JPS5848301A - 抵抗材料および抵抗体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は抵抗材料、抵抗材料から製造される抵抗体、並
びに抵抗材料および抵抗体の製造法に関する。更に詳細
には１本発＃４は高抵抗率並びに丈夫な又は望まし一物
理的特性金有する抵抗体を与え、そして比較的安価な材
料から製造されるガラス質エナメル抵抗材料に関するも
のである。

商業上使用されている種類の電気抵抗材料は。

ガラスフリフトと電気伝導材料の微粉砕粒子との混合物
からなるガラス質エナメル抵抗材料である。

ガラス質エナメル抵抗材＠を１気絶縁材料１通常セラミ
ックの基板の表面上に被覆し、そして焼付けてガラスフ
リットを軟化させる。冷却時に、その中に分散された導
電粒子を有するガラス膜が与えられる。

広範囲の抵抗値を有する電気抵抗体が望ましいので、広
範囲の抵抗値の抵抗体を製造できるそれぞれの性質を有
するガラス質エナメル抵抗材料が必要である。高抵抗率
を与え暮抵抗材料は、一般に導電粒子として貴金属を利
用しており、それ数比較的高価である。しかし、最近、
酸化錫（８ｎＯｚ）を利用して比較的安価なガラス質エ
ナメル抵抗材料が提供されている。酸化物および添加剤
もガラス質エナメル抵抗材料および抵抗体１に＠遺する
のく利用されており、そして米国特許第４．０６５＄７
４３号明細書「抵抗材料、それから製造される抵抗体。

およびその１１造法」は添加剤としての酸化タンタル（
Ｔａｘｅｓ　）および酸化錫（８ｎ０２）の導電相を利
用するガラス質壬ナメル材料を開示している。

酸化錫（８ｎＯ２）の導電相、ｔたは酸化錫および添加
剤１例えば酸化メンタル（Ｔａｘｅｓ）の導電相を有す
るガラス質エナメル抵抗材料を利用する際には、材料の
抵抗率は導電材料の割合を減少させることによって増大
される。ガラスの容量は２０慢〜８０係であり、導電材
料の対応の容量はＳＯＷ〜Ｉ憾である。しかし、酸化錫
含量の好ましい範囲は切〜６ｏ容量−である。導電相の
含量が４０容量参以下に７戚少し、それに対応してガラ
ス含量がω容量幅以上に増大すると、材料を焼付けて抵
抗体を製造する際に、うわぐすりが膨張し、非常に泡立
ってしまう、この種の状況下のうわぐすり材料は厚い厚
さを有することによって歪を生ずる抵抗層を与え、そし
て弱められ、容易に切断され、破壊される。この困難の
ため、ガラル６ｏ容量−の上限を有するガラス含量、好
ましくは沁容ＩＩ−以下の含量を有する抵抗体が作られ
ている。このことは。

この種の材料の用途、および高含量のガラスの使用によ
って与えられるはずの大きな抵抗率を有する抵抗体を与
える能力を制限する。

ガラス質エナメル抵抗体を作る技術においては。

抵抗体を作る際にガラス質エナメル材料を焼付ける温度
を高くすると、抵抗体の望ましい電気的特性１例えばそ
の温度安定性がしばしば与えられるか、増大することが
見い出されている。しかし。

焼付温度の増大は通常同時に抵抗体の抵抗率を減少させ
る。それ故、所望の抵抗率を有する抵抗体を製造するた
めには、高温における抵抗材料の焼付から生ずる抵抗率
の減少を考慮して、ガラス含量を十分に増大させること
が必要であることが見い出され九、シかし、鹸記のよう
に、６０１６以上のガラス量を利用した場合に生ずる望
ましくない物理的特性を回避する丸めに、この種の抵抗
体のガラス含量ｒｉω容ｔ４に限定され、好ましくはＩ
容量慢とされている。

それ故１本発明の目的は、新規の改良抵抗材料およびそ
れから製造される抵抗体を提供することにある。

本発明の別の目的は、新規の改良ガラス質エナメル抵抗
材料およびそれから製造される抵抗体を提供することに
ある。

本発明の更に別の目的は、比較的高い抵抗率並びに望ま
しい物理的特性を有する酸化錫を包含する導電相を有す
る新規の改良ガラス質エナメル抵抗体を提供することに
ある・ 本発明の別の目的は、酸化錫および酸化タンタルの導電
相を有し、比較的高い抵抗率並びにｌｌ宜しい物理的特
性を有する新規の改良ガラス質エナメル抵抗材料を提供
するととくある。

本発明の別の目的は、ｍ造プロセス時の焼付温度の変化
に対して比較的敏感でない抵抗率を製造する新規の改良
ガラス質エナメル抵抗材料を提供することにある。

本発明の別の目的は、比較的高い抵抗率並びに望ましい
物理的特性を与えながら、焼成温度を最適値に昇温でき
る新規の改良ガラス質エナメル抵−抗材料を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、比較的安価な酸化錫包含の導電相
を有する新規の改良ガラス質エナメル抵抗材料、抵抗体
およびその製造法ｔ−提供するごとにある。　　　　　
　　） 他の目的は、以下の説明から明らかとなるであろう。

これらの目的は、ガラスフリット、ジルコニウムの酸化
物含有の絶縁材料、および酸化錫（ｌａ０２　）の黴扮
砕粒子および所望ならば添加剤、例えば酸化タンタル（
Ｔす０５）の導電相の混合物からなる抵抗材料によって
達成される。絶縁材料は、ジルコニア（Ｚｒ０２Ｌジル
コニウム酸カルシウム（ＣｓＺｒ０３）、ジルコニウム
酸バリウム（ＢａＺｒ０３）ｓシよびジルコニウム酸ス
トロンチウム（８ｒＺｒ０３）からなる評から選択され
る。

従って１本発明は、以下に例示される特性１体質および
成分の関係含有する組成物、抵抗体およびその製造法に
係わる。

一般に、本発明のガラス質エナメル抵抗材％は。

ガラス質ガラスフリット、ジルコニウムの酸化物含有の
絶縁材料、訃よび酸化錫（Ｓｍｏｚ）の微粒子の導電相
の混合物からなる。導電相は米国特許第４．０６Ｌ７４
３号＠細書に教示の添加物質１例えば酸化タンタル（Ｔ
ａｘｅｓ＞も包含できる。ガラスフリットは混合物中に
約（資）〜約（イ）容量参の量、好ましくは約あ〜紛容
量−の量で存在できる。絶縁材料は混合物の約１５容量
９Ｇまで、所望ならばそれ以上の量、好ましくはｌＯ〜
１５＃ｌｌ＃ルコ亘ウムの酸化物１例えばジルコニア（
Ｚｒ０２）　ｓジルコニウム酸カルシウム（ＣａＺｒ０
３）ｓジルコニウム酸バリウム（ＩｌａＺｒ０３）ｍお
よびジルコニウム酸ストロンチウム（８ｒＺｒＯ１）で
ある、ガラスフリットと添加物質の総含量は、抵抗材料
の５０容量憾であることが好ましいが、６０容量−の量
および７０容量鳴程度の量を使用できる。酸化錫（５ｎ
ｏｚ）の好ましｉ量は混合物の頻〜（至）容量憾であプ
、そして酸化タンタル（Ｔａｘｅｓ）を利用する場合に
は酸化錫（８ｎＯ１）に導電相の（資）重量憾までの量
で添加する。゛使用されるガラスフリットは、導電相の
融点以下の融点を有するガラス質エナメル抵抗体組成物
を調製するのに使用される周知の組成物の如何なるもの
でも曳い。しかし、硼ケイ酸７リツト、ＷＫ硼ケイ酸ア
ルカリ土類金属フリット、例えば硼ケイ酸パリクム７リ
ットまたは硼ケイ酸カルシウムフリットを使用すること
が好ましいことが見い出されている。こめ橿のフリット
のＩ！１ｌｌｌ法は周知であり、そして例えば成分の酸
化物の形態のガラス成分を一緒に溶融し、そして溶融ｇ
Ｌ！！を物を水中に注入してフリットを形成することか
らなる。勿論、パッチ成分は１通常の７リツ）ｍｌ！４
条件下で所望の暖化物を生成する如何なる化合物でも喪
い。

例えば、酸化硼素は硼酸から得られ、ニー化ケイ素はフ
リントから生成され、酸化バリウムは炭酸パリタムから
生成される。粗フリットを好ましくはボール建ル内で水
で摩砕してフリットの粒を全減少させ、実質上均一の大
きさのフリットを得る。

本発明の抵抗材料は、適当量のガラスフリット。

絶縁材料、酸化−粒子、および使用する場合には一化タ
ンタル粒子を−ｌＩＫ完全に混合することによって一婁
される。

本発明の抵抗材料で抵抗体を製造するために、　。

抵抗材科を所望の厚さで基板の表面上に適用する。

基体は抵抗材料の焼付温度に耐えられる如何なる材料で
も喪い、２！！板は一般に絶縁体１例えばセクィック、
ガラス、磁器、［５，チタン酸バリウム、またはアルミ
ナである。抵抗材料をはけ金、浸し塗、噴霧、ま九はス
クリーン型適用によって層として基板上に適用できる６
次いで、抵抗材料被覆物を有する基板を通常の炉内にお
いてガラスフリットが軟化するが酸化錫が溶融する点板
下の温度において焼付ける。抵抗材料を好ましくは不活
性または非酸化性雰囲気１例えばアルゴン、ヘリウ、ム
、または４素中において焼付ける。使用される特定の焼
付温度は、使用される特定のガラスフリットの軟化温Ｅ
Ｋ依存する。基板および抵抗材料を冷却させると、ガラ
ス質エナメル層は硬化して抵抗材料を基板に結合させる
。

第１図に示されるように１本発明の抵抗体は一般にｌＯ
として示される。抵抗体ｌＯは、その上に被覆焼付けら
れた本発明の抵抗材料の１１１４１−有するセラミック
基板１２からなる。抵抗材料の４１４は。

ガラスおよび絶縁材料１６．および酸化錫（８１１０２
）の微粉砕粒子１８および両用する場合には酸化タンタ
ル（Ｔａ２０ｓ）の導電相からなる。導電相粒子１８ン をガラスおよび絶縁材料１６内に埋設し、その全体にわ
たって分散させる。

以下の例は本発明の成る好ましい具体例を説明するもの
であって１本発明を限定するものではない。

例■ 酸化錫（８ｎＯｚ）鵠容ｔｑｉからなる導電相を異なる
量のガラスフリットおよび絶縁材料と混合した。

ガラスフリットは１重量でＢａ０５Ｇ　’ｌ　ｓ　ＪＯ
１２０４ｓおよび８１０２３０１の組成を有していた。

使用された絶縁材料はジルコニア（Ｚｒ０ｚ）であり九
０表■に示される割合の導電相、ガラスフリットおよび
絶縁材料を一緒に混合することによって、抵抗材料の数
種のパッチｔ−嘴整した。各混合物をボールミル内にお
いてブチルカルピトールアセテートで摩砕して完全な混
合物とした。ブチルカル、ビトールアセテートを蒸発さ
せ、１％合物をエル・ロイシエ・エンド・カンパニー製
のスクイージ媒体と配合しそ抵抗体組成物を１整した。

予焼成端端子が適用されたセラ建ツク板上に組成４！Ｊ
をスクリーン型＋適扇することによって、抵抗体を各抵
抗体組成物で製造し友。次いで、抵抗体を窒素雰囲気を
有するトンネル炉内において表Ｉに示されるピーク温度
において（至）分のサイクルで焼付は友。得られた抵抗
体の抵抗率を表■および４２図のグラフに示す。

表■ 酸化錫（容量慢）　　　　　　５０　　　５０　　５Ｇ
ガラス（容量憾）　　　　　　５０　　４０　　３５ジ
ルコニア（容量慢）０１０１５ 抵抗率（区１２／スクエア） （以下の温度で焼付） ９５０℃　　　　　　　３４５　　１１００　２６００
１０００℃　　　　　　　１３５　　１６００　３００
０１０２５℃　　　　　　　７７　　１７００　２００
Ｇ第２図の曲線Ａは絶縁材料ジルコニア（Ｚｒ０ｘ）を
含まない従来の酸化錫抵抗体“を表わし、−万一１１ｉ
ＩＢおよびＣはジルコニア（Ｚｒ０２）ｌ（Ｅｌｌ量−
および１５容量−を含む本発明の抵抗体を表わす、−−
Ａは、９５０℃で焼付は九抵抗体が３４５にρ／スクエ
アの高い値であり、　１０００℃の焼付温度では１３５
Ｅｌｌ／スクエアの減少した抵抗率であり、そして焼付
ａ度が１０２５’Ｃに増大した場合には７７に＃／スク
エアの低い抵抗率であることを示す、一方１曲線Ｂｆ１
．９５ｆｆＣ−ｅ焼付ｆｆｌ！［体ｏ場合１ｃ　１１０
０　Ｋｌｌ／スクエアの高い抵抗率であり、抵抗率ｉ　
１ｏｏｏ℃および１０２５℃の焼付温度の場合にはそれ
ぞれ１６００に＃／スクエアおよび１７００区ｇ／スク
エアに増大することを示す、多量のジルコニアを有する
抵抗体の場合の曲線Ｃは、より高い抵抗率、即ち９５０
℃および１０００℃の焼付＠度の場合にはそれぞれ２６
００１［Ｊ？／スクエアおよび３０００Ｋｇ／スクエア
。

および２００００／スクエアの抵抗率を示す。最後の抵
抗率は１曲線Ｂの抵抗体の場合に所定温度で得られる１
７００Ｕ？／スクエアの抵抗率よりも若干大きい。

このように１表１および第２図は、ジルコニア１０〜１
５容量憾をうわぐす９岨成自に添加すると。

得られる抵抗体の抵抗率がジルコニアを含まない従来の
酸化錫抵抗材料と比較して著しく両人することを示す。

ま九、グラフは、絶縁材料を添加する場合には焼付温度
の増大が曲ａＡの従来の材料のようには抵抗率を著しく
は減少させずに、抵抗率を若干変化させるだけであるこ
とを示す、このように、絶縁材料の添加は得られた抵抗
体の抵抗率を増大させ、そして焼付温度の変化に対する
感Ｖ＋或少させた。比較的高い抵抗率以外に、本発明で
得られる抵抗体は膨張せず、泡立九ず、切断および破壊
に抵抗し、そして望ましい物理的特性を示し友。

例「 抵抗組成物の３４のパッチを例■に記載の方法でｔｍ製
したが、絶縁材料はジルコニウム酸カルシウム（ＣａＺ
ｒ０３）であった。抵抗体を抵抗組成物から例■に記載
の方法で製造し、そして以下のピーク温度で焼付けられ
た抵抗体は表ＩＫ表される抵抗率を与えた。＃Ａ縁材料
を含む抵抗体は増大し九抵抗率を与え、焼付温度の増大
に対して比較的敏感ではなく、そして望ましい物理的特
性を有していた。

表置 ２３ 酸化錫（容量幅）　　　　　　　　５０　５０　５０ガ
ラス（容量幅）　　　　　　　　５０　４０　３５ジル
コニウム噴カルシウム（容量幅）　　　０　　１０　　
１５抵抗率（Ｋｍ／スクエア） （以下の温度で焼付） ９５０′Ｃ３４５５１５５５０ １００代　　　　　　　　　１３５　５２５　５００例
　厘。

抵抗組成物の３種のパッチを例■に記載の方法で１ｌＩ
ｌｌＩシ九が、絶縁材料はジルコニウム酸バリクム（Ｂ
ａＺｒ０ｓ）であった。抵抗体を抵抗組成物から例■に
記載の方法で製造し、そして以下のピーク温度で焼付け
られ一抵抗体は表置に示される抵抗率を与、えた、絶縁
材料を含む抵抗体は、増大した抵抗率を与え、焼付温度
の増大に対して比較的敏感ではなく、そして望ましい物
理的時性を有してい友。

表厘 ２３ 酸化錫（容量幅）　　　　　　　５０　５０　５０ガラ
ス（容量幅１　　　　　　５０　４０　３５ジルコニウ
ム酸バリウム（容量幅）　　　０　　１０　　１５抵抗
率（ＫＩＪ／スクエア） （以下の温度で焼付） ９５０℃　　　　　　　　　３４５　４９５　５８５例
■ 抵抗組成物の３種のパッチを例ＩＫｆｅ載の方法で１製
したが、絶縁材料はジルコニウム酸ストロンチウム（８
ｒＺｒ０３）であった、抵抗体を抵抗組成物から例■に
記載の方法で製造し、そして以下のピーク温度で焼付け
られ虎抵抗体は表■に示される抵抗軍を与えた。絶縁材
料を含む抵抗体は、増大した抵抗率を与え、焼付温度の
増大に対して比較的敏感ではなく、そしてｉｉｆしい物
理的時性を有していた。

表■ 酸化部（容ｉｌｌ　　　　　　　　５０　５０　５０ガ
ラス（容量幅）　　　　　　　　５０　４０　３５ジル
コニウム酸ストロンチウム（容量１）　　　０　　１０
　　１５抵抗率（Ｋρ／スクエア） （以下の温度で焼付） ９５０℃　　　　　　　　　３４５　３２０　６１０１
０００℃　　　　　　　　　１３５　２１５　４７０１
０２５℃　　　　　　　　　７７　２７０　７８０例■ 酸化錫９０畳と酸化タンタル１０憾とのバッチシよび酸
化錫７５４と酸化タンタル２５４とのパッチを与えるよ
うに所定の容量で酸化４ＩＪｔ−一緒に混合することに
よって、酸化錫（８ｎＯｚ）と酸化タンタル（ＴａｚＯ
ｓ　）との２４の導電相ｔ’１ｌｌｌｌｌした。導電相
団容量憾を表Ｖに示される割合のガラスフリットおよび
絶縁材料団容量憾と混合することによって。

抵抗組成物のパッチを調製した。抵抗体を例■に記載の
方法で製造し、そして以下のピーク温度で焼成された抵
抗体は表Ｖに示される抵抗率を与えた。絶縁材料を含む
抵抗体は、焼付温度の増大に対してそれほど敏感ではな
く、そして望ましい物理的特性を有していた。

表Ｖ １２３４ 酸化錫（容量憾）　　　　　４５　４５　４５　４５酸
化タンタル（容量係）　　５　　５　１５　１５ガラス
（容量慢）　　　　　５０　４０　４０　３Ｇジルコニ
ア（容量ＩＩＧ）０１００１Ｇ抵抗率（Ｊ？／スクエア
） （以下の温度で焼付） ９５０”ＣＩ　、３Ｍ　１．３Ｍ　６００Ｋ　６５０ｍ
Ｃ１０００℃　　　　　５９０Ｋ　１．ＯＫ　２７０Ｋ
　５００ＩＣ前記例から、絶縁材料を従来の抵抗体組成
物に添加することによって提供される本発明の抵抗体の
抵抗率への効果が明らかである。このように。

例■は酸化錫うわぐすシ材料の組成物にジルコニア（Ｚ
ｒ０２）１０容量係および１５容量嘔を添加することを
示し、一方表Ｖは添加剤として酸化りｙタル（Ｔａｇ’
ｓ）を有する酸化錫抵抗組成物への絶縁材料の効果を示
す、同様に１表１．表Ｉおよび表■は絶縁材料、即ちジ
ルコニウム酸カルシウム（ＣａＺｒ０３）ｓジルコニウ
ム暖バリウム（ＢａＺｒ０３）。

およびジルコニウム酸ストロンチウム（８ｒＺｒＯａ）
をそれぞれ従来の酸化錫うわぐすり組成物に添加し九場
合の抵抗率への効果を示す。約２００にρ／スクエア〜
１．３メガｇ／スクエアで変化する抵抗率が得られ、そ
してうわぐすり組成物を９５０℃〜１０２死の異なる温
度で焼付ける際の効果が特に第２図において従来の酸化
錫うわぐすり材料の場合と比較すると明らかである。

このように１本発明は、以前は抵抗体の物理的歪および
弱化會生じさせ′るガラス含量の増大によってのみ達成
されていた高抵抗軍を有する酸化錫うわぐすり型の抵抗
体を＃造するための抵抗材料を与える。また１例は、温
合吻の約１０〜１５８量暢の量のジルコニウム酸化物含
有の絶縁材料１例えばジルコニア（Ｚｒ０２）　、ジル
コニウム酸カルシウＡ　（ＣａＺｒ０３）ｔジルコニウ
ム酸ノ（リウム（ＢａＺｒ０３）、およびジルコニウム
酸ストロンチウム（８ｒＺｒＯ１）を添加することの有
効さを示す、より高い抵抗率１ｍ化部型うわぐすり抵抗
体に与える以外に、添加剤は抵抗体のＪｌｌ遣時に使用
された高い焼付温度において達成される抵抗率を安定化
させる。製造時の温度変化の影響が少ないので、得られ
る抵抗体の抵抗率をより阪〈制御できる０本発明によっ
て提供される広範囲の焼成温度にわたっての比較的高い
抵抗率の維持は、得られる抵抗体の抵抗率を実質上変化
させずに他の望ましい特性を達成するための各種の焼付
温度の選択を可能とする。ま念、本発明の抵抗体は比較
的安価な材料から作られる。

前記目的は効率良く達成されていることが明らかであり
１本発明の範囲から逸脱せずに成る種の変形を行うこと
ができるので、前記φ項はｌ１ｉＩＩ５１Ｉのためのも
のであって、限定するものではなめ。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の抵抗材料を便用して製造された抵抗体
の一部分の断面図、第２図は本発明の抵抗体および従来
の抵抗材料から製造された抵抗体の抵抗軍と焼付温度と
の関係を示すグラフである。 １０・・・抵抗体、１２・・・基板、　１４・・・抵抗
材料の層、　１６・・・ガラスおよび絶縁材料、１８・
・・導電相粒子。 出願人代理人　　猪　　股　　　　清

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　ガラスフリットと、ジルコニウムの蟻化物含有の
   絶縁材料と、酸化錫の微粒子の導電相との混合物からな
   ることを待機とする基板に適用し焼付けて電気抵抗体を
   形成するのに適したガラス質エナメル抵抗材料。 ２、絶縁材料がジルコニア、ジルコニウム酸カルシウム
   、ジルコニウム酸バリウム１およびジルコニウム酸スト
   ロンチウムからなる群から選択される特許請求の範囲第
   １項に記載のガラス質エナメル抵抗材料。 ３、導電相が酸化タンタルの粒子を包含する特許請求の
   範囲第２項に記載のガラス質エナメル抵抗材料。 ４、ガラスフリットが１ケイ酸アルカリ土類金属ガラス
   である特許請求の範囲第３項に記載のガラス質エナメル
   抵抗材料。 ５、絶縁材料が混合物の約ｔｓｓｔ係までの量で存　　
   　　−在する特許請求の範囲第１項〜、ｊｌＪ項のいず
   れかに記載のガラス質エナメル抵抗材料。 ６、　ガラス７リツトが混合物の約薗容量憾以下の量で
   存在する特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記
   載のガラス質エナメル抵抗材料。 Ｌ　ガラスフリットおよび絶縁材料が混合物の約望容量
   嘔の量で存在し、そして絶縁材料が１合物の約１５容量
   慢までの量で存在する特許−求の範囲第１項〜ａｌ１４
   項のいずれかに記載のガラス質エナメル抵抗材料。 ８．４ａ縁基板および基板表面上の抵抗材料の層からな
   り、抵抗材料が、ジルコニウムの酸化物含有の絶縁材料
   を包含するガラス内に埋設され。 かつ全体にわたって分数された酸化錫の粒子の導電相を
   包含することを時機とする比較的高い抵抗率および丈夫
   な物理的特性を有する電気抵抗体。 ９、絶縁材料がジルコニア、ジルコニウム酸カルシウム
   、ジルコニウム酸バリウム、およびジルコニウム酸スト
   ロンチウムからなる評から選択される特許請求の範囲第
   ８項に記載の電気抵抗体。 １０、導電相が酸化タンタルの粒子を包含する特許請求
   の範囲第９項に記載の電気抵抗体。 １１、　ガラスが硼ケイ酸アルカリ土類金属ガラスであ
   る特許請求の範囲第９ＪＪ［に記載の電気抵抗体。 １２、絶縁材料が混合物の約１５容量鴫までの量で存在
   する特許請求の範囲＄８項〜第１１項のいずれかに記載
   の電気抵抗体。 １３、導電相が混合物の約１容量嘔以下の量で存在する
   特許請求の範囲１！８項〜第１１項のいずれかに記載の
   電気抵抗体。 １４、ガラスフリットおよび絶縁材料が混合物の約５０
   容量−の量で存在し、すしてｌ＃！ｌ縁材料が混合物の
   約１５容量慢までの量で存在する特許請求の範囲第８項
   〜４１１項のいずれかに記載の電気抵抗体。 有の絶縁材料と、＠化部の微粒子の導電相とを一緒に混
   合し。 この混合物ｔＳ板の表面に適用し、そして実質上不活性
   の雰囲気中においてガラス７リツトの軟化温度であるが
   酸化錫が溶融する温度以下において焼付け、そして 被覆した基板を冷却して導電粒子を分散したガラスマト
   リックスを有する抵抗体を形成することを特徴とする電
   気抵抗体の製造法。 １６、絶１ｍ材料がジルコニア、ジルコニウム酸カルシ
   ウム、ジルコニウム酸バリウム、およびジルコニウム酸
   ストロンチウムからな・る群から選択される特許請求の
   範囲第１５項に記載の方法。 １７、導電相が酸化タンタルの粒子を包含する特許請求
   の範囲＠１６項裂記載の方法。 １８、ガラスフリットｄｌ硼ケイ素アルカリ土類金属ガ
   ラスである特許請求の範囲４１１７項に記載の方法。 １９、混合物ｔ−窒素雰囲気中において９５０’Ｃ〜１
   ｏ２５℃のピーク温度に約刀分のサイクルで焼付ける特
   許請求の範囲第１８項に記載の方法。 ２０、絶縁材料が混合物の約１５容量鳴までの量で存在
   する特許請求の範囲第１５項〜第１８項のめずれかに記
   載の方法。 ２１、導電相が混合物の約狛容量憾以下の量で存在する
   特許請求の範囲ｇｔＳ項〜第１８項の匹ずれかに記載の
   方法。 ２２、ガラスフリットおよび絶縁材料が混合物の約（資
   ）容量略の量で存在し、そして絶縁材料が温合物の約１
   ５容量ｎｔでの量で存在する特許請求の範囲第１５項〜
   第１８項のいずれかに記載の方法。 ２３、ガラスフリットと、ジルコニウムの酸化物含有の
   絶縁材料と、酸化錫の微粒子の導電相とを一緒に混合し
   、 混合ＪＩＲを基板の表面に適用し、そして実質上不活性
   の雰囲気中においてガラスフリットの軟化温度であるが
   酸化錫が溶融する温度以下において・暁付け、そして 被覆した基板を冷却して導電粒子を分散し九ガラスマト
   リックスを有する抵抗体を形成することによって製造さ
   れたガラス質うわぐすり置の電気抵抗体。 ２４、ａｒｍ科がジルコニア、ジルコニウム酸カルシウ
   ム、ジルコニウム酸バリウム、およびジルコニウム酸ス
   トロンチウムからなる群から選択される特許請求の範囲
   嬉田項に記載の電気抵抗体。 ２５、導電相が酸化タンタルの粒子を包含する特許請求
   の範囲第冴項に記載の電気抵抗体。 ２６、ガラスフリットが硼ケイ酸アルカリ土類金属ガラ
   スである特許請求の範囲第１５項に記載の電気抵抗体。 ２７、混合物を窒素雰門気中において９５０”０−１０
   ２５℃のピーク温度に約（資）分のサイクルで焼付ける
   特許請求の範囲第に項に記載の電気抵抗体。 ２８、絶縁材料が混合物の約１５容量嘔までの量で存、
   在する特許請求の範囲嬉田項〜第墓項のいずれかに記載
   の電気抵抗体。 ２９、導電相が混合物の約６０＃量嘩以下の書で存在す
   る特許請求の範囲第る項〜第乙項のいずれかに記載の電
   気抵抗体。 ３０、ガラスフリットおよび絶縁材料が混合物の約関容
   量慢の量で存在し、そして絶縁材料が混合物の約１５＃
   量４までの量で存在する特許請求の範囲第乙項〜第３項
   のいずれかに記載の電気抵抗体。