JPS584982A - 光検知素子の実装方法 - Google Patents
光検知素子の実装方法Info
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- JPS584982A JPS584982A JP56102766A JP10276681A JPS584982A JP S584982 A JPS584982 A JP S584982A JP 56102766 A JP56102766 A JP 56102766A JP 10276681 A JP10276681 A JP 10276681A JP S584982 A JPS584982 A JP S584982A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光検知素子Ｏ９１装万決に関し、特に齋素子廖
赤外線検知素子Ｏコー〜ドＶ−〜ドを先金とするａｍ方
法に関するもＯである・ 複機Ｏ受光部を配列した赤外線検知素子のコー〃ドＶ−
μドは、通常金属板を加工成形して製しえもので、そｏ
１６さ紘歇鱈薯度である。−オー外線検知素子の各５！
遣ＩＩの大暑さおよびそれら０配月ピッチ紘各々数十μ
惰程度である・従って受光部の各々に対応した別々ＯＩ
Ｉ野決ｌ１月開孔をコーμドｙ、−ｐドに浄威すゐこと
拡、従来０コーμドｙ−Ａ／ドで紘構造上不可簡であ〉
、止むを得ず視野決定用開孔を全受光１１１１Ｋ共遥な
もＯＫしてある。
赤外線検知素子Ｏコー〜ドＶ−〜ドを先金とするａｍ方
法に関するもＯである・ 複機Ｏ受光部を配列した赤外線検知素子のコー〃ドＶ−
μドは、通常金属板を加工成形して製しえもので、そｏ
１６さ紘歇鱈薯度である。−オー外線検知素子の各５！
遣ＩＩの大暑さおよびそれら０配月ピッチ紘各々数十μ
惰程度である・従って受光部の各々に対応した別々ＯＩ
Ｉ野決ｌ１月開孔をコーμドｙ、−ｐドに浄威すゐこと
拡、従来０コーμドｙ−Ａ／ドで紘構造上不可簡であ〉
、止むを得ず視野決定用開孔を全受光１１１１Ｋ共遥な
もＯＫしてある。
こＯよ５にコーμドＦ−、Ａ／ＦＯ視費決定用關孔を全
受光部に対応した共通傘もＯＫせざるを得ないことに起
因して種々の間層を龜じる。その第１は各受光部に対応
すゐ真Ｏ偽野決寓用關孔に比べて、コー〜ドＶ−ｐドに
設は丸寅際０１１野決＊Ｊ＠開孔の方が大きいので、不
要な背景光が各受光部へ入射してしまい、感度等Ｏ性簡
低下を飽く結果となる。ｔ−ｆｉ−第２は各受光部の位
置によル各々爽質的な視野が異なるので赤外線検知ａＩ
ＯＩＩＩＩＩ性の不均一の原因となる。このような問題
を解決するに轄、各受光部ごとに対応する数十μ＝Ｓ度
のｗｉＦ決定決定用音孔するコールドＶ−ルドを受光部
の数十μ調程度の近くに精度よく配置する必要がある。
受光部に対応した共通傘もＯＫせざるを得ないことに起
因して種々の間層を龜じる。その第１は各受光部に対応
すゐ真Ｏ偽野決寓用關孔に比べて、コー〜ドＶ−ｐドに
設は丸寅際０１１野決＊Ｊ＠開孔の方が大きいので、不
要な背景光が各受光部へ入射してしまい、感度等Ｏ性簡
低下を飽く結果となる。ｔ−ｆｉ−第２は各受光部の位
置によル各々爽質的な視野が異なるので赤外線検知ａＩ
ＯＩＩＩＩＩ性の不均一の原因となる。このような問題
を解決するに轄、各受光部ごとに対応する数十μ＝Ｓ度
のｗｉＦ決定決定用音孔するコールドＶ−ルドを受光部
の数十μ調程度の近くに精度よく配置する必要がある。
しかしこのようなコールドｙ −ｙドの設置は従来の構
造では製造技術上極めて困難である・本発明は前述０点
に鑑みなされ九もので、その目的は受光部対応の視野決
定用開孔を有するコールドｙ−ｙドを春晶に設置し、も
って感度の低下中特性の不拘−性を除去した光検知素子
の夾装方法を提供することであル、七の特徴は受光部を
有する光検知素子を支持板上に実装する方法であって、
あらかじめ卑備した基準基板表面に溶解可能な接着ＭＶ
ｃよって実装すぺ電光検知素子と絶縁性枠部材とを当該
光検知素子の素子面が基準基板面に対向し、かつ検知素
子が絶縁性幹部材で取〕囲オれる形で接着し、さらに光
検知素子と絶縁性枠部材との８１１１１に樹脂を充填し
た袂、全表面を覆うよう支持板に接着し、しかる後、前
記基準基板を取シ除いて光検知素子の素子面ならびに絶
縁性枠部材を含む平坦な面を露出せしめ、さらｔ光検知
素子面上に透光性樹脂層を形成し、該透光性ＩＩＩＩ騙
層上面層上面知素子の受光部に対応する視野決定用開孔
を設は九遮光膜を形成するようにしたところにある。
造では製造技術上極めて困難である・本発明は前述０点
に鑑みなされ九もので、その目的は受光部対応の視野決
定用開孔を有するコールドｙ−ｙドを春晶に設置し、も
って感度の低下中特性の不拘−性を除去した光検知素子
の夾装方法を提供することであル、七の特徴は受光部を
有する光検知素子を支持板上に実装する方法であって、
あらかじめ卑備した基準基板表面に溶解可能な接着ＭＶ
ｃよって実装すぺ電光検知素子と絶縁性枠部材とを当該
光検知素子の素子面が基準基板面に対向し、かつ検知素
子が絶縁性幹部材で取〕囲オれる形で接着し、さらに光
検知素子と絶縁性枠部材との８１１１１に樹脂を充填し
た袂、全表面を覆うよう支持板に接着し、しかる後、前
記基準基板を取シ除いて光検知素子の素子面ならびに絶
縁性枠部材を含む平坦な面を露出せしめ、さらｔ光検知
素子面上に透光性樹脂層を形成し、該透光性ＩＩＩＩ騙
層上面層上面知素子の受光部に対応する視野決定用開孔
を設は九遮光膜を形成するようにしたところにある。
以下本発明〇一実施例を赤外線検知素子に適用した場合
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
第１図〜第６図紘本発明による赤外線検知素子の１！続
方法を説明する丸めの要部断面図で順次に示した工程図
である。
方法を説明する丸めの要部断面図で順次に示した工程図
である。
まず第１図に示すように平坦なガラス板からなる基準基
板１０表面に接着剤２を薄く均一に塗布する。この接着
剤２はトリクレン等の有機溶剤で溶解可能な例えば半導
体用ワックスからなる。次いで第２図に示すように受光
部を表面に配列した赤外線検知素子８を受光部配列面が
前記基板１面に対向するよう所宛の位置に接着し、さら
に表面に引出し電［ｉ４を配設し九例えば七ツミツタか
らなる絶縁性枠部材６を該電６１４配設面が前記基準基
板１面に対向し、かつ前記赤外線検知素子８を取シ囲む
ように接着配置する。この状態で第８図に示すように前
記枠部材６で囲んだ内部に樹脂６を充填する・この樹ｊ
１１６は硬化時に体積変化がなく、低温においても変形
しないものが好ましく１例えばアヲｙダイ）（１１品名
）の名で市販されている常温硬化型のエボキｖＩ１１１
ｉｌが適している。そしてさらにその上面に熱伝導のよ
いア／Ｉ／ミナセラミック等からなる支持板７を押し付
は石ように載置し、１記赤外線検知素子８を枠部材す内
に完全にｍ設すると共に該支持板７を枠部材５上面に固
着する。
板１０表面に接着剤２を薄く均一に塗布する。この接着
剤２はトリクレン等の有機溶剤で溶解可能な例えば半導
体用ワックスからなる。次いで第２図に示すように受光
部を表面に配列した赤外線検知素子８を受光部配列面が
前記基板１面に対向するよう所宛の位置に接着し、さら
に表面に引出し電［ｉ４を配設し九例えば七ツミツタか
らなる絶縁性枠部材６を該電６１４配設面が前記基準基
板１面に対向し、かつ前記赤外線検知素子８を取シ囲む
ように接着配置する。この状態で第８図に示すように前
記枠部材６で囲んだ内部に樹脂６を充填する・この樹ｊ
１１６は硬化時に体積変化がなく、低温においても変形
しないものが好ましく１例えばアヲｙダイ）（１１品名
）の名で市販されている常温硬化型のエボキｖＩ１１１
ｉｌが適している。そしてさらにその上面に熱伝導のよ
いア／Ｉ／ミナセラミック等からなる支持板７を押し付
は石ように載置し、１記赤外線検知素子８を枠部材す内
に完全にｍ設すると共に該支持板７を枠部材５上面に固
着する。
かくして充填した前記樹１１ｉ１６を硬化した後、トリ
クレン岬の有機溶剤によって前記接着剤２を溶解除去し
て基準基板１を取シ除き、第４図に示すように赤外線検
知素子８の素子面ならびに絶縁性枠部材６の引出し電極
４が露ｉする平坦な面を露出させる。そして赤外線検知
素子８側の電極（図示を省略）と絶縁性枠部材５０表面
に配設した引出し電ｔｊ４との間を例えば蒸着金属層か
らなる配線８で接続する。
クレン岬の有機溶剤によって前記接着剤２を溶解除去し
て基準基板１を取シ除き、第４図に示すように赤外線検
知素子８の素子面ならびに絶縁性枠部材６の引出し電極
４が露ｉする平坦な面を露出させる。そして赤外線検知
素子８側の電極（図示を省略）と絶縁性枠部材５０表面
に配設した引出し電ｔｊ４との間を例えば蒸着金属層か
らなる配線８で接続する。
次いで第ａｍｌに示すような透光性樹脂層９を赤外線検
知素子８の表面上に形成する。この透光性樹脂層９は番
外光に対して透過性でｔＤシ、硬化時に体積変化がなく
、低温において罠形せず、かつ真空中で不要ガスが発生
しないものが好ましい。
知素子８の表面上に形成する。この透光性樹脂層９は番
外光に対して透過性でｔＤシ、硬化時に体積変化がなく
、低温において罠形せず、かつ真空中で不要ガスが発生
しないものが好ましい。
このような特性を満足する。ものとしては例えばアブル
メイト（商品名）の名で市販されている常温硬化ｒ！１
ＯエボキＶＩｌｉｌ脂が適している。すなわち、絶縁性
枠部材５上に例えはア／ｖｔナセフミツクからなる枠組
１０を接着し、そＯ枠組１０内にエボキＶＩ１１詣を流
し込んで硬化させた俵、そのエポキシ１１脂表面を研磨
等で鏡面仕上けすることＫよって、赤外線検知素子８０
表面上に層厚が例えば５０μＩＩＩＩｓ度Ｏ透光性樹脂
層９を形成しえもＯである。
メイト（商品名）の名で市販されている常温硬化ｒ！１
ＯエボキＶＩｌｉｌ脂が適している。すなわち、絶縁性
枠部材５上に例えはア／ｖｔナセフミツクからなる枠組
１０を接着し、そＯ枠組１０内にエボキＶＩ１１詣を流
し込んで硬化させた俵、そのエポキシ１１脂表面を研磨
等で鏡面仕上けすることＫよって、赤外線検知素子８０
表面上に層厚が例えば５０μＩＩＩＩｓ度Ｏ透光性樹脂
層９を形成しえもＯである。
しかる後、枠組１０表面を會む透光性樹脂層９０表面に
例えばＡｊ等の蒸着金属からなる遮光ｇｔｔを被着し、
さらに第６図に示すように、その遮光［１１に赤外線検
知素子８０表面に配列された各受光部（図示を省略）に
対応するｉ野決定用開孔１２を例えば写真蝕刻法でパタ
ーンニングする。
例えばＡｊ等の蒸着金属からなる遮光ｇｔｔを被着し、
さらに第６図に示すように、その遮光［１１に赤外線検
知素子８０表面に配列された各受光部（図示を省略）に
対応するｉ野決定用開孔１２を例えば写真蝕刻法でパタ
ーンニングする。
かくして赤外線検知素子８の各受光部に対応する視野決
定用開孔１２を有するコールドシールドを極めて精度よ
くかつ容易に赤外線検知素子８上に設置することができ
ゐ・ なお本発明によれば前述のような各受光部に対応する視
野決定用開孔を容易に形成で鳶る他、配線部や赤外線検
知素子が樹脂に埋め込まれた形で寮装されるので、衝撃
子雰囲気等に対する耐性が増加して、信頼性の向上にも
効果がある。
定用開孔１２を有するコールドシールドを極めて精度よ
くかつ容易に赤外線検知素子８上に設置することができ
ゐ・ なお本発明によれば前述のような各受光部に対応する視
野決定用開孔を容易に形成で鳶る他、配線部や赤外線検
知素子が樹脂に埋め込まれた形で寮装されるので、衝撃
子雰囲気等に対する耐性が増加して、信頼性の向上にも
効果がある。
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、受光
部を有する光検知素子を支持板上に実装する方法であっ
て、基準基板の表面に溶解可能な゛接着剤によって実値
すべ電光検知素子と絶縁性枠部材とを当誼光検知素子の
素子面が基準基板面に対向し、かつ検知素子が絶縁性枠
部材で取シ囲まれる形で接着し、さらに光検知素子と絶
縁′幌枠部材との１Ｍ１麺に樹脂を充填した後、全表面
を覆うよう支持板に接着し、しかる後、１紀基準基板を
取シ除いて光検知素子の素子面ならびに絶縁性枠部材を
含む平坦な面を露出せしめ、さらに光検知素子面上に透
光性樹脂層を形成し、ａｍ光性Ｉ１１脂層上面に光検知
素子の受光部に対応する視野決定用開孔を設は友達光膜
を形成するようにしたもので、特に複数の受光部を配列
した多素子形赤外線検知素子に適用して各受光部に対応
する視野決定用開孔を有するコー〜ドＶ−〜ドを高糖度
かつ容易に形成することができて感度や画素分離皓の向
上がなし得る他、信頼性の向上もで自、高性能な装置を
安価に実現できる利点を有し、七〇＊用的効果は極めて
大である。
部を有する光検知素子を支持板上に実装する方法であっ
て、基準基板の表面に溶解可能な゛接着剤によって実値
すべ電光検知素子と絶縁性枠部材とを当誼光検知素子の
素子面が基準基板面に対向し、かつ検知素子が絶縁性枠
部材で取シ囲まれる形で接着し、さらに光検知素子と絶
縁′幌枠部材との１Ｍ１麺に樹脂を充填した後、全表面
を覆うよう支持板に接着し、しかる後、１紀基準基板を
取シ除いて光検知素子の素子面ならびに絶縁性枠部材を
含む平坦な面を露出せしめ、さらに光検知素子面上に透
光性樹脂層を形成し、ａｍ光性Ｉ１１脂層上面に光検知
素子の受光部に対応する視野決定用開孔を設は友達光膜
を形成するようにしたもので、特に複数の受光部を配列
した多素子形赤外線検知素子に適用して各受光部に対応
する視野決定用開孔を有するコー〜ドＶ−〜ドを高糖度
かつ容易に形成することができて感度や画素分離皓の向
上がなし得る他、信頼性の向上もで自、高性能な装置を
安価に実現できる利点を有し、七〇＊用的効果は極めて
大である。
第１図から第６図は本発明による赤外線検知素子０＊鋏
方法の一実施例を説明するための要部断面図で順次に示
した工１図である。 １：１＆準基板、２：接着剤、８：赤外線検知素子、４
：引出し電極、５：絶縁性枠部材、６：樹脂、７：支持
板、８：ｌｉ！線、９：ｊ１光性樹脂層、１１：ｊｉ光
膜、１ｇ：赤外線検知素子の各受光部に対応する視野決
定用開孔。 第１ｒ！４ 第２ｒ！１ 第３図 第４図 第５図 第６図
方法の一実施例を説明するための要部断面図で順次に示
した工１図である。 １：１＆準基板、２：接着剤、８：赤外線検知素子、４
：引出し電極、５：絶縁性枠部材、６：樹脂、７：支持
板、８：ｌｉ！線、９：ｊ１光性樹脂層、１１：ｊｉ光
膜、１ｇ：赤外線検知素子の各受光部に対応する視野決
定用開孔。 第１ｒ！４ 第２ｒ！１ 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 受光部を有する光検知素子を支持板上に＊装する方法で
あって、あらかじめ準備し九基準基板の表面に溶解可能
な接着剤によりて実装すぺ電光検知素子と絶縁性枠部材
とを一当該光検知素子ＯＩＫ子面が基準基板面に対内し
、かつ検知素子が絶縁性枠部材で取りａすれる形で接着
し、さらに光検知素子と絶縁性枠部材とＯｗＪ顛に樹脂
を充填した後、全表面を覆うよう支持板に接着し、しか
る後、前記基準基板を取〕除いて光検知素子の素子面な
らびに絶縁性枠部材を含む平坦な面を露出せしめ、さら
に光検知素子面上に！光性樹脂層を形成し、訣遁光性樹
脂層上面に光検知素子の受光部に対応する視野決定用開
孔を設けた遮光膜を形成するようにし九ことを特徴とす
る光検知素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102766A JPS584982A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102766A JPS584982A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584982A true JPS584982A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14336297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102766A Pending JPS584982A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584982A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188171A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Fujitsu Ltd | 冷却型光電変換装置 |
| JPS61144561A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Shimadzu Corp | 酵素機能電極 |
| JPS61144560A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Shimadzu Corp | 酵素機能電極 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56102766A patent/JPS584982A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188171A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Fujitsu Ltd | 冷却型光電変換装置 |
| JPS61144561A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Shimadzu Corp | 酵素機能電極 |
| JPS61144560A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Shimadzu Corp | 酵素機能電極 |
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