められた電圧値El(しきい値
電圧E、)を超えた時刻L2に第・1図(d)図示のよ
うな出力P1を出力−4ろ。1間ii!ll器7からθ
)出力p、i′j′駆動装置8と第20時起数回路()
どに供給され、駆動装置8G丁前記した制御器70出力
P1(t(よって、それの磁心((巻回さJlている=
」イルに通電されろことにより磁心が励磁きれて、))
:/−f1/バー16に固着されているマク半ノドI
5がノ)ンブレハ−16を押し下げて、再生It Sを
第3図(a)図に示すようにディスクDの面まで下降さ
せろ。第4図(e)図(・ま再生釦Sの高さ方向の変化
を示す曲線図である。1一方、前記1−た制φ御盟7の
出力P1がそれの入力端に与えられた第2の時定数回路
9の出力端には、そJlの入力端に制御器7の出力Pl
が供給された時刻t2より遅れて第4図(f)図示のよ
うに出力電圧P2が生じる。この第2の時定数回路9か
らの出力電圧P2は、メインスイッチSW2の固定接点
On→可動接点a2の回路を経て、発振器制御器10へ
それの入力端子として加えらJl、発1辰器制御器10
では、それに供給された入力電圧の電圧値が、予め定め
られた電圧値E2を超えた時点し、に第・1図(g)図
示のような出力電圧P、を出力して、それを高周波発振
器11にJjえ、高周波発振器11では第4図(g)図
示の出力P3がノ・イレベルの期間中にわたー)で発振
動作を行なって発振波を静電容量値変化検出回路12に
イ」(給し続げろ。
この」:うに、再生!ASの昇降動作の制御用のメ・f
ノスイッチSW1.SW2がオンの状態となされて再生
釦SがディスクDの面」−に降下されろ時(丁、再生釦
SがディスクDの面上に摺接されろ時刻t2よりも僅か
に遅れた時刻t3以降に高周波発振器IIか発振動作を
開始して、再生釦Sの電極2に高周波電圧が印加されろ
ようになされるから、再生釦SがディスクDの而」二に
おろされろ際に、第1図(b)図示のように再生釦Sの
電極2がディスクDの面に突きささるような姿態で再生
釦SがディスクD(C当接されても、その時には再生釦
Sの電極2に高周波電圧が印加されておらず、したがっ
て、再生釦Sの電極2どディスクDの電極とが接触して
も、両者間(mは電流が流れないから、再生釦Sの電極
2とディスクDの電極とが溶解蒸発−4ろようなことが
ない。
ノスイッチSW1.SW2がオンの状態となされて再生
釦SがディスクDの面」−に降下されろ時(丁、再生釦
SがディスクDの面上に摺接されろ時刻t2よりも僅か
に遅れた時刻t3以降に高周波発振器IIか発振動作を
開始して、再生釦Sの電極2に高周波電圧が印加されろ
ようになされるから、再生釦SがディスクDの而」二に
おろされろ際に、第1図(b)図示のように再生釦Sの
電極2がディスクDの面に突きささるような姿態で再生
釦SがディスクD(C当接されても、その時には再生釦
Sの電極2に高周波電圧が印加されておらず、したがっ
て、再生釦Sの電極2どディスクDの電極とが接触して
も、両者間(mは電流が流れないから、再生釦Sの電極
2とディスクDの電極とが溶解蒸発−4ろようなことが
ない。
次に、時刻t、にメインスイッチSW、、SW2 がオ
フ状態、すなわち、メイン2−(ソ千SWI、SW2
の可動接点a2が固定接点off側に切換えられた場
合には、第2図示の回路配置は次のような動作を行なう
。
フ状態、すなわち、メイン2−(ソ千SWI、SW2
の可動接点a2が固定接点off側に切換えられた場
合には、第2図示の回路配置は次のような動作を行なう
。
まず、メインスイッチSW2の固定接点offは、接地
されでいるので、メイノスイノ千SW2θ〕可動接点a
2が時刻t、に固定接点offに切換えらJlろと、メ
インスイッチSW2の可動接点a2の電圧、すなわち、
発振器制御器10への入力電圧P2は時刻L4に接地電
−位となり、それにより発振器制御器10の出力P3も
p−レヘルとなって、高周波発振器11は時刻t4に発
振動作を停止する。それにより、再生針Sの電極2に供
給されている高周波電圧も時刻t4以降(・ま0となる
。
されでいるので、メイノスイノ千SW2θ〕可動接点a
2が時刻t、に固定接点offに切換えらJlろと、メ
インスイッチSW2の可動接点a2の電圧、すなわち、
発振器制御器10への入力電圧P2は時刻L4に接地電
−位となり、それにより発振器制御器10の出力P3も
p−レヘルとなって、高周波発振器11は時刻t4に発
振動作を停止する。それにより、再生針Sの電極2に供
給されている高周波電圧も時刻t4以降(・ま0となる
。
一方、時刻t4+Cオフの状態となされたメインスイッ
チSW−す、それの可動接点a1が゛時刻t4に固定接
点on側からoff側に切換えら」1で、第1の時定数
回路6の入力側が開放状態となされるから、第1の時定
数回路6におけろ二1ンうンリ61)の端子電圧にJ、
って制御器′3に加えられていイ)人力型H−(第4図
(c)図)(ま、制御能:3の人カーイノビータノスと
第1の時定数回路0におけろ1ノケン−リ−6bとによ
って定1゛ろ放電時定数に従−7C次第に降下(−で行
くか、その′1(電圧値か「め定めらJIた電圧値E、
、j、りも下がろ時点151に、tdい(、制σit
藷7からの出力P、は0となり、j−たがっC1駆動装
置8も時刻り。
チSW−す、それの可動接点a1が゛時刻t4に固定接
点on側からoff側に切換えら」1で、第1の時定数
回路6の入力側が開放状態となされるから、第1の時定
数回路6におけろ二1ンうンリ61)の端子電圧にJ、
って制御器′3に加えられていイ)人力型H−(第4図
(c)図)(ま、制御能:3の人カーイノビータノスと
第1の時定数回路0におけろ1ノケン−リ−6bとによ
って定1゛ろ放電時定数に従−7C次第に降下(−で行
くか、その′1(電圧値か「め定めらJIた電圧値E、
、j、りも下がろ時点151に、tdい(、制σit
藷7からの出力P、は0となり、j−たがっC1駆動装
置8も時刻り。
においで11T生釧Sの姿態を第:3図(a)図示の状
態から第3図(b) lツ1示の状態に変化きせる。
態から第3図(b) lツ1示の状態に変化きせる。
+’f’IE 金ISがティスフDの盤面から離れて」
−ガされろ時点t、においては、再生1PISの?IL
極2には高周波電圧が印加されていないから、再生釦S
がティスフDの盤面を前れて上列する瞬間に、再生釦S
とティスフDとの当接状態が第1図0))1図に示すよ
うな姿態をとっても、再生釦S O)電極2やティスフ
I〕の電極が溶解蒸発−1ろことがないこと(丁明らか
であイ)。
−ガされろ時点t、においては、再生1PISの?IL
極2には高周波電圧が印加されていないから、再生釦S
がティスフDの盤面を前れて上列する瞬間に、再生釦S
とティスフDとの当接状態が第1図0))1図に示すよ
うな姿態をとっても、再生釦S O)電極2やティスフ
I〕の電極が溶解蒸発−1ろことがないこと(丁明らか
であイ)。
こσつように、本発明回路においては、+、If牛釧S
がティスフDの盤面におノ〕さitろ時、及びtlr生
企ISがティスフDの盤面から1iillさ」Lろ1(
J)の前後の所定の時間1−fl Kわたって、rI丁
’−1:釧Sの電極2には高周波電圧が印加され/【い
ようにしでいろl、−めに、再生釦Sにおけろ電極2が
テイメ、りI〕の盤面につきささるようff(ハ)態で
当]&する再生釦50)rl閘動作時において、A生釧
Sの電極2やfイスクの電極が損傷されることはなく、
また、1■生剣SKおける電極2に対する高周波電圧の
り(給は、T1丁生釧Sが正しい姿態でティスフDの盤
面1.に摺接された状態、すなわち、再生&t Sが第
1図(a)l−(イ)に示1ような姿態でティスフDの
盤面−1:: VC摺接されている時刻t2の直1麦の
時刻から時刻t5までの朋間中VC含まれていて、11
1生釧Sが正しい姿態でティスフDの盤面1−にあるこ
とが確実な時刻L3から時刻t4までの期間中だけに4
fされろから、本発明回路によれば既述した従来の問題
点が良好vcM消できることは明らかである。
がティスフDの盤面におノ〕さitろ時、及びtlr生
企ISがティスフDの盤面から1iillさ」Lろ1(
J)の前後の所定の時間1−fl Kわたって、rI丁
’−1:釧Sの電極2には高周波電圧が印加され/【い
ようにしでいろl、−めに、再生釦Sにおけろ電極2が
テイメ、りI〕の盤面につきささるようff(ハ)態で
当]&する再生釦50)rl閘動作時において、A生釧
Sの電極2やfイスクの電極が損傷されることはなく、
また、1■生剣SKおける電極2に対する高周波電圧の
り(給は、T1丁生釧Sが正しい姿態でティスフDの盤
面1.に摺接された状態、すなわち、再生&t Sが第
1図(a)l−(イ)に示1ような姿態でティスフDの
盤面−1:: VC摺接されている時刻t2の直1麦の
時刻から時刻t5までの朋間中VC含まれていて、11
1生釧Sが正しい姿態でティスフDの盤面1−にあるこ
とが確実な時刻L3から時刻t4までの期間中だけに4
fされろから、本発明回路によれば既述した従来の問題
点が良好vcM消できることは明らかである。
」ヲ−1−のどおりであって、本発明の静電容■値の変
化検出型ili生釧の電極Vこ対する高周波電圧印加回
路は、[」fl−1,企1をティスフDの盤面におろし
たり、あ4)(・はテ・rツクの盤面か1゛)再生釦を
O・き上げる際におけるTイスクの盤面に対する再生り
1の当接姿態に基つい′(生じることのあった再生釦の
電極やティスフの電極の溶j’l’l蒸発などの現象を
皆無とずろことができるのであり、本発明回路の採用に
」:す、丙午口を長寿命化させろことがh]能になると
共に、ティスフの損傷も著るしく軽減できるのであって
、性能の良好なヒテ調ティスク・プレーヤを容易に提供
することを可能とする。
化検出型ili生釧の電極Vこ対する高周波電圧印加回
路は、[」fl−1,企1をティスフDの盤面におろし
たり、あ4)(・はテ・rツクの盤面か1゛)再生釦を
O・き上げる際におけるTイスクの盤面に対する再生り
1の当接姿態に基つい′(生じることのあった再生釦の
電極やティスフの電極の溶j’l’l蒸発などの現象を
皆無とずろことができるのであり、本発明回路の採用に
」:す、丙午口を長寿命化させろことがh]能になると
共に、ティスフの損傷も著るしく軽減できるのであって
、性能の良好なヒテ調ティスク・プレーヤを容易に提供
することを可能とする。
第1図(a)〜(c)図(ゴ、再生釦ど−fティスフの
摺接状態の説明用の側断面図、第2図は本発明回路の一
実施態様のノロツク図、第;3図(a) 、 (b)図
は再生釦の列降駆動装置の動作を説明すイ)ための11
11面図、第4図(、)〜(g)図は動作説明用のタイ
J、千ヤ−1・である。 ■) ティスフ、S ・再生釦、p 、−ピノl1、S
W、、SW2・・メインスイッチ、2・・・電極、4・
・・金属薄1[^、5・・・誘電体層、(5・・・第1
の時定数回路、7、・・制御器、8・・駆動装置、0・
・第2の時定数回路、10・・・発振器制御器、11・
・・高周波発振器、12・・・静電容量値変化検出回路
、14・タンパ、15・−7クイ、ノド、16ノノンー
f−レハ−手続補正書(自発) 昭和56年ノθ月 27目 1′パ許庁1官 島田春樹殿 胛1、事件の表示 昭和56年特許[1−t44362号 2、発明の名称 静電芥銅値の変化慣用型再生針の電極に対する尚周波′
l′1.圧印7JI+回路 3、袖止をする者 ・+1 f’lとの関係 特 許 111願人
〒22115.212..1.1.942.つ11
所 神奈川県横浜市神奈用]メ′、″J屋町3”l
−11171地名 称 (437)11本ビクター株
式会社5− (11i+E命令θ叶付(14)イ1
月 1”+ (発送[し
イ1 月 1−1)6、補正の対象
添付図面(之′1図、第4図)I 補正の内容 別
紙のとおシ
摺接状態の説明用の側断面図、第2図は本発明回路の一
実施態様のノロツク図、第;3図(a) 、 (b)図
は再生釦の列降駆動装置の動作を説明すイ)ための11
11面図、第4図(、)〜(g)図は動作説明用のタイ
J、千ヤ−1・である。 ■) ティスフ、S ・再生釦、p 、−ピノl1、S
W、、SW2・・メインスイッチ、2・・・電極、4・
・・金属薄1[^、5・・・誘電体層、(5・・・第1
の時定数回路、7、・・制御器、8・・駆動装置、0・
・第2の時定数回路、10・・・発振器制御器、11・
・・高周波発振器、12・・・静電容量値変化検出回路
、14・タンパ、15・−7クイ、ノド、16ノノンー
f−レハ−手続補正書(自発) 昭和56年ノθ月 27目 1′パ許庁1官 島田春樹殿 胛1、事件の表示 昭和56年特許[1−t44362号 2、発明の名称 静電芥銅値の変化慣用型再生針の電極に対する尚周波′
l′1.圧印7JI+回路 3、袖止をする者 ・+1 f’lとの関係 特 許 111願人
〒22115.212..1.1.942.つ11
所 神奈川県横浜市神奈用]メ′、″J屋町3”l
−11171地名 称 (437)11本ビクター株
式会社5− (11i+E命令θ叶付(14)イ1
月 1”+ (発送[し
イ1 月 1−1)6、補正の対象
添付図面(之′1図、第4図)I 補正の内容 別
紙のとおシ
Claims (1)
- 情報信号と対応した幾何学的形状の配列による記録跡が
形成さお、ている情報記録媒体円盤面に摺接して、前記
の情報記録媒体円盤に11コ録されて(・る情報信号を
静電容量値の変化どして検出し得るような電極部を倫え
た再生釦を用いて情報記録媒体円盤がらの情報信号が再
生できるようになされている情報信号11丁生装置にお
いて、+lG生釦が情報記録媒体円盤面と接触する時点
を含ツメその前後におけろ予め定められた時間内と、出
生剣が情報記録媒体円盤面上から離れる時点を含みその
1ifl後におけろ予め定められた時間内において、再
生釦の電極部に対する高周波電圧の供給が停j1−され
るようにした静電容量値θ)変化検出型再生釦の電極に
対する高周波電圧印加回路
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144332A JPS5845640A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 静電容量値の変化検出型再生針の電極に対する高周波電圧印加回路 |
| US06/416,715 US4495610A (en) | 1981-09-12 | 1982-09-09 | Circuit arrangement for applying high frequency energy to a capacitance detection record stylus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144332A JPS5845640A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 静電容量値の変化検出型再生針の電極に対する高周波電圧印加回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845640A true JPS5845640A (ja) | 1983-03-16 |
| JPS6160485B2 JPS6160485B2 (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=15359644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144332A Granted JPS5845640A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 静電容量値の変化検出型再生針の電極に対する高周波電圧印加回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4495610A (ja) |
| JP (1) | JPS5845640A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3870320A (en) * | 1974-03-25 | 1975-03-11 | Rca Corp | Pickup arm control for video disc player |
| GB1523284A (en) * | 1974-11-18 | 1978-08-31 | Rca Corp | End of play circuit |
| GB1566271A (en) * | 1976-01-05 | 1980-04-30 | Rca Corp | Disc player mechanism control system |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP56144332A patent/JPS5845640A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-09 US US06/416,715 patent/US4495610A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4495610A (en) | 1985-01-22 |
| JPS6160485B2 (ja) | 1986-12-20 |
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