JPS5851600A - 電磁波吸収体 - Google Patents
電磁波吸収体Info
- Publication number
- JPS5851600A JPS5851600A JP15034381A JP15034381A JPS5851600A JP S5851600 A JPS5851600 A JP S5851600A JP 15034381 A JP15034381 A JP 15034381A JP 15034381 A JP15034381 A JP 15034381A JP S5851600 A JPS5851600 A JP S5851600A
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- Japan
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- electromagnetic wave
- wave absorber
- frequency
- sintered body
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- Pending
Links
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、znO(酸化亜鉛)を主成分、数種の金属酸
化物を添加成分とする焼結体を用いた電磁波吸収体に関
するものである。
化物を添加成分とする焼結体を用いた電磁波吸収体に関
するものである。
周知の通り、空中には6禎の電磁波が飛び交っており、
その中には雑音として取扱われるものが含まれている。
その中には雑音として取扱われるものが含まれている。
゛この種の雑音の遮蔽には、カーボン粉末あるいはフェ
ライト粉末等を高分子合成樹脂に分散させて薄膜状の電
磁波吸収体を鞠、抵抗体(カーボン粉末)のオーム損失
あるいは磁性体(7エライト粉末)の磁気損失を利用し
て電1sis。
ライト粉末等を高分子合成樹脂に分散させて薄膜状の電
磁波吸収体を鞠、抵抗体(カーボン粉末)のオーム損失
あるいは磁性体(7エライト粉末)の磁気損失を利用し
て電1sis。
tI&収させているが、いずれも比較的高い周波数帯(
10”む前Vk)の電磁波の吸収を目的としてお9、精
密#J足を妨害したシ、精密機械の動作を狂わすおそれ
がある非常に低い周波数帯の雑音(例えば電力線からの
電aWs導による雑音)の迩散は甚だ困難であった。
10”む前Vk)の電磁波の吸収を目的としてお9、精
密#J足を妨害したシ、精密機械の動作を狂わすおそれ
がある非常に低い周波数帯の雑音(例えば電力線からの
電aWs導による雑音)の迩散は甚だ困難であった。
本発明扛上紀拳悄に籠みてなされたもので、誘電体の紡
電慎失を利用することにより、有効に低周波数の雑音を
吸収することができる電磁波吸収体t−徒供することを
目的とする。
電慎失を利用することにより、有効に低周波数の雑音を
吸収することができる電磁波吸収体t−徒供することを
目的とする。
本発明では、訪電体としてZnOt−主成分、数種の金
属酸化物を添加成分とする焼結体(セライクス半導体)
を薄板状ま九は粉末状の形で用いる。
属酸化物を添加成分とする焼結体(セライクス半導体)
を薄板状ま九は粉末状の形で用いる。
薄板状の場合には焼成前の成形時に所要形状に成形し、
また粉末状の場合には焼成後焼結体t−粉砕して粉末と
する。薄板は雑音の侵入を防止したい物の周囲に配設す
ることによって、粉末社他の壁面材料C16料、コンク
IJ −) 等)に混ぜ込んで壁面に塗布することによ
り雑音遮蔽面を形成する。
また粉末状の場合には焼成後焼結体t−粉砕して粉末と
する。薄板は雑音の侵入を防止したい物の周囲に配設す
ることによって、粉末社他の壁面材料C16料、コンク
IJ −) 等)に混ぜ込んで壁面に塗布することによ
り雑音遮蔽面を形成する。
前記焼結体は、ZnOを主成分とし、Bi、O,。
coio、 、SJO+1 、Mn01.0r103
、Sing等数棟の金属酸化物を各々0.1〜2.0モ
ル饅の範囲て絵加し、混合、造粒、成形を行った後、1
100〜1300℃の温度で焼成して得る。この焼結体
は、構造的には5〜10ミクロン程度のZnO結晶微粒
子を0.1ミクロン前後の高抵抗粒界層が取少囲み、こ
の薄層を介してZnOの焼結粒子が互いに接触する形に
なっており、その誘電特性を第1図〜第3図に示す。
、Sing等数棟の金属酸化物を各々0.1〜2.0モ
ル饅の範囲て絵加し、混合、造粒、成形を行った後、1
100〜1300℃の温度で焼成して得る。この焼結体
は、構造的には5〜10ミクロン程度のZnO結晶微粒
子を0.1ミクロン前後の高抵抗粒界層が取少囲み、こ
の薄層を介してZnOの焼結粒子が互いに接触する形に
なっており、その誘電特性を第1図〜第3図に示す。
第1図は周波数と比訪電率の関係、第2図は周波数と誘
電撫率の関係、第3図は周波数と誘電正接(−δ)の関
係をそれぞれ示している。なお、測輩温度は5℃である
。
電撫率の関係、第3図は周波数と誘電正接(−δ)の関
係をそれぞれ示している。なお、測輩温度は5℃である
。
第1図〜第3図から明らかなように焼結体は周波数lO
〜lQ Hz において大きな吸収帯を持っている
。
〜lQ Hz において大きな吸収帯を持っている
。
この吸収はZnO焼結体の持つ二層構造(ZnO粒子と
Bi!O,t−主体とする粒界層)の界面において起こ
る分極によるものと考えられ、その部分の損失が低周波
数の電磁波吸収に有効に作用して低周波数の電磁波(雑
音)の逅敞が可能となる。
Bi!O,t−主体とする粒界層)の界面において起こ
る分極によるものと考えられ、その部分の損失が低周波
数の電磁波吸収に有効に作用して低周波数の電磁波(雑
音)の逅敞が可能となる。
即ち、前述のように遮蔽面を形成した場合、外部から飛
来する低周波数の電磁波が遮蔽面で吸収されることにな
り、正確な精密測定や精密機械の精度の高い動作が期待
できる。
来する低周波数の電磁波が遮蔽面で吸収されることにな
り、正確な精密測定や精密機械の精度の高い動作が期待
できる。
以上のように本発明によれは、znOを主成分とし、数
種の金属酸化物を添加成分とする焼結体を電磁波吸収体
として用いたので、その吸収帯の作用によシミ磁波、特
に低周波数の電磁波が吸収されるようになり、低周波数
の雑材の遮蔽に有効である。
種の金属酸化物を添加成分とする焼結体を電磁波吸収体
として用いたので、その吸収帯の作用によシミ磁波、特
に低周波数の電磁波が吸収されるようになり、低周波数
の雑材の遮蔽に有効である。
図面は本発明に係る電磁波吸収体の誘電特性を示すもの
で、第1図は周波数と比酵電軍の関係を示す図、第2図
は周波数と篩篭損率の関係を示す図、第3図は周波数と
誘電正接の関係を示す図である。
で、第1図は周波数と比酵電軍の関係を示す図、第2図
は周波数と篩篭損率の関係を示す図、第3図は周波数と
誘電正接の関係を示す図である。
Claims (1)
- (1) ZnOt−主成分とし、これK B i!0
3.0010g、8t1tos、Mn01.0r201
.5ins 勢数種の金−酸化物を各々0.1〜2.0
モル饅の範囲で添加し、混合、造粒、成形、焼成して得
た焼結体を薄板状または粉末状として用いた電磁波吸収
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15034381A JPS5851600A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 電磁波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15034381A JPS5851600A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 電磁波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851600A true JPS5851600A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15494916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15034381A Pending JPS5851600A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 電磁波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851600A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223106A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電線 |
| JPH0517073U (ja) * | 1991-08-16 | 1993-03-05 | 立山アルミニウム工業株式会社 | 改装サツシ |
| JPH0913797A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-14 | Ykk Architect Prod Kk | 改装窓 |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP15034381A patent/JPS5851600A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223106A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電線 |
| JPH0517073U (ja) * | 1991-08-16 | 1993-03-05 | 立山アルミニウム工業株式会社 | 改装サツシ |
| JPH0913797A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-14 | Ykk Architect Prod Kk | 改装窓 |
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