JPS5847836Y2 - 過電流保護回路 - Google Patents
過電流保護回路Info
- Publication number
- JPS5847836Y2 JPS5847836Y2 JP13197779U JP13197779U JPS5847836Y2 JP S5847836 Y2 JPS5847836 Y2 JP S5847836Y2 JP 13197779 U JP13197779 U JP 13197779U JP 13197779 U JP13197779 U JP 13197779U JP S5847836 Y2 JPS5847836 Y2 JP S5847836Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching elements
- circuit
- overcurrent protection
- impedance element
- overcurrent
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はインバータ回路の過電流保護回路に関する。
従来、インバータ回路の過電流保護方式としては、過電
流を検出して駆動トランスの一次巻線あるいは二次巻線
を短絡したり、トランジスタスイッチング素子を用いて
いる場合にはスイッチング素子のベース−エミッタ間を
短絡してスイッチング素子をオフにすることにより発振
を停止させる方式が一般的である。
流を検出して駆動トランスの一次巻線あるいは二次巻線
を短絡したり、トランジスタスイッチング素子を用いて
いる場合にはスイッチング素子のベース−エミッタ間を
短絡してスイッチング素子をオフにすることにより発振
を停止させる方式が一般的である。
ところが、これらの方式を二つのトランジスタスイッチ
ング素子を用いたインバータ回路に適用すると、ベース
−エミッタ間の浮遊容量や二つのスイッチング素子に付
随する周辺回路素子の電気的特性のばらつきにより、一
方のスイッチング素子がオン状態を継続して熱破壊に至
る場合があった。
ング素子を用いたインバータ回路に適用すると、ベース
−エミッタ間の浮遊容量や二つのスイッチング素子に付
随する周辺回路素子の電気的特性のばらつきにより、一
方のスイッチング素子がオン状態を継続して熱破壊に至
る場合があった。
このため本考案は二つのトランジスタスイッチング素子
を用いたインバータ回路に対して、スイッチング素子を
含む回路素子の電気的特性に影響されずに過電流発生時
速やかに且つ確実にスイッチング素子をオフにしてスイ
ッチング素子の熱破壊を防止する過電流保護回路を提供
しようとするものである。
を用いたインバータ回路に対して、スイッチング素子を
含む回路素子の電気的特性に影響されずに過電流発生時
速やかに且つ確実にスイッチング素子をオフにしてスイ
ッチング素子の熱破壊を防止する過電流保護回路を提供
しようとするものである。
本考案は、二つのトランジスタスイッチング素子の各エ
ミッタ端子と入力電源の接地側との間に過電流検出用の
インピーダンス素子を挿入接続して、各スイッチング素
子とエミッタ電位より低い電位点ができるようにし、過
電流発生時この電位点に同時に各スイッチング素子のベ
ース端子を短絡接続するようにした過電流保護回路であ
る。
ミッタ端子と入力電源の接地側との間に過電流検出用の
インピーダンス素子を挿入接続して、各スイッチング素
子とエミッタ電位より低い電位点ができるようにし、過
電流発生時この電位点に同時に各スイッチング素子のベ
ース端子を短絡接続するようにした過電流保護回路であ
る。
。以下に本考案の実施例を説明する。
第１図は二つのトランジスタスイッチング素子を用いた
インバータ回路のなかでも代表的なジエンセン回路に本
考案を適用した回路図を示す。
インバータ回路のなかでも代表的なジエンセン回路に本
考案を適用した回路図を示す。
この回路は直流電源ＤＣで訃うンジスタＱ１．Ｑ２が交
互にスイッチング動作することにより、変圧器ＴＲ１の
出力巻線から交流を得るものであり、直流−交流変換動
作については従来と変らないので詳細な動作説明は省略
する。
互にスイッチング動作することにより、変圧器ＴＲ１の
出力巻線から交流を得るものであり、直流−交流変換動
作については従来と変らないので詳細な動作説明は省略
する。
本考案ではトランジスタＱ１．Ｑ２の各エミッタ端子と
直流電源ＤＣの接地側（一側）との間に配線に直列にイ
ンピーダンス素子Ｚ１と可変インピーダンス素子Ｚ２と
の並列回路を挿入接続し、また、直流電源ＤＣに並列に
保護抵抗Ｒ５と二接点リレーＲＬ及びサイリスタＳＣＲ
の直列回路を接続して、サイリスタＳＣＲのゲート端子
はコンデンサＣ２、抵抗Ｒ６を介してインピーダンス素
子Ｚ２の可変端子に接続している。
直流電源ＤＣの接地側（一側）との間に配線に直列にイ
ンピーダンス素子Ｚ１と可変インピーダンス素子Ｚ２と
の並列回路を挿入接続し、また、直流電源ＤＣに並列に
保護抵抗Ｒ５と二接点リレーＲＬ及びサイリスタＳＣＲ
の直列回路を接続して、サイリスタＳＣＲのゲート端子
はコンデンサＣ２、抵抗Ｒ６を介してインピーダンス素
子Ｚ２の可変端子に接続している。
サイリスタＳＣＲはインピーダンス素子Ｚ２の可変端子
電圧が所定値に達した時トリガされて導通するようにさ
れており、導通時すレーＲＬがオンとなる。
電圧が所定値に達した時トリガされて導通するようにさ
れており、導通時すレーＲＬがオンとなる。
勿論、サイリスタＳＣＲを導通させるための可変端子電
圧は平常時の電圧より大きいが、どの程度の過電流で発
振を停止させるかによって決まり、コンデンサＣ２、抵
抗Ｒ６はノイズ電圧でサイリスタＳＣＲが導通されるの
を防止するノイズ情夫回路である。
圧は平常時の電圧より大きいが、どの程度の過電流で発
振を停止させるかによって決まり、コンデンサＣ２、抵
抗Ｒ６はノイズ電圧でサイリスタＳＣＲが導通されるの
を防止するノイズ情夫回路である。
リレーＲＬの各接点ｒ１１．ｒ１２はりＬ／−ＲＬがオ
ンの時閉成する常時開接点であり、閉成時にはインピー
ダンス素子Ｚ１の低電位側のＡ点と各１〜ランジスタＱ
１．Ｑ２のベース端子のａ点、ｂ点とを短絡する。
ンの時閉成する常時開接点であり、閉成時にはインピー
ダンス素子Ｚ１の低電位側のＡ点と各１〜ランジスタＱ
１．Ｑ２のベース端子のａ点、ｂ点とを短絡する。
これらによる過電流保護動作について説明する。
インバータ回路動作中に過電流■が流れたとすると、こ
の電流はインピーダンス素子Ｚ１．Ｚ２によって電圧降
下を生じ、インピーダンス素子Ｚ２の可変端子電圧は所
定値を越えてサイリスタＳＣＲが導通する。
の電流はインピーダンス素子Ｚ１．Ｚ２によって電圧降
下を生じ、インピーダンス素子Ｚ２の可変端子電圧は所
定値を越えてサイリスタＳＣＲが導通する。
これによってリレーＲＬの接点ｒ１１．ｒ１２が同時に
閉成することにより、トランジスタＱ１．Ｑ２のベース
端子側のａ点、ｂ点はインピーダンス素子Ｚ１．Ｚ２に
よって電圧降下した■・Ｚ（但し、ＺはＺｌとＺ２の合
成インピーダンス）分だけエミッタ電位より低い電位点
Ａに同時に短絡接続される。
閉成することにより、トランジスタＱ１．Ｑ２のベース
端子側のａ点、ｂ点はインピーダンス素子Ｚ１．Ｚ２に
よって電圧降下した■・Ｚ（但し、ＺはＺｌとＺ２の合
成インピーダンス）分だけエミッタ電位より低い電位点
Ａに同時に短絡接続される。
このようにして、過電流が発生すると、瞬時にトランジ
スタＱ１．Ｑ２のベース電位が強制的且つ同時にエミッ
タ電位より低電位にされるので、トランジスタＱ１．Ｑ
２共完全オフ状態になる。
スタＱ１．Ｑ２のベース電位が強制的且つ同時にエミッ
タ電位より低電位にされるので、トランジスタＱ１．Ｑ
２共完全オフ状態になる。
これによってインバータの発振は停止され、一方のトラ
ンジスタが漏れ電流等によってオン状態を継続して熱破
壊するようなことを確実に防止できる。
ンジスタが漏れ電流等によってオン状態を継続して熱破
壊するようなことを確実に防止できる。
また、直流電源ＤＣが一旦オフになればサイリスタＳＣ
Ｒもオフになり、復帰動作が可能になる。
Ｒもオフになり、復帰動作が可能になる。
第１図は本考案を適用したインバータ回路図。
図中、ＤＣは直流電源、ＲＬはリレー、Ｚｌ、Ｚ２はイ
ンピーダンス素子、ＴＲ１，ＴＲ２は変圧器。
ンピーダンス素子、ＴＲ１，ＴＲ２は変圧器。
Claims (1)
- 二つのトランジスタスイッチング素子を用いたインバー
タ回路において、前記各スイッチング素子のエミッタ端
子と入力電源の接地側との間に挿入接続したインピーダ
ンス素子と、該インピーダンス素子の電圧が所定値まで
上昇した時前記各スイッチング素子のベース端子を同時
にエミッタ端子電位よりも低電位点に短絡する回路とに
より、過電流発生時前記各スイッチング素子をオフにす
るようにしたことを特徴とするインバータ回路の過電流
保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13197779U JPS5847836Y2 (ja) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | 過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13197779U JPS5847836Y2 (ja) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | 過電流保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651492U JPS5651492U (ja) | 1981-05-07 |
| JPS5847836Y2 true JPS5847836Y2 (ja) | 1983-10-31 |
Family
ID=29363613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13197779U Expired JPS5847836Y2 (ja) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | 過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847836Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127953U (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-13 |
-
1979
- 1979-09-26 JP JP13197779U patent/JPS5847836Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651492U (ja) | 1981-05-07 |
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