JPS584937A - 半導体チツプの検査装置 - Google Patents
半導体チツプの検査装置Info
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- JPS584937A JPS584937A JP56102908A JP10290881A JPS584937A JP S584937 A JPS584937 A JP S584937A JP 56102908 A JP56102908 A JP 56102908A JP 10290881 A JP10290881 A JP 10290881A JP S584937 A JPS584937 A JP S584937A
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体チップの検査装置に係）峙に半導体チッ
プにワイヤボンデングされえワイヤ断線やワイヤ圧着位
置づれを検出するための牛導体チップの検査装置に関す
る。
プにワイヤボンデングされえワイヤ断線やワイヤ圧着位
置づれを検出するための牛導体チップの検査装置に関す
る。
従来、半導体チップにワイヤボンデングを行ったワイヤ
の結線状態の検査は人手による目視検査によっていたた
めに多くの人手と時間を必要とし、完全にすべての断線
個所を見出すこともすこぶる困難である欠点を有して−
え・本発明は上述の如き従来の欠点を除去しえ半導体チ
ップの検査装置を提供するものでその目的とするところ
は半導体チップにワイヤボンデングを行つ九９イヤの＃
線状態を読みとるためにワイヤ圧着部の周囲を走査する
特定の走査線を設定し、ワイヤ断線の中でも発生頻度の
高ｉネツタ部分のワイヤ断線やワイヤ圧着位置づれを検
出し得る半導体チップの検査装置を得ようとするもので
ある。
の結線状態の検査は人手による目視検査によっていたた
めに多くの人手と時間を必要とし、完全にすべての断線
個所を見出すこともすこぶる困難である欠点を有して−
え・本発明は上述の如き従来の欠点を除去しえ半導体チ
ップの検査装置を提供するものでその目的とするところ
は半導体チップにワイヤボンデングを行つ九９イヤの＃
線状態を読みとるためにワイヤ圧着部の周囲を走査する
特定の走査線を設定し、ワイヤ断線の中でも発生頻度の
高ｉネツタ部分のワイヤ断線やワイヤ圧着位置づれを検
出し得る半導体チップの検査装置を得ようとするもので
ある。
以下１本発明の１実施例を＃Ｅ１図乃至第９１１につ−
て詳記する・ 第１ＩＩは本発明の半導体チップの検査装置の系統間を
示すものであ）１は載置台で鋏装置台上に半導体チップ
２ｖｔ有し、該半導体チップの周辺には第２図に示す如
く１００μ口１１度の複数のパッド３を有し、該パッド
と同じく４００〜５００μ口程度の２次パッド４聞１ｃ
３０ｊφ程度の全線のワイヤ５を１熱融着５鳳５ｂする
。
て詳記する・ 第１ＩＩは本発明の半導体チップの検査装置の系統間を
示すものであ）１は載置台で鋏装置台上に半導体チップ
２ｖｔ有し、該半導体チップの周辺には第２図に示す如
く１００μ口１１度の複数のパッド３を有し、該パッド
と同じく４００〜５００μ口程度の２次パッド４聞１ｃ
３０ｊφ程度の全線のワイヤ５を１熱融着５鳳５ｂする
。
圧着部５麿はｓｏｍＩＩｍ度の大きさで通常は圧着部分
Ｓ−のネック部分の断線が電も多−〇本発明ではこの部
分の新替状態を検出する九めに撮像装置７のレンズ系６
を通して餉ＪＩＩＳ鳳闘略９と制御回・路１０に撮像装
置７の駆動回路ｓｔ通じて映像出力が与えられる。前処
理回路９では撮倫俟置フで撮會された半導体チップ２の
普ｗｗ＆物えるパッド３近傍を２値化処理し２値化映俸
メモリＩＩＫ記憶する。
Ｓ−のネック部分の断線が電も多−〇本発明ではこの部
分の新替状態を検出する九めに撮像装置７のレンズ系６
を通して餉ＪＩＩＳ鳳闘略９と制御回・路１０に撮像装
置７の駆動回路ｓｔ通じて映像出力が与えられる。前処
理回路９では撮倫俟置フで撮會された半導体チップ２の
普ｗｗ＆物えるパッド３近傍を２値化処理し２値化映俸
メモリＩＩＫ記憶する。
この２値化映像メ４”ｊ＃ｉ例えば、第Ｒ＠の如く構成
され、半導体チップ！のパット３近傍がメモリされて−
る。尚、同図で１２は後述する走査線部分のメモリー状
態を示している。
され、半導体チップ！のパット３近傍がメモリされて−
る。尚、同図で１２は後述する走査線部分のメモリー状
態を示している。
２値化映像メモ９１１よ〉の出力は走査線設定回路１３
に、加えられる・諌走査曽設定回路１３は制御回路１０
とパッド中心位置又は圧着部中心位置等のアドレス１４
よりの信号が与えられて半導体パッド３の圧着１１１５
ｍ近傍管走査する走査！１１２１設定する。１１１２図
で１２はこの走査−を示す。走査線を設定する基準点と
してはパッド３勢の中心点を求めて、該中心点を基準に
走査する。この場合、パッド３の中心点を求める工１１
はワイヤボンデング前にパッドの位置決めを行って−る
のでパッドの中心位置にパッド中心位置アドレスに記憶
されてｉる・走査線１２の設定方法としてはパッド中心
位置アドレス１４よ−のアドレス（ａ、ｂ）から所定距
離２離れた喬直方向の走査＠１２ｍ、１２ｂと水平方向
の走査線１２６．１２ｄを設定する。走査線は始点１２
会より走査を開始し終点１２１で終了し、走査線１２ａ
、１２ｂは（ａ −” ｓｂ）、（ａ＋・、−）点を通
勤走査線１２ｃ。
に、加えられる・諌走査曽設定回路１３は制御回路１０
とパッド中心位置又は圧着部中心位置等のアドレス１４
よりの信号が与えられて半導体パッド３の圧着１１１５
ｍ近傍管走査する走査！１１２１設定する。１１１２図
で１２はこの走査−を示す。走査線を設定する基準点と
してはパッド３勢の中心点を求めて、該中心点を基準に
走査する。この場合、パッド３の中心点を求める工１１
はワイヤボンデング前にパッドの位置決めを行って−る
のでパッドの中心位置にパッド中心位置アドレスに記憶
されてｉる・走査線１２の設定方法としてはパッド中心
位置アドレス１４よ−のアドレス（ａ、ｂ）から所定距
離２離れた喬直方向の走査＠１２ｍ、１２ｂと水平方向
の走査線１２６．１２ｄを設定する。走査線は始点１２
会より走査を開始し終点１２１で終了し、走査線１２ａ
、１２ｂは（ａ −” ｓｂ）、（ａ＋・、−）点を通
勤走査線１２ｃ。
１２ｓ１は（ａ 、ｂ ＋ ’ ） −（ａ ａ ｂ
＋ ｓ ）点を通るように設定される・走査線設定回路
１３よ勢の出力は１次段のワイヤ断線検出回路１５によ
って２値化映倫メモリーにより記憶された２値化メモリ
第３図を上記走査線設定回路！３で設定した走査線１２
で走査する。この走査線１２で走査し九領域の内容を読
み出すと第３図のメモリ図の如くワイヤのある部分Ｆｉ
２値化信号″１．。
＋ ｓ ）点を通るように設定される・走査線設定回路
１３よ勢の出力は１次段のワイヤ断線検出回路１５によ
って２値化映倫メモリーにより記憶された２値化メモリ
第３図を上記走査線設定回路！３で設定した走査線１２
で走査する。この走査線１２で走査し九領域の内容を読
み出すと第３図のメモリ図の如くワイヤのある部分Ｆｉ
２値化信号″１．。
となり、ワイヤのなｉ部分＃１２値化信号１０となる。
そこで第４図の走査線開始点１２ｅからの信号を第５図
に示すワイヤ断線検知回路１５のデータ入力端子１ｓｓ
ｅｃｌ［次加える。走査終点は１２ｆ点になる。データ
ー入力端子１５ｍに加えられたデータはｎビットのシフ
トレジスタ１５ｂを通してデータ出力端子１５ｃＫＪｉ
ｋ）出されると共に例えば８ビツトのプライオリティ・
エンコー〆ＩＳｄからは基準ビツシかも連続して現われ
る２値化信号“１４の数を比較回路１５６に与える。鋏
比較−路１５ｅＫはワイヤ（全６５）の太さに相轟する
ビット数を基準値とし良２値化信号が基１＊回路ＩＳｆ
よ勤与見られるために基準ビットから連続して現われる
２値化信号と基準値が比較されてワイヤ５の有無が検出
される。上記ワイヤ断曽検出回路１５よりの出力は出力
装置１６に与えて表示装置勢に表示するか、制御回路勢
を作動させるようにすればよい。
に示すワイヤ断線検知回路１５のデータ入力端子１ｓｓ
ｅｃｌ［次加える。走査終点は１２ｆ点になる。データ
ー入力端子１５ｍに加えられたデータはｎビットのシフ
トレジスタ１５ｂを通してデータ出力端子１５ｃＫＪｉ
ｋ）出されると共に例えば８ビツトのプライオリティ・
エンコー〆ＩＳｄからは基準ビツシかも連続して現われ
る２値化信号“１４の数を比較回路１５６に与える。鋏
比較−路１５ｅＫはワイヤ（全６５）の太さに相轟する
ビット数を基準値とし良２値化信号が基１＊回路ＩＳｆ
よ勤与見られるために基準ビットから連続して現われる
２値化信号と基準値が比較されてワイヤ５の有無が検出
される。上記ワイヤ断曽検出回路１５よりの出力は出力
装置１６に与えて表示装置勢に表示するか、制御回路勢
を作動させるようにすればよい。
上記実施例に於ては、パッド３の中心位置（ａｂ）を中
心に正方形状の走査線１２ｔ−設定したが、！［６図に
示すように走査線をパッド３を中心とする円形走査線と
すること、あるｉｒｊ多角形状の走査線１２旭選択して
もワイヤ５の断線を検出し得る。又第７図（Ａ）（Ｂ）
Ｋ示すようにワイヤ５のネック部分が確認されるべき方
向にのみ特定の走査線１２を設定すれば第７図（Ｂ）Ｋ
示す如く、変則的にパッド３に圧着部５畠が圧着される
場合ＫＦｉ走査線１２に沿って２値化信号１１．が読み
出されな−ため断線した半導体チップとして判断されて
変則的な圧着のなされた製品を除外することが出来る。
心に正方形状の走査線１２ｔ−設定したが、！［６図に
示すように走査線をパッド３を中心とする円形走査線と
すること、あるｉｒｊ多角形状の走査線１２旭選択して
もワイヤ５の断線を検出し得る。又第７図（Ａ）（Ｂ）
Ｋ示すようにワイヤ５のネック部分が確認されるべき方
向にのみ特定の走査線１２を設定すれば第７図（Ｂ）Ｋ
示す如く、変則的にパッド３に圧着部５畠が圧着される
場合ＫＦｉ走査線１２に沿って２値化信号１１．が読み
出されな−ため断線した半導体チップとして判断されて
変則的な圧着のなされた製品を除外することが出来る。
上記実施例ではパッド３の中心点（Ｊｌ、ｂ）を基単に
走査線１２を設定したが第８図に示すようにワイヤ５の
圧着状態を検出する工程でワイヤ圧着位置ずれ量を検知
するためにパッド３を中心に十字形の走査線１７を設定
し、この走査ｌ５ＫＪよって設定され九検知領域１８に
沿って走査線１２を走査させてもよ−。このようにする
とワイヤ圧着位置づれとワイヤの断線を同時に効率よく
検査することが出来る。
走査線１２を設定したが第８図に示すようにワイヤ５の
圧着状態を検出する工程でワイヤ圧着位置ずれ量を検知
するためにパッド３を中心に十字形の走査線１７を設定
し、この走査ｌ５ＫＪよって設定され九検知領域１８に
沿って走査線１２を走査させてもよ−。このようにする
とワイヤ圧着位置づれとワイヤの断線を同時に効率よく
検査することが出来る。
又第９図に示すように圧着位置ずれ量検知を行な−、ワ
イヤの断線を検知する走査線の設定を行なうための基準
点をパッド３の中心点（１７ｂ）の代）に圧着部５麿の
中心１９を基準として走査線２１を設定して４よ−。か
くすればパッド３の中心を基準として走査した走査線２
０に於ては圧着部５ａが、づれ良位置にあるために圧着
部５ｍのボールを横切る走査線部分２０ａで生ずるｚ値
化信号ｌを生ずることはなく。
イヤの断線を検知する走査線の設定を行なうための基準
点をパッド３の中心点（１７ｂ）の代）に圧着部５麿の
中心１９を基準として走査線２１を設定して４よ−。か
くすればパッド３の中心を基準として走査した走査線２
０に於ては圧着部５ａが、づれ良位置にあるために圧着
部５ｍのボールを横切る走査線部分２０ａで生ずるｚ値
化信号ｌを生ずることはなく。
ワイヤ５をよぎる走査１Ｉ２１部分のみで信号を発生さ
せることが出来る。
せることが出来る。
上記、第８図及び第９１１１の各実施例に於ては圧着部
の中心及び圧着位置ずれ領域を正方形状走査−で説明し
良が第６図に示すように円形又は多角形状の走査線を設
定し得る仁とは明らかである。
の中心及び圧着位置ずれ領域を正方形状走査−で説明し
良が第６図に示すように円形又は多角形状の走査線を設
定し得る仁とは明らかである。
ボンデング直後に生ずるワイヤの断線を目視検査によら
ず自動的に検知することが出来て信頼性の向上か検査工
程時間の短縮が可能となる特徴を有する。
ず自動的に検知することが出来て信頼性の向上か検査工
程時間の短縮が可能となる特徴を有する。
第１図は本発明の半導体チップ検査装置の系統図、第２
図は半導体チップのパッド部分の拡大平面図、第３図は
ワイヤ圧着部近傍の２値化メモリの説明図、１１４図は
本発明に用−る走査線の設定方法を示す線図、第５図は
ワイヤ断線検出回路、第６図は本発明の走査線設定方法
を示す他の説明用平面図、第７図（＆）（Ｂ）ｔ！本発
明の走査線設定方法を示す更に他の実施例で第７＠（ム
）は正常な場合、第７図（Ｂ）は変則的な場合を示すチ
ップ部分の平面図第８図はワイヤの圧着ずれ検知領域で
の走査線設定方法を示す本発明の詳細な説明図、１１９
図はワイヤ圧着部を中心に走査線を施す場合の本発明の
詳細な説明−である。
図は半導体チップのパッド部分の拡大平面図、第３図は
ワイヤ圧着部近傍の２値化メモリの説明図、１１４図は
本発明に用−る走査線の設定方法を示す線図、第５図は
ワイヤ断線検出回路、第６図は本発明の走査線設定方法
を示す他の説明用平面図、第７図（＆）（Ｂ）ｔ！本発
明の走査線設定方法を示す更に他の実施例で第７＠（ム
）は正常な場合、第７図（Ｂ）は変則的な場合を示すチ
ップ部分の平面図第８図はワイヤの圧着ずれ検知領域で
の走査線設定方法を示す本発明の詳細な説明図、１１９
図はワイヤ圧着部を中心に走査線を施す場合の本発明の
詳細な説明−である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体チップの映像を撮像して２値化鵡理ｌて該
２値化処理した出力を記憶する２値化映倫メモリとパッ
ド等の被ｌＩ−物の中心位置アドレスメ毫すと上記映像
メモリと中心位置アドレスメモリに基づ≠て上記被認識
物の周辺に４１定の走査線を設定するための走査線設定
回路と、咳走査線設定回路による走査線に基づ−て２値
化映像メモψを走査しワイヤの断線を検出するワイヤ断
線検出回路とよりなる半導体チップの検査装置 （２）被認識物の周辺に４１定の走査線ｔＱ定する時に
被認識物の中心点を中心に多角形状に走査ｍを設定して
なる特許請求の範囲第１項ｌｅａ！の半導体チップの検
査装置 （３）被認識物の周辺に＃定の走査−を設定する時に被
認識物の中心点を中心に円形走査線を設定してなる特許
請求の範囲第１項記載の半導体チップの検査装置 （４）被認識物がバットであ）骸パットの中心を中心点
に走査１１１ＩＹｔ設定してなる特許請求の範Ｓ第１項
記載の半導体チップの検査装置 （５）被認識物がワイヤ圧着部であり該ワイヤ圧着部の
中心を中心点として走査線を設定して麿る特許請求の範
囲第１項記載の半導体チップの検査装置 （＠）被認識物の周辺に走査Ｉｓを設定する時にワイヤ
の引出方向と確認されるべき方向にのみ特定の走査線を
設定してなる特許請求の範囲第１項記載の半導体チップ
の検査装置 （７）ワイヤの圧着部の位置づれ検知時の検査領域に沿
って走査１ａの設定をしてなる特許請求の範！２１第１
項記載の半導体チップの検査装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102908A JPS584937A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体チツプの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102908A JPS584937A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体チツプの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584937A true JPS584937A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14339952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102908A Pending JPS584937A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体チツプの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584937A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432268B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-08-13 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Increased hydrophobic stability of a softening compound |
| KR20020088269A (ko) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | 삼성전자 주식회사 | 리젝트 유니트를 스킵하는 볼 그리드 어레이 패키지용와이어 본딩 방법 |
| JP2008032255A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Taisei Corp | 床吹出空調システム |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56102908A patent/JPS584937A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432268B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-08-13 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Increased hydrophobic stability of a softening compound |
| KR20020088269A (ko) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | 삼성전자 주식회사 | 리젝트 유니트를 스킵하는 볼 그리드 어레이 패키지용와이어 본딩 방법 |
| JP2008032255A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Taisei Corp | 床吹出空調システム |
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