JPS5848456A - パタ−ン検出器 - Google Patents
パタ−ン検出器Info
- Publication number
- JPS5848456A JPS5848456A JP56146756A JP14675681A JPS5848456A JP S5848456 A JPS5848456 A JP S5848456A JP 56146756 A JP56146756 A JP 56146756A JP 14675681 A JP14675681 A JP 14675681A JP S5848456 A JPS5848456 A JP S5848456A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- center
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
Landscapes
- Image Input (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小領域を透過する光あるいは敏小領域によっ
て連光される光を検出できるパターン検出器に関する。
て連光される光を検出できるパターン検出器に関する。
このようなパターン検出器は、微小物体の検出あるいは
不透明体の微小な穴の検出が可能で、例えばのり（Ｓ苔
）の穴、かけを検出して品質管理す葛のに利用される。
不透明体の微小な穴の検出が可能で、例えばのり（Ｓ苔
）の穴、かけを検出して品質管理す葛のに利用される。
従来のこの稙の検出器としては投光器より出て被検出体
を照射する光を多数のフォトダイオードよりなるイメー
ジセンサ受光器で受光して検出するものがあるが、光を
検出するイメージセンサ部が小さいので、光をしばった
形で被検出体にあてる必要があるうまた光をしぼるため
の光学系の性能によって検出精度が大きく左右されるこ
とになる。従って、のりなどのように穴、か゛けが位置
においても形状においても大きさにおいても不規則に存
在するものは、イメージセンサを用いた検出器によ゛り
検査することはかなり費用がかかる。
を照射する光を多数のフォトダイオードよりなるイメー
ジセンサ受光器で受光して検出するものがあるが、光を
検出するイメージセンサ部が小さいので、光をしばった
形で被検出体にあてる必要があるうまた光をしぼるため
の光学系の性能によって検出精度が大きく左右されるこ
とになる。従って、のりなどのように穴、か゛けが位置
においても形状においても大きさにおいても不規則に存
在するものは、イメージセンサを用いた検出器によ゛り
検査することはかなり費用がかかる。
本発明はこれに対して大面積の亀のも製作可能な薄膜太
陽電池を利用して、簡単な構造セ検出精度の嵩いパター
ン検出器を構成することを目的とする。
陽電池を利用して、簡単な構造セ検出精度の嵩いパター
ン検出器を構成することを目的とする。
この目的は、パターン検出器が平行して配置された２タ
リの光電変換素子列を備え、その光電変換素子列は一平
面上に一線に配列された薄膜半導体を有する複数の光電
変換素子よりなり、一方の列の素子の中央が他方の列の
隣接素子の間隙に対向するよう化ずれて位置することに
よって達成される。
リの光電変換素子列を備え、その光電変換素子列は一平
面上に一線に配列された薄膜半導体を有する複数の光電
変換素子よりなり、一方の列の素子の中央が他方の列の
隣接素子の間隙に対向するよう化ずれて位置することに
よって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
１図は光電変換素子列を一列のみ示し、第２図はその側
断面図である。本発明によるパターン検出器は基本的に
は従来のイメージセンサにおけるフォトダイオードを薄
膜太陽電池と同様に構門したもので、例えばガラスから
なる透明基板１の上にＩＴＯ（インジュウムすず絨化物
）からなる透明導電膜２を被着し、その上にシランガス
のグロー放電分解法により生成したアモルファスシリコ
ンからなるシリコン薄１１ｉ３を重ねる。シリコン薄膜
３はＰＮ接合あるいは表面障壁による光電変換活性領域
を有する。シリコン薄膜３．の上面にはアルミニウム蒸
着膜からなる複数の方形電極４が僅かな間隔を明けてｌ
ｌｌ１Ｌで一線上に配列されている。電１に４に接続さ
れる端子５および透明導電膜２の接地電極６も電極４と
同一の蒸着工場で作成される。端子５を有する各電極４
と共通電極となる透明導電膜２の間に光電変換素子７が
形成される。いまこの素子７と光源８の間を矢印Ｐ方向
に移動される被検出体１０に穴１１が存在すると、鎖線
でハツチングした検出部分に透明基板７詔よび透明導電
膜２を通して入射する光により光間−１力が生じ、その
起電力は端子５より外部へ引き出される。穴１１が検出
部分の奥行きＸよりも小さい場合には素子７の出力信号
は第３図の実線３１のようになり、穴１１の径がＸと等
しい場合の出力信号は破＠３２のように、そして穴１１
がＸより大きい場合には出力信号は破線３３のようにな
る。従ってＸの大きさを適当にとることにより、必要な
感度の設定を行うことができる。−力検出部分の被検出
体の移動方向に直角方向の幅Ｙは感度に対して直接影養
しないが、Ｙを大きくすると多数の小さい孔と一つの大
きい孔との職別が不可能になるのでその寸法に制約があ
り、小さい素子７を被検出体１０の幅に対応した数だけ
一線に配列する。従って素子間Ｊこ関ＩＩＤが存在する
、もし穴あるいは微小物体のような微小領域の投影が符
号９で示したように二つの検出部分の真中を通過すると
、双方の素子の出力信号は一つの素子内を通過する場合
の半分以下となり、実際の検出対象領域の大きさとかけ
離れたものになる。その結果検出すべき大きさを有する
領域を検知できないことが起きる。
１図は光電変換素子列を一列のみ示し、第２図はその側
断面図である。本発明によるパターン検出器は基本的に
は従来のイメージセンサにおけるフォトダイオードを薄
膜太陽電池と同様に構門したもので、例えばガラスから
なる透明基板１の上にＩＴＯ（インジュウムすず絨化物
）からなる透明導電膜２を被着し、その上にシランガス
のグロー放電分解法により生成したアモルファスシリコ
ンからなるシリコン薄１１ｉ３を重ねる。シリコン薄膜
３はＰＮ接合あるいは表面障壁による光電変換活性領域
を有する。シリコン薄膜３．の上面にはアルミニウム蒸
着膜からなる複数の方形電極４が僅かな間隔を明けてｌ
ｌｌ１Ｌで一線上に配列されている。電１に４に接続さ
れる端子５および透明導電膜２の接地電極６も電極４と
同一の蒸着工場で作成される。端子５を有する各電極４
と共通電極となる透明導電膜２の間に光電変換素子７が
形成される。いまこの素子７と光源８の間を矢印Ｐ方向
に移動される被検出体１０に穴１１が存在すると、鎖線
でハツチングした検出部分に透明基板７詔よび透明導電
膜２を通して入射する光により光間−１力が生じ、その
起電力は端子５より外部へ引き出される。穴１１が検出
部分の奥行きＸよりも小さい場合には素子７の出力信号
は第３図の実線３１のようになり、穴１１の径がＸと等
しい場合の出力信号は破＠３２のように、そして穴１１
がＸより大きい場合には出力信号は破線３３のようにな
る。従ってＸの大きさを適当にとることにより、必要な
感度の設定を行うことができる。−力検出部分の被検出
体の移動方向に直角方向の幅Ｙは感度に対して直接影養
しないが、Ｙを大きくすると多数の小さい孔と一つの大
きい孔との職別が不可能になるのでその寸法に制約があ
り、小さい素子７を被検出体１０の幅に対応した数だけ
一線に配列する。従って素子間Ｊこ関ＩＩＤが存在する
、もし穴あるいは微小物体のような微小領域の投影が符
号９で示したように二つの検出部分の真中を通過すると
、双方の素子の出力信号は一つの素子内を通過する場合
の半分以下となり、実際の検出対象領域の大きさとかけ
離れたものになる。その結果検出すべき大きさを有する
領域を検知できないことが起きる。
本発＃４番こおいては第４図のように二つの光電変換素
子列２１．２２を平行に、かつ一方ｒ／１列の素子７の
中央か他方の列の隣接素子の関＠２３に対向するように
ずらして配置している。このように配置することにより
Ｐ方向に移動する被検出体の検出対象領域の投影が一方
の列のＩＩＩ接菓干菓子隙を通過しても他方の素子の中
央を通過するため、検出対象領域の大きさに対応した出
力信号を得ることができる。さらに投影が素子の中央か
らずれて通過する場合本いずれかの列のいずれかの素子
内にいずれかの時点で検出対象領域の全部が投影される
ため痺は、検出対象領域を円形と仮定すると対向する素
子の重なり＠Ｌが素子の検出部分の央行きＸよりも太き
けれはよい。すなわち検出部分の配列方向の幅Ｙが２Ｘ
＋Ｄよりも大きけｎ、ばよい。
子列２１．２２を平行に、かつ一方ｒ／１列の素子７の
中央か他方の列の隣接素子の関＠２３に対向するように
ずらして配置している。このように配置することにより
Ｐ方向に移動する被検出体の検出対象領域の投影が一方
の列のＩＩＩ接菓干菓子隙を通過しても他方の素子の中
央を通過するため、検出対象領域の大きさに対応した出
力信号を得ることができる。さらに投影が素子の中央か
らずれて通過する場合本いずれかの列のいずれかの素子
内にいずれかの時点で検出対象領域の全部が投影される
ため痺は、検出対象領域を円形と仮定すると対向する素
子の重なり＠Ｌが素子の検出部分の央行きＸよりも太き
けれはよい。すなわち検出部分の配列方向の幅Ｙが２Ｘ
＋Ｄよりも大きけｎ、ばよい。
以上述べたように本発明は薄膜半導体からなる複数の光
電変換素子を平行する二つの列として配列し、一方の列
の素子の中央が他方のタリの隣接素子の関−に対向させ
ることにより、いずれかの列のいずれかの素子に不透明
物体１ノ）所定の大赤さの穴あるいは所定の大きさの不
透明物体の全部が投影されるようにして、所定の大きさ
以上の穴あるいは物体を精度よく検出可能にするもので
ある。
電変換素子を平行する二つの列として配列し、一方の列
の素子の中央が他方のタリの隣接素子の関−に対向させ
ることにより、いずれかの列のいずれかの素子に不透明
物体１ノ）所定の大赤さの穴あるいは所定の大きさの不
透明物体の全部が投影されるようにして、所定の大きさ
以上の穴あるいは物体を精度よく検出可能にするもので
ある。
しかもこのよつな検出器は牛導体薄膜上の電極の形状を
選定することのみによって得られるので、構造簡単で例
えばマスクを用いた蒸着の適用により容易に製作でき、
幅の広いものも製作可能であるため大きい被検ｍ体の場
合にも適用できるので得られる効果は極めて大きい。
選定することのみによって得られるので、構造簡単で例
えばマスクを用いた蒸着の適用により容易に製作でき、
幅の広いものも製作可能であるため大きい被検ｍ体の場
合にも適用できるので得られる効果は極めて大きい。
ｌＩ４１図は本発１によるパターン検出器の一実施例の
半分を７ＩＣ４′″平−図、第２図はそのｇ４断面図、
第３図は検出対象領域の大きさをパラメータとした光電
変換素子の出力と被検出体の移動時間との関係線図、第
４図は本発明によるパターン検出器の一実施例を示す平
面図である。 １・−透明基板、２・・・透明導電膜、３・・・シリコ
ン薄膜、４・・・電極、７・・・光電変換素子、２１．
２２・・・光電変換素子列。 オ １図 第３図
半分を７ＩＣ４′″平−図、第２図はそのｇ４断面図、
第３図は検出対象領域の大きさをパラメータとした光電
変換素子の出力と被検出体の移動時間との関係線図、第
４図は本発明によるパターン検出器の一実施例を示す平
面図である。 １・−透明基板、２・・・透明導電膜、３・・・シリコ
ン薄膜、４・・・電極、７・・・光電変換素子、２１．
２２・・・光電変換素子列。 オ １図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）平行して配置された２列の光電変換素子列を備え、
咳光電変換素子列はそれ−ぞれ一平面上に一線に配列さ
れた薄膜半導体を有する複数の光電変換素子よりなり、
一方の列の素子の中央が他方の列のＩＩ接素子の一間隙
に対向するようにずれて位置することを特徴とするパタ
ーン検出（至）。 ２、特許請求の範囲第１項記載の検出ｆＦ４とおいて、
素子の検出部分の配列方向に直角な寸法をＸ１平行な寸
法をＹ、ｉｌｌ接素子の間隙の寸法をＤきしたとき、Ｙ
≧２Ｘ＋Ｄであることを特徴とするパターン検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146756A JPS5848456A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | パタ−ン検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146756A JPS5848456A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | パタ−ン検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848456A true JPS5848456A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15414859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146756A Pending JPS5848456A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | パタ−ン検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199561A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜受光素子 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56146756A patent/JPS5848456A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199561A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜受光素子 |
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