JPS585083A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS585083A JPS585083A JP56101230A JP10123081A JPS585083A JP S585083 A JPS585083 A JP S585083A JP 56101230 A JP56101230 A JP 56101230A JP 10123081 A JP10123081 A JP 10123081A JP S585083 A JPS585083 A JP S585083A
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- JP
- Japan
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- signal
- period
- solid
- vertical
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像装置に関し、さらに詳しくは固体撮像素子
の暗電流変化・垂直スメアに起因した黒レベルの変動の
抑圧に関するものである。
の暗電流変化・垂直スメアに起因した黒レベルの変動の
抑圧に関するものである。
画儂を電気信号に変換する撮像装置において、最近では
光電変換装置として半導体集積回路技術により得られる
固体撮像素子が用いられてきている。固体撮像素子を用
いることによって素子管式のものよシも撮像装置の小型
化・高信頼性化・長寿命化がはかれる。
光電変換装置として半導体集積回路技術により得られる
固体撮像素子が用いられてきている。固体撮像素子を用
いることによって素子管式のものよシも撮像装置の小型
化・高信頼性化・長寿命化がはかれる。
ところで、一般に光電変換装置では温直に依存して増減
する暗電流が発生するが、これが信号電流に重畳するこ
とによってビデオ信号の黒レベルが変動してしまうこと
がある。
する暗電流が発生するが、これが信号電流に重畳するこ
とによってビデオ信号の黒レベルが変動してしまうこと
がある。
これを抑圧するために従来、光電変換部の一部をおおっ
て光の入射をさまたける第１図に示すような黒マスクが
用いられている。図において１は光電変換部のうちビデ
オ信号の映倫期間に走査する部分であシ、光学的に露出
している。ま九２は光電変換部のうちビデオ信号の水平
ブランキング期間の一部に走査する部分でめり、光学的
にマスクされている。このような光電変換部を走査した
とき得ちれる信号の一例を第２図に示す。図にお ゛い
て３で示す期間はビデオ信号の１水平走査期間、４で示
す期間は水平ブランキング期間、５で示す期間は黒マス
クでおおわれた充電変換部を走査する期間、６で示す期
間は光学的に霧出した通常の光電変換部を走査する映像
期間、７で示す期間は光電変換部を走査しない期間であ
る。
て光の入射をさまたける第１図に示すような黒マスクが
用いられている。図において１は光電変換部のうちビデ
オ信号の映倫期間に走査する部分であシ、光学的に露出
している。ま九２は光電変換部のうちビデオ信号の水平
ブランキング期間の一部に走査する部分でめり、光学的
にマスクされている。このような光電変換部を走査した
とき得ちれる信号の一例を第２図に示す。図にお ゛い
て３で示す期間はビデオ信号の１水平走査期間、４で示
す期間は水平ブランキング期間、５で示す期間は黒マス
クでおおわれた充電変換部を走査する期間、６で示す期
間は光学的に霧出した通常の光電変換部を走査する映像
期間、７で示す期間は光電変換部を走査しない期間であ
る。
５．６で示す期間は共に光電変換部を走査するので、こ
こで得られる信号には光電変換部で発生する暗電流が含
まれるが、一方、７で示す期間で得られる信号には含ま
れない。すなわち光電変換部で発生する暗電流をＩ１１
％被写体像に対応した信号電流を１．とおくと、７，５
．６で示される各期間で得られる信号Ｉ？−１１，Ｉ？
はそれぞれ次のとおりである。
こで得られる信号には光電変換部で発生する暗電流が含
まれるが、一方、７で示す期間で得られる信号には含ま
れない。すなわち光電変換部で発生する暗電流をＩ１１
％被写体像に対応した信号電流を１．とおくと、７，５
．６で示される各期間で得られる信号Ｉ？−１１，Ｉ？
はそれぞれ次のとおりである。
■、＝０ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ （１）１、＝Ｉ−・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ （２）Ｉ６＝Ｉａ＋１．・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ （３）映像信号は周知の
ように直流分を持っており、これを再生しなければ明暗
の正しい再生画が得られない。通常、直流分を再生する
ためにパルスクランプ回路が用いられる。パルスクラン
プ回路は広く一般に用いられているので詳細な収りは省
略するが、パルスが入力した期間の映像信号の直流レベ
ルを基準値に固定することによって＠流再生を行なって
いる。通常、パルスの位置は水平ブランキング期間内に
おくがくこれを第２図の５で示す期間に選べば暗電流ニ
ーが基準の直流レベルに固定される。この結果、映像期
間の基準に対する直流レベルは信号電流１．たけて決ま
るので、ビデオ信号の黒レベルは暗電流の影響を受ける
ことはない。
・・・・・・・・・・・・・ （１）１、＝Ｉ−・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ （２）Ｉ６＝Ｉａ＋１．・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ （３）映像信号は周知の
ように直流分を持っており、これを再生しなければ明暗
の正しい再生画が得られない。通常、直流分を再生する
ためにパルスクランプ回路が用いられる。パルスクラン
プ回路は広く一般に用いられているので詳細な収りは省
略するが、パルスが入力した期間の映像信号の直流レベ
ルを基準値に固定することによって＠流再生を行なって
いる。通常、パルスの位置は水平ブランキング期間内に
おくがくこれを第２図の５で示す期間に選べば暗電流ニ
ーが基準の直流レベルに固定される。この結果、映像期
間の基準に対する直流レベルは信号電流１．たけて決ま
るので、ビデオ信号の黒レベルは暗電流の影響を受ける
ことはない。
固体撮像素子においても従来、水平の絵素列のうち走査
の始めに対応した位置にある数絵素を黒マスクによって
光学的におおうことにより、同様の効果を得ている。黒
マスクを付けた固体撮像素子の構成の一例を、ＭＯＳ形
を例にとって第３図に示す。図において垂直走査回路（
シフトレジスタ）９から信号線１６に出力された垂直走
査パルスによってＭＯＳトランジスタ１２が開閉され、
フォトダイオード１１に蓄積された光電流工、とフォト
ダイオードで発生する暗電流り、は垂直信号線１３に移
される。これに垂直信号線で発生する暗電流ｒａｗが加
わり、水平走査回路（シフトレジスタ）８から出力され
た水平走査パルスでＭＯＳトランジスタ１４が開閉され
ることによって順次水平出力線１５に送り出され、こむ
で水平出力線で発生する暗電流１１が加えられて出力端
子１７から出力される。１０で示した部分は光学的にお
おわれた黒マスクの部分を示す。出力端子１７から得ら
れる信号の一例を第４図に示す。第２図と同様、３は一
水平走査期間、４は水平ブランキング期間、５／／′ｉ
黒マスクでおおわれた絵素を走査する期間、６は通常の
絵素を走査する期間、７は絵素を走査しない期間である
。７，５．６の各期間に得られる信号Ｂ＋ Ｉｒｗ Ｉ
：はそれぞれ次のとおりである。
の始めに対応した位置にある数絵素を黒マスクによって
光学的におおうことにより、同様の効果を得ている。黒
マスクを付けた固体撮像素子の構成の一例を、ＭＯＳ形
を例にとって第３図に示す。図において垂直走査回路（
シフトレジスタ）９から信号線１６に出力された垂直走
査パルスによってＭＯＳトランジスタ１２が開閉され、
フォトダイオード１１に蓄積された光電流工、とフォト
ダイオードで発生する暗電流り、は垂直信号線１３に移
される。これに垂直信号線で発生する暗電流ｒａｗが加
わり、水平走査回路（シフトレジスタ）８から出力され
た水平走査パルスでＭＯＳトランジスタ１４が開閉され
ることによって順次水平出力線１５に送り出され、こむ
で水平出力線で発生する暗電流１１が加えられて出力端
子１７から出力される。１０で示した部分は光学的にお
おわれた黒マスクの部分を示す。出力端子１７から得ら
れる信号の一例を第４図に示す。第２図と同様、３は一
水平走査期間、４は水平ブランキング期間、５／／′ｉ
黒マスクでおおわれた絵素を走査する期間、６は通常の
絵素を走査する期間、７は絵素を走査しない期間である
。７，５．６の各期間に得られる信号Ｂ＋ Ｉｒｗ Ｉ
：はそれぞれ次のとおりである。
Ｂ＝Ｉｄｇ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ （４）Ｉ≦＝ Ｉ ａｎ＋
Ｉ−＋Ｉ ａｔ ・・・・・・・・・・・・ （５）
１：＝Ｉａｍ＋Ｉａ−＋Ｉａｐ＋Ｌ ・・・・・・
（６）ここでパルスクランプ回路のパルス位置を第４図
中５で示す期間に選べば、暗電流Ｉａｍ＋Ｉａ、＋Ｉｔ
ｐが基準の直流レベルに固定される。これによって基準
に対する映像期間の直流レベルは（５）、 （６）式の
比較で容易にわかるとおり信号電流■、たけて決まり、
ビデオ信号の黒レベルは暗電流の影響を受けることはな
い。
・・・・・・・・・・・・ （４）Ｉ≦＝ Ｉ ａｎ＋
Ｉ−＋Ｉ ａｔ ・・・・・・・・・・・・ （５）
１：＝Ｉａｍ＋Ｉａ−＋Ｉａｐ＋Ｌ ・・・・・・
（６）ここでパルスクランプ回路のパルス位置を第４図
中５で示す期間に選べば、暗電流Ｉａｍ＋Ｉａ、＋Ｉｔ
ｐが基準の直流レベルに固定される。これによって基準
に対する映像期間の直流レベルは（５）、 （６）式の
比較で容易にわかるとおり信号電流■、たけて決まり、
ビデオ信号の黒レベルは暗電流の影響を受けることはな
い。
然るに固体撮像素子では暗電流の他に、ビデオ信号の黒
レベルを変動させる要因が存在する。次にこれについて
説明する。
レベルを変動させる要因が存在する。次にこれについて
説明する。
固体撮像素子では感光性を持つ部分が第３図に示すフォ
トダイオード１１０部分のみであることが望ましいが、
実際にはフォトダイオードの周辺部、たとえばＭＯＳ）
ランジスタ１２のドレインも感光性を持つことがある。
トダイオード１１０部分のみであることが望ましいが、
実際にはフォトダイオードの周辺部、たとえばＭＯＳ）
ランジスタ１２のドレインも感光性を持つことがある。
ドレインで発生した光電荷はＭＯＳ）ランジスタのオン
・オフＫかかわシなく垂直信号線１３に移されるが、垂
直信号線には上下に並んだ数百のＭＯＳ）ランジスタの
すべてのドレインが接続されているので、各々のトラン
ジスタ上に投影された光情報は垂直信号線に混合加算さ
れて蓄積される。すなわち、各垂直信号線には投影され
た被写体像の垂直方向の積分光量に対応した信号電流が
蓄積することになる。
・オフＫかかわシなく垂直信号線１３に移されるが、垂
直信号線には上下に並んだ数百のＭＯＳ）ランジスタの
すべてのドレインが接続されているので、各々のトラン
ジスタ上に投影された光情報は垂直信号線に混合加算さ
れて蓄積される。すなわち、各垂直信号線には投影され
た被写体像の垂直方向の積分光量に対応した信号電流が
蓄積することになる。
この信号は各水平走査期間ごとに通常の信号電流に重畳
して出てくるので例えば第５図（ａ）に示すような明る
い部分のある被写体像を撮像すると、再生画面上では第
５図（ｂ）に示すように、上下方向に尾引き状のにせ信
号が発生する。このような固体撮像素子に特有のノイズ
成分を垂直スメアと呼んでいる。垂直スメアの存在によ
ってもビデオ信号の黒レベルは被写体の垂直方向の積分
光量につれて縦線状の変化をする。
して出てくるので例えば第５図（ａ）に示すような明る
い部分のある被写体像を撮像すると、再生画面上では第
５図（ｂ）に示すように、上下方向に尾引き状のにせ信
号が発生する。このような固体撮像素子に特有のノイズ
成分を垂直スメアと呼んでいる。垂直スメアの存在によ
ってもビデオ信号の黒レベルは被写体の垂直方向の積分
光量につれて縦線状の変化をする。
垂直スメアを除去するために考案された当社の先願（実
開昭５６−１１９６８）では、垂直スメアが発生過程か
ら明らかなように各水平走査期間で等しいので、垂直ブ
ランキング期間内に１水平走査期間分の垂直スメアに対
応する信号をＩＨメモリ（１水平走査期間の信号を記録
できるメモリ）に書き込んでおき、これを各水平走査期
間に得られた映像信号から減算して除去することを提案
した。
開昭５６−１１９６８）では、垂直スメアが発生過程か
ら明らかなように各水平走査期間で等しいので、垂直ブ
ランキング期間内に１水平走査期間分の垂直スメアに対
応する信号をＩＨメモリ（１水平走査期間の信号を記録
できるメモリ）に書き込んでおき、これを各水平走査期
間に得られた映像信号から減算して除去することを提案
した。
先願考案の実施例を第６図に示す。図において固体撮像
素子１８から出力された信号はプリアンプ１９、低域ろ
波器２０ｔ−経て減算回路２３、メモリ２１に加えられ
る。このときメモリには同期回路２２からの制御信号に
よって垂直ブランキング期間に１水平走査期間の垂直ス
メアが記録される。
素子１８から出力された信号はプリアンプ１９、低域ろ
波器２０ｔ−経て減算回路２３、メモリ２１に加えられ
る。このときメモリには同期回路２２からの制御信号に
よって垂直ブランキング期間に１水平走査期間の垂直ス
メアが記録される。
記録された信号は通常の水平走査期間に読み出されて減
算回路２３に加えられ、低域ろ波器からの信号よシさし
引かれる。ここで第３図に示す垂直信号線１３に蓄積さ
れた垂直スメアに対応する信号を得るにあたり、第３図
に示すＭＯＳ）ランジスタ１２をオフにしておけばフォ
トダイオードの信号電流が混入することはないが、フォ
トダイオードで発生する暗電流Ｉａｐも含まれない。こ
の結果メモリに書き込まれる水平ブランキング期間およ
び垂直信号線を走査する期間に得られる信号ＩＭ４．Ｉ
賦、はそれぞれ ■輩、＝■４Ｈ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ （７）ＩＭＩＩ ＝ Ｉ ａａ＋
Ｉ ａ−十Ｉ −・・・・・・・・・ （８）となる。
算回路２３に加えられ、低域ろ波器からの信号よシさし
引かれる。ここで第３図に示す垂直信号線１３に蓄積さ
れた垂直スメアに対応する信号を得るにあたり、第３図
に示すＭＯＳ）ランジスタ１２をオフにしておけばフォ
トダイオードの信号電流が混入することはないが、フォ
トダイオードで発生する暗電流Ｉａｐも含まれない。こ
の結果メモリに書き込まれる水平ブランキング期間およ
び垂直信号線を走査する期間に得られる信号ＩＭ４．Ｉ
賦、はそれぞれ ■輩、＝■４Ｈ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ （７）ＩＭＩＩ ＝ Ｉ ａａ＋
Ｉ ａ−十Ｉ −・・・・・・・・・ （８）となる。
ここで工７．は垂直スメアに対応した信号である。一方
、通常の走査を行なう水平走査期間に得られる信号の一
例を第７図に示す。図中、３で示す期間は水平走査期間
、４で示す期間は水平ブランキング期間、６で示す期間
は絵素を走査する期間である。４．６で示す各期間で得
られる信号工Ｌ Ｉ４１は次のとおりである。
、通常の走査を行なう水平走査期間に得られる信号の一
例を第７図に示す。図中、３で示す期間は水平走査期間
、４で示す期間は水平ブランキング期間、６で示す期間
は絵素を走査する期間である。４．６で示す各期間で得
られる信号工Ｌ Ｉ４１は次のとおりである。
Ｉ；＝Ｉａｎ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ （９）■ノ＝Ｉａａ＋Ｉ
ａｖ＋Ｉａｐ＋Ｉ−−＋Ｉ。
・・・・・・・・・・・・・ （９）■ノ＝Ｉａａ＋Ｉ
ａｖ＋Ｉａｐ＋Ｉ−−＋Ｉ。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ 翰したがって”４１１Ｆよ、９１菖４．
ＩＭ６をさし引いた出力電流工０４． Ｉｏ。は次の
とおりである。
・・・・・ 翰したがって”４１１Ｆよ、９１菖４．
ＩＭ６をさし引いた出力電流工０４． Ｉｏ。は次の
とおりである。
ｌ０４＝Ｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ ａυＩｏ、＝ Ｉ ａｖ
＋ Ｉ −・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ ｎａこの結果、上式から明らかなように垂直スメア
に対応した信号は出力電流から除去される。ここでパル
スクランプ回路のパルス位置を第７図中４で示す期間に
選べば、零レベルが基準の直流レベルに固定されるが、
絵素を走査する期間にフォトダイオードで発生する暗電
流Ｉｉｐが混入するのでビデオ何カの黒レベルが影響を
受けるという欠点がある。
・・・・・・・・・・・・・ ａυＩｏ、＝ Ｉ ａｖ
＋ Ｉ −・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ ｎａこの結果、上式から明らかなように垂直スメア
に対応した信号は出力電流から除去される。ここでパル
スクランプ回路のパルス位置を第７図中４で示す期間に
選べば、零レベルが基準の直流レベルに固定されるが、
絵素を走査する期間にフォトダイオードで発生する暗電
流Ｉｉｐが混入するのでビデオ何カの黒レベルが影響を
受けるという欠点がある。
本発明の目的は、固体撮像素子を用いたときも黒レベル
が暗電流の変化・垂直スメアに影響されない撮像装置を
提供することである。
が暗電流の変化・垂直スメアに影響されない撮像装置を
提供することである。
この目的を達成するため、本発明においては、直流クラ
ンプ手段から得られる信号を垂直ブランキング期間に１
水平期間分記憶しておき、撮像期間に直流クランプ手段
より得られる信号から上記メモリ手段より出力される信
号を差しひく構成とする。
ンプ手段から得られる信号を垂直ブランキング期間に１
水平期間分記憶しておき、撮像期間に直流クランプ手段
より得られる信号から上記メモリ手段より出力される信
号を差しひく構成とする。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
本発明の実施例を第８図に示す。図において固体撮像素
子２４は第３図に示す黒マスクを付けた固体撮像素子で
ある。固体撮像素子から得られた信号電流はプリアンプ
１９、低域ろ波器２０を経てパルスクランプ回路２５に
加えられる。ここで垂直ブランキング期間にパルスクラ
ンプ回路へ加わる信号は第９図に示すものとなる。３で
示す期間は水平走査期間、４で示す期間は水平ブランキ
ング期間、７で示す期間は垂直信号線を走査しない期間
、５で示す期間は黒マスクの付いた部分の垂直信号線を
走査する期間、６で示す期間は光学的に露出した部分の
垂直信号線を走査する期間である。７，５．６の各期間
に得られる信号Ｉ ｖ７９Ｉｖ＠ｇＬ＠は次のとおりで
ある。
子２４は第３図に示す黒マスクを付けた固体撮像素子で
ある。固体撮像素子から得られた信号電流はプリアンプ
１９、低域ろ波器２０を経てパルスクランプ回路２５に
加えられる。ここで垂直ブランキング期間にパルスクラ
ンプ回路へ加わる信号は第９図に示すものとなる。３で
示す期間は水平走査期間、４で示す期間は水平ブランキ
ング期間、７で示す期間は垂直信号線を走査しない期間
、５で示す期間は黒マスクの付いた部分の垂直信号線を
走査する期間、６で示す期間は光学的に露出した部分の
垂直信号線を走査する期間である。７，５．６の各期間
に得られる信号Ｉ ｖ７９Ｉｖ＠ｇＬ＠は次のとおりで
ある。
Ｉ□＝Ｉ４１１ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・団・・・・ α３Ｉ、、＝Ｉ纏厘十Ｉ−１
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ α４
Ｉ −ａ ＝ Ｉ −ｍ＋ Ｉ ａｖ＋ Ｉ −、・・
・”” （Ｉｓこのときパルスクランプ回路のパルス
位置を５で示す期間にすれば暗電流Ｉａａ＋Ｉａ−が基
準レベルに固定されるので、メモリ２１に九くわえられ
る信号は垂直スメアエ１．のみとなる。
・・・・・・団・・・・ α３Ｉ、、＝Ｉ纏厘十Ｉ−１
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ α４
Ｉ −ａ ＝ Ｉ −ｍ＋ Ｉ ａｖ＋ Ｉ −、・・
・”” （Ｉｓこのときパルスクランプ回路のパルス
位置を５で示す期間にすれば暗電流Ｉａａ＋Ｉａ−が基
準レベルに固定されるので、メモリ２１に九くわえられ
る信号は垂直スメアエ１．のみとなる。
一方、通常の走査期間の信号は第１０図に示すものであ
り、７，５．６の各期間に得られる信号Ｉ！ｉ′、Ｉｒ
、Ｉｒハ ｌ７＝Ｉａａ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ ＱＩＩｒ＝ Ｉ−翼十Ｉ
ａｖ＋Ｉａｐ ・・・・・・・・・・・・ αη
Ｉｓ’＝Ｉａａ＋Ｉａ−＋Ｉａ、＋Ｉ−＋Ｉ−−・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ａ樟となる。ここで映像期間にパルスクランプ回
路から得られる信号は、暗電流Ｉ ａｉ＋Ｉ ４ｖ＋Ｉ
ａｙが基準レベルになるので１．＋１．、となる。こ
の結果、減算回路から得られる信号は■、となり、暗電
流も垂直スメアも含まないのでビデオ信号の黒レベルが
変動することはない。
り、７，５．６の各期間に得られる信号Ｉ！ｉ′、Ｉｒ
、Ｉｒハ ｌ７＝Ｉａａ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ ＱＩＩｒ＝ Ｉ−翼十Ｉ
ａｖ＋Ｉａｐ ・・・・・・・・・・・・ αη
Ｉｓ’＝Ｉａａ＋Ｉａ−＋Ｉａ、＋Ｉ−＋Ｉ−−・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ａ樟となる。ここで映像期間にパルスクランプ回
路から得られる信号は、暗電流Ｉ ａｉ＋Ｉ ４ｖ＋Ｉ
ａｙが基準レベルになるので１．＋１．、となる。こ
の結果、減算回路から得られる信号は■、となり、暗電
流も垂直スメアも含まないのでビデオ信号の黒レベルが
変動することはない。
以上説明したごとく、本発明によれば固体撮像素子を用
いた素子装置においても、暗電流の変化や垂直スメアの
発生によってビデオ信号の黒レベルが影響を受けること
はない。
いた素子装置においても、暗電流の変化や垂直スメアの
発生によってビデオ信号の黒レベルが影響を受けること
はない。
また、第１１図に本発明の他の実施例を示す。
第１１図のブロック図が第８図のブロック図と異なる点
は、パルスクランプ回路２５が減算回路２３の後に位置
していることである。仁のときメモリに記録された信号
はＱｊ〜α＄式で表わされ、低域ろ波器から通常の走査
期間に得られる信号はαＱ〜餞で表わされるから、７，
５．６の各期間に減算回路から得られる信号Ｉ’ｏｙｅ
Ｉ’ｏ、ｓ Ｉ’ｏ＠はＩ’ｏｙ＝Ｏ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ ａ場Ｉ’ｏｓ＝Ｉす・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ （至）Ｉ’ｏ＠
＝＝ Ｉ ａ ＝ ＋ Ｉ −・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ （至）となる。ここでパルスク
ランプ回路２５のパルス位置を５で示す期間に選べば、
暗電流Ｉａｐが基準レベルに固定される。これによって
基準に対する映像期間の信号は工、のみで決まＤ、８８
図の実施例と同様にビデオ信号の黒レベルは暗電流、垂
直スメアの影響を受けない。
は、パルスクランプ回路２５が減算回路２３の後に位置
していることである。仁のときメモリに記録された信号
はＱｊ〜α＄式で表わされ、低域ろ波器から通常の走査
期間に得られる信号はαＱ〜餞で表わされるから、７，
５．６の各期間に減算回路から得られる信号Ｉ’ｏｙｅ
Ｉ’ｏ、ｓ Ｉ’ｏ＠はＩ’ｏｙ＝Ｏ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ ａ場Ｉ’ｏｓ＝Ｉす・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ （至）Ｉ’ｏ＠
＝＝ Ｉ ａ ＝ ＋ Ｉ −・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ （至）となる。ここでパルスク
ランプ回路２５のパルス位置を５で示す期間に選べば、
暗電流Ｉａｐが基準レベルに固定される。これによって
基準に対する映像期間の信号は工、のみで決まＤ、８８
図の実施例と同様にビデオ信号の黒レベルは暗電流、垂
直スメアの影響を受けない。
第１図は黒マスクを示す図、第２図は黒マスクを付けた
光電変換部から得られる信号の一例を示す図、第３図は
ＭＯ８型固体撮像素子の構成の一例を示す図、第４図は
黒マスクを付けた固体撮像素子から得られる信号の一例
を示す図、第５図は垂直スメアの一例を示す図５、第６
図は垂直スメアを除去する先願特許の実施例を示す図、
第７図は固体撮像素子から得られる信号のｉ例を示す図
、第８図、第１１図は本発明の実施例を示す図、第９図
は本発明の実施例において垂直ブランキング期間に得ら
れる信号の一例を示す図、第１０図は本発明の実施例に
おいて通常の水平走査期間に得″ｔ′″、ｂ！′ｏ−例
ｔｙｘ″ｔ＠１６・ 、代理人 弁理士
薄田利幸ご ′ｙｆＪ １ 目 １ 笥 ２ 閏 ′ｙ７Ｆ３３ 目 δ 第 ４１２１ ）１！ｉ５ Ｊ （＾） （ｂン扁 ６ 口 第 δ 図 第 ９ ロ
光電変換部から得られる信号の一例を示す図、第３図は
ＭＯ８型固体撮像素子の構成の一例を示す図、第４図は
黒マスクを付けた固体撮像素子から得られる信号の一例
を示す図、第５図は垂直スメアの一例を示す図５、第６
図は垂直スメアを除去する先願特許の実施例を示す図、
第７図は固体撮像素子から得られる信号のｉ例を示す図
、第８図、第１１図は本発明の実施例を示す図、第９図
は本発明の実施例において垂直ブランキング期間に得ら
れる信号の一例を示す図、第１０図は本発明の実施例に
おいて通常の水平走査期間に得″ｔ′″、ｂ！′ｏ−例
ｔｙｘ″ｔ＠１６・ 、代理人 弁理士
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Claims (1)
- 水平および垂直方向に感光絵素列を７レイ状に起動した
固体撮像素子を用いる固体撮像装置において、上記固体
撮像素子の垂直方向絵素列のうち複数列を光学的にじゃ
へいする手段と、上記固体撮像素子から得られる信号の
上記光学的にじゃへいした絵素列に対応し九期間の直流
レベルを基準値に固定する直流クランク手段と、上記直
流クランプ手段から得られる信号を垂直ブランキング期
間中に１水平走査期間分記憶するメモリ手段と、撮像期
間に上記直流クランプ手段より得られる信号から上記メ
モリ手段より出力される信号を差し引くための手段を設
けた仁とを特徴をする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101230A JPS585083A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101230A JPS585083A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585083A true JPS585083A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14295092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101230A Pending JPS585083A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585083A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941051A (en) * | 1988-02-03 | 1990-07-10 | Crossfield Electronics Limited | Signal processing circuit and method |
| JPH0420080A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56101230A patent/JPS585083A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941051A (en) * | 1988-02-03 | 1990-07-10 | Crossfield Electronics Limited | Signal processing circuit and method |
| JPH0420080A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
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