JPH0817262B2 - 単一波長発振半導体レーザ装置 - Google Patents
単一波長発振半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0817262B2 JPH0817262B2 JP1213553A JP21355389A JPH0817262B2 JP H0817262 B2 JPH0817262 B2 JP H0817262B2 JP 1213553 A JP1213553 A JP 1213553A JP 21355389 A JP21355389 A JP 21355389A JP H0817262 B2 JPH0817262 B2 JP H0817262B2
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- semiconductor laser
- laser device
- wavelength oscillation
- single wavelength
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は単一波長で発振する半導体レーザ装置に関
するものである。
するものである。
第２図は例えば技術雑誌光学の第15巻第２号115〜121
頁に示された従来の単一波長発振半導体レーザ装置の断
面図で、図において、（１）はｎ型InP基板、（２）は
中央部に位相シフト領域を持つ回折格子、（３）はInGa
AsPガイド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）はＰ型In
P、（７）は電極金属、（８）は無反射コーテイング膜
である。
頁に示された従来の単一波長発振半導体レーザ装置の断
面図で、図において、（１）はｎ型InP基板、（２）は
中央部に位相シフト領域を持つ回折格子、（３）はInGa
AsPガイド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）はＰ型In
P、（７）は電極金属、（８）は無反射コーテイング膜
である。
次に動作について説明する。半導体レーザ装置におい
ては、ｎ型InP（１）中の電子およびＰ型InP（５）中の
ホールは共にInGaAsP活性層（４）に注入され発光再結
合を起こす。活性領域に位相シフト領域を有する回折格
子（２）を持つ分布帰還型（DFB）レーザ装置では、発
光再結合により生じた光は回折格子（２）により反射さ
れ、素子内を往復することによりレーザ発振に至る。
ては、ｎ型InP（１）中の電子およびＰ型InP（５）中の
ホールは共にInGaAsP活性層（４）に注入され発光再結
合を起こす。活性領域に位相シフト領域を有する回折格
子（２）を持つ分布帰還型（DFB）レーザ装置では、発
光再結合により生じた光は回折格子（２）により反射さ
れ、素子内を往復することによりレーザ発振に至る。
回折格子（２）は波長λ＝２neffΛ/n（neffは等価屈
折率、Λは回折格子（２）のピツチ間隔、ｎは整数）で
表わされる光を効率的に反射することから、発振波長は
λ＝２neffΛ/nで表わされる波長のうち、活性領域での
利得が最も大きい波長となる。発振波長λがｎ＝１で表
わされる場合、回折格子を１次の回折格子と呼び、ｎ＝
２の場合は２次の回折格子と呼ぶ。
折率、Λは回折格子（２）のピツチ間隔、ｎは整数）で
表わされる光を効率的に反射することから、発振波長は
λ＝２neffΛ/nで表わされる波長のうち、活性領域での
利得が最も大きい波長となる。発振波長λがｎ＝１で表
わされる場合、回折格子を１次の回折格子と呼び、ｎ＝
２の場合は２次の回折格子と呼ぶ。
第２図に示された構造の単一波長発振半導体レーザ装
置では、光は活性領域内の回折格子（２）のみにより反
射され、素子内部に閉じ込められるため素子中央部にお
ける光の密度が高くなり、ホールバーニング等の影響で
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低下するという問題がある。
置では、光は活性領域内の回折格子（２）のみにより反
射され、素子内部に閉じ込められるため素子中央部にお
ける光の密度が高くなり、ホールバーニング等の影響で
光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発振の
安定性が低下するという問題がある。
従来の単一波長発振半導体レーザ装置は以上のように
構成されていたので、素子中央部の光の密度が高くな
り、光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発
振の安定性が低いという問題点があつた。
構成されていたので、素子中央部の光の密度が高くな
り、光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発
振の安定性が低いという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、光出力の注入電流に対する直線性および単
一波長発振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ
装置を得ることを目的とする。
れたもので、光出力の注入電流に対する直線性および単
一波長発振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ
装置を得ることを目的とする。
この発明に係る単一波長発振半導体レーザ装置は、素
子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高
次のものにしたものである。
子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高
次のものにしたものである。
この発明における単一波長発振半導体レーザ装置は、
素子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より
高次のものにしたので、優れた光出力の注入電流に対す
る直線性および単一波長発振の安定性が得られる。
素子中央部の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より
高次のものにしたので、優れた光出力の注入電流に対す
る直線性および単一波長発振の安定性が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の一実施例である単一波長発振半導体レ
ーザ装置の断面図で、図中、（１）はｎ型InP、（３）
はInGaAsPガイド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）は
Ｐ型InP、（９）は共振器端面近傍に設けられた１次の
回析格子、（10）は素子中央部に設けられ中央部に位相
シフト領域を持つ２次の回折格子である。
１図はこの発明の一実施例である単一波長発振半導体レ
ーザ装置の断面図で、図中、（１）はｎ型InP、（３）
はInGaAsPガイド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）は
Ｐ型InP、（９）は共振器端面近傍に設けられた１次の
回析格子、（10）は素子中央部に設けられ中央部に位相
シフト領域を持つ２次の回折格子である。
次に動作について説明する。回折格子による光の反射
は低次の回折格子の方が効率よく行なわれる。従つて、
第１図に示したように素子中央部の回折格子（10）を共
振器端面近傍の回折格子（９）より高次のものにするこ
とにより、素子中央部での光の反射強度を共振器端面近
傍では光の反射強度より小さくすることができる。その
結果、活性層（４）で発生した光が素子中央部の回折格
子（10）により、素子中央部のみに閉じ込められること
なく大部分の光は共振器端面近傍まで進行し、そこでの
回折格子により反射される。
は低次の回折格子の方が効率よく行なわれる。従つて、
第１図に示したように素子中央部の回折格子（10）を共
振器端面近傍の回折格子（９）より高次のものにするこ
とにより、素子中央部での光の反射強度を共振器端面近
傍では光の反射強度より小さくすることができる。その
結果、活性層（４）で発生した光が素子中央部の回折格
子（10）により、素子中央部のみに閉じ込められること
なく大部分の光は共振器端面近傍まで進行し、そこでの
回折格子により反射される。
従つて、光の密度が素子中央部でのみ高くなることは
なく、素子全体にわたり均一な光の密度となり、ホール
バーニングが生じにくくなり、光出力の注入電流に対す
る直線性および単一波長発振の安定性に優れた単一波長
発振半導体レーザ装置が得られる。
なく、素子全体にわたり均一な光の密度となり、ホール
バーニングが生じにくくなり、光出力の注入電流に対す
る直線性および単一波長発振の安定性に優れた単一波長
発振半導体レーザ装置が得られる。
以上のようにこの発明によれば、素子中央部の回折格
子を共振器端面近傍の回折格子より高次のものにしたの
で、光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発
振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装置が得
られる効果がある。
子を共振器端面近傍の回折格子より高次のものにしたの
で、光出力の注入電流に対する直線性および単一波長発
振の安定性に優れた単一波長発振半導体レーザ装置が得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による単一波長発振半導体
レーザ装置を示す断面側面図、第２図は従来の単一波長
発振半導体レーザ装置を示す断面側面図である。 図において、（１）はｎ型InP基板、（３）はInGaAsPガ
イド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）はＰ型InP、
（６）は共振器端面、（７）は電極金属、（８）は無反
射コーテイング膜、（９）は共振器端面近傍に設けられ
た１次の回折格子、（10）は素子中央部に設けられた２
次の回折格子である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
レーザ装置を示す断面側面図、第２図は従来の単一波長
発振半導体レーザ装置を示す断面側面図である。 図において、（１）はｎ型InP基板、（３）はInGaAsPガ
イド層、（４）はInGaAsP活性層、（５）はＰ型InP、
（６）は共振器端面、（７）は電極金属、（８）は無反
射コーテイング膜、（９）は共振器端面近傍に設けられ
た１次の回折格子、（10）は素子中央部に設けられた２
次の回折格子である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】中央に位相シフト領域を持つ回折格子を活
性領域に有する半導体レーザ装置において、素子中央部
の回折格子を共振器端面近傍の回折格子より高次のもの
としたことを特徴とする単一波長発振半導体レーザ装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213553A JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
| CA002023510A CA2023510C (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Single wavelength oscillating semiconductor laser device and method for manufacturing diffraction grating |
| US07/568,889 US5238785A (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating for a semiconductor laser |
| EP90115836A EP0413365B1 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating |
| DE69018336T DE69018336T2 (de) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters. |
| US08/058,371 US5386433A (en) | 1989-08-18 | 1993-05-10 | Semiconductor laser including periodic structures with different periods for producing a single wavelength of light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213553A JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376291A JPH0376291A (ja) | 1991-04-02 |
| JPH0817262B2 true JPH0817262B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=16641112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213553A Expired - Lifetime JPH0817262B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817262B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3180725B2 (ja) | 1997-08-05 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ |
| JP4884081B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-02-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ |
| US10326257B2 (en) | 2014-04-25 | 2019-06-18 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Semiconductor laser device and manufacturing method of the same |
| JP6657537B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2020-03-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
| EP3317931B1 (de) * | 2015-06-30 | 2025-08-27 | Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik | Laserdiode mit verteilter rückkopplung und verfahren zur herstellung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61214589A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2768940B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213553A patent/JPH0817262B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376291A (ja) | 1991-04-02 |
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| KR100264775B1 (ko) | 반도체 레이저 |
Legal Events
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