JPS5847404B2 - 高誘電率ポリマの製法 - Google Patents
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率を有するポリマに関する。
しかして、本発明は、一次構造が絶縁部としてのマトリ
ックス部分と導電部分を分子中に有する形式のポリマを
提供するものであり、ここでマトリックス部分は、たと
えばポリエーテル系、ポリエステル系、ビニル系などの
鎖からなり、導電部分は、たとえばテトラシアノキシメ
タン(以下TCNQと略す)のコンブレツクスソルトか
らなる。
ックス部分と導電部分を分子中に有する形式のポリマを
提供するものであり、ここでマトリックス部分は、たと
えばポリエーテル系、ポリエステル系、ビニル系などの
鎖からなり、導電部分は、たとえばテトラシアノキシメ
タン(以下TCNQと略す)のコンブレツクスソルトか
らなる。
通常のポリマは高誘電率を示さない。
たとえばポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル
、ポリカーボネートなどの誘電率は2〜4である。
、ポリカーボネートなどの誘電率は2〜4である。
比較的高誘電率を有するポリマとして知られているシア
ノエチル化セルロース、ポリフツ化ビニリデンなどでも
室温で最大20程度である。
ノエチル化セルロース、ポリフツ化ビニリデンなどでも
室温で最大20程度である。
一般に、誘電体の誘電率の大きさはその分極の大きさに
より決まるとされている。
より決まるとされている。
このような場合の分極機構は、
(1)電子分極
(2)原子分極
(3)配向分極
(4)界面分極
など四つの機構に分類される。
そして、さきのシアノエチル化セルロース、ポリフツ化
ビニリデンは、(3)の配向分極により誘電率が現われ
ているものと認められる。
ビニリデンは、(3)の配向分極により誘電率が現われ
ているものと認められる。
従来より、ポリマの高誘電率化を目指して種々の改良研
究がなされたが、この場合にポリマの高誘電率化の方策
として試みられたのは、前記(3)の配向分極を利用す
るのが殆んどであった。
究がなされたが、この場合にポリマの高誘電率化の方策
として試みられたのは、前記(3)の配向分極を利用す
るのが殆んどであった。
しかしこの方法に依る限り充分な成果を収め得ないこと
が、シアノエチル化セルロースなどの例からも、略明ら
かである。
が、シアノエチル化セルロースなどの例からも、略明ら
かである。
シラース(Sillars)の複合誘電体理論によれば
、高分子媒体中に、誘電性に富んだ粒子を分散させれば
、界面分極が生じ、高誘電率化が行えるものと期待され
る。
、高分子媒体中に、誘電性に富んだ粒子を分散させれば
、界面分極が生じ、高誘電率化が行えるものと期待され
る。
そこで、このような論拠によりポリエチレンなどのポリ
マ中にアルミニウム、亜鉛などの微粉末を分散させる試
みもなされた。
マ中にアルミニウム、亜鉛などの微粉末を分散させる試
みもなされた。
しかしこの場合も満足すべき結果は得られなかった。
この理由は、ポリマと金属というような異種材料の複合
において(l入界面での密着性が悪い、(2)金属を分
子スケールまで小さくすることができず、従ってマクロ
な複合であり、(3)薄膜形成能がなくなり、(4)複
合により機械強度を低下させる、などの欠点が生ずるこ
とによる。
において(l入界面での密着性が悪い、(2)金属を分
子スケールまで小さくすることができず、従ってマクロ
な複合であり、(3)薄膜形成能がなくなり、(4)複
合により機械強度を低下させる、などの欠点が生ずるこ
とによる。
本発明は、以上のような従来の試みとは全く異る新しい
発想に基づくポリマの高誘電率化を試みたものであり、
電子の動きを利用した特殊は界面分極を利用する点に特
徴を有する。
発想に基づくポリマの高誘電率化を試みたものであり、
電子の動きを利用した特殊は界面分極を利用する点に特
徴を有する。
そしてこの原理の実現の結果得られた高誘電率ポリマは
、従来の高誘電率化ポリマに認められた欠点が大巾に改
良されているのである。
、従来の高誘電率化ポリマに認められた欠点が大巾に改
良されているのである。
以下、本発明を詳しく説明する。
複合誘電体理論によれば、ポリマ構造を、絶縁部である
マトリックス部分と、導電部分から成る如くなし、誘電
部分をマトリックス部分で覆う構造のボリマを得れば高
誘電率化が達成できるもの申と予想される。
マトリックス部分と、導電部分から成る如くなし、誘電
部分をマトリックス部分で覆う構造のボリマを得れば高
誘電率化が達成できるもの申と予想される。
か\る観点から本発明は分子設計を試みた。
即ち、模式的に示したポリマの一次構造が、次のような
形式を採るものを合成することにより本発明の目的を達
成することができたのである。
形式を採るものを合成することにより本発明の目的を達
成することができたのである。
以上のような構造のポリマを得るためには、たとえばま
ずアイオネンポリマを合成し、これを幹ポリマとしてこ
れに導電部分を導入する方法を採るのが好ましい。
ずアイオネンポリマを合成し、これを幹ポリマとしてこ
れに導電部分を導入する方法を採るのが好ましい。
アイオネンポリマとしてマトリックス部分となるべきポ
リマ鎖中に第四級アンモニウム塩を含む構造のものを例
にとり、その合成法を示すと次のようである。
リマ鎖中に第四級アンモニウム塩を含む構造のものを例
にとり、その合成法を示すと次のようである。
即ち(1) , (2)式で示されるようにハロゲン化
アルキルと第三アミンが縮合して第四アンモニウム塩を
生ずるところのメンシュトキン反応により合成できる。
アルキルと第三アミンが縮合して第四アンモニウム塩を
生ずるところのメンシュトキン反応により合成できる。
ここで(1)は両末端に第三基アミノ基を有するアミノ
プレポリマで、R1〜R4はメチル、エチルなどのアル
キル基、アリール基などであり、夫々が同じである場合
も含まれる。
プレポリマで、R1〜R4はメチル、エチルなどのアル
キル基、アリール基などであり、夫々が同じである場合
も含まれる。
(閏は両末端に塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン基を
有するハロプレポリマである。
有するハロプレポリマである。
(I) , (IV)は両末端にハロゲン、第三アミノ
基を夫々に有するハロモノマ、アミノモノマであり、R
,はアルキレン基、アリーレン基、アラカリレン基など
の基を表わす。
基を夫々に有するハロモノマ、アミノモノマであり、R
,はアルキレン基、アリーレン基、アラカリレン基など
の基を表わす。
つぎに各原料の内容につき説明する。
〔A〕 アミノモノマ(■
アミノモノマーとしては例えば2.4−1リレンジイソ
シアナート、4.4−ジフエニルメタンジイソシアナー
ト、1,5−ナフタレンジイソシアナート、P−キシリ
レンジイソシアナート等の2,官能基性イソシアナート
化合物、OCNGCH2 +nNC O(但しn=2〜
12)にジメチルアミノアルコール等のアミノアルコー
ルを反応させて合成することも可能であるが、通常は例
えば ジ3級アミノ化合物を用いることができる。
シアナート、4.4−ジフエニルメタンジイソシアナー
ト、1,5−ナフタレンジイソシアナート、P−キシリ
レンジイソシアナート等の2,官能基性イソシアナート
化合物、OCNGCH2 +nNC O(但しn=2〜
12)にジメチルアミノアルコール等のアミノアルコー
ルを反応させて合成することも可能であるが、通常は例
えば ジ3級アミノ化合物を用いることができる。
CB) アミノプレポリマ(I)
アミノプレポリマ(1)としては、たとえば次の第1段
、第2段の反応を経て得られるジメチルアミノ末端プレ
ポリマを用いることができる。
、第2段の反応を経て得られるジメチルアミノ末端プレ
ポリマを用いることができる。
〔第1段〕
※
末端にOH基を有するプレポリマ(V)にジイソシアナ
ート化合物、たとえばトリレンジイソシアナート〔(W
j、以下TDIと略す〕を反応させて末端イソシアナー
トプレポリマ(■)を得る。
ート化合物、たとえばトリレンジイソシアナート〔(W
j、以下TDIと略す〕を反応させて末端イソシアナー
トプレポリマ(■)を得る。
〔第2段〕
第1段反応で得た末端インシアナートプレポリマ( V
I[[)に、たとえばジメチルアミノ** アルコールを反応させて目的のジメチルアミノ末端プレ
ポリマ(X)を得る。
I[[)に、たとえばジメチルアミノ** アルコールを反応させて目的のジメチルアミノ末端プレ
ポリマ(X)を得る。
第1段の反応に用いるブレポリマ(VI)は末端にOH
基のあるプレポリマであれば何でもよい。
基のあるプレポリマであれば何でもよい。
もつとも市販の原料として末端イソシアナートプレポリ
マ(Vl)を入手できれば第1段反応は省略できる。
マ(Vl)を入手できれば第1段反応は省略できる。
末端OH基プレポリマ( V I.. )としては、た
とえば次のようなものが使用できる。
とえば次のようなものが使用できる。
(1)ポリエステル系プレポリマ
このものは末端をOH基にするために多価アルコール成
分を多塩基性有機酸に比べてやや過剰に用いて得られる
。
分を多塩基性有機酸に比べてやや過剰に用いて得られる
。
この場合の多塩基性酸としてはコハク酸、アジピン酸、
アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フ
タル酸、イソフタル酸等を用い、多価アルコールとして
はエチレングリコール、ジエチルグリコール、トリエチ
レングリコール、フロヒレンクリコール、ブチレンクリ
コール、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール
、グリセリン、ソルビトール等を用い得る。
アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フ
タル酸、イソフタル酸等を用い、多価アルコールとして
はエチレングリコール、ジエチルグリコール、トリエチ
レングリコール、フロヒレンクリコール、ブチレンクリ
コール、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール
、グリセリン、ソルビトール等を用い得る。
(2)ポリエーテル系プレポリマー
エチレンオキシド、プロピレンオキシド、プチレンオキ
シド、α−メチルトリメチレンオキシド、3,3−ジメ
チルトリメチレンオキシド、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジオキサミン等の環状エーテルの開環重合もし
くは共重合により合成されるもの、または末端にOH基
をもつポリエーテルグリコールなどが用いられる。
シド、α−メチルトリメチレンオキシド、3,3−ジメ
チルトリメチレンオキシド、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジオキサミン等の環状エーテルの開環重合もし
くは共重合により合成されるもの、または末端にOH基
をもつポリエーテルグリコールなどが用いられる。
これらのプレポリマーはポリウレタンの原料として種々
市販されている。
市販されている。
たとえばポリテトラメチレンエーテルグリコール〔HO
+CH2CH2CH2CH20+nH.分子量二800
〜2 0 0 0,日本ポリウレタン■〕などがある。
+CH2CH2CH2CH20+nH.分子量二800
〜2 0 0 0,日本ポリウレタン■〕などがある。
なお、市販されている末端インシアナートフ゜レポリマ
としては、たとえば日本ポリウレタン社製のコロネート
(ポリテトラメチレンエーテルグリコール型で、末端イ
ンシアナート、MW1400〜3000)などがある。
としては、たとえば日本ポリウレタン社製のコロネート
(ポリテトラメチレンエーテルグリコール型で、末端イ
ンシアナート、MW1400〜3000)などがある。
〔C〕 ハロモノマ(I)
ハロモノマーはXが沃素〉臭素〉塩素の順に反応性が大
きくなるので、塩素はベンジル型のような活性でない場
合は使用しない。
きくなるので、塩素はベンジル型のような活性でない場
合は使用しない。
使用できるものとして好ましい例を挙げると
CD) ハロプレポリマ(I′v)
ハロプレポリマーはたとえば、インシアナート末端プレ
ポリマーにハロアルコールを反応させて得ることができ
る。
ポリマーにハロアルコールを反応させて得ることができ
る。
ここでハロアルコールとしては、たとえばHOCH2
CH2Br , HOCH2 CH2 CH2Brなど
がある。
CH2Br , HOCH2 CH2 CH2Brなど
がある。
他の構造のプレポリマとしては
B r + CH2 C H=C H C H2 +
nBrなどがある。
nBrなどがある。
アイオネンポリマ(n)を得る反応ルートは前記反応式
(1) , (2)の倒れでもよく、また結果的に(I
II)のアイオネンポリマを得ることができるならば8
つような合成ルート、合成原料を用いてもよい。
(1) , (2)の倒れでもよく、また結果的に(I
II)のアイオネンポリマを得ることができるならば8
つような合成ルート、合成原料を用いてもよい。
前記合成ルー} (1) , (2)の場合の具体的反
応条件は、通常採用される重付加反応の技術をそのま\
用いればよい。
応条件は、通常採用される重付加反応の技術をそのま\
用いればよい。
たとえば等モルのモノマ、プレポリマを有機溶媒中で反
応させることにより容易に得ることができる。
応させることにより容易に得ることができる。
反応溶媒としては大低の有機溶媒を用いることができる
が、メタノール、ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒
が生成ポリマに対する溶解性、反応促進の点で好ましい
。
が、メタノール、ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒
が生成ポリマに対する溶解性、反応促進の点で好ましい
。
以上のようにして得たアイオネンポリマ(山マまだ導電
部分を有していないが、イオン結合部分のハロゲンアニ
オンをテトラシアノアニオンラジカルで置換し、さらに
適当量の中性のテトラシアノ化合物をドープすることに
よりこの部分を導電部分とすることができる。
部分を有していないが、イオン結合部分のハロゲンアニ
オンをテトラシアノアニオンラジカルで置換し、さらに
適当量の中性のテトラシアノ化合物をドープすることに
よりこの部分を導電部分とすることができる。
一般にTCNQのアニオンラジカル塩〔通常これはシン
プルソルトと呼ばれている〕は導電性が良いことが知ら
れている。
プルソルトと呼ばれている〕は導電性が良いことが知ら
れている。
これにさらに中性のテトラシアノ化合物をドープしたコ
ンプレックスソルトは一層導電性のすぐれたものとなる
。
ンプレックスソルトは一層導電性のすぐれたものとなる
。
本発明におけるポリマにおいて、ハロゲンアニオンを単
にTCNQアニオンラジカルにおきかえたシンプルソフ
トでは導電部分としては不充分で誘電率の増加は僅かで
あるが、これにさらにテトラシアノ化合物をドープする
ことにより、室温で誘電率が数千という非常に高誘電率
のポリマとなし得るのである。
にTCNQアニオンラジカルにおきかえたシンプルソフ
トでは導電部分としては不充分で誘電率の増加は僅かで
あるが、これにさらにテトラシアノ化合物をドープする
ことにより、室温で誘電率が数千という非常に高誘電率
のポリマとなし得るのである。
アニオン部分であるテトラシアノアニオンラジカルとし
ては普通、最も安定であり、かつ容易に入手できるもの
として7・7・8・8−テトラシアノキノジメタンアニ
オンラジカルがあるが、その他にテトラシアノエチレン
アニオンラジカルや、1・2・4・5−テトラシアノキ
ノンアニオンラジカルや1・2・4・5−テトラシアノ
チオキノンアニオンラジカルなどのように電子親和力の
大きいテトラシアノ化合物のアニオン化合物がある。
ては普通、最も安定であり、かつ容易に入手できるもの
として7・7・8・8−テトラシアノキノジメタンアニ
オンラジカルがあるが、その他にテトラシアノエチレン
アニオンラジカルや、1・2・4・5−テトラシアノキ
ノンアニオンラジカルや1・2・4・5−テトラシアノ
チオキノンアニオンラジカルなどのように電子親和力の
大きいテトラシアノ化合物のアニオン化合物がある。
実際に反応に供する場合にはこれらアニオンラジカルの
リチウム、ナトリウム、カリウム等の金属塩力\あるい
は各種のアミンアンモニア等の有機カチオン塩として使
用するが、最も安定で入手し易く、使用しやすいものと
してはリチウム・TCNQ塩がある。
リチウム、ナトリウム、カリウム等の金属塩力\あるい
は各種のアミンアンモニア等の有機カチオン塩として使
用するが、最も安定で入手し易く、使用しやすいものと
してはリチウム・TCNQ塩がある。
ドーピングに用いるテトラシアノ化合物としてはアニオ
ン部分のテトラシアノアニオンラジカルと同じ化合物で
も、あるいは別のテトラシアノ化合物でも差支えない。
ン部分のテトラシアノアニオンラジカルと同じ化合物で
も、あるいは別のテトラシアノ化合物でも差支えない。
ハロゲンアニオンをテトラシアノアニオンラジカルで置
換する錯体化反応、および中性のテトラシアノ化合物の
ドーピングは容易になし得る。
換する錯体化反応、および中性のテトラシアノ化合物の
ドーピングは容易になし得る。
これを以下にテトラシアノアニオンラジカル塩としてリ
チウム・TCNQ塩の場合を例にとって本発明ポリマの
製法を説明する。
チウム・TCNQ塩の場合を例にとって本発明ポリマの
製法を説明する。
勿論本発明をかかる例示により限定する趣旨ではない。
アイオネンポリマ(I[Dは、メタノール、エタノール
、ジメチルホルムアミド等の溶剤およびこれらの混合溶
剤に易溶であるので、これらの溶剤に適当量溶解させ、
この溶液をリチウム・TCNQ塩のアルコール溶液中に
、窒素雰囲気下で激しく攪拌しながら滴下すると緑から
暗青色のシンプルソルトが折出する。
、ジメチルホルムアミド等の溶剤およびこれらの混合溶
剤に易溶であるので、これらの溶剤に適当量溶解させ、
この溶液をリチウム・TCNQ塩のアルコール溶液中に
、窒素雰囲気下で激しく攪拌しながら滴下すると緑から
暗青色のシンプルソルトが折出する。
この時副生ずるリチウムハロゲン化物は系内に溶解して
いるので容易に除くことができる。
いるので容易に除くことができる。
以上の反応の反応温度、反応時間等の反応条件はアイオ
ネンポリマ(III)の種類、反応系の濃度により異る
が、概ね反応温度はO〜50℃の範囲が好ましく、反応
時間は30分ないし5時間位が好ましい。
ネンポリマ(III)の種類、反応系の濃度により異る
が、概ね反応温度はO〜50℃の範囲が好ましく、反応
時間は30分ないし5時間位が好ましい。
テトラシアノ化合物のアニオンラジカルは酸素の存在下
で劣化し易いので溶媒類は全て窒素ガス等の不活性ガス
置換して使用し、かつ窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下
で反応させた。
で劣化し易いので溶媒類は全て窒素ガス等の不活性ガス
置換して使用し、かつ窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下
で反応させた。
使用するリチウム・TCNQ塩は化学量輸量より少し過
剰に用いるとTCNQとの交換率が増すが、か\る条件
下では少なくとも80%の収率でシンプルソルト型ポリ
マを得ることができる。
剰に用いるとTCNQとの交換率が増すが、か\る条件
下では少なくとも80%の収率でシンプルソルト型ポリ
マを得ることができる。
そして得られたものはほとんど完全にハロゲンアニオン
がTCNQアニオンラジカルに置換したものである。
がTCNQアニオンラジカルに置換したものである。
このシンプルソルトの段階では誘電率の増加は僅かであ
るが、この塩にさらに適当量の中性のTCNQをドープ
することにより高誘電率化が達或できるのである。
るが、この塩にさらに適当量の中性のTCNQをドープ
することにより高誘電率化が達或できるのである。
なお、テトラシアノ化合物のドープ量については限定し
ないが、TCNQアニオンラジカルに対して5〜120
%の範囲が好ましい。
ないが、TCNQアニオンラジカルに対して5〜120
%の範囲が好ましい。
中性のテトラシアノ化合物、たとえば中性のTCNQを
ドープする方法としては、(1)混線法、(2)溶液法
があるが、(2)の溶液法でドープした場合、測定結果
に再現性があり安定なものが得られる。
ドープする方法としては、(1)混線法、(2)溶液法
があるが、(2)の溶液法でドープした場合、測定結果
に再現性があり安定なものが得られる。
本発明により得られるシンプルソルト型アイオネンポリ
マは溶解性がすぐれている。
マは溶解性がすぐれている。
たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン
等の溶媒に容易に溶解するので、これら溶媒中で適当量
の、たとえば中性TCNQとシンプルソルト型ポリマを
混合し、均一な溶液とした後に、たとえばガラス板など
の基板上にこの溶液をキャストし、充分な減圧下で溶媒
を蒸発させてフイルムを得る。
、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン
等の溶媒に容易に溶解するので、これら溶媒中で適当量
の、たとえば中性TCNQとシンプルソルト型ポリマを
混合し、均一な溶液とした後に、たとえばガラス板など
の基板上にこの溶液をキャストし、充分な減圧下で溶媒
を蒸発させてフイルムを得る。
勿論他の形式による賦形を行ってもよい。
なお、以上においては、主としてマトリックス部分が主
としてポリエーテルまたは(および)ポリエステルから
なる場合について説明したが、この部分をビニル重合体
鎮等の他のポリマ、プレポリマ鎖で構成してもよい。
としてポリエーテルまたは(および)ポリエステルから
なる場合について説明したが、この部分をビニル重合体
鎮等の他のポリマ、プレポリマ鎖で構成してもよい。
本発明は、以上に説明したように、マトリックス部分と
導電部分を有る一次構造のポリマであって、導電部分が
、テトラシアノ化合物のコンプレックスソルトからなる
ので、ミクロな複合構造の高誘電率のポリマとなるので
ある。
導電部分を有る一次構造のポリマであって、導電部分が
、テトラシアノ化合物のコンプレックスソルトからなる
ので、ミクロな複合構造の高誘電率のポリマとなるので
ある。
なお、マトリックス部分がポリエーテルまたは(および
)ポリエステルからなる場合には可撓性を有し、タフな
ポリマとなる。
)ポリエステルからなる場合には可撓性を有し、タフな
ポリマとなる。
そしてフイルム形或能のすぐれたものとなるので都合が
よい。
よい。
さらにテトラシアノ化合物としてTCNQを用いると合
成が容易で誘電率もすぐれたものとなる。
成が容易で誘電率もすぐれたものとなる。
また本発明に係るポリマの製法において、前に例示した
ような方法により合成すると収率もよく、合成し易いの
である。
ような方法により合成すると収率もよく、合成し易いの
である。
そしてTCNQをアルカリ金属塩、特にリチウム塩そし
て予め合成されたアイオネンポリマ(III)と反応さ
せることにより合成すると最も好ましい合成法となる。
て予め合成されたアイオネンポリマ(III)と反応さ
せることにより合成すると最も好ましい合成法となる。
本発明により得られるポリマは高誘電率を有するのでフ
イルムコンデンサなどの電気用材料として有用である。
イルムコンデンサなどの電気用材料として有用である。
実施例 1
〈ジメチルアミノ末端ポリテトラメチレンエーテルグリ
コールプレポリマーの合成〉 日本ポリウレタン■製品コロネートC−4080(NC
O含量約3.0%)1oogをセパラブル4つ目フラス
コにとり、攪拌しながら、この中へ脱水蒸留精製したジ
メチルアミノエタノール6.4gを加え、60℃でIR
スペクトルによりNCOに基づく吸収(2280cfr
t−’)がなくなるまで反応させた。
コールプレポリマーの合成〉 日本ポリウレタン■製品コロネートC−4080(NC
O含量約3.0%)1oogをセパラブル4つ目フラス
コにとり、攪拌しながら、この中へ脱水蒸留精製したジ
メチルアミノエタノール6.4gを加え、60℃でIR
スペクトルによりNCOに基づく吸収(2280cfr
t−’)がなくなるまで反応させた。
約3時間の反応でNCOに基づく吸収は消失した。
次いで減圧下で、痕跡の未反応ジメチルアミノエタノー
ルを除いた。
ルを除いた。
末端三級アミンの定量からこのプレポリマーの平均分子
量は3350であった。
量は3350であった。
実施例 2
〈ジメチルアミノ末端ポリエーテルグリコールプレポリ
マーの合成〉 日本ポリウレタン■製品コロネートC−4095(NC
O含量約6.1%)203gとジメチルアミノエタノー
ル32.2gをとり実施例1と同様に反応、精製した。
マーの合成〉 日本ポリウレタン■製品コロネートC−4095(NC
O含量約6.1%)203gとジメチルアミノエタノー
ル32.2gをとり実施例1と同様に反応、精製した。
末端3級アミンの定量から、このプレポリマーの平均分
子量は1600であった。
子量は1600であった。
実施例 3
くアイオネンポリマーの合成〉
lOOWLlの4つロフラスコに実施例2で得たジアミ
ノプレポリマー12.1513gを秤取し、この中にジ
メチルホルムアミド45TLlを加え、カクハンして均
一な溶液とした。
ノプレポリマー12.1513gを秤取し、この中にジ
メチルホルムアミド45TLlを加え、カクハンして均
一な溶液とした。
この中へ二塩化バラキシリレン1.3283gをジメチ
ルホルムアミド15ydにとかした溶液を6分かかつて
滴下した。
ルホルムアミド15ydにとかした溶液を6分かかつて
滴下した。
滴下後50℃にて6時間反応させた。
反応後、ジメチルホルムアミドを加えて希釈した後に酢
酸エチル中におとして再沈精製した。
酸エチル中におとして再沈精製した。
収量は11.8gでほぼ87%の収率であった。
得られたポリマーは無色透明でメタノール、ジメチルホ
ルムアミド等の極性溶媒に可溶で、これらの溶液をガラ
ス板上にキャストするとほぼ無色透明で柔軟なフイルム
を得ることができる。
ルムアミド等の極性溶媒に可溶で、これらの溶液をガラ
ス板上にキャストするとほぼ無色透明で柔軟なフイルム
を得ることができる。
実施例 4
〈アイオネンポリマーの合成〉
実施例1で得たジアミノプレポリマー
11.27470gをジメチルホルムアミド40mlに
とかした溶液中に2塩化バラキシリレン0.59018
gを25rfLlのジメチルホルムアミドにとかした溶
液を室温で20分かかつて滴下し、滴下後60℃で14
時間反応させた。
とかした溶液中に2塩化バラキシリレン0.59018
gを25rfLlのジメチルホルムアミドにとかした溶
液を室温で20分かかつて滴下し、滴下後60℃で14
時間反応させた。
貧溶媒として酢酸エチルを用い再沈精製し、実施例3で
得られたポリマーと類似の性状のポリマー9.9gを得
た。
得られたポリマーと類似の性状のポリマー9.9gを得
た。
実施例3,4で用いたジメチルホルムアミドは、蒸留に
より精製し、二塩化バラキシリレンはエタノールより再
結晶して精製したものを用いた。
より精製し、二塩化バラキシリレンはエタノールより再
結晶して精製したものを用いた。
実施例 5
く錯体化反応〉
100rfLl4ツ目フラスコに、リチウムTCNQ塩
0.134gをとり、メタノール17rrLlを加え、
攪拌して均一な溶液とする。
0.134gをとり、メタノール17rrLlを加え、
攪拌して均一な溶液とする。
この中へ実施例4で得たアイオネンポリマ−1.000
gのメタノール20d溶液を窒素気流中で、激しく攪拌
しながら室温で20分かかつて滴下した。
gのメタノール20d溶液を窒素気流中で、激しく攪拌
しながら室温で20分かかつて滴下した。
滴下と同時にポリマーは折出した。
滴下後、更に1時間攪拌した後ガラスフィルターにて炉
過し、メタノール洗浄を行い真空乾燥した。
過し、メタノール洗浄を行い真空乾燥した。
収量は0.989gであった。
この時、使用するメタノールは、あらかじめ、沸点還流
下で窒素ガスを吹き込みながら、5時間、脱気置換後、
蒸留したものを用いた。
下で窒素ガスを吹き込みながら、5時間、脱気置換後、
蒸留したものを用いた。
生成ポリマーについて、元素分析、ハロゲン分析、可視
スペクトル分析等の化学分析を行った結果対イオンはほ
ぼ完全にTCNQアニオンラジカルに交換し、所定の錯
体化ポリマーが得られていることが判明した。
スペクトル分析等の化学分析を行った結果対イオンはほ
ぼ完全にTCNQアニオンラジカルに交換し、所定の錯
体化ポリマーが得られていることが判明した。
実施例 6
〈錯体化反応〉
200TIll4つロフラスコにリチウムTCNQ塩0
.35をとり、メタノール40m7を加え、攪拌して均
一な溶液とする。
.35をとり、メタノール40m7を加え、攪拌して均
一な溶液とする。
この中へ実施例3で得たアイオネンポリマ−1.219
gを20TLlのメタノールにとかした溶液を、窒素気
流下で、激しく攪拌しながら室温で30分かかつて滴下
した後、更に室温で2時間反応させた。
gを20TLlのメタノールにとかした溶液を、窒素気
流下で、激しく攪拌しながら室温で30分かかつて滴下
した後、更に室温で2時間反応させた。
滴下と同時にポリマーは析出した。
ガラスフィルターにて沢過し、メタノール洗浄を行い、
真空乾燥した。
真空乾燥した。
収量は1.319gであった。
生成ポリマーについて、元素分析、ハロゲン分析、可視
スペクトル分析等の化学分析を行った結果、対イオンは
、ほぼ完全にてTCNQアニオンラジカルに交換し、所
定の錯体化ポリマーが得られていることが判明した。
スペクトル分析等の化学分析を行った結果、対イオンは
、ほぼ完全にてTCNQアニオンラジカルに交換し、所
定の錯体化ポリマーが得られていることが判明した。
実施例 7
〈コンプレックス〉の合成
実施例5及び6で得た錯体化ポリマー(以下コンプレッ
クスを言う)ほぼ0.3gと適当量の中性TCNQを1
rrLlのジメチルホルムアミド中で、室温下混合し、
均一な溶液とした後、この溶液をガラス基板上にキャス
トし、減圧下で充分に溶媒を蒸発させると、タフで密着
性の良好な暗青色フイルムが一様にできた。
クスを言う)ほぼ0.3gと適当量の中性TCNQを1
rrLlのジメチルホルムアミド中で、室温下混合し、
均一な溶液とした後、この溶液をガラス基板上にキャス
トし、減圧下で充分に溶媒を蒸発させると、タフで密着
性の良好な暗青色フイルムが一様にできた。
このようにして生成したフイルムについて、誘電率を測
定し、中性TCNQの添加量との関係を表1に示す。
定し、中性TCNQの添加量との関係を表1に示す。
TCNQの添加量は、TCNQアニオンラジカルに対す
るモル比で示した。
るモル比で示した。
表1に示されるように、この材料の誘電率は、通常の有
機ポリマーにくらべて、異常に大きく、このような材料
は、コンデンサー材料として有用である外、高誘電率で
あることを利用して種々の電気分野に応用可能である。
機ポリマーにくらべて、異常に大きく、このような材料
は、コンデンサー材料として有用である外、高誘電率で
あることを利用して種々の電気分野に応用可能である。
Claims (1)
- 1 ジハロアルキルと第三アミンプレポリマ、またはジ
ハロプレポリマと第三アミンを反応させることによりア
イオネンポリマを合威し、つぎに前記アイオネンポリマ
のハロゲンアニオンを、テトラシアノアニオンラジカル
で置換し、さらに中性のテトラシアノ化合物をドープし
て、一次構造が絶縁部分としてのマトリックス部分、お
よびマトリックス部分の中に導電部分を有するポリマと
することを特徴とする高誘電率ポリマの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3581776A JPS5847404B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 高誘電率ポリマの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3581776A JPS5847404B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 高誘電率ポリマの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52118000A JPS52118000A (en) | 1977-10-03 |
| JPS5847404B2 true JPS5847404B2 (ja) | 1983-10-22 |
Family
ID=12452483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3581776A Expired JPS5847404B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 高誘電率ポリマの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847404B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03505428A (ja) * | 1988-08-12 | 1991-11-28 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 切断インサートとそのクランプ装置 |
-
1976
- 1976-03-30 JP JP3581776A patent/JPS5847404B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03505428A (ja) * | 1988-08-12 | 1991-11-28 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 切断インサートとそのクランプ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52118000A (en) | 1977-10-03 |
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