JPS5849609A - 炭素およびその作製方法 - Google Patents
炭素およびその作製方法Info
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- JPS5849609A JPS5849609A JP56146929A JP14692981A JPS5849609A JP S5849609 A JPS5849609 A JP S5849609A JP 56146929 A JP56146929 A JP 56146929A JP 14692981 A JP14692981 A JP 14692981A JP S5849609 A JPS5849609 A JP S5849609A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims abstract description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 101100454194 Caenorhabditis elegans mei-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001062872 Cleyera japonica Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭素を主成分として粒状または繊維状の材料(
ここではそれらを総称して単に炭素という)およびその
作製方法に関する。
ここではそれらを総称して単に炭素という)およびその
作製方法に関する。
本発明はかかる炭素が光学的エネルギバンド中2.0’
eV以上特に2.6〜4−.5eVを有し、かつその大
きさが10μ以下の粒状または筒状構造を有する繊維状
であってその筒の厚さが30μ以下の厚さを有すること
を目的としている。
eV以上特に2.6〜4−.5eVを有し、かつその大
きさが10μ以下の粒状または筒状構造を有する繊維状
であってその筒の厚さが30μ以下の厚さを有すること
を目的としている。
本発明はアセチレンまたはエチレンの如き炭化水素反応
性気体をプラズマ放電雰囲気内に導入し、前記雰囲気を
150〜650°OVc加熱することにより反応性気体
を反応せしめることにより光学的バンド中が2゜OeV
以上好捷しくは2゜6〜4゜5θVを有する炭素を主成
分とする粒状または繊維状の炭素を作製することを目的
とする。
性気体をプラズマ放電雰囲気内に導入し、前記雰囲気を
150〜650°OVc加熱することにより反応性気体
を反応せしめることにより光学的バンド中が2゜OeV
以上好捷しくは2゜6〜4゜5θVを有する炭素を主成
分とする粒状または繊維状の炭素を作製することを目的
とする。
従来炭素とはグラファイトの如き導電性の炭素を考えて
いた。しかし炭素の単結晶はダイヤモンドが知られ、こ
れは硬度、絶縁物中最大の熱伝導係数を有する等の多く
の特性が知られていた。このダイヤモンドV超高圧超高
温においてのみ初めて合成され、それ以外の炭素はグラ
ファイト的彦硬波的にもろい不良導体であった。
いた。しかし炭素の単結晶はダイヤモンドが知られ、こ
れは硬度、絶縁物中最大の熱伝導係数を有する等の多く
の特性が知られていた。このダイヤモンドV超高圧超高
温においてのみ初めて合成され、それ以外の炭素はグラ
ファイト的彦硬波的にもろい不良導体であった。
しかし本発明はこの炭素がプラズマ気相法を用いると光
学的エネルギバンドd〕が2.6〜4.5eVを有する
絶縁性を有し、しかもその合成温度がf350’C以下
特に200〜400°Cで形成可能であるというきわめ
て工業上重要な特性を有していることが判明した。本発
明はこの炭素を微粉末または繊維状に形成し、さらにこ
れら微粉末または炭素繊維をプラスチック等と混合して
杼イ(化有機物を得んとするものである。
学的エネルギバンドd〕が2.6〜4.5eVを有する
絶縁性を有し、しかもその合成温度がf350’C以下
特に200〜400°Cで形成可能であるというきわめ
て工業上重要な特性を有していることが判明した。本発
明はこの炭素を微粉末または繊維状に形成し、さらにこ
れら微粉末または炭素繊維をプラスチック等と混合して
杼イ(化有機物を得んとするものである。
本発明は微粉末を形成せんとする場合は、アセチレンま
たはエチレンの如き炭化水素反応性気体をプラズマ放電
雰囲気中にて反応せしめ、粉末化したものであり、平均
的には10μ以下特維を有し、その表面部または表面上
に反応した炭素を筒状に被膜化して形成したものである
。
たはエチレンの如き炭化水素反応性気体をプラズマ放電
雰囲気中にて反応せしめ、粉末化したものであり、平均
的には10μ以下特維を有し、その表面部または表面上
に反応した炭素を筒状に被膜化して形成したものである
。
この筒状というのは、その中心部は繊維またはその単に
炭化したものであるが、その表面にはバンド中を有する
あたかもダイヤモン★−の如き硬さを有する被、膜が筒
状を有して設けられ、そのためまけ強度等に対し強じん
な特性を有している。
炭化したものであるが、その表面にはバンド中を有する
あたかもダイヤモン★−の如き硬さを有する被、膜が筒
状を有して設けられ、そのためまけ強度等に対し強じん
な特性を有している。
以下に図面に従って本発明を記す。
第1図は本発明に用いたプラズマOVD (気相法)装
置の概要を示す。
置の概要を示す。
図面において反応炉(1)は誘導または容量方式によシ
ミ磁エネルギ(2)が与えられている。さらに炭化水素
であるアセチレン(8)より流量計(5)をへて鷲−起
室に至るこの反応性気体は水素よりなり、キャリアガス
(7)により希釈され、共K 2.45GH2のマイク
ロ波の電磁エネルギ(3)が与えられれ繊維状しんα■
の表面に被膜状に形成される。
ミ磁エネルギ(2)が与えられている。さらに炭化水素
であるアセチレン(8)より流量計(5)をへて鷲−起
室に至るこの反応性気体は水素よりなり、キャリアガス
(7)により希釈され、共K 2.45GH2のマイク
ロ波の電磁エネルギ(3)が与えられれ繊維状しんα■
の表面に被膜状に形成される。
このしんばロール(10)より (9)に至り、その間
にこの表面に炭素被膜が形成され、さらにその厚さを厚
くするため、逆にロール(9)よfi(10)K再度ま
きもどされ、これをくりかえして厚さが厚くなる。
にこの表面に炭素被膜が形成され、さらにその厚さを厚
くするため、逆にロール(9)よfi(10)K再度ま
きもどされ、これをくりかえして厚さが厚くなる。
またこの繊維は1本ではなく100〜104本が同で炭
素の吸収効率を向上させた。
素の吸収効率を向上させた。
この反応性気体およびしんである繊維はヒータ(ロ)お
よびαリニより150〜650°Cに加熱され反応が促
進される。反応後の不要物は排気0])をへてロータリ
ーポンプ0めに至る。これを反応中に0.001”−1
0t Or r代表的K Fi’0.1〜0.5tOr
rの雰囲気を反応性気体に与えるためにきわめて重要で
ある。
よびαリニより150〜650°Cに加熱され反応が促
進される。反応後の不要物は排気0])をへてロータリ
ーポンプ0めに至る。これを反応中に0.001”−1
0t Or r代表的K Fi’0.1〜0.5tOr
rの雰囲気を反応性気体に与えるためにきわめて重要で
ある。
励起室(4)は50〜5000W代表的には200〜5
00Wでマイクロ波が導かれC−H結合の水素の切断に
有効であった。さらに活性化した炭素に運動エネルギを
与え互いに衝突させ結合させるのに13.56MH2の
周波数の電磁エネルギを100〜300Wを(2)によ
り与えることは大きい光学的バンド巾(Egという)を
作るために重要であったO 形成された炭素は単に熱分解するのみではEglは0.
1〜1.5eVであり、またその場合は硬度も十分では
なかった。さらに電磁エネルギ(3)、(2)を力える
と2.6〜4.5θ■代表的には3.0〜3.5eVと
々シ、この場合はビッカース硬度も4500〜5.。。
00Wでマイクロ波が導かれC−H結合の水素の切断に
有効であった。さらに活性化した炭素に運動エネルギを
与え互いに衝突させ結合させるのに13.56MH2の
周波数の電磁エネルギを100〜300Wを(2)によ
り与えることは大きい光学的バンド巾(Egという)を
作るために重要であったO 形成された炭素は単に熱分解するのみではEglは0.
1〜1.5eVであり、またその場合は硬度も十分では
なかった。さらに電磁エネルギ(3)、(2)を力える
と2.6〜4.5θ■代表的には3.0〜3.5eVと
々シ、この場合はビッカース硬度も4500〜5.。。
’f’−g/−・以上というすぐれた値を有していた。
また熱伝導度も5゜O(W/cm deg)という高い
値を有していた。
値を有していた。
また炭素の繊維状を作る時、そのしんの太さは任意に変
更可能であるが、実質的にはその直径300μ(0,3
mm)であり、特にその表面が30μ以下代表的には1
0〜100μの繊維表面に1〜10μの厚さの炭素(こ
の場合そのしんも成分としては炭素となるが、その光学
的バンド巾Egは平均値において2θ■よりも少ないた
め表面の厚さのみを考慮する)はちょうど竹のように内
部が空心状になり、結果としてきわめて軽いかつまけ強
度に強い繊維状構造を作ることができた。
更可能であるが、実質的にはその直径300μ(0,3
mm)であり、特にその表面が30μ以下代表的には1
0〜100μの繊維表面に1〜10μの厚さの炭素(こ
の場合そのしんも成分としては炭素となるが、その光学
的バンド巾Egは平均値において2θ■よりも少ないた
め表面の厚さのみを考慮する)はちょうど竹のように内
部が空心状になり、結果としてきわめて軽いかつまけ強
度に強い繊維状構造を作ることができた。
もちろんこの繊維状構造はとのしんを直接プラズマ中に
て炭化してその表面K O,1〜5μの厚さに硬度の強
い本発明の炭素を形成してもよい。
て炭化してその表面K O,1〜5μの厚さに硬度の強
い本発明の炭素を形成してもよい。
またPgが2. OeV以上特に2.6θ■以上さらに
3゜5θ■以上有する場合は強化 ガラスまたはその一
部として用いることも可能であり、その応用は計り知れ
ない。
3゜5θ■以上有する場合は強化 ガラスまたはその一
部として用いることも可能であり、その応用は計り知れ
ない。
また微粉末は研摩材、補強材としても使用可能である。
特に本発明の炭素は、その原料をアセチレンまたはエチ
レンを主としており、補助のマイクロ波をIKW以上与
えるとプロパンガスからも作ることが可能である。これ
は使用原料が安価であり、また必要なエネルギが高温を
必要としない等きわめて多くの工業的応用を産むことが
できる。
レンを主としており、補助のマイクロ波をIKW以上与
えるとプロパンガスからも作ることが可能である。これ
は使用原料が安価であり、また必要なエネルギが高温を
必要としない等きわめて多くの工業的応用を産むことが
できる。
本発明においては主として形成された炭素は非晶質(ア
モルファス)構造を示していた。しかし電磁エネルギの
出力を500W以上にすると5〜20OAの大きさの微
結晶性を有するセミアモルファス構造となった。この微
結晶性の方が度はさらに強くなった。
モルファス)構造を示していた。しかし電磁エネルギの
出力を500W以上にすると5〜20OAの大きさの微
結晶性を有するセミアモルファス構造となった。この微
結晶性の方が度はさらに強くなった。
以上において炭素を主成分として記したが、この中心は
水素が0.01−10モルチ含まれておシ、さらに■価
、■価、■価の不純物を3モル係以下の量含有させて、
平均的には2.6eV〜4゜5eVを有しつつもP″!
、たけN型の榊、電性を与えてもよい。
水素が0.01−10モルチ含まれておシ、さらに■価
、■価、■価の不純物を3モル係以下の量含有させて、
平均的には2.6eV〜4゜5eVを有しつつもP″!
、たけN型の榊、電性を与えてもよい。
また微粉末は第1図において反応炉(1)の飛しよう距
離を調整してその大きさを変更してもよく、本発明にお
いては50〜500Aの直径を有しく9) 〜5mとすると、0.5〜5μの大きさのものを作るこ
とが可能であることはいうまでもない。
離を調整してその大きさを変更してもよく、本発明にお
いては50〜500Aの直径を有しく9) 〜5mとすると、0.5〜5μの大きさのものを作るこ
とが可能であることはいうまでもない。
本発明は被形成面がない場合またはえ状のものを基体と
した。しかし板状その他を用いることによシ機械的強度
と補強する保護膜として用いることができることはいう
までもない。 ゛本発明におけるしんは有機物の繊
維を用いた。
した。しかし板状その他を用いることによシ機械的強度
と補強する保護膜として用いることができることはいう
までもない。 ゛本発明におけるしんは有機物の繊
維を用いた。
しかしこのしんをガラスとし、その表面に炭素を被膜コ
ーティングを行々うと、この炭素の屈折率が2.3〜2
.6を有するため、光通信用のS i O2ファイバー
の表面での光信号の損失を少なくすることにきわめて有
効である。この場合ファイバー通信ケーブルとしての強
度特に引つばシ強度も強く、安価な材料である炭素の筒
状コ鴬)インクであるため、その工業的価値はきわめて
大きなものであると信する。
ーティングを行々うと、この炭素の屈折率が2.3〜2
.6を有するため、光通信用のS i O2ファイバー
の表面での光信号の損失を少なくすることにきわめて有
効である。この場合ファイバー通信ケーブルとしての強
度特に引つばシ強度も強く、安価な材料である炭素の筒
状コ鴬)インクであるため、その工業的価値はきわめて
大きなものであると信する。
さらにこの繊維状を設けるしんとして、銅の如き金属、
セラミックを用いてもよく、細い金(10) 導線にあってはその加工強度を向上でき、また電気的絶
縁性もすぐれているため、耐熱性を有する導線として最
適である。
セラミックを用いてもよく、細い金(10) 導線にあってはその加工強度を向上でき、また電気的絶
縁性もすぐれているため、耐熱性を有する導線として最
適である。
第1図は本発明の炭素を作製するための装置の概要を示
す。 1 冥1閃
す。 1 冥1閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光学的エネルギバンド巾が2.6eV−4,5θ■
を有する炭素を主成分とする粒状または繊維状を有する
炭素。 2、特許請求の範囲第1項において、繊維状炭素は有機
物またはその炭化した繊維、ガラスの如きセラミック細
線または金属細線よシなるしんの表面に筒状に設けられ
たととを特徴とする炭素。 3、特許請求の範囲第1項において、粒状炭素はその最
大径がlOμ以下を有することを特徴とする炭素。 4、特許請求の範囲第2項において、筒状を有する炭素
はvOμ以下の厚さを有することを特徴とする炭素。 5、 アセチレンまたはエチレンの如き炭化水素よシな
る反応性気体をプラズマ放電雰囲気内に導入し、前記雰
囲気を150〜650’0に加熱することによシ前記反
応性気体を反応せしめることによ如、光学的バンド巾が
2゜6〜4.5eVを有する炭素を主成分とする粒状ま
たは前記雰囲気中に炭素を主成分とする繊維を設置する
ことにょ多繊維状を有する炭素を形成することを特徴と
する炭素の作製方法。 6、特許請求の範囲第3項において、反応性気体はプラ
ズマ雰囲気中を少くとも15cm以上飛しようせしめる
ことを特徴とする炭素の作製方法。 7、特許請求の範囲第1項において、反応性気体は反応
生成物を形成する位置よシ離れた位置にて活性化、分離
または反応せしめられたことを特徴とする1′素の作製
方法0
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146929A JPS5849609A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素およびその作製方法 |
| JP13503789A JPH03158468A (ja) | 1981-09-17 | 1989-05-29 | 炭素を主成分とする被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146929A JPS5849609A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61285536A Division JPS62171910A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 炭素 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849609A true JPS5849609A (ja) | 1983-03-23 |
| JPH0445977B2 JPH0445977B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=15418760
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146929A Granted JPS5849609A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素およびその作製方法 |
| JP13503789A Pending JPH03158468A (ja) | 1981-09-17 | 1989-05-29 | 炭素を主成分とする被膜 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13503789A Pending JPH03158468A (ja) | 1981-09-17 | 1989-05-29 | 炭素を主成分とする被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5849609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110820320A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-21 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 保温毡及其制备方法、拉晶炉 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643343A (en) * | 1993-11-23 | 1997-07-01 | Selifanov; Oleg Vladimirovich | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
| US5711773A (en) * | 1994-11-17 | 1998-01-27 | Plasmoteg Engineering Center | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
| KR100465267B1 (ko) * | 1995-12-01 | 2005-04-06 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 개선된기계적특성을갖는다이아몬드형탄소로코팅된아라미드섬유및이를제조하는방법 |
| WO1997020981A1 (en) * | 1995-12-01 | 1997-06-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitively coupled rf diamond-like-carbon reactor |
| DE102004033090A1 (de) * | 2004-07-08 | 2006-02-09 | Klaus Dr. Rennebeck | Element zur Wärmeableitung |
| JP5282203B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2013-09-04 | 帝人株式会社 | 機能性繊維及び機能性繊維製品 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56146929A patent/JPS5849609A/ja active Granted
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13503789A patent/JPH03158468A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| SOLID STATE COMMUN * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110820320A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-21 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 保温毡及其制备方法、拉晶炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03158468A (ja) | 1991-07-08 |
| JPH0445977B2 (ja) | 1992-07-28 |
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