JPS584987A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- JPS584987A JPS584987A JP56102214A JP10221481A JPS584987A JP S584987 A JPS584987 A JP S584987A JP 56102214 A JP56102214 A JP 56102214A JP 10221481 A JP10221481 A JP 10221481A JP S584987 A JPS584987 A JP S584987A
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- light emitting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
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- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光ダイオードによる表示装置に係り、特に緑
色の発光ダイオードによる表示装置に関するものである
、 周知のように発光ダイオードは半導体結晶内にｐｎ＊合
を形成し、それに順方向電圧を加えて発光させるもので
あり、発光波長は用いる半導体材料の禁制帯幅、不純物
の種類、再結合過程の違いなどＫよって決まる。その中
で緑色の発光をする発光ダイオードとして従来一般的に
知られているものは、半導体材料としてＧａＰを用い添
加不純物と【７て窒素（へ）を用いたダイオードである
。この緑色発光ダイオードの構造について簡単に説明す
る。
色の発光ダイオードによる表示装置に関するものである
、 周知のように発光ダイオードは半導体結晶内にｐｎ＊合
を形成し、それに順方向電圧を加えて発光させるもので
あり、発光波長は用いる半導体材料の禁制帯幅、不純物
の種類、再結合過程の違いなどＫよって決まる。その中
で緑色の発光をする発光ダイオードとして従来一般的に
知られているものは、半導体材料としてＧａＰを用い添
加不純物と【７て窒素（へ）を用いたダイオードである
。この緑色発光ダイオードの構造について簡単に説明す
る。
第１図は従来の緑色発光ダイオードの〜断面図例である
。すなわち、ｎ型のＧａＰ結晶基板４上に液相成長法な
どの結Ｊ成長によってｎ型のＧａＰ成長層３及びｐ型の
ＧａＰ成長層２を成長させてｐｎ接合が形成されたもの
であり、これにアノード極としての電極１とカソード極
としての電極５が付着されている。
。すなわち、ｎ型のＧａＰ結晶基板４上に液相成長法な
どの結Ｊ成長によってｎ型のＧａＰ成長層３及びｐ型の
ＧａＰ成長層２を成長させてｐｎ接合が形成されたもの
であり、これにアノード極としての電極１とカソード極
としての電極５が付着されている。
とのＧａＰ結晶を用いた従来の緑色発光ダイオードの発
光波長特性における問題点及び欠点について以下に述べ
る。
光波長特性における問題点及び欠点について以下に述べ
る。
まず第１の問題点はＧａＰ結晶の禁制帯幅の大きさであ
る。禁制帯幅の大きい材料の方が発光ダイオードの発光
波長を短くできる。ＧａＰ結晶の禁制帯幅は約２．２６
ｅＶであるから、これをｐｎ接合形成材料として発光ダ
イオードを製作したとして屯、吸収端波長よりも短波長
側での発゛光、すなわち縁色帯の中では長波長側にある
約５５５ ｎｍよりも短波長での発光は得られない。従
ってこの緑色である約５５５ ｒｆｍにおける発光は観
測できても発光効率は極めて低くなシ実用的な値をとり
得ない。
る。禁制帯幅の大きい材料の方が発光ダイオードの発光
波長を短くできる。ＧａＰ結晶の禁制帯幅は約２．２６
ｅＶであるから、これをｐｎ接合形成材料として発光ダ
イオードを製作したとして屯、吸収端波長よりも短波長
側での発゛光、すなわち縁色帯の中では長波長側にある
約５５５ ｎｍよりも短波長での発光は得られない。従
ってこの緑色である約５５５ ｒｆｍにおける発光は観
測できても発光効率は極めて低くなシ実用的な値をとり
得ない。
第２の問題点は発光波長の波長成分と効率である。上述
したように緑色の発光効率は低すぎるので、効率を高め
るために不純物としての窒素□□□をｎｆｉ・ｐ型成長
層に添加することが一般にとられている。この窒素（へ
）を添加すると、窒素（６）を発光中心とすることがで
きるので、比較的効率の良い発光が得られるのであるが
、発光波長は吸収端波長である約５５５ ｎｍよりも長
波長側にずれ、約ではなく、かなり黄色の成分を含んだ
緑色となってしまう。このように緑色ダイオードとして
最も一般的如実用化されているＧａｐ結晶を用いた発光
ダイオードにおいても発光色が完全緑色で効率の良い発
光は得ら袢てぃなかった。
したように緑色の発光効率は低すぎるので、効率を高め
るために不純物としての窒素□□□をｎｆｉ・ｐ型成長
層に添加することが一般にとられている。この窒素（へ
）を添加すると、窒素（６）を発光中心とすることがで
きるので、比較的効率の良い発光が得られるのであるが
、発光波長は吸収端波長である約５５５ ｎｍよりも長
波長側にずれ、約ではなく、かなり黄色の成分を含んだ
緑色となってしまう。このように緑色ダイオードとして
最も一般的如実用化されているＧａｐ結晶を用いた発光
ダイオードにおいても発光色が完全緑色で効率の良い発
光は得ら袢てぃなかった。
本発明は発光色が完全に緑色（深緑色）で発光効率の高
い発光ダイオード或いはそれを用いた表示装置を捷供す
ることを目的とする。
い発光ダイオード或いはそれを用いた表示装置を捷供す
ることを目的とする。
本発明は、ＧａＰ結晶とａａｐ結晶よりも禁制帯幅が広
いＡｔＰ結晶（禁制帯幅３．１ ｅＶ）との混晶である
ＧａＡｔＰ結晶を発光ダイオードのｐｎ接合形成材料と
して用いることに特徴を有するが、その詳細を以下の製
作方法を含めた実施例によって説明する。
いＡｔＰ結晶（禁制帯幅３．１ ｅＶ）との混晶である
ＧａＡｔＰ結晶を発光ダイオードのｐｎ接合形成材料と
して用いることに特徴を有するが、その詳細を以下の製
作方法を含めた実施例によって説明する。
第２図は本発明による発光ダイオードの構造例である。
すなわち、ｎ型ＧａＰ結晶基板４上に１液相成長法によ
ってｎ型ＧａＡｔＰ結晶成長層３′及びｐ型ＧａＡＡＰ
結晶成長層２′が形成されておル、ｐｎ接合形成材料は
ＧａＡＡＰ結晶である。そしてカソードとしての電極５
及びアノードとしての電極１が付着されている。
ってｎ型ＧａＡｔＰ結晶成長層３′及びｐ型ＧａＡＡＰ
結晶成長層２′が形成されておル、ｐｎ接合形成材料は
ＧａＡＡＰ結晶である。そしてカソードとしての電極５
及びアノードとしての電極１が付着されている。
既述したようにＧａＰ結晶よりもムｔｐ結晶の方が禁制
帯幅が広いので、混晶としてのＧａ １−Ｘ Ａ−１１
Ｐ結晶はＧ１Ｐ結晶よりも禁制帯幅が広くなり、成分比
Ｘを増加させればｋｔＰ結晶の禁制帯幅に近くなってい
く。従ってＸの値を適当に選ぶことによって発光ダイオ
ードの発光波長を目的の深い縁色帯にすることができる
と考えられる。
帯幅が広いので、混晶としてのＧａ １−Ｘ Ａ−１１
Ｐ結晶はＧ１Ｐ結晶よりも禁制帯幅が広くなり、成分比
Ｘを増加させればｋｔＰ結晶の禁制帯幅に近くなってい
く。従ってＸの値を適当に選ぶことによって発光ダイオ
ードの発光波長を目的の深い縁色帯にすることができる
と考えられる。
その製作′法の詳細を次に述べる。
ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にまずｎ型のＧａ 、−ｘＩＵ
、、Ｐ結晶を液相成長法によって得るのであるが、成長
層の成・公比Ｘや伝導型決定不純物或いは発光中心とし
ての窒素（財）不純物の添加量を変化させない為には、
温度降下法なる液相成長法は不適当で、温度差法を用い
友液相成長法が良い。この温度差法による液相成長にお
いて用いられるメルト（液相成長における溶媒・溶質）
はＧａ、 Ａｔ、 ＧａＰ、伝導型を決める不純物等で
あるが、発光効率を高めるための窒素（へ）の添加は、
水素ガス中Ｋ ＮＨ，ガスを混入し九混合ガスを流しな
がらその中で液相成長させることで添加する。
、、Ｐ結晶を液相成長法によって得るのであるが、成長
層の成・公比Ｘや伝導型決定不純物或いは発光中心とし
ての窒素（財）不純物の添加量を変化させない為には、
温度降下法なる液相成長法は不適当で、温度差法を用い
友液相成長法が良い。この温度差法による液相成長にお
いて用いられるメルト（液相成長における溶媒・溶質）
はＧａ、 Ａｔ、 ＧａＰ、伝導型を決める不純物等で
あるが、発光効率を高めるための窒素（へ）の添加は、
水素ガス中Ｋ ＮＨ，ガスを混入し九混合ガスを流しな
がらその中で液相成長させることで添加する。
ＩＩ３図ｉｊｎ型及びｐ型Ｇａ１−ＸＡＬｘＰ成長層の
成分比Ｉを変えた時の発光ピーク波長λ（ｎｍ）の変化
を示す実験結果である。この中で実線は液相成長中の雰
囲気ガスをＨ，ガスとした場合（窒素添加なし）であ）
、点線は液相成長中の雰囲気ガスをＨ８とＮＨ，の混合
ガス（この場合の混合比ＮＨ，／Ｈ，＝０．００４）と
した場合（窒素添加有り）の結果である。
成分比Ｉを変えた時の発光ピーク波長λ（ｎｍ）の変化
を示す実験結果である。この中で実線は液相成長中の雰
囲気ガスをＨ，ガスとした場合（窒素添加なし）であ）
、点線は液相成長中の雰囲気ガスをＨ８とＮＨ，の混合
ガス（この場合の混合比ＮＨ，／Ｈ，＝０．００４）と
した場合（窒素添加有り）の結果である。
この結果が示すよう［、ｐｎ 接合構成材料をＧａ 、
−、Ａｊ、Ｐ結晶とするととＫより、発光ピーク波長を
約５５５ ｎｍから短波長側に移動でき、発光波長を完
全に緑色波長帯域とすることができた。また窒素（財）
不純物の添加も従来のＧａＰ結晶による発光ダイオード
における効果と同様な効果をもち、窒素（へ）を添加し
た本発明の発光ダイオードの発光ピーク波長は窒素軸を
添加しないものに比し約２〜４ ｎｍ 長波長側に移動
している。この移動の程度は窒素（へ）の添加量で決定
されている。
−、Ａｊ、Ｐ結晶とするととＫより、発光ピーク波長を
約５５５ ｎｍから短波長側に移動でき、発光波長を完
全に緑色波長帯域とすることができた。また窒素（財）
不純物の添加も従来のＧａＰ結晶による発光ダイオード
における効果と同様な効果をもち、窒素（へ）を添加し
た本発明の発光ダイオードの発光ピーク波長は窒素軸を
添加しないものに比し約２〜４ ｎｍ 長波長側に移動
している。この移動の程度は窒素（へ）の添加量で決定
されている。
このようＫ Ｇａ、ｘＡＬｘＰ結晶においてもＧａＰ結
晶の場合と同様な再結合過程で発光し、窒素（へ）が発
光センターとして寄与しているものと考えられ、発光効
率が向上した。
晶の場合と同様な再結合過程で発光し、窒素（へ）が発
光センターとして寄与しているものと考えられ、発光効
率が向上した。
第４図はその結果例である。す表わち成分比ＸをＸ＝０
．０６ と一定にして成長させたウエノ・−から切り
出して発光ダイオードとし゛た時、外部量子効率の値の
分布をとったものである。実線＃ｉ窒素翰添加なしの場
合であり、点線は窒素（へ）を添加した場合であ・る。
．０６ と一定にして成長させたウエノ・−から切り
出して発光ダイオードとし゛た時、外部量子効率の値の
分布をとったものである。実線＃ｉ窒素翰添加なしの場
合であり、点線は窒素（へ）を添加した場合であ・る。
分布のピークを見れば判るように窒素を添加することに
よって外部量−子効率は約２倍向上している。
よって外部量−子効率は約２倍向上している。
上の第３図、第４図に示した結果を得た時の条件は次の
通９である。
通９である。
成長源９度は９１０℃、ソース部と成長部の温度差は５
℃、成分比ｘ ｔ ｘ ＝ ０．２とする時のメルト材
の構成比率はＧａ： ＡＡ： ＧａＰ＝ ９０ ： ０
．０９ ： ２でｉｂ、ｎ型Ｇａ１−ｘＡｔｘＰ成長層
の厚みは約１００〜１２０μｍ％ｐ ｍ Ｇａ１−ＸＡ
ち、Ｐ成長層の厚みは約７０〜９０μｍである。ま九ｎ
型の不純物は８、ｐ聾の不純物＃ｉＺｎを用いた。
℃、成分比ｘ ｔ ｘ ＝ ０．２とする時のメルト材
の構成比率はＧａ： ＡＡ： ＧａＰ＝ ９０ ： ０
．０９ ： ２でｉｂ、ｎ型Ｇａ１−ｘＡｔｘＰ成長層
の厚みは約１００〜１２０μｍ％ｐ ｍ Ｇａ１−ＸＡ
ち、Ｐ成長層の厚みは約７０〜９０μｍである。ま九ｎ
型の不純物は８、ｐ聾の不純物＃ｉＺｎを用いた。
窒素靭を添加する場合の雰囲気ガスとして供給されるＨ
７とＮＨ，ガスの混合比は皿、／Ｈ，＝０．００３〜０
００４である。
７とＮＨ，ガスの混合比は皿、／Ｈ，＝０．００３〜０
００４である。
次に、本発明による完全に緑色波長領域で効率良く発光
するダイオードを更に高性能で得るためには、下記のよ
うな考慮をすべきである。
するダイオードを更に高性能で得るためには、下記のよ
うな考慮をすべきである。
ＮＨ，／Ｈ，の比率がＮ）Ｉｖ／馬≦０．００２の時に
は成長層に窒素が充分添加されず従って発光効率の向上
は殆ど晃られなかった。また逆にＮｕ（、／Ｈ１≧０．
００５の時には温度差液相成長法に用いるカーボン製の
治具と洲、ガスとが反応してしまうので、成長基板を移
動してｎ型Ｇａ１−ｘｊｕｘＰ成長層の上にｐ型Ｇａ１
−ｘＡＡｘＰ成長層を得るといった連続成長させる方法
をとることが困難と々る。従ってＮＨ，／混晶Ｇａ、−
ｘＡＬｘＰ結晶の成分比Ｘを変えるためにはメルト内の
組成比を変えることで達成されるが、第５図に実験結果
例を示すように、成分比Ｘを増加させると外部量子効率
が低下していくことが見出された。これは成長時に用い
るｎ型ＧａＰ基板の格子定数と成長層Ｇａ １−ｘ Ａ
ｔｘＰ結晶の格子定数が異なることによる歪や、成長後
の冷却時における熱膨張係数の違いによる歪が、ｐｎ接
合部に残存したり欠陥を発生させたりするととＫよって
発光効率が低下しているものと考えられるので、ＧａＰ
結晶を基板とする時には成分比Ｘは０３以下が良い。
は成長層に窒素が充分添加されず従って発光効率の向上
は殆ど晃られなかった。また逆にＮｕ（、／Ｈ１≧０．
００５の時には温度差液相成長法に用いるカーボン製の
治具と洲、ガスとが反応してしまうので、成長基板を移
動してｎ型Ｇａ１−ｘｊｕｘＰ成長層の上にｐ型Ｇａ１
−ｘＡＡｘＰ成長層を得るといった連続成長させる方法
をとることが困難と々る。従ってＮＨ，／混晶Ｇａ、−
ｘＡＬｘＰ結晶の成分比Ｘを変えるためにはメルト内の
組成比を変えることで達成されるが、第５図に実験結果
例を示すように、成分比Ｘを増加させると外部量子効率
が低下していくことが見出された。これは成長時に用い
るｎ型ＧａＰ基板の格子定数と成長層Ｇａ １−ｘ Ａ
ｔｘＰ結晶の格子定数が異なることによる歪や、成長後
の冷却時における熱膨張係数の違いによる歪が、ｐｎ接
合部に残存したり欠陥を発生させたりするととＫよって
発光効率が低下しているものと考えられるので、ＧａＰ
結晶を基板とする時には成分比Ｘは０３以下が良い。
また、同様々考えからＧａＰ結晶基板上に成長させる第
１層目のｎ型Ｇａ、ｘＡＡｘＰ結晶層の厚みが薄すぎる
と格子定数の不整合や熱膨張係数の違いＫよる歪や欠陥
がｐｎ接合の部分にまで影響してくるので厚い方が望ま
しい。第１成長層の成分比ＸをＸ＝Ｑ、０５ とした時
、このｎ型Ｇａ、、、＠ ｋｔ６．＠ ＠ Ｐ結晶の成
長層厚みを増加しながら外部量子効率を測定した結果の
例を第６図に示す。同図から判るように、Ｇａ、−ｘＡ
ｔｘＰの成長厚みは約５０−ｍ以上あれば充分である。
１層目のｎ型Ｇａ、ｘＡＡｘＰ結晶層の厚みが薄すぎる
と格子定数の不整合や熱膨張係数の違いＫよる歪や欠陥
がｐｎ接合の部分にまで影響してくるので厚い方が望ま
しい。第１成長層の成分比ＸをＸ＝Ｑ、０５ とした時
、このｎ型Ｇａ、、、＠ ｋｔ６．＠ ＠ Ｐ結晶の成
長層厚みを増加しながら外部量子効率を測定した結果の
例を第６図に示す。同図から判るように、Ｇａ、−ｘＡ
ｔｘＰの成長厚みは約５０−ｍ以上あれば充分である。
本発明の趣旨をｎ型ＧａＰ結晶を基板としてその上にｎ
型ＧａＡｔＰ 、ひきつづいてｐ型ＧａＡｔＰ ｔｌｊ
、長層を得る製作法を基本として実施例によって述べて
きたが、逆Ｋｐ型ＧａＰ結晶を基板としてｐ型ＧａＡｔ
Ｐ 、ひきつづいてｎ型ＧａＡＡＰ成長層を得る製作法
をとっても何ら差し支えないことは理解されるであろう
。
型ＧａＡｔＰ 、ひきつづいてｐ型ＧａＡｔＰ ｔｌｊ
、長層を得る製作法を基本として実施例によって述べて
きたが、逆Ｋｐ型ＧａＰ結晶を基板としてｐ型ＧａＡｔ
Ｐ 、ひきつづいてｎ型ＧａＡＡＰ成長層を得る製作法
をとっても何ら差し支えないことは理解されるであろう
。
また、実施例では、Ｐ１１接合構成領域のｎ型Ｇａ、−
、、ＭＸＰ成長層どｐ型Ｇａ、−、ＡＬＰ成長層の成分
比Ｘを同じとした場合、すなわちホモ接合について述べ
てきたが、シングルへテロ接合であっても良いし、更に
少数キャリヤの注入効率を上げるためにＧａ １−ｙ
Ａｔｙ Ｐ成長層とＧａ１−、ｋｌ、 Ｐ成長層との組
み合せといったダブルへテロ接合でも良いことはいうま
でもない。また、窒素の添加状両方の成長層に入れた方
が効率が良いが、場合によシいずれか一方の成長層に添
加することも許される。
、、ＭＸＰ成長層どｐ型Ｇａ、−、ＡＬＰ成長層の成分
比Ｘを同じとした場合、すなわちホモ接合について述べ
てきたが、シングルへテロ接合であっても良いし、更に
少数キャリヤの注入効率を上げるためにＧａ １−ｙ
Ａｔｙ Ｐ成長層とＧａ１−、ｋｌ、 Ｐ成長層との組
み合せといったダブルへテロ接合でも良いことはいうま
でもない。また、窒素の添加状両方の成長層に入れた方
が効率が良いが、場合によシいずれか一方の成長層に添
加することも許される。
雰囲気ガスとしてｄ Ｈ，ガス（或いはこれにＮＨ。
ガスを混合）を用いているが、不活性ガスであれば良い
のでＡｒガス、Ｎ、ガスても良い。
のでＡｒガス、Ｎ、ガスても良い。
本発明を温度差法液相成長法によってＧａ Ａｔ Ｐ結
晶を得る方法で説明してきたが、ＧａＪｈｔＰ結晶の化
学量論的組成からのずれを少くすれば発光効率が′上昇
するので、Ｐ（燐）圧を制御した所謂蒸気圧制御による
温度差法液相成長法が遥かに効果的である。
晶を得る方法で説明してきたが、ＧａＪｈｔＰ結晶の化
学量論的組成からのずれを少くすれば発光効率が′上昇
するので、Ｐ（燐）圧を制御した所謂蒸気圧制御による
温度差法液相成長法が遥かに効果的である。
以上のようｋして本発明に係るＧａ、−ｘＡｊ、Ｐ結晶
−の成分比Ｘを変えることによシ、また窒素を添加する
ことＫより、効率の高い、深緑色の、具体的にいえば発
光ピーク波長が約５５５ ｎｍから５４０ ｎｍ迄の値
（窒素を添−加しないものまで含めれば５３８ａｍの値
）まで任意に選べる、発光ダイオードを得ることができ
る。
−の成分比Ｘを変えることによシ、また窒素を添加する
ことＫより、効率の高い、深緑色の、具体的にいえば発
光ピーク波長が約５５５ ｎｍから５４０ ｎｍ迄の値
（窒素を添−加しないものまで含めれば５３８ａｍの値
）まで任意に選べる、発光ダイオードを得ることができ
る。
第１図は、従来の緑色ダイオードの断面図。
第２図は、本発明による緑色ダイオードの断面図。
第３図は、本発明によるＧ１１１−Ｘ ＡＬｘＰ結晶を
用いた緑色発光ダイオードにおける成分比Ｘと発光ピー
ク波長との関係を示すグラフ。 第４図は、本発明による緑色ダイオードのウェハー内の
外部量子効率の分布を表わすグラフ。 第５図は、本発明によるＧａ １ ＋ｘ鳩Ｐ結晶を用い
″良縁色発光ダイオードにおける成分比Ｘと外部
量子効率との関係を示すグラフ。 第６図は、本発明による”ｅｌｌ Ａ’＠、＠Ｉ Ｐ
結晶を用いた緑色発光ダイオードにおいて第１成長層
の厚みと外部量子効率との関係を示すグラフである。 １．５・・・電極； ２１ 、３１・・・結晶成長層
：４・・・結晶基板。 特許出願・人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理
士海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 第２図 第３ｍ ＾９ルχ 第６図 ’ＦＬシＨＬＩ１ｗ （、ｕｍ １ 手続補正書（自発） 昭和Ｓ７年４月１６日 特許庁長官 畠田春樹殿 １、事件の表示 昭和８６年特 許 願第１０雪８１４号２ ｍ１１０
４８ 亭導体−党装置およびその製造方鉄３ 補正を
する者゛ 事件との関係 善許出願人 住 所 東京・−蟲区中一墨霊丁−９番ＩＳ氏 名係
船（Ｓ８０）スタｙレー電気徐式金社４、代理人 ８ 補正の内容（１）１１１１１中、館４−を別紙Ｏ遥
拳訂疋す為・９、−Ｗａｌｌ（）ｌ鍮ムラ−習（第４−
） １鍮１４ 図 特許出願人：スタンレー電気株式会社
用いた緑色発光ダイオードにおける成分比Ｘと発光ピー
ク波長との関係を示すグラフ。 第４図は、本発明による緑色ダイオードのウェハー内の
外部量子効率の分布を表わすグラフ。 第５図は、本発明によるＧａ １ ＋ｘ鳩Ｐ結晶を用い
″良縁色発光ダイオードにおける成分比Ｘと外部
量子効率との関係を示すグラフ。 第６図は、本発明による”ｅｌｌ Ａ’＠、＠Ｉ Ｐ
結晶を用いた緑色発光ダイオードにおいて第１成長層
の厚みと外部量子効率との関係を示すグラフである。 １．５・・・電極； ２１ 、３１・・・結晶成長層
：４・・・結晶基板。 特許出願・人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理
士海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 第２図 第３ｍ ＾９ルχ 第６図 ’ＦＬシＨＬＩ１ｗ （、ｕｍ １ 手続補正書（自発） 昭和Ｓ７年４月１６日 特許庁長官 畠田春樹殿 １、事件の表示 昭和８６年特 許 願第１０雪８１４号２ ｍ１１０
４８ 亭導体−党装置およびその製造方鉄３ 補正を
する者゛ 事件との関係 善許出願人 住 所 東京・−蟲区中一墨霊丁−９番ＩＳ氏 名係
船（Ｓ８０）スタｙレー電気徐式金社４、代理人 ８ 補正の内容（１）１１１１１中、館４−を別紙Ｏ遥
拳訂疋す為・９、−Ｗａｌｌ（）ｌ鍮ムラ−習（第４−
） １鍮１４ 図 特許出願人：スタンレー電気株式会社
Claims (9)
- （１） ＧａＰ結晶結晶板基板、その上に成長したＧ
ａ Ｉ −ｘ Ａｔｘｐ結晶内Ｋｐｎ！Ｉ合が形成され
て成る仁とを特徴とする半導体発光装置。 - （２）成長し友前記Ｇａ□−エムｔｘｐ結晶のｎｌｌ領
域かｎｌｌ領域の少くとも１つの領域に窒素が添加され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
半導体発光装置。 - （３） 成長した前記Ｇａ １−１ｋＬｚＰ結晶の成
分比Ｘがｎｆｌｉ領域とｐ型領域とで異なることを特徴
とする特許請求の範囲第１］ｊｉｌＫ記載の半導体発光
装置。 - （４） 成長し九前記Ｇａ １ ＋ＸＡｔｘＰ結晶の
ｐｍ！不純物が亜鉛でｎ型不純物が硫黄であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体発光装置
。 - （５） ＧａＰ結晶を基板とし、その上に温度差法液
相成長により Ｇａ５−ｘＡ４Ｐ結晶を成長させ、以て
ｐｎ接合を形成することを特徴とする半導体発光装置の
製造方法。 - （６）前記温度差法液相成長は燐蒸気圧制御の下で行わ
れることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の半
導体発光装置の製造方法゛。 - （７） 成長させた前記Ｇａ、、ＡＡ、Ｐ結晶の成分
比Ｘがｎｌｌ領域とｐ型領域とで異なることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項に記載の半導体発光装置の製造
方法。 - （８）成長させた前記Ｇａ、−ｘｊｋｔｘＰ結晶のｎｌ
ｌ領域かｐ型領域の少くとも１つの領域に窒素を添加す
ることを特徴とする特許請求の範囲第Ｓ’ｌＸＫ記載の
半導体発光装置の製造方法。 - （９） 前記窒素の添加は隔ガスによってなされ、且
つキャリヤガスに対する洲、ガスの含有率がＯ−Ｓに以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載
の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102214A JPS584987A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102214A JPS584987A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584987A true JPS584987A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14321405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102214A Pending JPS584987A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584987A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283760A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495286A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-01-17 |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP56102214A patent/JPS584987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495286A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-01-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283760A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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