JPS5848981A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5848981A JPS5848981A JP14636381A JP14636381A JPS5848981A JP S5848981 A JPS5848981 A JP S5848981A JP 14636381 A JP14636381 A JP 14636381A JP 14636381 A JP14636381 A JP 14636381A JP S5848981 A JPS5848981 A JP S5848981A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、波長制御半導体レーデ素子を同一半導体基板
上に集積化した半導体レーデ装置の改良に関する。
上に集積化した半導体レーデ装置の改良に関する。
近時、光通信技術の発達に伴い波長多重通信技術の向上
が重要な課題となりている。波長多重通信技術で最も必
要とされるのは波長多重用光源である。波長多重用光源
としては、一般にスペクトル幅が狭く高速変調可能な半
導体レーデ装置が用いられている。しかし、通常の半導
体レーデ装置では周囲温度等による発振波長の変化が大
きいため、上記波長多重用光源としてはＤＩＩＲ（Ｄｉ
ｓｔｒ１ｂｕｔ＠ｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ
）レーデ、ＤＦＢ （ＤＬａｔｒｔｂｕｔ＠ｄ Ｆ＠
＊ｄｋ＋ａｃｋ ）レーデ、およびＧＣ（Ｇｒａｔｉｎ
ｇ Ｃｏｕｐｌｅｄ ）レーデ等に代表される波長制御
半導体レーデが必要とされている。そして、この波長制
御中導体レーデの集積化が重要な開発課題の１つとなっ
ている。
が重要な課題となりている。波長多重通信技術で最も必
要とされるのは波長多重用光源である。波長多重用光源
としては、一般にスペクトル幅が狭く高速変調可能な半
導体レーデ装置が用いられている。しかし、通常の半導
体レーデ装置では周囲温度等による発振波長の変化が大
きいため、上記波長多重用光源としてはＤＩＩＲ（Ｄｉ
ｓｔｒ１ｂｕｔ＠ｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ
）レーデ、ＤＦＢ （ＤＬａｔｒｔｂｕｔ＠ｄ Ｆ＠
＊ｄｋ＋ａｃｋ ）レーデ、およびＧＣ（Ｇｒａｔｉｎ
ｇ Ｃｏｕｐｌｅｄ ）レーデ等に代表される波長制御
半導体レーデが必要とされている。そして、この波長制
御中導体レーデの集積化が重要な開発課題の１つとなっ
ている。
従来、波長制御中導体レーデの集積化くは、同一の基板
上Ｋ ＤＢＲ、ＤＦＢ 、 Ｇ Ｃレーデ等を複数個設
けると共に、それぞれの発振波長に合わせた周期の回折
格子を設けるようＫしている。しかしながら、この種の
手法では後述するように回折格子の多重露光技術や繰シ
返し工、テングが必要となシ、技術的にも難しく、高密
度の集ＩＩ化はほとんど不可能であった。
上Ｋ ＤＢＲ、ＤＦＢ 、 Ｇ Ｃレーデ等を複数個設
けると共に、それぞれの発振波長に合わせた周期の回折
格子を設けるようＫしている。しかしながら、この種の
手法では後述するように回折格子の多重露光技術や繰シ
返し工、テングが必要となシ、技術的にも難しく、高密
度の集ＩＩ化はほとんど不可能であった。
第１図は波長制御半導体レーデ素子を同−基牽上に集積
化した従来の半導体レーデ装置を示す概略構成図であシ
、第２図は第１図の矢視ムーＡ断面図である。半導体基
板１上に導波路層２ ａ ｒ ２ ｂ ＋ ２ ｅおよ
び活性層Ｊ ａ 、３ ｂ ＊ ３８を積層してなる第
１乃至第３Ｃ）ＤＦＲレーデ素子４．５．ＩＩがそれぞ
れ平行配置されている。これらのレーデ素子４，５．６
の各導波路層２息。
化した従来の半導体レーデ装置を示す概略構成図であシ
、第２図は第１図の矢視ムーＡ断面図である。半導体基
板１上に導波路層２ ａ ｒ ２ ｂ ＋ ２ ｅおよ
び活性層Ｊ ａ 、３ ｂ ＊ ３８を積層してなる第
１乃至第３Ｃ）ＤＦＲレーデ素子４．５．ＩＩがそれぞ
れ平行配置されている。これらのレーデ素子４，５．６
の各導波路層２息。
Ｗｂ、ｊｅＫはツラッグ反射波長λ１ 、λＳ 。
λ３（λ１くλ露くλＳ）によって決定される周期の回
折格子７ｍ、７ｂ、ｒｅがそれぞれ形成されている。ま
た、レーデ素子４，５．ｊの各右側端には反射鏡Ｊａ、
＆ｂ、Ｊｉｇがそれぞれ設けられている。さらにル−プ
素子４ 、５ 、６（Ｄ左方に、は合波ａＪＰが設けら
れている。そして、レーデ素子４，５．６からの各レー
デ光は合波ｖａ９により合成され図中左方向に出方され
るものとなっている。
折格子７ｍ、７ｂ、ｒｅがそれぞれ形成されている。ま
た、レーデ素子４，５．ｊの各右側端には反射鏡Ｊａ、
＆ｂ、Ｊｉｇがそれぞれ設けられている。さらにル−プ
素子４ 、５ 、６（Ｄ左方に、は合波ａＪＰが設けら
れている。そして、レーデ素子４，５．６からの各レー
デ光は合波ｖａ９により合成され図中左方向に出方され
るものとなっている。
このように従来の半導体レーデ装置では異なる波長のレ
ーデ光を得るため、回折格子７龜。
ーデ光を得るため、回折格子７龜。
ｙｂｅ７ｅｏ各周期を異次周期のとしている。
したがって、回折格子ｒ ａ ＊ ｒ ｂ 、７ ｅを
形成する際に１微細パターン露光或いは２光束干渉露光
が３回必要となる。さらに１素子Δターン形成のための
露光も必要であり、少なくとも４回の多重露光が必要で
ある。このため、装置製造が極めて難しく、シかも製造
歩留夛が悪いと云う問題があった。
形成する際に１微細パターン露光或いは２光束干渉露光
が３回必要となる。さらに１素子Δターン形成のための
露光も必要であり、少なくとも４回の多重露光が必要で
ある。このため、装置製造が極めて難しく、シかも製造
歩留夛が悪いと云う問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、異なる発光波長を有する複数の波長制
御中導体レーデ素子を同一基板上に集積化するに際し、
各レーデ素子の回折格子を形成するための露光を１回で
済ませることができ、装置製造の容易化および製造歩留
）の向上をはかり得る実用性に優れた早導体し−５装置
を提供することにある。
とするところは、異なる発光波長を有する複数の波長制
御中導体レーデ素子を同一基板上に集積化するに際し、
各レーデ素子の回折格子を形成するための露光を１回で
済ませることができ、装置製造の容易化および製造歩留
）の向上をはかり得る実用性に優れた早導体し−５装置
を提供することにある。
まず、本発明の詳細な説明する。発光波長の真なる複数
の波長制御半導体レーデ素子の各回折格子を１回の露光
で形成するためには、各回折格子の格子方向および周期
が同じでなければならない。しかし、上記格子方向およ
び周期が同じであると前記６第１図に示した構成〜では
各レーデ素子の発光波長が等しいものとなる。これは、
各レーデ素子のダイン領域（ゲイン方向）が回折格子の
格子方向とそれぞれ直交するため１ある。そとで本発明
者等は鋼量研究を重ねたが果、波長制御半導体レーデ素
子のダイン領域と回折格子の格子方向との交差角を直角
からすらすことによシ、回折格子の周期が等測的に長く
なることを見出した。すなわち、同じ周期の回折格子を
用いても、上記交差角を変えることによって発光波長を
変え得ることを見出した。
の波長制御半導体レーデ素子の各回折格子を１回の露光
で形成するためには、各回折格子の格子方向および周期
が同じでなければならない。しかし、上記格子方向およ
び周期が同じであると前記６第１図に示した構成〜では
各レーデ素子の発光波長が等しいものとなる。これは、
各レーデ素子のダイン領域（ゲイン方向）が回折格子の
格子方向とそれぞれ直交するため１ある。そとで本発明
者等は鋼量研究を重ねたが果、波長制御半導体レーデ素
子のダイン領域と回折格子の格子方向との交差角を直角
からすらすことによシ、回折格子の周期が等測的に長く
なることを見出した。すなわち、同じ周期の回折格子を
用いても、上記交差角を変えることによって発光波長を
変え得ることを見出した。
本発明はこのような点に着目し、複数の波長瞭御半導体
レーデ素子の各ダイン領域にある回折格子の格子方向お
よび周期をそれぞれ同一のものとし、さらに上記各ダイ
ン領域と回折格子の格子方向に直交する方向との交差角
をそれぞれ異なる角度に設定するようＫしたものである
。
レーデ素子の各ダイン領域にある回折格子の格子方向お
よび周期をそれぞれ同一のものとし、さらに上記各ダイ
ン領域と回折格子の格子方向に直交する方向との交差角
をそれぞれ異なる角度に設定するようＫしたものである
。
したがって本発明によれば、異なる発光波長を有する複
数の波長制御半導体レーデ素子を同−期板上に集積化す
るに際し、各レーデ素子のダイン領域にある回折格子を
１回の露光で形成するごとができる。このため、装置製
造が容易となシ、さらに製造歩留）の大幅な向上をはか
（ｐ得る等の効果を奏する。
数の波長制御半導体レーデ素子を同−期板上に集積化す
るに際し、各レーデ素子のダイン領域にある回折格子を
１回の露光で形成するごとができる。このため、装置製
造が容易となシ、さらに製造歩留）の大幅な向上をはか
（ｐ得る等の効果を奏する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって・説明する
。
。
第３図は本発明の一実施例を示す概略構成図でらる。な
お、第１図と同一部分には同一符号を付して、その詳し
い説明は省略する。この実施例が第１図に示した従来装
置と異なる点は、陣ｌ乃至第３の波長制御半導体レーデ
素子１１゜１２．１：１の各回折格子２０畠＋２０ｂｅ
２０＠の格子方向および周期をそれぞれ同一のものとし
、さらに各レーデ素子１１．１２．１８のゲイン方向を
変化させたことである。すなわち、第１のレーデ素子１
１はそのゲイン方向を回折格子２０ａの格子方向と直交
する方向に沿りて設けられている。また、第２のレーデ
素子１２方向に直交する方向との交差角が＃ ｓ （ａ
ｍ＞ａｘ＞になるよう設けられている。
お、第１図と同一部分には同一符号を付して、その詳し
い説明は省略する。この実施例が第１図に示した従来装
置と異なる点は、陣ｌ乃至第３の波長制御半導体レーデ
素子１１゜１２．１：１の各回折格子２０畠＋２０ｂｅ
２０＠の格子方向および周期をそれぞれ同一のものとし
、さらに各レーデ素子１１．１２．１８のゲイン方向を
変化させたことである。すなわち、第１のレーデ素子１
１はそのゲイン方向を回折格子２０ａの格子方向と直交
する方向に沿りて設けられている。また、第２のレーデ
素子１２方向に直交する方向との交差角が＃ ｓ （ａ
ｍ＞ａｘ＞になるよう設けられている。
ここで、ゲイン方向と格子方向に直交する方向との交差
角をθとすると、得られる反射波長λθは次式で表わさ
れる。
角をθとすると、得られる反射波長λθは次式で表わさ
れる。
ただし、λ。は＃二〇におけるシラ、グ反射波長である
。このように交差角θを変えることによって、反射波長
λ、が変わる。すなわち、同一方向で同一周期の回折格
子を用いても、上記交差角−を適当に変えることによっ
てレーデ素子１１．１２．１３の各発光波長が異なるこ
とになる。。
。このように交差角θを変えることによって、反射波長
λ、が変わる。すなわち、同一方向で同一周期の回折格
子を用いても、上記交差角−を適当に変えることによっ
てレーデ素子１１．１２．１３の各発光波長が異なるこ
とになる。。
とζろで、前記交差角０を定める上で重要となるのは自
然発光波長とのずれによるゲインの減少を考慮しなけれ
ばならないことである。ｒ（ン貴が−３（ｄＢ）以下に
唸ると発振が困難になるので、交差角−を３０度以下に
抑える必要がある。これは、交差角−が３０度になると
波長が約１．１５倍となシ、２重へテロ構造における自
然発光ダインの約ＩＡとなるためである。
然発光波長とのずれによるゲインの減少を考慮しなけれ
ばならないことである。ｒ（ン貴が−３（ｄＢ）以下に
唸ると発振が困難になるので、交差角−を３０度以下に
抑える必要がある。これは、交差角−が３０度になると
波長が約１．１５倍となシ、２重へテロ構造における自
然発光ダインの約ＩＡとなるためである。
上記したように回折格子は前記交差角０が大きくなる程
回折効率が低下する。また、これに合わせて自然発光ス
イクトルのゲイン量に差があるため、前記レーデ素子１
１．１２．１３を集積化した場合、各発光出力にばらつ
きが生じ易い。そこで、本実施例では交差角度０が最大
となる波長に自然発光ス（クトルの最大点を合わせてい
る。すなわち、自然発光ス（クトルは第４図（、）に実
線で示す如く、例えば波長１．３（Ｊｍ）で最大となシ
、シきい値電流（図中１点鎖線で示す）はこの点で最小
となりている。また、しきい値電流は第４図（ｂ）に示
す如く交差角ｅ−６のときの波長λ。で最小で、交差角
θが大きくなり波長λが大きくなる程大きくなっている
。したがって、前記第３のレーデ素子１３の発光波長を
上記波長１．３〔μｍ〕に合わせるようにしている。こ
れによって、レーデ効率が平均化されることになる。
回折効率が低下する。また、これに合わせて自然発光ス
イクトルのゲイン量に差があるため、前記レーデ素子１
１．１２．１３を集積化した場合、各発光出力にばらつ
きが生じ易い。そこで、本実施例では交差角度０が最大
となる波長に自然発光ス（クトルの最大点を合わせてい
る。すなわち、自然発光ス（クトルは第４図（、）に実
線で示す如く、例えば波長１．３（Ｊｍ）で最大となシ
、シきい値電流（図中１点鎖線で示す）はこの点で最小
となりている。また、しきい値電流は第４図（ｂ）に示
す如く交差角ｅ−６のときの波長λ。で最小で、交差角
θが大きくなり波長λが大きくなる程大きくなっている
。したがって、前記第３のレーデ素子１３の発光波長を
上記波長１．３〔μｍ〕に合わせるようにしている。こ
れによって、レーデ効率が平均化されることになる。
つまり、ゲイン方向と回折格子の格子方向に直交する方
向との最大交差角度ａｗの波長を自然発光ス（クトルの
最大波長λ、とするように［Ｆ］関係とし、θ＝０の点
（λ。）を自然発光ゲインの最小としている。
向との最大交差角度ａｗの波長を自然発光ス（クトルの
最大波長λ、とするように［Ｆ］関係とし、θ＝０の点
（λ。）を自然発光ゲインの最小としている。
このように本装置では、第１乃至第３の波長制御半導体
レーデ素子１１，１２．１！ｊの各ダイン領域にある回
折格子２０．＊、２０ｂ＊２０ｅの格子方向および周期
をそれぞれ同一のものとし、各ゲイン領域と格子方向に
直交する方向との交差角０をそれぞれ異なる角度に設定
し、さを用いるにも拘わらず異々る波長のレーデ光を得
ることができる。したがって、回折格子２−Ｏａ＋２＃
ｂ、２（Ｆｅを形成するための２光束干渉露光を１回行
うのみでよいことになシ、これにより製造の容品化およ
び製造歩留りの大幅麦向上をはかり得る等の効果を奏す
る。また、レーデ出力を一合波ａｇにより結合させるよ
うにしているので、レーデ出力端を同一の導波路中に結
合することができ、光ファイλへの結合が容易になる等
の利点がある。さらに、前記交差角０が最大となるｔｓ
３のレーデ素子１３０発光波長を自然発光ス（クトルの
最大波長に合わせているので、各レーデ素子１１．１２
．１３の効率を平均化し得る等の利点もある。
レーデ素子１１，１２．１！ｊの各ダイン領域にある回
折格子２０．＊、２０ｂ＊２０ｅの格子方向および周期
をそれぞれ同一のものとし、各ゲイン領域と格子方向に
直交する方向との交差角０をそれぞれ異なる角度に設定
し、さを用いるにも拘わらず異々る波長のレーデ光を得
ることができる。したがって、回折格子２−Ｏａ＋２＃
ｂ、２（Ｆｅを形成するための２光束干渉露光を１回行
うのみでよいことになシ、これにより製造の容品化およ
び製造歩留りの大幅麦向上をはかり得る等の効果を奏す
る。また、レーデ出力を一合波ａｇにより結合させるよ
うにしているので、レーデ出力端を同一の導波路中に結
合することができ、光ファイλへの結合が容易になる等
の利点がある。さらに、前記交差角０が最大となるｔｓ
３のレーデ素子１３０発光波長を自然発光ス（クトルの
最大波長に合わせているので、各レーデ素子１１．１２
．１３の効率を平均化し得る等の利点もある。
なお、木登ｅＡは上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記波長制御半導体レー・デ素子はＤＦ
Ｂレーデに限らず、ＤＢＲレーデやＧＣレーデ等であっ
てもよい。また、集積化するレーデ素子の数は３個に限
るものではなく、適宜変更できる。さらに、各レーデ素
子と前記回折格子の格子方向に直交する方向との交差角
θは、仕様に応じて適宜定めればよい。また、回折格子
の周期も仕様に応じて適宜定めればよ第１図はＤＦＢレ
ーザを集積化し九従来の半導体レーデ装置を示す概略構
成図、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は木
登・明の一実施例を示す概略構成図、第４図（ａ）（ｂ
’）は上記実施例の作用を説明するための図である。
ない。例えば、前記波長制御半導体レー・デ素子はＤＦ
Ｂレーデに限らず、ＤＢＲレーデやＧＣレーデ等であっ
てもよい。また、集積化するレーデ素子の数は３個に限
るものではなく、適宜変更できる。さらに、各レーデ素
子と前記回折格子の格子方向に直交する方向との交差角
θは、仕様に応じて適宜定めればよい。また、回折格子
の周期も仕様に応じて適宜定めればよ第１図はＤＦＢレ
ーザを集積化し九従来の半導体レーデ装置を示す概略構
成図、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は木
登・明の一実施例を示す概略構成図、第４図（ａ）（ｂ
’）は上記実施例の作用を説明するための図である。
１・・・半導体基板、２ｇ、２ｋｉ、２ｃ・・・導波路
戸、３ ＆ ｅ ３ ｂ ＊ ３ ｃ・・・活性層、８
ａ、８ｂ。
戸、３ ＆ ｅ ３ ｂ ＊ ３ ｃ・・・活性層、８
ａ、８ｂ。
Claims (3)
- （１） 導波路に所定周期の回折格子を備えた発光波
長の異なる複数の波長制御レーデ素子を同一半導体基板
上に配設してなる半導体レーデ装置において、上記各レ
ーデ素子のゲイン領域にある回折格子の格子方向をそれ
ぞれ同一方向にすると共に、上記各ゲイン領域にある回
折格子の周期をそれぞれ同一周期とし、かつ上記各ゲイ
ン領域と上記回折格子の格子方向に直交する方向との交
差角をそれぞれ異なる角度に設定してなることを特徴と
する半導体レーデ装置。 - （２） 前記各ゲイン領域と前記回折格子の格子方向
に直交する方向との交差角を、０〜３０度の範囲にそれ
ぞれ設定してなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体レーデ装置。 - （３） 前記各レーデ素子の自然放出光の最大波長を
λ 前記各ゲイン領域と前記格子方向に直ｐ） 交する方向との最大交差角度をｔｍａｘとしたとき、る
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーデ装置Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636381A JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636381A JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848981A true JPS5848981A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS622478B2 JPS622478B2 (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15406020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14636381A Granted JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848981A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293683A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 波長可変半導体レーザ |
| US4971415A (en) * | 1984-11-16 | 1990-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Multibeam emitting device |
| EP0641053A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-01 | AT&T Corp. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| EP0704946A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-04-03 | Deutsche Telekom AG | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen Bauelement |
| EP0732785A1 (en) * | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| EP1391756A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Wavelength-selective distributed Bragg reflector device |
| WO2022235390A1 (en) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wide bandwidth laser chip |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6991466B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-01-12 | マツダ株式会社 | 車両制御システム及び方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14636381A patent/JPS5848981A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971415A (en) * | 1984-11-16 | 1990-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Multibeam emitting device |
| JPH01293683A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 波長可変半導体レーザ |
| EP0641053A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-01 | AT&T Corp. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| US5606573A (en) * | 1993-08-30 | 1997-02-25 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| EP0704946A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-04-03 | Deutsche Telekom AG | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen Bauelement |
| EP0732785A1 (en) * | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| EP1391756A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Wavelength-selective distributed Bragg reflector device |
| WO2022235390A1 (en) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wide bandwidth laser chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622478B2 (ja) | 1987-01-20 |
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