JPS5852325B2 - プラズマエッチング処理方法および処理装置 - Google Patents
プラズマエッチング処理方法および処理装置Info
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- JPS5852325B2 JPS5852325B2 JP54162508A JP16250879A JPS5852325B2 JP S5852325 B2 JPS5852325 B2 JP S5852325B2 JP 54162508 A JP54162508 A JP 54162508A JP 16250879 A JP16250879 A JP 16250879A JP S5852325 B2 JPS5852325 B2 JP S5852325B2
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- electrode
- plasma
- electrodes
- processed
- plasma etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安定したプラズマエツチング処理を、行なう
ための処理方法及び処理装置に関するものである。
ための処理方法及び処理装置に関するものである。
第１図に一般的なプラズマエツチング装置の概略図を示
す。
す。
この装置は、被処理物１を第１の電極２に設置し、第」
の電極２とＭ２の電極３との間に高周波４によりプラズ
マ５を発生させて、被処理物１をエツチングするもので
ある。
の電極２とＭ２の電極３との間に高周波４によりプラズ
マ５を発生させて、被処理物１をエツチングするもので
ある。
ところで今２図に示すフォトマスクを第２図のプラズマ
エツチング装置ｌこよりエツチングする場合を考えてみ
る。
エツチング装置ｌこよりエツチングする場合を考えてみ
る。
第２図のフォトマスクは例えば、ガラス基板９上に金属
膜（例えがＣｒ）１０を膜厚５００人程度形威し、さら
にその上に所定のパターンのレジスト１１を膜厚５００
Ａ程度形威している。
膜（例えがＣｒ）１０を膜厚５００人程度形威し、さら
にその上に所定のパターンのレジスト１１を膜厚５００
Ａ程度形威している。
そして、レジスト１１をマスクＯこしてプラズマエツチ
ング装置により、金属膜１０をエツチングすることによ
り、ガラス基板９上に所定パターンの金属膜１０を設け
たフォトマスクが形成されるわけである。
ング装置により、金属膜１０をエツチングすることによ
り、ガラス基板９上に所定パターンの金属膜１０を設け
たフォトマスクが形成されるわけである。
上記のようなフォートマスクの第１図に示すようなプラ
ズマエツチング装置による実際のエツチング処理では、
まず第２図の状態のフォトマスクを被処理物１として第
１の電極２に設置し、例えば真空ポンプ６により装置内
を真空にした後、例えば四塩化炭素（ＣＣ１４）ガスを
供給孔７より供給して装置内をガス圧８Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒ程度の雰囲気にする。
ズマエツチング装置による実際のエツチング処理では、
まず第２図の状態のフォトマスクを被処理物１として第
１の電極２に設置し、例えば真空ポンプ６により装置内
を真空にした後、例えば四塩化炭素（ＣＣ１４）ガスを
供給孔７より供給して装置内をガス圧８Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒ程度の雰囲気にする。
そして発振器からの高周波４によりプラズマ５を発生さ
せる。
せる。
その際、最初はプラズマが発生しにくいため、プラズマ
発生の初期の段階では、第１、第２の電極間に高電圧の
高周波をかけてやる必要がある。
発生の初期の段階では、第１、第２の電極間に高電圧の
高周波をかけてやる必要がある。
さらに第２の電極３の極く近くに設けた補助電極８にも
同じ高周波をかけて、第２の電極３と補助電極８間にプ
ラズマを発生させ、第１、第２の電極間Ｏこプラズマが
発生しやすいようにしている。
同じ高周波をかけて、第２の電極３と補助電極８間にプ
ラズマを発生させ、第１、第２の電極間Ｏこプラズマが
発生しやすいようにしている。
具体的には、例えば第１、第２の電極間の距離が約８ｃ
ｒＩＬ１第２の電極３と補助電極８間の距離約３間の場
合、初期の段階での高いプレート電圧が約４．６ＫＶ１
その時のプレート電流が約、１．０２Ａ必要である。
ｒＩＬ１第２の電極３と補助電極８間の距離約３間の場
合、初期の段階での高いプレート電圧が約４．６ＫＶ１
その時のプレート電流が約、１．０２Ａ必要である。
第２の電極３と補助電極８間は距離が約３順と近いため
、簡単（こプラズマが発生し、その後第１、第２の電極
間にプラズマが発生する。
、簡単（こプラズマが発生し、その後第１、第２の電極
間にプラズマが発生する。
そして、そのプラズマが安定したところでプレート電圧
を約２．２ Ｋ Ｖ１プレート電流約１．７５Ａ程度（
こしてプラズマエツチングを行う。
を約２．２ Ｋ Ｖ１プレート電流約１．７５Ａ程度（
こしてプラズマエツチングを行う。
そこで問題になるのが、最初のプラズマ発生時（こ高い
プレート電圧により両電極間の雰囲気が不安定なプラズ
マ状態となり、被処理物１であるフォトマスクのレジス
ト１１や金属膜１０等に、例えば不安定なプラズマ状態
（こよる過電流が生じ、溶解あるいは剥離等の損傷が生
じ、正常なプラズマエツチングが行なわれないことがあ
る点である。
プレート電圧により両電極間の雰囲気が不安定なプラズ
マ状態となり、被処理物１であるフォトマスクのレジス
ト１１や金属膜１０等に、例えば不安定なプラズマ状態
（こよる過電流が生じ、溶解あるいは剥離等の損傷が生
じ、正常なプラズマエツチングが行なわれないことがあ
る点である。
本発明は上記従来の欠点を除去し、プラズマ発生の初期
の段階での不安定なプラズマが被処理物Ｏこ悪影響を及
ぼすのを防いで正常なプラズマエツチングを行なう処理
方法及び処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
の段階での不安定なプラズマが被処理物Ｏこ悪影響を及
ぼすのを防いで正常なプラズマエツチングを行なう処理
方法及び処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
そして上記の目的は、本発明によれば、被処理物を設置
する第１の電極と該第１の電極（こ対抗する第２の電極
との間にプラズマを発生させてエツチングを行なうプラ
ズマエツチング処理方法において、該第１、第２の電極
とは別に第３の電極を設けておいて、該第３の電極を該
第１の電極と第２の電極との間に位置させた状態で該第
３、第２の電極間に高周波を印加して最初のプラズマを
発生させ、かつ、該最初のプラズマ中には前記被処理物
を置かないようにする工程と、該プラズマ安定後に該第
３、第２電極間への高周波の印加を停止し、該第１、第
２の電極間に高周波を印加することによりその間にプラ
ズマを発生させて前記被処理物をエツチングする工程と
を含むことを特徴とするプラズマエツチング処理方法と
、被処理物を設置する第１の電極と、該第１の電極に対
抗する第２の電極との間にプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうプラズマエツチング処理装置において、該
第１、第２の電極の間にあり、かつ該第２の電極との間
にプラズマを発生させる第３の電極を設け、該第３、第
２の電極間のプラズマ発生と、該第１、第２の電極間の
プラズマ発生とを切換えるスイッチ手段を設けたことを
特徴とするプラズマエツチング処理装置とを提供するこ
とにより達成される。
する第１の電極と該第１の電極（こ対抗する第２の電極
との間にプラズマを発生させてエツチングを行なうプラ
ズマエツチング処理方法において、該第１、第２の電極
とは別に第３の電極を設けておいて、該第３の電極を該
第１の電極と第２の電極との間に位置させた状態で該第
３、第２の電極間に高周波を印加して最初のプラズマを
発生させ、かつ、該最初のプラズマ中には前記被処理物
を置かないようにする工程と、該プラズマ安定後に該第
３、第２電極間への高周波の印加を停止し、該第１、第
２の電極間に高周波を印加することによりその間にプラ
ズマを発生させて前記被処理物をエツチングする工程と
を含むことを特徴とするプラズマエツチング処理方法と
、被処理物を設置する第１の電極と、該第１の電極に対
抗する第２の電極との間にプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうプラズマエツチング処理装置において、該
第１、第２の電極の間にあり、かつ該第２の電極との間
にプラズマを発生させる第３の電極を設け、該第３、第
２の電極間のプラズマ発生と、該第１、第２の電極間の
プラズマ発生とを切換えるスイッチ手段を設けたことを
特徴とするプラズマエツチング処理装置とを提供するこ
とにより達成される。
以下本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する。
第３図に本発明の一実施例であるプラズマエツチング処
理装置の概略図を示す。
理装置の概略図を示す。
この装置が第１図の従来の装置と異なる点は、第１の電
極２と第１の電極３の間（こ移動可能な第３の電極１２
が設けられ、スイッチ１３により発振器からの高周波４
を第１の電極２及び第３の電極１２のいずれかに導くこ
とができるようになっている点である。
極２と第１の電極３の間（こ移動可能な第３の電極１２
が設けられ、スイッチ１３により発振器からの高周波４
を第１の電極２及び第３の電極１２のいずれかに導くこ
とができるようになっている点である。
本実施例のプラズマエツチング処理方法は、上記の様な
構造の処理装置を利用して次の様に行なわれる。
構造の処理装置を利用して次の様に行なわれる。
まずプラズマ発生の初期の段階では第１１第２の電極間
に第３の電極１２を介在させ、スイッチ１３により高周
波４を第３の電極１２に導いて、第３の電極１２と第２
の電極３の間に最初のプラズマを発生させる。
に第３の電極１２を介在させ、スイッチ１３により高周
波４を第３の電極１２に導いて、第３の電極１２と第２
の電極３の間に最初のプラズマを発生させる。
そしてそのプラズマが安定したところで、第３の電極１
２を例えば第１、第２の電極間から退避させると共にス
イッチ１３を切り変えて発振器からの高周波４を第１の
電極２ｔ／こ導くようにする。
２を例えば第１、第２の電極間から退避させると共にス
イッチ１３を切り変えて発振器からの高周波４を第１の
電極２ｔ／こ導くようにする。
このような方法でプラズマエツチングを行なうことによ
り、被処理物１を初期の不安定なプラズマ中におくこと
がないため、前述したような被処理物１への損傷を防ぐ
ことができる。
り、被処理物１を初期の不安定なプラズマ中におくこと
がないため、前述したような被処理物１への損傷を防ぐ
ことができる。
次に第２図のフォトマスクを被処理物１としてプラズマ
エツチングを行なう場合の具体的な一実施例につし）で
述べる。
エツチングを行なう場合の具体的な一実施例につし）で
述べる。
まず第３図の処理装置は、例えば第１、第２の電極間の
距離が約８湿、第３、第２の電極間の距離が約６ｃＩｆ
Ｌ１第２の電極３と補助電極８間の距離が約３ｍ１ＪＬ
である。
距離が約８湿、第３、第２の電極間の距離が約６ｃＩｆ
Ｌ１第２の電極３と補助電極８間の距離が約３ｍ１ＪＬ
である。
又処理装置内Ｑこは四塩化炭素（ＣＣ１４）をガス圧約
８Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに満す。
８Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに満す。
そして初期段階では、第３の電極１２を第１、第２の電
極間に挿入し、プレート電圧的１．７ＫＶ、プレート電
流的１．５Ａｌこ設定する。
極間に挿入し、プレート電圧的１．７ＫＶ、プレート電
流的１．５Ａｌこ設定する。
その時補助電極８にも同様の高周波４が導ひかれている
。
。
そしてまず補助電極８と第２の電極３との間にプラズマ
が発生し、さら（こ第３の電極１２と第２の電極３との
間にもプラズマが発生する。
が発生し、さら（こ第３の電極１２と第２の電極３との
間にもプラズマが発生する。
この時被処理物１は初期の不安定なプラズマ中にはない
。
。
そしてこのプラズマが安定した後（本実施例では約１０
秒後）、第３の電極１２を例えば軸部１２′を中心に回
転させて、第１、第２の電極の間より退避させ、スイッ
チ１３を切り変え、さらにプレート電圧的２．２ＫＶ１
プレート電流を約１．７５Ａに変える。
秒後）、第３の電極１２を例えば軸部１２′を中心に回
転させて、第１、第２の電極の間より退避させ、スイッ
チ１３を切り変え、さらにプレート電圧的２．２ＫＶ１
プレート電流を約１．７５Ａに変える。
そしてその後約１分間安定したプラズマを供給すること
により、被処理物１であるフォトマスクの金属膜１０が
正常にプラズマエツチングされる。
により、被処理物１であるフォトマスクの金属膜１０が
正常にプラズマエツチングされる。
なお、プラズマ発生の初期段階におけるプレート電圧は
、その時の電極の第３の電極１２と第２の電極３との距
離が、従来の第１の電極１と第２の電極３間よりも近い
ため、従来に比べて低い電圧（約１．７ＫＶ）でプラズ
マが発生しうるわけである。
、その時の電極の第３の電極１２と第２の電極３との距
離が、従来の第１の電極１と第２の電極３間よりも近い
ため、従来に比べて低い電圧（約１．７ＫＶ）でプラズ
マが発生しうるわけである。
次に他の実施例として、第３の電極が特にメツシュ状の
金属よりなる場合について説明する。
金属よりなる場合について説明する。
前述の実施例の第３の電極が例えば軸１２′を中心に回
軸するものであったが、本実施例の様にメツシュ状の金
属を第３の電極に利用することにより、第３の電極を固
定したまま前述したプラズマエツチング処理を行なうこ
とができる。
軸するものであったが、本実施例の様にメツシュ状の金
属を第３の電極に利用することにより、第３の電極を固
定したまま前述したプラズマエツチング処理を行なうこ
とができる。
メツシュ状の金属は例えば銅よりなる直径０．５ ｍｒ
ｒｔの針金をピッチ約１．０ ｃｍのメツシュ状にした
ものである。
ｒｔの針金をピッチ約１．０ ｃｍのメツシュ状にした
ものである。
このメツシュ状の金属を第３の電極として用いた場合、
その処理装置の各電極間の距離等及び処理時の種種の条
件等は前述の実施例とほぼ同じで良い。
その処理装置の各電極間の距離等及び処理時の種種の条
件等は前述の実施例とほぼ同じで良い。
異なる点は、第３の電極は第１，２の電極間に固定され
ており、プラズマが安定した後、第３の電極は第１，２
の電極間より退避することなく、スイッチ１３のみを第
３の電極から第１の電極に切り変えるだけでよいという
点である。
ており、プラズマが安定した後、第３の電極は第１，２
の電極間より退避することなく、スイッチ１３のみを第
３の電極から第１の電極に切り変えるだけでよいという
点である。
本実施例によれば処理装置が簡単化されるという利点が
ある。
ある。
以上説明したように本発明によれば、プラズマエツチン
グで最初のプラズマ発生時の不安定なプラズマ中に被処
理部を置かないで、プラズマが安定したところで被処理
物のプラズマエツチングを行なうので、不安定なプラズ
マによる被処理物への損傷の発生を防ぐことができ、正
常で良好なプラズマエツチングを行なうことができる。
グで最初のプラズマ発生時の不安定なプラズマ中に被処
理部を置かないで、プラズマが安定したところで被処理
物のプラズマエツチングを行なうので、不安定なプラズ
マによる被処理物への損傷の発生を防ぐことができ、正
常で良好なプラズマエツチングを行なうことができる。
第１図は従来のプラズマエツチング処理装置の概略図。
第２図は被処理物としてのフォトレジストの断面図。
第３図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング処
理装置の概略図。 図中、１：被処理物、２：第１の電極、３：第２の電極
、４：高周波、５：プラズマ １２：第３の電極。
理装置の概略図。 図中、１：被処理物、２：第１の電極、３：第２の電極
、４：高周波、５：プラズマ １２：第３の電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理物を設置する第１の電極と該第１の電極に対
抗する第２の電極との間にプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうプラズマエツチング処理方法において、該
第１、第２の電極とは別（こ第３の電極を設けておいて
、該第３の電極を該第１の電極と第２の電極との間Ｏこ
位置させた状態で該第３、第２の電極間Ｇこ高周波を印
加して最初のプラズマを発生させ、かつ、該最初のプラ
ズマ中には前記被処理物を置かないようにする工程と、
該プラズマ安定後に該第３、第２電極間への高周波の印
加を停止し、該第１、第２の電極間に高周波を印加する
ことによりその間にプラズマを発生させて前記被処理物
をエツチングする工程とを含むことを特徴とするプラズ
マエツチング処理方法。 ２ 被処理物を設置する第１の電極と該第１の電極に対
抗する第２の電極との間（こプラズマを発生させてエツ
チングを行なうプラズマエツチング処理装置Ｏこおいて
、該第１、第２の電極の間にあり、かつ該第２の電極と
の間にプラズマを発生させる電３の電極を設け、該第３
、第２の電極間のプラズマの発生と、該第１、第２の電
極間のプラズマの発生とを切換えるスイッチ手段を設け
たことを特徴とするプラズマエツチング処理装置。 ３ 前記第３の電極がメツシュ状の金属よりなることを
特徴とする特許請求の第２項記載のプラズマツチング処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54162508A JPS5852325B2 (ja) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | プラズマエッチング処理方法および処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54162508A JPS5852325B2 (ja) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | プラズマエッチング処理方法および処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5685827A JPS5685827A (en) | 1981-07-13 |
| JPS5852325B2 true JPS5852325B2 (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=15755948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54162508A Expired JPS5852325B2 (ja) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | プラズマエッチング処理方法および処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852325B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256431A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Plasma Syst:Kk | 半導体基板のプラズマ処理方法及び装置 |
| JP2681360B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | レジスト膜除去装置 |
| JPH04240725A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エッチング方法 |
| US12181801B2 (en) | 2021-05-03 | 2024-12-31 | Applied Materials, Inc. | Chamber and methods of treating a substrate after exposure to radiation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676242A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Treating apparatus using gas plasma reaction |
-
1979
- 1979-12-14 JP JP54162508A patent/JPS5852325B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5685827A (en) | 1981-07-13 |
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