JPS5851302B2 - 図形画素判定装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は画像処理回路に関し、特に２値図形を表わす画
像を画素数の少ない画像に変換する図形画素判定装置に
関する。

２値図形を表わす画像を画素数の少ない画像に変換する
方法には一般に２×２のマスクを用いて原画像をラスク
状に走査して１回の処理で１７２ ｔ、ｃ縮小した画像
を得てさらにこの処理を数度繰り返すことによって所望
の割合に縮小した画像を得る方法や原画像上を２次元的
にサンプリングすることによって所望の割合に縮小した
画像を得る方法等が知られている。

昭和５４年度電子通信学会総合全国大会講演論文集〔分
子ｍ５）に掲載されている水封、飯沼による文献「細め
処理を用いた画像の縮小」（講演番号１０９１）におい
ては、２×２のマスクを用いて画像を縮小する方法につ
いてサブサンプリング法。

論理和法、多数決法、細め処理法のそれぞれについて比
較検討した報告がある。

サブサンプル法は２×２画素の中から特定の１画素を抜
き出し、論理和法は２×２画素の中の１画素でも黒画素
があれば黒とし、多数決法は２×２画素中２画素以上が
黒画素のとき黒とし、細め処理法は原画像を細めた後に
論理和法を用いるもので、原画像を１／２に縮小した画
像を得る方法である。

サブサンプル法は縮小画像にぬけが生じやすく、論理和
法は反対にっぷれが生じやすく、多数決法はつぶれは少
ないがぬけが生じるなどの欠点があり、一方細め処理法
はつぶれが少なくぬけは生じないために最も良い方法で
あることが知られている。

そこで上記細め処理法を用いて２値図形を表わす画像を
画素数の少ない画像に変換する装置を構成する場合には
、細め処理をソフトウェアにより行なうことは処理が非
常に複雑になるために細め処理を行なう専用のバ−ドウ
ェアを用いる必要があり、したがって装置の構成が複雑
になるという欠点がある。

また該２×２のマスクを用いて画像を縮小する方法では
所望の割合例えば（１／２ ） に縮小した画像を得
るためにはｎ回の処理を繰返す必要があること、また原
画像に対してマスクをラスク状に一様に走査して原画像
を縮小するために、得られる画像は全画面に対して一様
な割合で縮小した画像が得られ、原画像の傾きやゆがみ
等を考慮して縮小を行なう必要がある場合には対処でき
ないことなどの欠点があった。

一方、原画像上を２次元的にサンプリングすることによ
って縮小した画像を得る方法には例えば原画像上に２次
元的に分布させたサンプル点に対してサンプル点を中心
とした矩形状のマスクをあてがい、そのマスク内にある
黒画素の数を計数してその計数値があらかじめ設定され
た閾値より大きければサンプル点に対応する縮小画像上
の画素の値を１と決定し、その計数値が該閾値より小さ
ければ該画素の値をＯと決定する方法等が知られている
。

該サンプリングによる方法では前記２×２のマスクを用
いる方法と比較した場合には、原画像の傾きやゆがみ等
に対応するようにサンプル点を２次元的に分布させるこ
とで原画像の傾きやゆがみ等を考慮して縮小を行なう必
要がある場合に対処できること、またサンプル点の間隔
を適当にとることにより、一回の処理で所望の割合に縮
小した画像を得られる等の利点がある。

しかし該サンプリングによる方法では前記閾値を大きく
とると図形の一部分の欠落や線分の途切れが発生し、ま
た逆に閾値を小さくするとノイズ等を誤検出して図形や
線分の一部分が太くなったりつながりが乱れたりすると
いう欠点があった。

本発明の目的は上記各方法の欠点を改良し、図形の一部
分の欠落や線分の途切れが発生しにくく、またノイズ等
を誤検出して図形や線分の一部分が太くなったりつなが
りが乱れたりしに（い図形画素判定装置を提供すること
にある。

本発明によれば２値の画像画素を蓄積する原画像メモリ
と、前記原画像メモリ上で縮小図形画素に一対一に対応
して定められているサンプル点を含むようにして前記原
画像メモリから読出された第１の一連の画像画素の状態
と第１の一連の原画像画素に隣接する第２の一連の画像
画素の状態とにより該縮小図形画素の状態を決定するマ
スク手段と、前記マスク手段で決定した縮小図形画素の
状態を蓄積する縮小図形メモリと、前記各部の動作を制
御するコントローラとを含み構成され、前記マスク手段
において縮小図形画素の状態が前記第１の一連の画像画
素のみからは決定できない場合には前記第２の一連の画
像画素の状態によって該縮小図形画素の状態を決定する
ことにより前記原画像メモリに蓄積された画像を縮小し
た画像を前記縮小図形メモリ上に作成する図形画素判定
装置が得られる。

また前記図形画素判定装置における上述の構成とは別に
、前記マスク手段において縮小図形画素の状態が前記第
１の一連の画像画素のみからは決定できない場合には前
記第２の一連の画像画素の状態と該縮小図形画素に隣接
して既に状態の決定されている縮小図形画素の状態とに
よって該図形画素の状態を決定することにより前記原画
像メモリに蓄積された画像を縮小した画像を前記縮小図
形メモリ上に作成する図形画素判定装置が得られる。

本発明の図形画素判定装置の第１の実施例において行な
っている画像を縮小する方法の原理を図面を用いて説明
すると次の通りである。

第１図ａは縮小される２値図形を表わす原画像の一部を
示したもので、図中斜線の部分は図形を表わす黒画素の
部分、格子状に分布した点は原画像上に分布させたサン
プル点を表わす。

本図において原画像を図中のサンプル点についてサンプ
リング処理をし、少ない画素数の画像に縮小した結果の
例が第１図すに示しである。

第１図す中の方眼状のそれぞれのメツシュは原画像を縮
小して得られた縮小図形画像のそれぞれの画像を表わし
ており、第１図ａに示したサンプル点に一対一に対応す
るものである。

同図では値が１の画素を斜線で示しである。

本例においてたとえばサンプル点を分布させる間隔を原
画像上の画素数でＸ方向にｍ画素、Ｙ方向にｎ画素とし
て一様に分布させた場合を考えると、サンプリング処理
によって得られる縮小図形画像は原画像に対して画素数
が１／”ｍ・ｎに縮小されることになる。

第２図は上記サンプリング処理に用いるマスクの形状の
一例を示す図である。

第２図ａに示すように原画像上においてサンプル点を含
むＭＸＮ（Ｍ、Ｎは正の整数）の矩形状に配置１ルた一
連の画素からなる中心マスク部分と、該中心マスク部分
の上部に隣接するＫＸＬ（Ｋ、Ｌは正の整数）の矩形状
に配置１ルた一連の画素からなる上隣接マスク部分と、
該中心マスク部分の左部に隣接するＬ／Ｘ Ｋ／ （Ｌ
ｔ 、 Ｋ／は正の整数）の矩形状に配置１ルた一連の
画素からなる左隣接マスク部分とによって本発明で行な
うサンプリング処理に用いるマスクの一例が構成されて
いる。

なお、各マスクの配置関係として第２図ａではそれぞれ
マスク間に間を設けているが間を無くしたり、あるいは
一部を重ね合わせても良い。

第２図すはマスクを一部重ね合わせた場合の構成例を具
体的に示したものであるが本図については後の実施例と
合わせて詳細に説明を行なうので、ここでは説明を省略
する。

第２図ａによれば従来の処理で用いるマスクは該中心マ
スク部分に相当し該上隣接マスク部分と該左隣接マスク
部分とを含むようには構成されていない。

そこで従来の方法と本発明による方法とを第３図を用い
て比較しながら本発明の詳細な説明する。

第３図ａに２値図形を表わす原画像上にサンプル点を一
様に分布させた例を示す。

本例は傾いた線分を含む原画像を縮小する例であるが、
図ａにおいて左上のサンプル点（１，１）から右下のサ
ンプル点（５７２）までラスク状に処理を行ない、縮小
図形画像す、ｃ 、ｄ、ｅを得ている。

中心マスク部分のみにより縮小図形画素の値を決定する
従来の方法ではマスク内の黒画素の数の計数値と比較す
る閾値を小さくとると図すに示すようにサンプル点（２
，１）あるいはサンプル点（４゜２）のよ５なご（少数
の黒画素の部分に対しても縮小図形画素の値を１と決定
するために重なり部分の長い線すなわち太くなった線分
が得られ、一方該閾値を大きくとると図ｄに示すように
サンプル点（３，１）あるいはサンプル点（３，２）の
ような黒画素の状態のときに縮小図形画素の値はどちら
も０と決定され、得られた線分が途切れる。

また該閾値に適当な値を用いれば図Ｃに示すような４連
結で接続した線分が得られるがこの場合の閾値は原画像
の線幅等の影響を受は易く一義的に定めることは難しい
。

そこで本発明においては２つの閾値すなわち絶対黒レベ
ルと絶対白レベル（絶対黒レベル値の方が絶対白レベル
値より大きいものとする。

）とを用いて図ａにおけるサンプル点（２ｔｌ）ｊ（４
，２）のようなごく少数の黒画素が存在する状態に対し
ては黒画素の計数値が絶対白レベル値より小さいとして
対応する図形画素の値をＯに決定し、またサンプル点（
４，１）。

（５，１）、（１，２）、（２，２）においては黒画素
の計数値が絶対黒レベル値より太きいとして縮小図形画
素の値を１に決定する。

そしてサンプル点（３ｔｌＬ（３，２）においては黒画
素の計数値が絶対黒レベル値より小さくかつ絶対白レベ
ル値より大きいために対応する縮小図形画素の状態は中
心マスク部分のみを用いるだけでは決定できないとして
中心マスク部分に隣接する周囲の画素の状態を調べる。

すなわち第２図ａで示したように上隣接マスク部分と左
隣接マスク部分とを用いて中心マスク部分の上部および
左部の画素の状態をそれぞれ調べるのである。

サンプル点（３゜１）においては上部および左部の状態
を調べても黒画素が存在しないために対応する図形画素
の値を０と決定する。

またサンプル点Ｃ３，２）の場合には、上隣接マスクが
図ａにおいてちょうどサンプル点（３，１）と（３ｔ２
）との間の領域の画素の状態を調べることになるため、
上隣接マスク内の黒画素の計数値は所定の判定レベル値
よりも大きくなり、このような場合にはサンプル点（３
ｊ２）に対応する縮小図形画素の値を１に決定する。

この方法を用いて図ｅに示すような８連結で接続した線
分が得られる。

本発明の方法によれば一般に第３図ａに示すようなサン
プル点の間隔に比較して線幅の細い線分は原画面を縮小
した図形画像上では途切れることなく８連結で接続した
線分が得られる。

本発明の図形画素判定装置の第１の実施例は以上に述べ
た原理に基づくものである。

次に本発明の図形画素判定装置の第２の実施例における
画像を縮小する方法の原理を説明すると次の通りである
。

第４図ａに示すようにサンプル点の間隔に比較して線幅
がある程度太い等の理由によりサンプル点（６，１）、
（４，２）、（６，２）、（１，３）。

（２ｔ３Ｌ（５ｔ３）において見られるように、上に隣
接する部分あるいは左に隣接する部分からの黒画素のは
み出した状態に対しては上述の原理に基づく第１の実施
例の方法によれば本来は該縮小図形画素の状態を０とす
べきものを１と決定したことによって図すに示すような
乱れた縮小図形画像が得られることがある。

ここではさらに上述の原理にあらたな条件を加えた第２
の実施例における原理について例を示して説明する。

例えばサンプル点（４，２）に対応する縮小図形画素の
状態は左部の黒画素がはみ出したために中心マスク部分
のみを用いるだけでは決定できない状態にあるが、本来
は該縮小図形画素の状態はＯとすべきものである。

そこで該縮小図形画素に隣接する既に状態の決定された
縮小図形画素すなわち上と左に隣接する縮小図形画素を
調べてはみ出しによるものかそれとも本来図形の一部分
として意味あるものかを判定する。

この例では該縮小図形画素（４７２）の上の画素（４５
１）の値がＯであり、上隣接マスク部分中の黒画素の数
がＯであって所定の判定レベル値より小さいから該縮小
図形画素（４，２）の上部には図形はないと判定し、次
に左の画素（３７２）の値が１であるから該縮小図形画
素（４，２）の状態は左の縮小図形画素（３゜２）に対
応する黒画素がはみ出したためであるとして０を決定す
る。

なお、この時の左隣接マスクによる判定は不要となる。

また第３図ａのサンプル点（３ｔ２）に対応する縮小図
形画素の場合にはやはり同様に中心マスク部分のみを用
いるだけでは決定できない状態にあるが、まず該縮小図
形画素（３，２）の上の縮小図形画素（３ｔ１）の値は
Ｏであるが上隣接マスク部分中の黒画素の数を計数する
と、計数値はある程度の大きな値になり所定の判定レベ
ル値より大きい場合には該縮小図形画素（３，２）は図
形の一部分として意味のある画素であると判定して１に
決定する。

したがって、左隣接マスクによる判定は不要となる。

また第４図ａのサンプル点（５，３）に対応する頗小図
形画素の場合にも同様に中心マスク部分のみを用いるだ
けでは状態が決定できない状態にある。

該縮小図形画素（５ｔ３）の上の縮小図形画素（５，２
）の値は１であるために上部に図形があって上隣接マス
クによる判定は不要であるとし、次に左の縮小図形画素
（４，３）の値を調べる。

その値がＯであるので左隣接マスク部分中の黒画素の数
を計数するとＯであって所定の判定レベル値より小さい
から該縮小図形画素（５ｔ３）の状態をＯに決定する。

第３図ｅおよび第４図Ｃは、この原理に基づく方法によ
り得られた縮小画像を示している。

本発明の図形画素判定装置の第２の実施例は以上に述べ
た原理に基づくものである。

次に本発明の図形画素判定装置について、第１の実施例
と第２の実施例とを順にそれぞれ図面を参照して説明す
る。

第５図は本発明の図形画素判定装置の実施例を説明する
ためのブロック図であり図ａは第１の実施例、図すは第
２の実施例を示す。

第６図第７図および第９図は本発明の実施例の主要部分
をさらに詳細に示した図である。

第８図ａ、ｂはそれぞれ第１の実施例、第２の実施例に
おける判定のフローチャートを示す図である。

ここでは理解を容易にするために、サンプリング処理に
用いるマスクは第２図すに示す具体例によって説明を行
なうが、処理に用いるマスクの形状すなわち中心マスク
部分、上隣接マスク部分および左隣接マスク部分の形状
は第２図すの具体例に限定されたものではない。

また原画像メモリ１に蓄えられている２値図形を表わす
画像をＸ方向、Ｙ方向とも一様に１Ａに縮小した縮小図
形画像を縮小図形メモリ３上に作成する場合について説
明する。

サンプル点は第１図ａに示すように原画像メモリ１上で
Ｘ方向、Ｙ方向の間隔を８画素として一様に分布してい
るが、あるサンプル点の位置を（ｉ、ｊ）とすると中心
マスク部分は（ｉ−３５ｊ−３）７ （ｉ＋４゜ｊ−３
）、（ｉ−３，ｊ＋４）、（ｉ＋４．ｊ＋４）の４点を
頂点とする８×８画素の矩形部分、上隣接マスク部分は
（ｉ ３．ｊ ４）、（ｉ＋４．Ｊ−４）、（ｉ ３゜
ｊ ３）ｔ（ｉ＋４．ｊ ３）の４点を頂点とする８×
２画素の矩形部分、左隣接マスク部分は（ｉ ４゜ｊ
３）、（ｉ ３ｔｊ ３）、（ｔ−４，ｊ＋４）
ｔ（ｉ ３゜ｊ＋４）の４点を頂点とする２×８画素
の矩形部分にそれぞれ対応する。

はじめに第１の実施例について動作を説明する。

該サンプル点（ｉ、ｊ）に対応する縮小図形画素の状態
を決定するためにコントローラ４は該サンプル点（ｉ、
ｊ）における中心マスク部分を構成する一連の画素すな
わち（ｉ−３，ｊ−３）、（ｉ−２゜ｊ ３）、・・・
ｊ（ｉ＋４ｊｊ−３）？（ｉ−３５ｊ−２）ｊ（ｉ２、
ｊ−２）、・・・、（ｉ＋４ 、 ｊ −２） 、・・
・、（ｉ−３，ｊ＋４）、（ｉ−２，ｊ＋４）、・・・
、（ｉ＋４．ｊ＋４）の６４個の画素のアドレスを順に
発生して原画像メモリ１に与え、その内容を順に原画像
画素信号としてマスフ回路２に送る。

一例として原画像画素信号は黒画素に対して１．白画素
に対して０が対応する。

マスク回路２では１つの原画像画素に対して１パルスの
割合でコントローラ４から送られて来るカウントパルス
を前記原画像画素信号を用いてゲート回路２１でゲート
し、その出力をカウンタ２２で計数する。

カウンタ２２はコントローラ４からのクリア信号で始め
にＯにリセットされており、したがってカウンタ２２の
ある時点での計数値Ｃはその時点までに原画像メモリ１
から読出された中心マスク部分を構成する画素中の黒画
素の数を表わしている。

比較回路２３はコントローラ４から与えられる所定の絶
対黒レベル値Ｔ１をカウンタ２２の計数値Ｃと絶えず比
較しており、同様に比較回路２４はコントローラ４から
与えられる所定の絶対白レベル値Ｔｏを、また比較回路
２５はコントローラ４から与えられる所定の判定レベル
値ＴＳをそれぞれカウンタ２２の計数値Ｃと絶えず比較
している。

比較回路２３の出力信号はＣ≧Ｔ１０条件が満たされた
時に１になり、同様に比較回路２４の場合はＣ＜’ｒｏ
、比較回路２５の場合はＣ＞ＴＳの条件が満たされた時
に１になる。

これらの出力信号は判定回路２６およびコントローラ４
にそれぞれ送られる。

コントローラ４および判定回路２６は第８図ａに示すよ
うな判定フローチャートに従って動作するように構成さ
れている。

第９図ａは判定回路２６の構成の一例を示す回路図であ
る。

コントローラ４は中心マスク部分について判定を行なう
場合には比較回路２３と比較回路２４の出力信号を見て
おり、比較回路２３の出力信号が１になった時（すなわ
ちＣ≧Ｔ１の条件が満たされた時）に縮小図形メモリ３
にサンプル点（ｘｔｊ）に対応する縮小図形画素のアド
レスと書込信号とを与えてアドレスで指定されるメモリ
ロケーションに判定回路２６の判定値を書込む。

この時、比較回路２３の出力信号が１であるからオアゲ
ー）２６−６の出力すなわち判定値は他の比較回路２４
．２５の出力信号によらず１である。

またコントローラ４は中心マスク部分を構成するＭＸＮ
（本例では６４）の原画像画素のアドレスを全て発生し
終えた時点で比較回路２３の出力信号がＯのままであり
かつ比較回路２４の出力信号が１である場合（すなわち
Ｃ＜ＴＯの条件が満たされている場合）にはこの時点で
縮小図形メモリ３に判定回路２６の判定値を書込む。

この時、比較回路２３，２４０出力信号はそれぞれ０゜
１であるからＳＲフリップフロップ２６−４はあらかじ
めＯにリセットされたままの状態にありしたがって比較
回路２５の出力信号によらずオアゲ−）２６−６の出力
すなわち判定値は０である。

なおＳＲフリップフロップ２６−４は判定値が縮小図形
メモリ３に書込まれるとコントローラ４からのリセット
信号でＯにリセットされるようになっている。

一方、この時点で比較回路２３，２４の出力信号がどち
らも０である場合すなわちＣ≧ＴＩ、Ｃ＜ＴＯのどちら
の条件も満たされない場合（ＴＯζＣ＜ＴＩを満たして
いることになる）にはＳＲフリップフロップ２６−４の
状態は１にセットされ、コントローラ４は次の判定動作
に移る。

まずコントローラ４はカウンタ２２にクリア信号を送り
その値を０にリセットする。

次に中心マスク部分の判定動作の場合と同様にして該サ
ンプル点（ｉ、ｊ）における上隣接マスク部分を構成す
る一連の原画像画素すなわち（１−３） ｊ−４）ｔ（
ｉ−２、ｊ−４）＋・・・、（ｔ＋４．ｊ−４）、（ｔ
３ｔｊ−３Ｌ（ｉ−２，ｊ−３）５・・・、（ｉ＋
４ 、 ｊ−３）の１６個の画素のアドレスを順に発生
して原画像メモリ１に与え、その内容を順に原画像画素
信号としてマスク回路２に送る。

今度はカウンタ２２のある時点での計数値Ｃはその時点
までに原画像メモリ１から読出された上隣接マスク部分
を構成する画素中の黒画素の数を表わしている。

コントローラ４は上隣接マスク部分の判定を行なう場合
には比較回路２５の出力信号だけを見ておりその信号が
１になった時に縮小図形メモリ３に判定回路２６の判定
値を書き込む。

この時、ＳＲフリップフロップ２６−４の状態は比較回
路２３，２４の出力信号によらず１にセットされたまま
であり、比較回路２５の出力信号が１であるからオアゲ
ート２６−６の出力すなわち判定値は１である。

またコントローラ４は上隣接マスク部分を構成するＫＸ
Ｌ（本例では１６）の原画像画素のアドレスを全て発生
し終えた時点で比較回路２５の出力信号がＯのままであ
る場合には次の判定動作に移る。

まずコントローラ４はカウンタ２２にクリア信号を送り
その値をＯにリセットする。

次に上隣接マスク部分の場合と同様にして該サンプル点
（１＋ｊ）における左隣接マスク部分を構成する一連の
原画像画素すなわち（ｉ−４，ｊ ３）ｔ（ｔ−３，ｊ
−３）ｔ（ｊ Ｃｊ ２）、（ｔ ３ｔｊ ２）
、・・・、（ｉ−４，ｊ＋４）、（ｉ−３，ｊ＋４）の
１６個のアドレスを順に発生して原画像メモリ１に与え
、その内容を順に原画像画素信号としてマスク回路２に
送り前記上隣接マスク部分の場合と同様にしてコントロ
ーラ４は比較回路２５の出力信号が１になった時に縮小
図形メモリ３に判定回路２６の判定値を書込む。

この時の判定値は上隣接マスク部分の場合と同様にして
１である。

またコントローラ４は左隣接マスク部分を構成するＩ、
／ｘＫ／（本例では１６）の原画像画素のアドレスを全
て発生し終えた時点で比較回路２５の出力信号がＯのま
まである場合には判定回路２６の判定値０を書込む。

以上の動作により原画像メモリ１上のサンフル点（ｉ、
ｊ）に対応する縮小図形画素の状態（１またはＯ）が決
定されるが、次にコントローラ４は所定の順で次のサン
プル点のアドレス（ｉ′、ｊ′）を決め全く同様の動作
により対応する縮小図形画素の状態を決定するという動
作を繰り返す。

以上の説明により本発明の図形画素判定装置の第１の実
施例は原画像メモリ１に蓄積された原画像を本例の場合
は画素数が１／６４に縮小した縮小画像を縮小図形メモ
リ３上に作成することがわかる。

次に本発明の第２実施例について動作を説明する。

本実施例における判定の動作は第８図すに示すフローチ
ャートに従って動作する。

なお、第９図すは第２の実施例における判定回路の一例
を示す回路図である。

本実施例において判定回路２６および図形メモリ３およ
びコントローラ４を除いて他の構成要素はその動作が前
記第１の実施例と全く同様である。

したがって本実施例の説明では前記第１の実施例の説明
に準拠し、動作の異なる点についてのみ説明を行なう。

原画像メモリ１上のサンプル点を処理する順序はコント
ローラ４により左上の点からラスター状に走査し、右下
の点まで行なわれる。

あるサンプル点（ｉ、ｊ）に対応する縮小図形画素の状
態を決定する動作において、中心マスク部分の判定でＣ
≧ＴＩの条件が満たされた時およびＣ＜Ｔｏの条件が満
たされている場合の動作は第１の実施例と全（同様であ
るので説明しない。

Ｃ〉Ｔ１あるいはＣ＜ＴＯの条件が満たされない場合（
ＴＯ≦Ｃ＜ＴＩを満たしていることになる）にはコント
ローラ４はまずサンプル点（ｉ、ｊ）に対応する縮小図
形画素の上部に隣接する縮小図形画素のアドレスと読出
制御信号とを縮小図形メモリ３に与えてアドレスで指定
されるメモリロケーションの内容を読み出し、セット信
号を与えてランチ２６１１にその内容を記憶させる。

判定回路２６はランチ２６−１１の出力Ｑをスキップ信
号としてコントローラ４に送る。

コントローラ４はスキップ信号がＯの場合にはアンドゲ
ート２６〜１４に加えられるランチ２６−１１の出力Ｑ
は１であるので第１の実施例において説明した上隣接マ
スク部分の判定動作と全く同様の動作を行なう。

一方、コントローラ４はスキップ信号が１の場合には上
述の判定動作を行なわず、次の動作に移る。

まずコントローラ４はサンプル点（ｉ、ｊ）に対応する
縮小図形画素の左部に隣接する縮小図形画素のアドレス
と読出制御信号とを縮小図形メモリ３に与えてアドレス
で指定されるメモリロケーションの内容を読み出し、セ
ット信号を与えてラッチ２６−１１にその内容を記憶さ
せる。

判定回路２６は上記の動作と全（同様にしてコントロー
ラ４にスキップ信号を送る。

コントローラ４はスキップ信号がＯである場合には前記
第１の実施例において説明した左隣接マスク部分の判定
動作を全（同様にして行なうが、スキップ信号が１であ
る場合には上述の判定動作を行なわずにサンプル点（ｉ
、ｊ）に対応する縮小図形画素のアドレスと書込信号と
を縮小図形メモリ３に与えて判定回路２６の判定値を書
込む。

この時の判定値は、ランチ２６−１１のＱ出力が０であ
るからアントゲ−）２６−１４の出力すなわち判定値は
Ｏ゛となる。

以上の動作により原画像メモリ１上のサンプル点（ｉ、
ｊ）に対応する縮小図形画素の状態（１またはＯ）が決
定されるが、コントローラ４はラスター状に次のサンプ
ル点のアドレス（ｉ′、ｊｌ）を決め全く同様の動作を
繰り返す。

以上の説明により本発明の図形画素判定装置の第２の実
施例は原画像メモリ１に蓄積された原画像を本例の場合
は画素数が１／６４に縮小した縮小画像を縮小図形メモ
リ３上に作成することがわかる。

以上、２値図形を表わす画像を縮小する例として２通り
の例を示してそれぞれに実施例を説明してきたが、ここ
で両者の特徴を述べると、まず第１の実施例では原画像
の２値図形（線分やぬりつぶされた面によって構成され
る）で特に線分の幅がサンプル点の間隔に較べて狭い場
合に有効であり、第２の実施例はさらに線分の幅がサン
プル点の間隔と同程度かあるいは広い場合に対しても有
効である。

いずれの実施例においても、従来は原画像を縮小して得
られた縮小図形画像では図形の一部分の欠落や線分の途
切れの発生、あるいはノイズ等の誤検出による図形や線
分の一部分の太まりゃつながりの乱れ等の発生が避けら
れなかったが、本発明の図形画素判定回路によれば簡単
なノ・−ドウエアの構成により上記欠点の少ない縮小図
形画像を得ることができる。

なお本発明の詳細な説明においてサンプル点は原画像上
でＸ、Ｙ座標方向に８画素間隔で一様に分布させた例を
示したが、本発明ではこの例に限らずサンプル点を原画
像の特性（傾き、ゆがみ等）に合わせて適当に分布させ
ることでより質の良い縮小図形画像を得ることができる
。

また本発明で用いるマスクの形状は第２図に示したマス
クの構成例に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は画像を縮小する方法の原理を説明するための図
で、図ａは原画像の一部を示し図すは図ａの原画像を縮
小した結果の例を示している。 第２図は本発明で用いるマスクの形状の一例を示す図で
あり、図ａはマスクの構成を図すは構成の具体例の一例
を示している。 第３図、第４図は画像を縮小する方法の原理を説明する
ための図で、第３図ａおよび第４図ａは原画像の一部を
示し、第３図す、ｃ、ｄ、ｅおよび第４図す、ｃはそれ
ぞれ縮小した画像の例を示している。 第５図は本発明の実施例を示すブロック図であり、図ａ
、ｂはそれぞれ第１．第２の実施例を示すブロック図。 第６図、第７図は本発明の実施例におけるマスク回路２
の構成をより詳細に示したブロック図であり、それぞれ
第１．第２の実施例を示す。 第８図は本発明の図形画素判定装置の判定動作を示すフ
ローチャートであり、図ａ、ｂはそれぞれ第１．第２の
実施例に対応する。 第９図ａ。ｂは本発明の実施例における判定回路２６の
構成の一例を示した図でありそれぞれ第１．第２の実施
例に対応する。 なお図において、１・・・・・・原画像メモリ、２・・
・・・・マスク回路、３・・・・・・縮小図形メモリ、
４・・・・・・コントローラ、２１・・・・・・ゲート
回路、２２・・・・・・カウント回路、２３，２４，２
５・・・・・・比較回路、２６・・・・・・判定回路、
２６−１．２６−２．２６−７ 。 ２６−８・・・・・・インバータ、２６−３．２６−５
。 ２６−１２，２６−１４・・・・・・アンドゲート、２
６−４，２６−１０・・・・・・ＳＲフリップフロップ
、２６−６．２６１３・・・・・・オアゲート、２６−
１１・・・・・・ラッチをそれぞれ示している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １２値の画像画素を蓄積する原画像メモリと、前記原画
   像メモリ上で縮小図形画素に一対一に対応して定められ
   ているサンプル点を含むようにして前記原画像メモリか
   ら読出された第１の一連の画像画素の状態と第１の一連
   の原画像画素に隣接する第２の一連の画像画素の状態と
   により該縮小図形画素の状態を決定するマスク手段と、
   前記マスク手段で決定した縮小図形画素の状態を蓄積す
   る縮小図形メモリと、前記各部の動作を制御するコント
   ローラとを含み構成され、前記マスク手段にて縮小図形
   画素の状態が前記第１の一連の画像画素のみから決定で
   きない場合には前記第２の一連の画像画素の状態によっ
   て該縮小図形画素の状態を決定することにより前記原画
   像メモリに蓄積された画像を縮小した画像を前記縮小図
   形メモリ上に作成することを特徴とする図形画素判定装
   置。 ２ 前記マスク手段において、前記原画像メモリ上で縮
   小図形画素に一対一に対応して定められるサンプル点を
   含んだＭＸＮ（Ｍ、Ｎは正の整数）の矩形状に配夕１ル
   た画像画素（中心マスク部分と呼ぶ）を前記原画像メモ
   リから読出して該中心マスク部分中の黒画素の数を計数
   する手段と、その計数値が所定の絶対黒レベル値よりも
   大きい場合には該縮小図形画素の状態を１にその計数値
   が所定の絶対白レベル値よりも小さい場合には該縮小図
   形画素の状態をＯに、その計数値が絶対黒レベル値と絶
   対白レベル値との間にある場合には該中心マスク部分の
   上部に隣接するＫＸＬ（Ｋ、Ｌは正の整数）の矩形状に
   配夕１ルた画像画素（上隣接マスク部分と呼ぶ）を前記
   原画像メモリから読出して該上隣接マスク部分中の黒画
   素の数を前記計数手段により計数し、その計数値が所定
   の判定レベル値よりも大きい場合には該縮小図形画素の
   状態を１に、その計数値が所定の判定レベル値よりも小
   さい場合には次に該中心マスク部分の左部に隣接するＬ
   ／Ｘ Ｋ／（Ｌ／ 、 Ｋ／は正の整数）の矩形状に配
   夕１ルた画像画素（左隣接マスク部分と呼ぶ）を前記原
   画像メモリから読出して該左隣接マスク部分中の黒画素
   の数を前記計数手段により計数し、その計数値が所定の
   判定レベル値より大きい場合には該縮小図形画素の状態
   を１に、その計数値が判定レベル値より小さい場合には
   該縮小図形画素の状態を０に決定する手段とからなる特
   許請求の範囲第１項に記載の図形画素判定装置。 ３２値の画像画素を蓄積する原画像メモリと、前記原画
   像メモリ上で縮小図形画素に一対一に対応して定められ
   ているサンプル点を含むようにして前記原画像メモリか
   ら読出された第１の一連の画像画素の状態と第１の一連
   の原画像画素に隣接する第２の一連の画像画素の状態と
   、該縮小図形画素に隣接して既に状態の決定されている
   縮小画素の状態とにより該縮小図形画素の状態を決定す
   るマスク手段と、前記マスク手段で決定した縮小図形画
   素の状態を蓄積する縮小図形メモリと、前記各部の動作
   を制御するコントローラとを含み構成され、前記マスク
   手段にて縮小図形画素の状態が前記第１の一連の画像画
   素のみからは決定できない場合には前記第２の一連の画
   像画素の状態と該縮小図形画素に隣接して既に状態の決
   定されている縮小図形画素の状態とによって該図形画素
   の状態を決定することにより前記原画像メモリに蓄積さ
   れた画像を縮小した画像を前記縮小図形メモリ上に作成
   することを特徴とする図形画素判定装置。 ４ 前記マスク回路において、縮小図形画素の状態の決
   定を前記図形メモリ上の左上の縮小図形画素から右下の
   縮小図形画素までラスク状に行なうようにして、前記原
   画像メモリ上で縮小図形画素に一対一に対応して定めら
   れるサンプル点を含んでＭＸＮ（Ｍ、Ｎは正の整数）の
   矩形状に配夕１ルた画像画素（中心マスク部分と呼ぶ）
   を前記原画像メモリから読出して該中心マスク部分中の
   黒画素の数を計数する手段と、その計数値が所定の絶対
   黒レベル値よりも大きい場合には該縮小図形画素の状態
   を１に、その計数値が所定の絶対白レベル値よりも小さ
   い場合には該縮小図形画素の状態をＯに、その計数値が
   絶対黒レベル値と絶対白レベル値との間にある場合には
   該縮小図形画素の上に隣接する縮小図形画素（既に状態
   が決定されている）の状態がＯか１かを調べその状態が
   ００場合には該中心マスク部分の上部に隣接するＫＸＬ
   （Ｋ、Ｌは正の整数）の矩形状に配夕１ルた画像画素（
   上隣接マスク部分と呼ぶ）を前記原画像メモリから読出
   して該上隣接マスク部分中の黒画素の数を前記計数手段
   により計数し、その計数値が所定の判定レベル値より大
   きければ該縮小図形画素の状態を１に、その計数値が所
   定の判定レベル値より小さければ、または前記縮小図形
   画素の上に隣接する縮小図形画素の状態が１である場合
   には、該縮小図形画素の左に隣接する縮小図形画素（既
   に状態が決定されている）の状態が０かｌかを調べ、そ
   の状態がＯである場合には該中心マスクの左部に隣接す
   るＬｔ×に／ （Ｌ／ 、 Ｋ／は正の整数）の矩形状
   に配夕１ルた画像画素（左隣接マスク部分と呼ぶ）を前
   記原画像メモリから読出して該左隣接マスク部分中の黒
   画素の数を前記計数手段により計数し、その計数値が所
   定の判定レベル値より大きければ該縮小図形画素の状態
   を１に、その計数値が所定の判定値より小さければ、ま
   たは前記縮小図形画素の左に隣接する縮小図形画素の状
   態が１である場合には、該図形画素の状態を０に決定す
   る手段とから成る特許請求の範囲第３項に記載の図形画
   素判定装置。