JPS5846153U - 半導体単結晶軸合わせ装置 - Google Patents

半導体単結晶軸合わせ装置

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JPS5846153U
JPS5846153U JP1981142952U JP14295281U JPS5846153U JP S5846153 U JPS5846153 U JP S5846153U JP 1981142952 U JP1981142952 U JP 1981142952U JP 14295281 U JP14295281 U JP 14295281U JP S5846153 U JPS5846153 U JP S5846153U
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JP
Japan
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crystal
plane
light
screen
reflecting mirror
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JP1981142952U
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JPS643064Y2 (ja
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研二 丸山
伊藤　道春
吉河　満男
知史 上田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の結晶軸検出装置の概略図、第２図およ
び第３図は前記装置の要部を示す図である。 図において１はレーザ光線、２はレーザ光源、３はＣｄ
Ｔｅの単結晶、４は設置台、５は見開面、６はビームエ
キスパンダー、７は反射鏡、８はスクリーン、９は中心
軸、１０は中心部、１１は傾斜面、１２は切断面、１３
．　１４．　１５．　１６゜１７．１８は基準線、１９
は光源を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 見開面を有する半導体結晶を設置する三次元方向に移動
    可能は設置台と、前記見開面に平行光線を照射する光源
    と、前記光源の光軸に対して垂直な面から見開面と該結
    晶を切断すべき所望の切断面とのなす角度を差し引いた
    角度の傾斜面を有する反射鏡と該反射鏡より反射した平
    行光線を投影するスクリーンとからなり、前記設置台に
    見開面を設けた結晶を設置したのち、該見開面に光源よ
    り平行光線を照射し、前記見開面より反射した光を反射
    鏡に当てて反射せしめてクリーン上に映し出し、該スク
    リーン上にあらかじめ設けた基準線からの位置ずれによ
    り切断すべき結晶面からの位置ずれを検知することを特
    徴とする半導体の結晶　　　　′軸検出装置。
JP1981142952U 1981-09-25 1981-09-25 半導体単結晶軸合わせ装置 Granted JPS5846153U (ja)

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JP1981142952U JPS5846153U (ja) 1981-09-25 1981-09-25 半導体単結晶軸合わせ装置

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JPS5846153U true JPS5846153U (ja) 1983-03-28
JPS643064Y2 JPS643064Y2 (ja) 1989-01-26

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