JPS5846638A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5846638A JPS5846638A JP56143795A JP14379581A JPS5846638A JP S5846638 A JPS5846638 A JP S5846638A JP 56143795 A JP56143795 A JP 56143795A JP 14379581 A JP14379581 A JP 14379581A JP S5846638 A JPS5846638 A JP S5846638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- reactive ion
- etching
- ion etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子等のパターン形成に用いる反応性イ
オンエツチング装置に関する。 ゛近年半導体素
子特にＬＳＩや超Ｌ８Ｉの製造プロセスでは反応性イオ
ンを用いてパターンを形成する方法が注目され４１｝κ
高精度なパターンを形成する装置自体についても研究開
発がなされている。中でもパターンを形成すべき材料が
置かれた電極に高周波電力を印加することにより加工室
内に導入し九滅圧状態の反応性ガスをグロー放電（低温
プラズマ放電とも盲う）させる方法がある。この時高周
波電極にはプラズマ放電により生じた電子とイオンの易
動度の差に基づき、電位が隣下し負の自己バイアスが生
じる．この負の自己バイアスは基４ｉｉ降下電圧と呼ば
れ接地電位から計測してＶｄｃで示され装置の電極形状
等によっても変化する。
オンエツチング装置に関する。 ゛近年半導体素
子特にＬＳＩや超Ｌ８Ｉの製造プロセスでは反応性イオ
ンを用いてパターンを形成する方法が注目され４１｝κ
高精度なパターンを形成する装置自体についても研究開
発がなされている。中でもパターンを形成すべき材料が
置かれた電極に高周波電力を印加することにより加工室
内に導入し九滅圧状態の反応性ガスをグロー放電（低温
プラズマ放電とも盲う）させる方法がある。この時高周
波電極にはプラズマ放電により生じた電子とイオンの易
動度の差に基づき、電位が隣下し負の自己バイアスが生
じる．この負の自己バイアスは基４ｉｉ降下電圧と呼ば
れ接地電位から計測してＶｄｃで示され装置の電極形状
等によっても変化する。
エッチャントであるプラズマ中の正イオンはこのＭａｃ
により加速され被エッチング園を照射し、これと反応し
てガス化され系外に排気される。
により加速され被エッチング園を照射し、これと反応し
てガス化され系外に排気される。
従来用いられている反応性イオンエツチング装置の断面
図を示す。エツチング装置反応容器（１）には為周波電
極が設けられこれを以下陽極（２）と称す。
図を示す。エツチング装置反応容器（１）には為周波電
極が設けられこれを以下陽極（２）と称す。
この陰極｛２｝には１３．５６ＭＨｚの高周波電源（３
）がマツチング回路（４）を介して接続されている。前
記嬢＊ （２）とで平行平板電極を為すように対向して
接地された陽極（５）が設けられている。陰極（２）表
面にはカーボン板（６）を載置して、その上に被エツチ
ング物が設置される。反応家（１）内に設けたガス尋人
口（８）から反応性ガスを尋人し排気口（９）から排気
して乍ら陽極（２）に高周波電力を印加することによ！
ｌｌ均一なグロー放電（プラズマ放電） （１１が発生
し反応性イオ／ニップ／グが行なわれる。
）がマツチング回路（４）を介して接続されている。前
記嬢＊ （２）とで平行平板電極を為すように対向して
接地された陽極（５）が設けられている。陰極（２）表
面にはカーボン板（６）を載置して、その上に被エツチ
ング物が設置される。反応家（１）内に設けたガス尋人
口（８）から反応性ガスを尋人し排気口（９）から排気
して乍ら陽極（２）に高周波電力を印加することによ！
ｌｌ均一なグロー放電（プラズマ放電） （１１が発生
し反応性イオ／ニップ／グが行なわれる。
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）をエツチングし、コンタクト
孔を開ける場合にはＣＦ４＋ ）Ｉ、 、 ＣＨＦ、を
用いる事により良好なエツチングが出来る。
孔を開ける場合にはＣＦ４＋ ）Ｉ、 、 ＣＨＦ、を
用いる事により良好なエツチングが出来る。
単結晶シリコン（Ｓｉ）や多結晶シリコン（ｐｏｌｙ
−Ｓ ｉ ）特に不純物が絵加されたｐｏｌｙ −８ｉ
を他の材料、例えば８１０．に対してパターン精度良く
藺いエツチング選択性を以ってエツチングするのは峻か
ったが、ＣＢｒＦ烏十Ｃ１，ガスを用いる事によシこれ
らの問題は一応解決された。
−Ｓ ｉ ）特に不純物が絵加されたｐｏｌｙ −８ｉ
を他の材料、例えば８１０．に対してパターン精度良く
藺いエツチング選択性を以ってエツチングするのは峻か
ったが、ＣＢｒＦ烏十Ｃ１，ガスを用いる事によシこれ
らの問題は一応解決された。
然しなからｐｏｌｙ−８ｉ特に燐（Ｐ）等の不純物が添
加されたｐｏｌｙ −Ｓ ｉ特有のエツチング残渣も時
々発生し、これを除去するには、ＣＦ、Ｂｒに対しＣｊ
ｍ流量比を増加することで軽減可屈となったが、新たＫ
ｍテーパーヤアンダーカットが生じる問題が生じ九、こ
の様な理由によシ加工精度を保持するたメニ、少々のエ
ツチング残渣は犠牲にしていたが、近年ＬＳＩ素子に見
られる＾密度化した素子では、わずかなエツチング残渣
が電子の欠陥の原因となシ大きな問題となってきた。
加されたｐｏｌｙ −Ｓ ｉ特有のエツチング残渣も時
々発生し、これを除去するには、ＣＦ、Ｂｒに対しＣｊ
ｍ流量比を増加することで軽減可屈となったが、新たＫ
ｍテーパーヤアンダーカットが生じる問題が生じ九、こ
の様な理由によシ加工精度を保持するたメニ、少々のエ
ツチング残渣は犠牲にしていたが、近年ＬＳＩ素子に見
られる＾密度化した素子では、わずかなエツチング残渣
が電子の欠陥の原因となシ大きな問題となってきた。
本発明は上記事情に繊みて為されたもので、反応性イオ
ンニップフグにおけるｐｏｌｙ−８ｉのエツチング残渣
がエツチング装置構造に起因するプラズマ放電状緒に関
係することを見出し鋭意研究を重ね九緒釆、平行平板電
極の一万で６る接地１ｉＩｌ電極に凹部もしくは貫通口
による開口Ｓを設はプラズマ放電にホロー効果を持たせ
ることにより解離度を良くすることにより、残渣の全く
生じないｐｏｌｙ−８ｉ等の＾精度なパターン形成を可
能にした反応性イオンエツチング装置を提供するもので
ある。
ンニップフグにおけるｐｏｌｙ−８ｉのエツチング残渣
がエツチング装置構造に起因するプラズマ放電状緒に関
係することを見出し鋭意研究を重ね九緒釆、平行平板電
極の一万で６る接地１ｉＩｌ電極に凹部もしくは貫通口
による開口Ｓを設はプラズマ放電にホロー効果を持たせ
ることにより解離度を良くすることにより、残渣の全く
生じないｐｏｌｙ−８ｉ等の＾精度なパターン形成を可
能にした反応性イオンエツチング装置を提供するもので
ある。
以下、本発明を実施例により図面を参照して説明する。
＠２１１は本発明の実施例を示し、反応容器＋１）には
陰極（２）が設けられ、１３．５６ＭＨｚの高周波電源
（３）がマツチング回路（４）を介して接続されている
。対向して平行平板電極を構成する陽極（５）は接地さ
れ、陰極（２）表面にはカーボン板（６）を載置してそ
の上に被加工物が設置される。向、容器（１）もアース
される。陰極（２）はウヱハー内、ウニＩ・−関の均一
性を得る丸めにエツチング中回転するようにされている
。陽極（５）を回転するようにしても良い。（８）はガ
ス導入口、（９）は排気口、Ｕυは冷媒パイプである。
陰極（２）が設けられ、１３．５６ＭＨｚの高周波電源
（３）がマツチング回路（４）を介して接続されている
。対向して平行平板電極を構成する陽極（５）は接地さ
れ、陰極（２）表面にはカーボン板（６）を載置してそ
の上に被加工物が設置される。向、容器（１）もアース
される。陰極（２）はウヱハー内、ウニＩ・−関の均一
性を得る丸めにエツチング中回転するようにされている
。陽極（５）を回転するようにしても良い。（８）はガ
ス導入口、（９）は排気口、Ｕυは冷媒パイプである。
陽極（５）は５０１極で、その中央に１６Ｅ径６關、深
さ１２鵡の凹部（５）が設けられている。
さ１２鵡の凹部（５）が設けられている。
ココで、Ｃｋ’＠に３ｒと（ｊ、の全流量を３０１１０
０Ｍとし、Ｃｊｆｆｉ流量比６０騒、全圧力Ｑ、ＩＴｏ
ｒｒ 、高周波電力ｏ、３ｗ／ｃｔＡで第３図（ａ）の
シリコンウェハー（至）上に熱酸化シリコン膜Ｑ１を介
してＣＶＤ形成したリンドープｐｏｌｙ−８＋膜（６０
００λ厚）を７オトレジストをマスクにしてエツチング
すると、第３図（ｂ）に示す如く、残渣やアンダーカッ
トのないエツチングプロファイルが得られえ。
０Ｍとし、Ｃｊｆｆｉ流量比６０騒、全圧力Ｑ、ＩＴｏ
ｒｒ 、高周波電力ｏ、３ｗ／ｃｔＡで第３図（ａ）の
シリコンウェハー（至）上に熱酸化シリコン膜Ｑ１を介
してＣＶＤ形成したリンドープｐｏｌｙ−８＋膜（６０
００λ厚）を７オトレジストをマスクにしてエツチング
すると、第３図（ｂ）に示す如く、残渣やアンダーカッ
トのないエツチングプロファイルが得られえ。
第３図（Ｃ）は全流量３０ａＯＯＭで、Ｃ’ｗａ量比６
０％。
０％。
０．１Ｔｏｒｒ 、 ０．３ｗ／ｄ テ、従来ｔａｆｌ
Ｋ ヨｂ 工ｙ ｆ ／ｆした断面図である。アンダ
ーカットはないが柱状の＊ｄｌ＠が生じた。
Ｋ ヨｂ 工ｙ ｆ ／ｆした断面図である。アンダ
ーカットはないが柱状の＊ｄｌ＠が生じた。
又、第３図（ｄ）は同じ〈従来ｆｊ置でＣ１２流量比８
０鴨で同様にパターン形成した時の断面図で、第３図（
Ｃ）の残渣（２）は−められないが、逆テーパ状のアン
ダ グーカット（２）が生じている。
０鴨で同様にパターン形成した時の断面図で、第３図（
Ｃ）の残渣（２）は−められないが、逆テーパ状のアン
ダ グーカット（２）が生じている。
第３図（−では、被加工物は４インチウェハーであり、
陰極（２）中央から２０１の位置に円形に並べられ九、
この様に、陽極（５）に凹部を設ける事により、ホロー
効果が生じプラズマの解離度が増し、残渣の発生が防止
出来る。凹部Ｆｉ陽極（５）の中央に設ける昼餐はなく
、ウェハーの対向部に設けても構わないものである。
陰極（２）中央から２０１の位置に円形に並べられ九、
この様に、陽極（５）に凹部を設ける事により、ホロー
効果が生じプラズマの解離度が増し、残渣の発生が防止
出来る。凹部Ｆｉ陽極（５）の中央に設ける昼餐はなく
、ウェハーの対向部に設けても構わないものである。
又、ＣＦｉＢｒとＣ１，の曹りにＣＦＩＢｒ ＋ ｆｉ
ｒ、を用いた場合に一同様に良好な結果が得られ友。
ｒ、を用いた場合に一同様に良好な結果が得られ友。
上記実施例では接置倒電極に１つの凹部を設は九例につ
いて述べ九が反応室の大自さ及び被エツチング物の面積
及び数量により数多くの凹部を設けても良く、また接地
電極に貫通口を開は真空的に封じ九反応装置においても
本発明は有効であった。この場合数個の貫通口を設けた
場合にも同様の結果が帰られたことは言うまでもない。
いて述べ九が反応室の大自さ及び被エツチング物の面積
及び数量により数多くの凹部を設けても良く、また接地
電極に貫通口を開は真空的に封じ九反応装置においても
本発明は有効であった。この場合数個の貫通口を設けた
場合にも同様の結果が帰られたことは言うまでもない。
又本発明の変形例として凹部又は貫通口の１０部形状は
円形のみでなく第３図（ａ）〜（ｅ）に示す様な形状で
も良い。
円形のみでなく第３図（ａ）〜（ｅ）に示す様な形状で
も良い。
開口部の径Ｄ＋Ｆｉ開口央行きＤｌに対し、Ｄ、≦Ｄ。
の関係にあることが解離度を尚める上で好ましく、関口
は＃ｉ極のどこに設けても良いが平行平板電極母稀襦径
Ｄ３に対し５０Ｄ、≦Ｄ３である番がエツチングむらを
防止する上で良い。
は＃ｉ極のどこに設けても良いが平行平板電極母稀襦径
Ｄ３に対し５０Ｄ、≦Ｄ３である番がエツチングむらを
防止する上で良い。
又、開口部はガス導入口を兼ねても同等の結果に加えて
より一層残虐の発生を防ぐ為のものであるが、カーボン
板の他炭化水素系の有機フィルム例えばポリエステルフ
ィルム又はポリプロピレン。
より一層残虐の発生を防ぐ為のものであるが、カーボン
板の他炭化水素系の有機フィルム例えばポリエステルフ
ィルム又はポリプロピレン。
イソポリプロピレン、ポリスチレン等の高分子フィルム
でも良く、これらカーボンを含むシートが有効である。
でも良く、これらカーボンを含むシートが有効である。
実用化に際して、さらに好遣しくは装置内壁からの金属
材料による汚染を防ぐため、ＣＦ４． Ｃ，Ｆ・等Ｃ−
ＦガスにＨｌを加え九ガスを予めプラズマ放電させるこ
とにより、テフロン系高分子膜を陽極全体に堆積させ九
−置とするとさらに良い。この高分子膜を第１図に番号
α罎で示す。
材料による汚染を防ぐため、ＣＦ４． Ｃ，Ｆ・等Ｃ−
ＦガスにＨｌを加え九ガスを予めプラズマ放電させるこ
とにより、テフロン系高分子膜を陽極全体に堆積させ九
−置とするとさらに良い。この高分子膜を第１図に番号
α罎で示す。
以上説明したように本発明はエツチング残渣を防止する
場合に有効で、単結晶シリコン、多結晶シリコンの他非
晶質シリコン、シリコン基板上に形成されたＭｏ、Ｔａ
、Ｗ等の′を極配線に用いられる高融点金属又はそれら
高融点金属硅化物、中でも不純物を添加したものをエツ
チングするに有効であり、反応性ガスとしてＣＦＩＢｒ
＋（ｊ、）他、ＣＦ’ｓＢｒ＋Ｓｒｔ、 ＯＦ、ｉｊ
ｒ ＋Ｉ、 、 ＣＦ、ＣＩ−＋ Ｍｒｔ、 ＣＦ、Ｃ
ｊ＋ＣＪ、 、 ＣＦ、Ｃｊ＋Ｉ、。
場合に有効で、単結晶シリコン、多結晶シリコンの他非
晶質シリコン、シリコン基板上に形成されたＭｏ、Ｔａ
、Ｗ等の′を極配線に用いられる高融点金属又はそれら
高融点金属硅化物、中でも不純物を添加したものをエツ
チングするに有効であり、反応性ガスとしてＣＦＩＢｒ
＋（ｊ、）他、ＣＦ’ｓＢｒ＋Ｓｒｔ、 ＯＦ、ｉｊ
ｒ ＋Ｉ、 、 ＣＦ、ＣＩ−＋ Ｍｒｔ、 ＣＦ、Ｃ
ｊ＋ＣＪ、 、 ＣＦ、Ｃｊ＋Ｉ、。
ＯＦ＠ｌ−４１ｒ、、 （Ｊ、ｌ−４−（ｊ！、 ＣＦ
、Ｉ＋Ｉ、さらにはＣＦ、８ｒ １ＣＢｒ、、 ０１１
相方を用いても本発明の効果は変らない。
、Ｉ＋Ｉ、さらにはＣＦ、８ｒ １ＣＢｒ、、 ０１１
相方を用いても本発明の効果は変らない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の反応性イオンエツチング装置の＃面図、
＃Ｉ２図は本発明の実施例に使用した反応性イオンエツ
チング装置断面図、第３図（荀〜（ｄ）は本発明の詳細
な説明する断面図、第４図は本°発すＪの凹部又は貫通
口の平面図である。 図において、 ｌ・・・反応容器、 ２・・・陰 極、３・・・
高Ｍｌｌ波電源、 ４・・・マツチングボック
ス、５・・・接地電極、 ５・・・凹 部、６
・・・カーボン板、 ７・・・被加工智、８・・
・ガス導入口、 ９・・・排気口、ｌＯ・・・
プラズマ放電、ｌＯ・・・ホロー効果、１１・・・冷媒
バ・イ４プ、１２・・・絶縁材、１３・・・高分子膜、 １４・・・ダークスペースシール）’（Ｍ縁体）、加・
・・シリコン基板、 ４・・・シリコン酸化膜、４
・・・多結晶シリコン、 ム・・・フォトレジスト。 代壇人 弁理士 則 近 愈 佑 他１名 第 １ 図 第２図 第３図 第４ 一１９′；
＃Ｉ２図は本発明の実施例に使用した反応性イオンエツ
チング装置断面図、第３図（荀〜（ｄ）は本発明の詳細
な説明する断面図、第４図は本°発すＪの凹部又は貫通
口の平面図である。 図において、 ｌ・・・反応容器、 ２・・・陰 極、３・・・
高Ｍｌｌ波電源、 ４・・・マツチングボック
ス、５・・・接地電極、 ５・・・凹 部、６
・・・カーボン板、 ７・・・被加工智、８・・
・ガス導入口、 ９・・・排気口、ｌＯ・・・
プラズマ放電、ｌＯ・・・ホロー効果、１１・・・冷媒
バ・イ４プ、１２・・・絶縁材、１３・・・高分子膜、 １４・・・ダークスペースシール）’（Ｍ縁体）、加・
・・シリコン基板、 ４・・・シリコン酸化膜、４
・・・多結晶シリコン、 ム・・・フォトレジスト。 代壇人 弁理士 則 近 愈 佑 他１名 第 １ 図 第２図 第３図 第４ 一１９′；
Claims (2)
- （１）互い゛に対向して配置さ゛れ九陽極及び高周波電
力が印加筋れる陽極から成る平行子ＶＬ１を極を偏え、
高周波電力が印加される前記陽極に被加工物が設置され
、上記電極間にプラズマを発生させる反応性イオンエツ
チング装置に於いて、陽極に対向する陽極面に凹部又は
貫通孔が設けられ、陽極又は陽極の少なくとも一方が回
転可能にされて成る事を％黴とする反応性イオンエツチ
ング装置。 - （２）凹部又は貫通孔−の開口径Ｄｈ開口の奥行龜ＤＩ
＋平行平板電極径Ｄｓは、へ≦鳥、 ５０Ｄ＋≦Ｌ）
、である事を特徴とする特許 載の反応性イオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56143795A JPS5846638A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56143795A JPS5846638A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846638A true JPS5846638A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15347155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56143795A Pending JPS5846638A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846638A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159833A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6226821A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｒｆスパツタ／エツチング装置 |
| JPH06302548A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP56143795A patent/JPS5846638A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159833A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6226821A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｒｆスパツタ／エツチング装置 |
| US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US5503881A (en) * | 1993-04-05 | 1996-04-02 | Vlsi Technology, Inc. | Method of processing a semiconductor wafer |
| JPH06302548A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
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