JPS5848380A - ランプ・アニ−ル装置 - Google Patents
ランプ・アニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS5848380A JPS5848380A JP14725781A JP14725781A JPS5848380A JP S5848380 A JPS5848380 A JP S5848380A JP 14725781 A JP14725781 A JP 14725781A JP 14725781 A JP14725781 A JP 14725781A JP S5848380 A JPS5848380 A JP S5848380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- temperature
- substrate
- sample
- lamp annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はランプ・了ニール装置に関する。
最近、：ｆｏｋｎａＣ，Ｃ１５”Ｌａｔａｒａｌｘｐ＝
ｔａｚｙ ｂｙ ｓｇａｔａｔｔＢｏｌｉｄｉｆｉ
ｃａｔｉｏ％ ｆｏｒＧｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｓｉｎ
ｇｌｅ−Ｃｒｙａｔａｌ Ｂｉ Ｗｉｌｔｙｈａ
ｏｎ工５ａｓｔａｔｏｒｓ”＋ムラ９１゜ ＦＡｙａ、Ｌｓｔｔ、、３８．（５）、３６５（１９８
１）に示されている如く、被加熱物基体を一定１１１Ｍ
に加熱しながらその表面を基体温置工り瞬時昇温する熱
処理法が提案されて＾る。前記文献に於ては、基体加熱
をカーボン、ヒーターにぷり、その表面温１上昇もスト
ライプ状カーボン・ヒーターを基体表面で走査させるこ
とに１り基体表面を瞬時加熱昇温している。
ｔａｚｙ ｂｙ ｓｇａｔａｔｔＢｏｌｉｄｉｆｉ
ｃａｔｉｏ％ ｆｏｒＧｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｓｉｎ
ｇｌｅ−Ｃｒｙａｔａｌ Ｂｉ Ｗｉｌｔｙｈａ
ｏｎ工５ａｓｔａｔｏｒｓ”＋ムラ９１゜ ＦＡｙａ、Ｌｓｔｔ、、３８．（５）、３６５（１９８
１）に示されている如く、被加熱物基体を一定１１１Ｍ
に加熱しながらその表面を基体温置工り瞬時昇温する熱
処理法が提案されて＾る。前記文献に於ては、基体加熱
をカーボン、ヒーターにぷり、その表面温１上昇もスト
ライプ状カーボン・ヒーターを基体表面で走査させるこ
とに１り基体表面を瞬時加熱昇温している。
しかし、前記従来技術では、ヒーターからの汚染物質の
発生と被子ニール物への付着、ヒータ一温度や被加工物
表面精Ｉの精密さ等が不足するという欠点かある。
発生と被子ニール物への付着、ヒータ一温度や被加工物
表面精Ｉの精密さ等が不足するという欠点かある。
本−明はかかる欠点をなくシ、汚染のな匹清浄な加熱と
、温ｇの制御性の良好な熱処理装置を提供することを目
的とする。
、温ｇの制御性の良好な熱処理装置を提供することを目
的とする。
上記目的１！一連成するための本発明の基本的な構成祉
、鼓了ニール物基体を加熱しながら被加工物表面を瞬時
基体温度１り高温化する加熱処理装置において、基体温
度昇温おＬび基体表面温度昇温のいずれも水銀ランプ、
ハロゲンランプ等のランプおよびその光学系に工り行な
うことを％黴とする。
、鼓了ニール物基体を加熱しながら被加工物表面を瞬時
基体温度１り高温化する加熱処理装置において、基体温
度昇温おＬび基体表面温度昇温のいずれも水銀ランプ、
ハロゲンランプ等のランプおよびその光学系に工り行な
うことを％黴とする。
以下、実施例にエリ具体的に本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。第１図では、石英管
１をノズル２から導入した窒素ガスで満たし、石英製試
料台３に試料４ｆ主面を下方に向けて設置し、石英棒５
で掃引で謙るようにしである。
１をノズル２から導入した窒素ガスで満たし、石英製試
料台３に試料４ｆ主面を下方に向けて設置し、石英棒５
で掃引で謙るようにしである。
試料４にはハロゲンランプ６等と７からの光を反射鏡８
等を用論て照射し、ランプ６等は低パワーで試料のバッ
ク・了ツブ加熱を行な論、ランプ７は高パワーで試料表
面を試料基体温［より高める為に用りられ、瞬時加熱を
可能にするため、試料４は所定の速ｌでランプ７０表面
を通過する様に引出し棒５で帰引する。この場合、バッ
ク・アップ加熱用にランプ６、反射鏡８等を石英管ｌの
他の部分に配Ｉしても艮＾。
等を用論て照射し、ランプ６等は低パワーで試料のバッ
ク・了ツブ加熱を行な論、ランプ７は高パワーで試料表
面を試料基体温［より高める為に用りられ、瞬時加熱を
可能にするため、試料４は所定の速ｌでランプ７０表面
を通過する様に引出し棒５で帰引する。この場合、バッ
ク・アップ加熱用にランプ６、反射鏡８等を石英管ｌの
他の部分に配Ｉしても艮＾。
上記の卯（、ランプ加熱による場合にはランプ自体から
の汚染の発生もなく、石英管内で試料が処理出来るため
清浄さが保たれると共に、ランプ出力の制御が容易であ
り、高精駆温度制御が実現できる効果がある。
の汚染の発生もなく、石英管内で試料が処理出来るため
清浄さが保たれると共に、ランプ出力の制御が容易であ
り、高精駆温度制御が実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すランプ・了ニール装置
の断面構造を示す。 １・・石英管 ２・・ノズル ３ｅ・試料台４・・試料
５・・引出し棒 ６．７・・ラップ８・・反射鏡。 以 上 出願人 株式会社鰍訪精工舎
の断面構造を示す。 １・・石英管 ２・・ノズル ３ｅ・試料台４・・試料
５・・引出し棒 ６．７・・ラップ８・・反射鏡。 以 上 出願人 株式会社鰍訪精工舎
Claims (1)
- 被アニール物基体を加熱しながら被子ニール物表面を瞬
時基体温Ｉｆ工り高温化する加熱処理装置において、基
体瀉匪昇湛および基体表面温度昇温のいずれも水銀ラン
プ、ハロゲンランプ等のランプおよびその光学系に工す
行なうことを特徴とするランプ・アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725781A JPS5848380A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ランプ・アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725781A JPS5848380A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ランプ・アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848380A true JPS5848380A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15426135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14725781A Pending JPS5848380A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ランプ・アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03294740A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | Ebara Res Co Ltd | 純水又は超純水の加熱方法 |
| JPH06321692A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-22 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14725781A patent/JPS5848380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03294740A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | Ebara Res Co Ltd | 純水又は超純水の加熱方法 |
| JPH06321692A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-22 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
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