JPS5851513A - ウエハ露光方法及びその装置 - Google Patents
ウエハ露光方法及びその装置Info
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- JPS5851513A JPS5851513A JP56149865A JP14986581A JPS5851513A JP S5851513 A JPS5851513 A JP S5851513A JP 56149865 A JP56149865 A JP 56149865A JP 14986581 A JP14986581 A JP 14986581A JP S5851513 A JPS5851513 A JP S5851513A
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- wafer
- chip
- lens barrel
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- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影型、特に縮小投影型のステップナンドリピ
ート露光方式によるウェハ露光方法及びその装置に関す
る。
ート露光方式によるウェハ露光方法及びその装置に関す
る。
ＬＳＩの集積化が進むにつれてマイクロリソグラフィの
重要性が増々大きくなりつつある。マイクロリングラフ
ィのｉｆは、露光装置の性能に大きく依存する。最近の
露光装置の性能の向上には、めざましい−のがあるが、
中でも微細な線巾のリングラフィには投影型、特に縮小
投影型のステップアンドリピート露光装置が開発され、
１μｍ程度の線巾リングラフィ用マシーンとして有望視
されている。
重要性が増々大きくなりつつある。マイクロリングラフ
ィのｉｆは、露光装置の性能に大きく依存する。最近の
露光装置の性能の向上には、めざましい−のがあるが、
中でも微細な線巾のリングラフィには投影型、特に縮小
投影型のステップアンドリピート露光装置が開発され、
１μｍ程度の線巾リングラフィ用マシーンとして有望視
されている。
とζろで、ステップアンドリピート篇光方式の装置は第
１図に示す構造のものが知られている。即ち、図中の１
は回転可能なウエノ１チャック２が載置されたＸＹ方向
に移動自在なステージである。このステージ１の上方に
はマスクのｔ４ターンを縮小する光学系を内蔵した鏡筒
３が配設され、かつ紋鏡簡３の土部前１にはマスクの合
わせマー〉と位置合せせするための２つのマーク４ｍ、
４ｋが付されでいる。また、前記鏡筒３の直上には、所
定距離へだてて光源５が設けられている。更に１前記鏡
筒３の側面には合わせ機構６が付設されている。この合
わせ機構６は前記鏡筒３の側面に取付けられる本体１と
、この本体１の低部付近に付され、ウェハの合わせ！−
りと合わせるためのマークＨａｒｓｈと、前記本体１に
設けられ、ウニへの合せマークと前記マーク８ｍ、ｇｂ
との照合状態を観察するための顕微鏡９＆ｍ９ｂとから
構成されている。なお、こうした合わせ機構６においそ
前記本体１内のマークＪｔ ａ ｌ ａ ｂと顕微鏡９
龜。
１図に示す構造のものが知られている。即ち、図中の１
は回転可能なウエノ１チャック２が載置されたＸＹ方向
に移動自在なステージである。このステージ１の上方に
はマスクのｔ４ターンを縮小する光学系を内蔵した鏡筒
３が配設され、かつ紋鏡簡３の土部前１にはマスクの合
わせマー〉と位置合せせするための２つのマーク４ｍ、
４ｋが付されでいる。また、前記鏡筒３の直上には、所
定距離へだてて光源５が設けられている。更に１前記鏡
筒３の側面には合わせ機構６が付設されている。この合
わせ機構６は前記鏡筒３の側面に取付けられる本体１と
、この本体１の低部付近に付され、ウェハの合わせ！−
りと合わせるためのマークＨａｒｓｈと、前記本体１に
設けられ、ウニへの合せマークと前記マーク８ｍ、ｇｂ
との照合状態を観察するための顕微鏡９＆ｍ９ｂとから
構成されている。なお、こうした合わせ機構６においそ
前記本体１内のマークＪｔ ａ ｌ ａ ｂと顕微鏡９
龜。
９ｂの間にハーフきマー（図示せず）を介在させ、この
ハーフずマーを介してウェハーの合わせ！−りと前記マ
ークｌａ、ｇｂとの照合状態を観察するための合わせ用
モニタ１０を付設する場合がある。また、前記ステージ
１の側面及び鏡筒３の側面には、夫々ステージｌと鏡筒
３のＹ方向の合わせを行なうだめのマーク１１゜１１′
が・付されている。
ハーフずマーを介してウェハーの合わせ！−りと前記マ
ークｌａ、ｇｂとの照合状態を観察するための合わせ用
モニタ１０を付設する場合がある。また、前記ステージ
１の側面及び鏡筒３の側面には、夫々ステージｌと鏡筒
３のＹ方向の合わせを行なうだめのマーク１１゜１１′
が・付されている。
しかるに、上述した縮小投影型のステップアンドリピー
ト露光装置にょるウェハの露光方法を以下に説明する。
ト露光装置にょるウェハの露光方法を以下に説明する。
まず、所望のマスクイターンを有するマスク１２を、そ
のマスク１２に付された合わせマーク１１ｍ、１３ｂを
鏡筒３の土部縁部に付されたマーク４ａ、Ｊｌ）に照合
させるととによシ鏡筒ＩＫ合わせる。この合わせ操作に
おいて、縮小投影露光糸ではマスク１２のマスクツ１タ
ーンが縮小され、マスク１２と鏡筒３の合わせずれも縮
小されるので、マスク１２と鏡筒３の多小の合わせずれ
は殆んど問題にならない。つづいて、ウェハチャック２
にウェハ１４を組み込み、鏡筒３に付設された合わせ機
４ｉＦ１６の顕微鏡９ａ。
のマスク１２に付された合わせマーク１１ｍ、１３ｂを
鏡筒３の土部縁部に付されたマーク４ａ、Ｊｌ）に照合
させるととによシ鏡筒ＩＫ合わせる。この合わせ操作に
おいて、縮小投影露光糸ではマスク１２のマスクツ１タ
ーンが縮小され、マスク１２と鏡筒３の合わせずれも縮
小されるので、マスク１２と鏡筒３の多小の合わせずれ
は殆んど問題にならない。つづいて、ウェハチャック２
にウェハ１４を組み込み、鏡筒３に付設された合わせ機
４ｉＦ１６の顕微鏡９ａ。
９ｂを通して本体２のマーク８ ａ ａ Ｊｌ ｂにウ
ニ１’１４１Ｃ付された合わせマーク１５ｍ、１１ｂが
照合するようにウェハ１４を動がして合わせを行カうか
、或いは合わせ用モニタ１ｏを用いて本体１のマークｓ
＊、ｔｔｂＫウェハ１４の合わせマークＪｊａ、Ｊ５ｂ
が照合す・るようにウェハ１４を動かして合わせを行な
う。こうした合わせ機構６のマークＪａ、＆ｂとウェハ
１４の合わせマークｓ ｓ ａ Ｉ Ｚ ｓ ｂとの照
合により、該合わせ機構５は鏡筒ＪＫ固定されて、いる
ことから、ウェハ１４が相対的に錠筒３、つまシｉスク
ＪＪ４Ｃ合わされることになる。ウェハ１２０合わせが
完了した後、図示しないレールに旧ってステージ１をＹ
方向に移動させ、第１図の仮想線に示す如く鏡筒３の直
下にウェハ１４が位置するように合わせ操作を行なう。
ニ１’１４１Ｃ付された合わせマーク１５ｍ、１１ｂが
照合するようにウェハ１４を動がして合わせを行カうか
、或いは合わせ用モニタ１ｏを用いて本体１のマークｓ
＊、ｔｔｂＫウェハ１４の合わせマークＪｊａ、Ｊ５ｂ
が照合す・るようにウェハ１４を動かして合わせを行な
う。こうした合わせ機構６のマークＪａ、＆ｂとウェハ
１４の合わせマークｓ ｓ ａ Ｉ Ｚ ｓ ｂとの照
合により、該合わせ機構５は鏡筒ＪＫ固定されて、いる
ことから、ウェハ１４が相対的に錠筒３、つまシｉスク
ＪＪ４Ｃ合わされることになる。ウェハ１２０合わせが
完了した後、図示しないレールに旧ってステージ１をＹ
方向に移動させ、第１図の仮想線に示す如く鏡筒３の直
下にウェハ１４が位置するように合わせ操作を行なう。
このステージ１と鏡筒３のＹ方向の合わせは、ステージ
１及び鉦筒ＪＫ付したマーク１１．１．１’を利用して
Ｖ−デ干渉器で自動的に合わせる。次いで、ウェハ１４
ｔ−ステージＪごとＸＹ方向にステップアンドリ−トさ
せ、そのステン！毎に光源５よシマスフ１２に光を照射
してそのマスクツ４ターンを鏡＠Ｓで縮小することによ
）、第２図に示す如くウェハ１４上の所定領域１６−・
に同一の／奢ターンを繰シ返し転写する。このように、
ＬＳＩなどのチップノ量ターンをウェハ上に転写した後
は、ウェハをスクライブして各チップ毎に分割し、その
分割したペレットをアセンブリして・９ツケージに収め
てＬＳＩ叫の半導体装置を造る。
１及び鉦筒ＪＫ付したマーク１１．１．１’を利用して
Ｖ−デ干渉器で自動的に合わせる。次いで、ウェハ１４
ｔ−ステージＪごとＸＹ方向にステップアンドリ−トさ
せ、そのステン！毎に光源５よシマスフ１２に光を照射
してそのマスクツ４ターンを鏡＠Ｓで縮小することによ
）、第２図に示す如くウェハ１４上の所定領域１６−・
に同一の／奢ターンを繰シ返し転写する。このように、
ＬＳＩなどのチップノ量ターンをウェハ上に転写した後
は、ウェハをスクライブして各チップ毎に分割し、その
分割したペレットをアセンブリして・９ツケージに収め
てＬＳＩ叫の半導体装置を造る。
ところで、各半導体装置の特性はウェハ上のチップの位
置又はウェハによって異なＬことが多いため、ペレット
による前のチップのウェハ上の位置及びウェハをペレッ
トにした彼でも判別できることがデバイスの開発段階で
は重要である０例えば、多結晶シリコンのダート長子Ａ
ｔ配線などの寸法はウェハ内のレジスト膜厚の不均一性
、現象の不均一性、エツチングの不均一性などによって
、ウェハの中央部と周辺部とでは異なり、かつウェハの
歪或いはこれに伴なう欠陥もウェハの中央部と周辺部と
では異な、る。
置又はウェハによって異なＬことが多いため、ペレット
による前のチップのウェハ上の位置及びウェハをペレッ
トにした彼でも判別できることがデバイスの開発段階で
は重要である０例えば、多結晶シリコンのダート長子Ａ
ｔ配線などの寸法はウェハ内のレジスト膜厚の不均一性
、現象の不均一性、エツチングの不均一性などによって
、ウェハの中央部と周辺部とでは異なり、かつウェハの
歪或いはこれに伴なう欠陥もウェハの中央部と周辺部と
では異な、る。
しかしながら、上述した半導体装置の製造において、各
チップは全て同じ・母ターンが転写されているため、分
割したペレットは全く区別がつかない。その結果、デバ
イスの特性評価にあ九って、そのベレットがウェハの中
央部にあったものか、周辺部にあったものか判別できず
、４ ｉ４イスの開発上の障害となっている。また、ウ
ェハ毎にゾロセス条件を変えて実験を行ないその違いを
測定したい場合本、同様にそれらの評価が困難となる。
チップは全て同じ・母ターンが転写されているため、分
割したペレットは全く区別がつかない。その結果、デバ
イスの特性評価にあ九って、そのベレットがウェハの中
央部にあったものか、周辺部にあったものか判別できず
、４ ｉ４イスの開発上の障害となっている。また、ウ
ェハ毎にゾロセス条件を変えて実験を行ないその違いを
測定したい場合本、同様にそれらの評価が困難となる。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、 Ｌ８Ｉなど
の半導体装置のプロセス評価に有益なウェハ露光方法及
びその装−を提供しようとするものである。
の半導体装置のプロセス評価に有益なウェハ露光方法及
びその装−を提供しようとするものである。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第３図は本実施例の露光方法に用いる縮小投影型のステ
ップアンドリピート露光方式の装置を示す概略斜視図で
ある０図中１． ＯＪは回転可能なウェハチャック１０
２が載置されたＸＹ方向に移動自在なステージである。
ップアンドリピート露光方式の装置を示す概略斜視図で
ある０図中１． ＯＪは回転可能なウェハチャック１０
２が載置されたＸＹ方向に移動自在なステージである。
このステージ１０１の上方には、マスクのノ譬タニンを
縮小する光学系を内蔵した鏡筒１０３が配設されている
。ｔた、前記ステージ１０１の側面及び鏡筒ｘｏｓＩ：
Ｄｍ面には、夫々ステージ１０１と鏡筒１０３のＹ方向
の合わせを行なうためのマーク１０４．１０６が付され
ている。前記錠筒１０３の上面１にはマスクの合わせマ
ークと合わせるための例えば十字状のマーク１０・１ｍ
＊１０６ｂが付され、かつ同一部１０３の直上には所
定距離へだてて第１の光源１０１が配設されている。
縮小する光学系を内蔵した鏡筒１０３が配設されている
。ｔた、前記ステージ１０１の側面及び鏡筒ｘｏｓＩ：
Ｄｍ面には、夫々ステージ１０１と鏡筒１０３のＹ方向
の合わせを行なうためのマーク１０４．１０６が付され
ている。前記錠筒１０３の上面１にはマスクの合わせマ
ークと合わせるための例えば十字状のマーク１０・１ｍ
＊１０６ｂが付され、かつ同一部１０３の直上には所
定距離へだてて第１の光源１０１が配設されている。
更に、前記鏡筒１０３の側面には合わせ機構１０８が付
設されている。この合わせ機構１０８は、前記鏡筒１０
３の側面に取付けられる本体１０９と、この本体１０９
の底部付近に付され、ウニへの合わせマークに合わせる
ための十字マークＪ Ｊ Ｏａ ＊ Ｊ １０ ｂと、
前記本体１０９に設けられ、ウェハの合わせマークと前
記十字マーク１１０ｍ、１１０ｂとの照合状態を観察す
るための顕微鏡１１１ ｍ’ 、 １１ ｌ ｂとから
構成されている。なお、こうした合わせ機構１０＆にお
いて、前記本体１０９内の十字マーク１１０ｍ。
設されている。この合わせ機構１０８は、前記鏡筒１０
３の側面に取付けられる本体１０９と、この本体１０９
の底部付近に付され、ウニへの合わせマークに合わせる
ための十字マークＪ Ｊ Ｏａ ＊ Ｊ １０ ｂと、
前記本体１０９に設けられ、ウェハの合わせマークと前
記十字マーク１１０ｍ、１１０ｂとの照合状態を観察す
るための顕微鏡１１１ ｍ’ 、 １１ ｌ ｂとから
構成されている。なお、こうした合わせ機構１０＆にお
いて、前記本体１０９内の十字マーク１１０ｍ。
１１０にと顕微鏡１１１ｍ、１１１ｂの間Ｋ ハーフＺ
ラー（図示せず）を介在させ、このノ・−７ミラーを介
してウェハの合わせマークと前記マーク１１０ｍ、１１
０ｂの照合状態を観察するための合わせ用モニタ１１２
を付設する場合もある。そして、前記鏡筒１０３の合わ
せ機構１０８と反対側の側面には所定距離へだててチッ
プを特定する記号例えば数字を記入したマスク１１１が
鏡筒１０Ｂの軸と平行して配置され、かつ鏡筒１０１内
には゛該マスク１１３からのノｌターンを下方に反射さ
せるノ九−フ之う−１１４が内蔵されている。なお、こ
のマスク１１３は夫々の桁の数字が移動するなどによっ
て、数字を任意に選べる構造になっている。また、前記
マスクＪＪＪを境に鏡筒１０３と反対側に第２の光源１
１５が配設されている。
ラー（図示せず）を介在させ、このノ・−７ミラーを介
してウェハの合わせマークと前記マーク１１０ｍ、１１
０ｂの照合状態を観察するための合わせ用モニタ１１２
を付設する場合もある。そして、前記鏡筒１０３の合わ
せ機構１０８と反対側の側面には所定距離へだててチッ
プを特定する記号例えば数字を記入したマスク１１１が
鏡筒１０Ｂの軸と平行して配置され、かつ鏡筒１０１内
には゛該マスク１１３からのノｌターンを下方に反射さ
せるノ九−フ之う−１１４が内蔵されている。なお、こ
のマスク１１３は夫々の桁の数字が移動するなどによっ
て、数字を任意に選べる構造になっている。また、前記
マスクＪＪＪを境に鏡筒１０３と反対側に第２の光源１
１５が配設されている。
次に、上述したステップアンドリピート露光方式の装置
を用いてウェハの露光方法を説明する。
を用いてウェハの露光方法を説明する。
まず、所望のムＬ配線・リーｙを有するチップ形成用マ
スクＪ Ｊ ｇｌｒｃ付された合わせｉ−りＪＪＦａ＊
ＪＪＦｂを鏡筒１０Ｂの上面縁部の十字マーク１０６＆
、１０１ｊｂに照合させることによプ、該１スク１１６
を鏡筒１０３に合わせる。つづいて、ウェハチャック１
０２に予めフィールド等の形成が終ったウェハ１１８を
組み込み、鏡筒１０３に付設された合わせ機構１０８の
顕微鏡１１１ｍ、１１１ｂを通して本体１０９の１−り
１１０ｍａｌＪＯｂにウニ／１１ Ｊ ４１に付された
合わせマーク１１９＊、１１ｍｂが照合するようにウェ
ハチャック１０１を回転させて合わせを行なら。この場
合、合わせ用モニタ１’１２を用いてマーク１１０ｍ、
１１０ｂにウェハ１１８の合わせマーク１１９畠、１１
９ｂが照合するようにウェハチャック１０２を回転させ
て合わせを行なってもよい、こうした合わせ機構１０８
のマーク１１０ｍ、１１０ｂとウェハ１１８の合わせマ
ーク１１９＊、１１９ｂとの照合により、該合わせ機構
１０８が相対的に鏡筒１０３、つまシマスフ１１６に合
わされることになる。ウェハ１１１１の合わせが完了し
た後、図示しないレールに沿ってステージ１０１をＹ方
向に移動させ第３図の仮想線に丞す如くＩｉ＃筒１０Ｂ
の直下にウェハ１１８が位置するように合わせ操作を行
なう。このステージＪＯＪと鏡筒１０３とのＹ方向の合
わせは、ステージ１０１及び鏡筒ＪＯｊに付したマーク
１０４゜１０４′を利用してレーデ干渉器等で自動的に
合わせる。次いで、ウェハ１１８をステージ１０１ごと
ＸＹ方向にステップアンドリピートさせ、そのステップ
毎に第１の光源１ｏ１がらチップ形成用マスク１１６に
光を照射してそのＡｔ配線／４ターンを鏡筒１０３で縮
小すると共に、ステップ毎に第２の光源１１５から数字
を記入したｉスフ１１３に照射してその数字（ステップ
毎にｌ−１，１−２−・・と変わる）をハーフきラー１
１４で反射させることＫよって、第４図に示す如く、ウ
ェハ１１Ｂのチップ領域１２０−・にＡｊ配線／ｌター
ンを繰シ返し転写すると共にチップ領斌外の同領域１２
０−・部分に１−１゜１−２．１’−３・・・の番号１
２１・・・を転写する。
スクＪ Ｊ ｇｌｒｃ付された合わせｉ−りＪＪＦａ＊
ＪＪＦｂを鏡筒１０Ｂの上面縁部の十字マーク１０６＆
、１０１ｊｂに照合させることによプ、該１スク１１６
を鏡筒１０３に合わせる。つづいて、ウェハチャック１
０２に予めフィールド等の形成が終ったウェハ１１８を
組み込み、鏡筒１０３に付設された合わせ機構１０８の
顕微鏡１１１ｍ、１１１ｂを通して本体１０９の１−り
１１０ｍａｌＪＯｂにウニ／１１ Ｊ ４１に付された
合わせマーク１１９＊、１１ｍｂが照合するようにウェ
ハチャック１０１を回転させて合わせを行なら。この場
合、合わせ用モニタ１’１２を用いてマーク１１０ｍ、
１１０ｂにウェハ１１８の合わせマーク１１９畠、１１
９ｂが照合するようにウェハチャック１０２を回転させ
て合わせを行なってもよい、こうした合わせ機構１０８
のマーク１１０ｍ、１１０ｂとウェハ１１８の合わせマ
ーク１１９＊、１１９ｂとの照合により、該合わせ機構
１０８が相対的に鏡筒１０３、つまシマスフ１１６に合
わされることになる。ウェハ１１１１の合わせが完了し
た後、図示しないレールに沿ってステージ１０１をＹ方
向に移動させ第３図の仮想線に丞す如くＩｉ＃筒１０Ｂ
の直下にウェハ１１８が位置するように合わせ操作を行
なう。このステージＪＯＪと鏡筒１０３とのＹ方向の合
わせは、ステージ１０１及び鏡筒ＪＯｊに付したマーク
１０４゜１０４′を利用してレーデ干渉器等で自動的に
合わせる。次いで、ウェハ１１８をステージ１０１ごと
ＸＹ方向にステップアンドリピートさせ、そのステップ
毎に第１の光源１ｏ１がらチップ形成用マスク１１６に
光を照射してそのＡｔ配線／４ターンを鏡筒１０３で縮
小すると共に、ステップ毎に第２の光源１１５から数字
を記入したｉスフ１１３に照射してその数字（ステップ
毎にｌ−１，１−２−・・と変わる）をハーフきラー１
１４で反射させることＫよって、第４図に示す如く、ウ
ェハ１１Ｂのチップ領域１２０−・にＡｊ配線／ｌター
ンを繰シ返し転写すると共にチップ領斌外の同領域１２
０−・部分に１−１゜１−２．１’−３・・・の番号１
２１・・・を転写する。
しかして、本発明の露光方法によれはウェハ１１８のチ
ップ領域１２ｏ・・・にＡｔ＃配ノリーンをステップア
ンドリピート縛光を行なう間に、番号を付した別のマス
ク１１３を用いて同領域１２０−の隅にチップを特定化
する１−１１’ｌ−２，１−３・・・の番号ｉｘ１・・
・付すことができる。このため、チップパターンをウェ
ハ上に転写し、ウェハをスクライプして各チップ毎に分
割し、この分割したペレットをアセンブリしてノ臂ツケ
ージに収めてＬ８１を製造した後においても、 ＬＳＩ
のペレットに付された番号を読みとるととによって、そ
の（レットがウェハ中のどの位置にあったかを容易に判
別できる。したがッテ、得うれたＬＳＩの特性とそのＬ
８Ｉの−ｅレッドのウェハ中の位＆尋からＬＳＩの特性
評価を簡便かつ正確に把握でき、ひいてＦｉＬＳＩの開
発に大きく貢献できる。
ップ領域１２ｏ・・・にＡｔ＃配ノリーンをステップア
ンドリピート縛光を行なう間に、番号を付した別のマス
ク１１３を用いて同領域１２０−の隅にチップを特定化
する１−１１’ｌ−２，１−３・・・の番号ｉｘ１・・
・付すことができる。このため、チップパターンをウェ
ハ上に転写し、ウェハをスクライプして各チップ毎に分
割し、この分割したペレットをアセンブリしてノ臂ツケ
ージに収めてＬ８１を製造した後においても、 ＬＳＩ
のペレットに付された番号を読みとるととによって、そ
の（レットがウェハ中のどの位置にあったかを容易に判
別できる。したがッテ、得うれたＬＳＩの特性とそのＬ
８Ｉの−ｅレッドのウェハ中の位＆尋からＬＳＩの特性
評価を簡便かつ正確に把握でき、ひいてＦｉＬＳＩの開
発に大きく貢献できる。
なお、上記実施例では各チップ領域全てにチップを特定
化する番号を付したが、製品段階でチップを特定化する
番号を付す場合は第５図に示す如く製品となるチップ領
域１２０−・・以外の開発に利用するチップ領域１２０
′のみ１ｃｌ−１・・・１−６の番号Ｊ ｘ ｘ−・・
を付してもよい。
化する番号を付したが、製品段階でチップを特定化する
番号を付す場合は第５図に示す如く製品となるチップ領
域１２０−・・以外の開発に利用するチップ領域１２０
′のみ１ｃｌ−１・・・１−６の番号Ｊ ｘ ｘ−・・
を付してもよい。
第６図（ａ）に示す如く２チップ以上、例えば二つのチ
ップパターン１２３＆、１２３ｂを有するチップ形成用
マスク１１６′を用いて、１回のステップアンドリピー
トで２つのチップパターンを転写する場合は、第６図（
ｂ）Ｋ示す如くウェハ１１８のチップ領域１２０−にチ
ップを特定化する１、２．３．４．５．６．７の番号１
２４−を１チップ置きに付してもよく、同第６図伽）の
８〜１３０番号１２４′・・・のように連続して付して
もよい。
ップパターン１２３＆、１２３ｂを有するチップ形成用
マスク１１６′を用いて、１回のステップアンドリピー
トで２つのチップパターンを転写する場合は、第６図（
ｂ）Ｋ示す如くウェハ１１８のチップ領域１２０−にチ
ップを特定化する１、２．３．４．５．６．７の番号１
２４−を１チップ置きに付してもよく、同第６図伽）の
８〜１３０番号１２４′・・・のように連続して付して
もよい。
上記実施例ではステップアンドリピートによ〕チップ形
成用マスクのノ譬ターンをウェハＫｌｌ光している時に
チップを特定化する番号を付したが、ステップアンドリ
ピートの１シヨツトのノ々ターン露光の前又は後にチッ
プを特定化する番号を付してもよい、また、ステップア
ントリ／−）［よりチップ形成用マスクの、４ターンを
ウェハの全領域に転写した後、チップを特定化する番号
が記入されたマスクを用いて同チップ領域の全部もしく
は任意の箇所に番号を付してもよ□いし、マスクツ童タ
ーンの転写と番号の転写の順・序を逆にしてもよい。
成用マスクのノ譬ターンをウェハＫｌｌ光している時に
チップを特定化する番号を付したが、ステップアンドリ
ピートの１シヨツトのノ々ターン露光の前又は後にチッ
プを特定化する番号を付してもよい、また、ステップア
ントリ／−）［よりチップ形成用マスクの、４ターンを
ウェハの全領域に転写した後、チップを特定化する番号
が記入されたマスクを用いて同チップ領域の全部もしく
は任意の箇所に番号を付してもよ□いし、マスクツ童タ
ーンの転写と番号の転写の順・序を逆にしてもよい。
上記実施例ではＡｔ配線・々ターンを有するチップ形成
用マスクのステップアンドリピートに際してチップを特
定化する番号をウェハのチップ領域に付したが、Ａｔ配
線）４ターン以外のフィールド領域やｆ−）電極等のパ
ターンを有するチップ形成用マスクのステップアンドリ
ピート時にチップを特定化する番号をウェハのチップ領
域に付してもよい。但し実施例の如（Ａｊ配線）譬ター
ンの転写時にチップを特定化する番号を付した方が、識
別性の良好なｋＡからなる番号をペレツトに付ることか
できるため有利である。
用マスクのステップアンドリピートに際してチップを特
定化する番号をウェハのチップ領域に付したが、Ａｔ配
線）４ターン以外のフィールド領域やｆ−）電極等のパ
ターンを有するチップ形成用マスクのステップアンドリ
ピート時にチップを特定化する番号をウェハのチップ領
域に付してもよい。但し実施例の如（Ａｊ配線）譬ター
ンの転写時にチップを特定化する番号を付した方が、識
別性の良好なｋＡからなる番号をペレツトに付ることか
できるため有利である。
本発明に係るウニへ霧光装蓋は上記実施例に示す構造の
ものに限定されず、例えば第７図〜第９図に示す構造の
ものでもよい。第７図に示す如く鏡筒１０Ｍ上でチップ
形成用マスク１１−と番号転写用のマスク１１３′とを
交圧に切り換え可能な構造にしてウェハ１１８にステッ
プアンドリピートによシ所望のチツデノ臂ターンとチッ
プを特定化する番号を転写する。第８図に示す如く、鏡
筒１０ａ内に番号転写用のマスクの小露光系１２５を組
み込んで同様な転写を行なう。！９図に示す如く鏡筒１
０３内にレーデビームの走査部材１２６（もしくは電子
ビームの走査部材）を組み込み、ウニ八１１８上のレジ
スト膜にチップを特定化する番号を直接無光して転写す
る。
ものに限定されず、例えば第７図〜第９図に示す構造の
ものでもよい。第７図に示す如く鏡筒１０Ｍ上でチップ
形成用マスク１１−と番号転写用のマスク１１３′とを
交圧に切り換え可能な構造にしてウェハ１１８にステッ
プアンドリピートによシ所望のチツデノ臂ターンとチッ
プを特定化する番号を転写する。第８図に示す如く、鏡
筒１０ａ内に番号転写用のマスクの小露光系１２５を組
み込んで同様な転写を行なう。！９図に示す如く鏡筒１
０３内にレーデビームの走査部材１２６（もしくは電子
ビームの走査部材）を組み込み、ウニ八１１８上のレジ
スト膜にチップを特定化する番号を直接無光して転写す
る。
上記実施例ではチップを特定化する記号として番号（数
字）を用いたが、この番号の代りに文字、文字と数字の
組合わせ、その他ノ４ ／ｌターンなどの他の記号を
用いてもよい。
字）を用いたが、この番号の代りに文字、文字と数字の
組合わせ、その他ノ４ ／ｌターンなどの他の記号を
用いてもよい。
以上詳述した如く、本発明によればウエノ１のチップ領
域にチップを特定化する一己号を付すことによシ、ＬＳ
Ｉなどの半導体装置或いはＩＬ８Ｉ を構成するテスト
チップのアセンブリ工程以降の肝価に有効なウェハ露光
方法並びにウェハ露光装置を提供できるものである。
域にチップを特定化する一己号を付すことによシ、ＬＳ
Ｉなどの半導体装置或いはＩＬ８Ｉ を構成するテスト
チップのアセンブリ工程以降の肝価に有効なウェハ露光
方法並びにウェハ露光装置を提供できるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェハにステップアンドリピート露光を行なって
所望の／昔ターンを転写する際、ウエノ１中の全チップ
或いは任意のチップにチップを特定化する記号を転写す
ることを特徴とするウェハ露光方法。 ２、 チップを特定化する記号が番号、文字、゛番号と
文字の組合わせ、或いは番号、文字以外の記号であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ露光
方法。 ３、 ウェハにステップアントリピー）ｋ光を行なって
所望の／譬ターンを転写する装置において、ウェハ中の
全チップ或いは任意のチップにチップを特定化する記号
を転写し得る機能を付設したことを特徴とするウエノ・
無光装置。 ４、チップを特定化する記号が番号、文字、番号と文字
の組合わせ、或いは番号や文字以外の記号であることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載のウェハ露光装置
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149865A JPS5851513A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | ウエハ露光方法及びその装置 |
| US06/373,629 US4613230A (en) | 1981-05-06 | 1982-04-30 | Wafer exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149865A JPS5851513A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | ウエハ露光方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851513A true JPS5851513A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15484340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149865A Pending JPS5851513A (ja) | 1981-05-06 | 1981-09-22 | ウエハ露光方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851513A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166026A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 位置合わせ方法 |
| JPS63283021A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 露光方法 |
| US5350715A (en) * | 1991-11-12 | 1994-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip identification scheme |
| JP2012098574A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012127995A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012194253A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP56149865A patent/JPS5851513A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166026A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 位置合わせ方法 |
| JPS63283021A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 露光方法 |
| US5350715A (en) * | 1991-11-12 | 1994-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip identification scheme |
| JP2012098574A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012127995A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012194253A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
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