JPS5852032B2 - ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 - Google Patents
６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法Info
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- JPS5852032B2 JPS5852032B2 JP57034955A JP3495582A JPS5852032B2 JP S5852032 B2 JPS5852032 B2 JP S5852032B2 JP 57034955 A JP57034955 A JP 57034955A JP 3495582 A JP3495582 A JP 3495582A JP S5852032 B2 JPS5852032 B2 JP S5852032B2
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Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２一置換ナフタレンの電解酸化により６−置換
−１，４−ナフトキノンを好収率で製造する方法に関す
る。
−１，４−ナフトキノンを好収率で製造する方法に関す
る。
６−置換−１，４ナフトキノンは医薬中間体として重要
な化合物であり、従来は２一置換ナフタレンあるいはナ
フトール誘導体の試薬酸化により合成されている。
な化合物であり、従来は２一置換ナフタレンあるいはナ
フトール誘導体の試薬酸化により合成されている。
しかしこの方法は量論的に多量の試薬を必要とし、その
結果として廃液にクロムなどの有害な重金属塩が含まれ
るので、その除去に煩雑な操作を必要とする欠点がある
。
結果として廃液にクロムなどの有害な重金属塩が含まれ
るので、その除去に煩雑な操作を必要とする欠点がある
。
本発明者らは、このような従来法に代る新しい６−置換
−１，４−ナフトキノンの製造法を開発するため鋭意研
究を重ねた結果、２一置換ナフタレンを特定の溶媒中で
所定の支持電解質の存在のもとに所定の電極材料を用い
て電解酸化することにより、目的の６−置換−１，４−
ナフトキノンを合成できることを見出した。
−１，４−ナフトキノンの製造法を開発するため鋭意研
究を重ねた結果、２一置換ナフタレンを特定の溶媒中で
所定の支持電解質の存在のもとに所定の電極材料を用い
て電解酸化することにより、目的の６−置換−１，４−
ナフトキノンを合成できることを見出した。
本発明はこの知見に基づいてなされるに至ったものであ
る。
る。
すなわち本発明は、２一置換ナフタレンを含水アセトン
あるいは含水アセトニトリル中で、硫酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸、ｐ−）ルエンスルホン酸あるいはそ
の塩、テトラフルオロ硼酸あるいはその塩、過塩素塩あ
るいはその塩を支持電解質とし、炭素あるいは二酸化鉛
電極を用いて電解酸化することを特徴とする６−置換−
１，４−ナフトキノンの製造方法を提供するものである
。
あるいは含水アセトニトリル中で、硫酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸、ｐ−）ルエンスルホン酸あるいはそ
の塩、テトラフルオロ硼酸あるいはその塩、過塩素塩あ
るいはその塩を支持電解質とし、炭素あるいは二酸化鉛
電極を用いて電解酸化することを特徴とする６−置換−
１，４−ナフトキノンの製造方法を提供するものである
。
本発明方法は隔膜を有する電解槽に支持電解質として上
記の物質を含む含水アセトンあるいは含水アセトニトリ
ルを溶媒として装入し、陽極室に原料の２一置換ナフタ
レンを加える以外は常法により電位あるいは電流を規制
しながら電解酸化を行うことにより実施できる。
記の物質を含む含水アセトンあるいは含水アセトニトリ
ルを溶媒として装入し、陽極室に原料の２一置換ナフタ
レンを加える以外は常法により電位あるいは電流を規制
しながら電解酸化を行うことにより実施できる。
２一置換ナフタレンとしては、ナフタレンの２位に、塩
素、臭素などのハロゲン、アセトキシ、ベンゾイルオキ
シなどのアシルオキシの他、ニトロ基、シアノ基、カル
ボキシル基、Ｎ−置換又は未置換のアミド基などの不活
性基を有するものが挙げられる。
素、臭素などのハロゲン、アセトキシ、ベンゾイルオキ
シなどのアシルオキシの他、ニトロ基、シアノ基、カル
ボキシル基、Ｎ−置換又は未置換のアミド基などの不活
性基を有するものが挙げられる。
支持電解質の濃度は媒体に対して通常０．０５〜０．２
ｍｏｌｌ／ ｌである。
ｍｏｌｌ／ ｌである。
溶媒中の水含量は１０〜２０容積％がよいがこれに限定
されない。
されない。
電極としては陽極には炭素あるいは二酸化鉛電極を用い
る。
る。
また陰極には炭素板あるいは白金板を用いる。
陽極質における２一置換ナフタレンの濃度は通常０．０
１〜０．１０ｍｏ １１／１！であり、好ましくは０．
０２〜０．０５ ｍｏ ｉｔ／１１である。
１〜０．１０ｍｏ １１／１！であり、好ましくは０．
０２〜０．０５ ｍｏ ｉｔ／１１である。
酸化電位は参照電極に対して＋１．２〜１．８■の範囲
がよく、例えば、２−ブロモナフタレンに対しては＋１
．４Ｖ、そのほかの基質に対しては＋１．６ｖがより好
ましい。
がよく、例えば、２−ブロモナフタレンに対しては＋１
．４Ｖ、そのほかの基質に対しては＋１．６ｖがより好
ましい。
酸化電位の上昇とともに基質の転換率は向上するが、目
的とするナフトキノン誘導体の選択率は低下する。
的とするナフトキノン誘導体の選択率は低下する。
通電量は通常基質に対し６．０〜７．２Ｆ／ｍｏ仄ある
。
。
本発明の電解酸化は通常１５°Ｃで行われるが、これに
限定されず適宜１０〜４０℃の範囲で行われる。
限定されず適宜１０〜４０℃の範囲で行われる。
本発明方法において電解酸化反応により生成した６−置
換−１，４−ナフトキノンは陽極液を水に注ぎ、クロロ
ホルムで抽出し、クロロホルム層をいったん蒸発乾固し
、残渣をベンゼン−クロロホルム等容積混合物に溶解し
、シリカゲルを充てん剤とするカラムクロマトグラフィ
ーで処理して分離できる。
換−１，４−ナフトキノンは陽極液を水に注ぎ、クロロ
ホルムで抽出し、クロロホルム層をいったん蒸発乾固し
、残渣をベンゼン−クロロホルム等容積混合物に溶解し
、シリカゲルを充てん剤とするカラムクロマトグラフィ
ーで処理して分離できる。
このように本発明方法によれば、比較的簡単な操作で６
−置換−１，４−ナフトキノンを好収率かつ好純度で得
ることができる。
−置換−１，４−ナフトキノンを好収率かつ好純度で得
ることができる。
次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例
グラスフィルターの隔膜を有するガラス製Ｈ型電解槽に
、各種の支持電解質を含む水−アセトン溶媒又は水−ア
セトニトリル溶媒１００ＴＩＬｌを装入し、基質濃度約
０．０５ ｍａｌ／１１溶媒となるように２−クロロナ
フタレンをカロえた。
、各種の支持電解質を含む水−アセトン溶媒又は水−ア
セトニトリル溶媒１００ＴＩＬｌを装入し、基質濃度約
０．０５ ｍａｌ／１１溶媒となるように２−クロロナ
フタレンをカロえた。
次いで所定の電極材料を陽極、Ａ＆／Ａｇ＋（ＩＮＫＣ
７）を参照電極として電位を規制しながら、水浴で１５
℃に保ちながら所定量の電流を通電することにより電解
酸化を行った。
７）を参照電極として電位を規制しながら、水浴で１５
℃に保ちながら所定量の電流を通電することにより電解
酸化を行った。
反応終了後、反応混合物をクロロホルムで抽出し、クロ
ロホルム層中の反応生成物をガスクロマトグラフィー（
充填剤シリコン０Ｖ−１７，４ｍ。
ロホルム層中の反応生成物をガスクロマトグラフィー（
充填剤シリコン０Ｖ−１７，４ｍ。
１６０°Ｃ）によって分析した。
Claims (1)
- １２一置換ナフタレンをアセトン−水又はアセトニトリ
ル−水媒体中において硫酸、トリフルオロメタンスルホ
ン酸あるいはその塩、テトラフルオロ硼酸あるいはその
塩、過塩素酸あるいはその塩、ｐ−トルエンスルホン酸
あるいはその塩を支持電解質として、炭素あるいは二酸
化鉛電極を用いて電解酸化することを特徴とする６−置
換１゜４−ナフトキノンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034955A JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034955A JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153792A JPS58153792A (ja) | 1983-09-12 |
| JPS5852032B2 true JPS5852032B2 (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=12428577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57034955A Expired JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852032B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4397730A (en) * | 1982-06-30 | 1983-08-09 | International Business Machines Corporation | Electrolytic cells with alkaline electrolytes containing trifluoromethylane sulfonic acid |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP57034955A patent/JPS5852032B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58153792A (ja) | 1983-09-12 |
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