JPH0198227A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPH0198227A JPH0198227A JP25594887A JP25594887A JPH0198227A JP H0198227 A JPH0198227 A JP H0198227A JP 25594887 A JP25594887 A JP 25594887A JP 25594887 A JP25594887 A JP 25594887A JP H0198227 A JPH0198227 A JP H0198227A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
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- -1 M and CrQ4 Chemical class 0.000 description 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関する。
薄膜トランジスタを製造する際、基板等の上に半導体膜
、絶縁体膜、金属膜等を成膜し、その上にフォトリソグ
ラフィー法によりマスクを施し、次いでガスプラズマエ
ツチング法にて、所望の薄膜パターンを形成することが
多々ある。
、絶縁体膜、金属膜等を成膜し、その上にフォトリソグ
ラフィー法によりマスクを施し、次いでガスプラズマエ
ツチング法にて、所望の薄膜パターンを形成することが
多々ある。
第２図によりこのような薄膜パターン形成工程の一例を
図す。
図す。
ゲート電極形成後（ブロック７）、ゲート絶縁膜、ａ−
８ｉ：Ｈ膜、ｎ：ａ−８ｉ：Ｈ膜を順次形成しくブロッ
ク８）、フォトリソグラフィー法により、レジストでマ
スクパターンを施しくブロック９）ガスプラズマエツチ
ング法にて、薄膜パターンを形成する（ブロック１０）
。
８ｉ：Ｈ膜、ｎ：ａ−８ｉ：Ｈ膜を順次形成しくブロッ
ク８）、フォトリソグラフィー法により、レジストでマ
スクパターンを施しくブロック９）ガスプラズマエツチ
ング法にて、薄膜パターンを形成する（ブロック１０）
。
その後、レジスト剥離液等を用いた一般的なレジスト剥
離方法により前記レジストパターンを除去する（ブロッ
ク１１．１２．１３）。
離方法により前記レジストパターンを除去する（ブロッ
ク１１．１２．１３）。
従来通り、レジスト剥離液等を用いて、レジストパター
ンを除去した場合、レジスト剥離液が基板上のレジスト
以外の材料、例えば、！’−１．Ｃｒ等の金属にダメー
ジを与える可能性があり、金属配線の断線を引き起こし
歩留り低下の原因となりうる。
ンを除去した場合、レジスト剥離液が基板上のレジスト
以外の材料、例えば、！’−１．Ｃｒ等の金属にダメー
ジを与える可能性があり、金属配線の断線を引き起こし
歩留り低下の原因となりうる。
本発明は前記の問題点を解消し、歩留りの高い薄膜トラ
ンジスタの製造方法を提供する事を目的とする。
ンジスタの製造方法を提供する事を目的とする。
本発明による、薄膜トランジスタ製造方法とは、基板等
の上に半導体膜、絶縁体膜、金属膜等を形成した後、ガ
スプラズマエツチング法によりエツチングを行う。その
後レジスト剥離のプロセスとして、引き続き同一エツチ
ング装置内において、エツチング時とガス種を変えるこ
とにより、異種プラズマを起こし、レジストパターンを
除去する。
の上に半導体膜、絶縁体膜、金属膜等を形成した後、ガ
スプラズマエツチング法によりエツチングを行う。その
後レジスト剥離のプロセスとして、引き続き同一エツチ
ング装置内において、エツチング時とガス種を変えるこ
とにより、異種プラズマを起こし、レジストパターンを
除去する。
このことによりレジスト剥離液を用いないで、レジスト
パターンを除去することができるので、レジスト剥離液
による基板上の他の材料、例えばＭ、ＣｒＱ４の金属に
ダメージを与えることがなくなり、歩留りは向上する。
パターンを除去することができるので、レジスト剥離液
による基板上の他の材料、例えばＭ、ＣｒＱ４の金属に
ダメージを与えることがなくなり、歩留りは向上する。
またエツチングとレジスト剥離が同一装置内で行えるの
でプロセスの簡易化も同時に実現できる。
でプロセスの簡易化も同時に実現できる。
以下、第１図を用いて本発明に係る薄膜トランジスタの
製造方法の一実施例を説明する。
製造方法の一実施例を説明する。
先ず、ゲート電極を形成した後（ブロック１）ＣＶＤ法
により、ゲート絶縁膜、ａ−８ｉ ：ＨＰｌｉ、ｎ”
： ａ−８ｉ ：）ｌ膜、を順次形成する（ブロック２
）。
により、ゲート絶縁膜、ａ−８ｉ ：ＨＰｌｉ、ｎ”
： ａ−８ｉ ：）ｌ膜、を順次形成する（ブロック２
）。
その後、前記ＣＶＤ膜上に、フォトリソグラフィー法ヲ
用いて、レジストでマスクパターンを形成しくブロック
３）、その後、例えばＣＦ、を用いたガスプラズマエツ
チング法により薄膜パターンを形成する（ブロック４）
。その後、本発明法によりレジスト剥離プロセスを行う
（ブロック５．６）。
用いて、レジストでマスクパターンを形成しくブロック
３）、その後、例えばＣＦ、を用いたガスプラズマエツ
チング法により薄膜パターンを形成する（ブロック４）
。その後、本発明法によりレジスト剥離プロセスを行う
（ブロック５．６）。
エツチングが終了した後、同一装置においてガスをエツ
チング時とは異ったガス、例えば０２に変えて流す。そ
れにより、エツチング時とは異ったプラズマを起こし基
板の他の材料には影響を与えず、レジストパターンのみ
を除去してしまう。
チング時とは異ったガス、例えば０２に変えて流す。そ
れにより、エツチング時とは異ったプラズマを起こし基
板の他の材料には影響を与えず、レジストパターンのみ
を除去してしまう。
以上説明した如く、本発明の製造方法によｎば、エツチ
ング装置と同一装置でガス種を０２に変えるだけでレジ
ストパターンの除去を行うので、レジスト剥離液を使う
必要が無く、レジスト剥離液に、よる金属等に与えるダ
メージが無くなり、配線部の［ｆｒｉｌｅｉ！が引き起
こされることも無くなり歩留りが向上する。又、エツチ
ングとレジスト剥離を同一装置内で行うのでプロセスが
簡易化され、生産性の向上にも効果大である。
ング装置と同一装置でガス種を０２に変えるだけでレジ
ストパターンの除去を行うので、レジスト剥離液を使う
必要が無く、レジスト剥離液に、よる金属等に与えるダ
メージが無くなり、配線部の［ｆｒｉｌｅｉ！が引き起
こされることも無くなり歩留りが向上する。又、エツチ
ングとレジスト剥離を同一装置内で行うのでプロセスが
簡易化され、生産性の向上にも効果大である。
第１図は本発明法による薄膜トランジスタの製造方法を
ブロック図で表したもので、第２図は従来法によるもの
である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 第１図 第２図
ブロック図で表したもので、第２図は従来法によるもの
である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- 薄膜トランジスタを製造する過程において、基板上に
形成した膜にフォトリソグラフィー法を用いて、レジス
トでマスクを形成し、その後、ガスプラズマエッチング
法によりエッチングを行った後同じエッチング装置にお
いて、前記エッチング時とは異った種類のガスを用いた
プラズマにより、基板上のレジストを除去する工程を含
む薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255948A JP2673429B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255948A JP2673429B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198227A true JPH0198227A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2673429B2 JP2673429B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17285802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255948A Expired - Lifetime JP2673429B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2673429B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387890A (en) * | 1992-11-05 | 1995-02-07 | Gec Alsthom T & D Sa | Superconductive coil assembly particularly for a current limiter, and a current limiter including such a coil assembly |
| US6054392A (en) * | 1997-05-27 | 2000-04-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method of forming a contact hole in the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572585A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Forming method for aluminum electrode |
| JPS62216369A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255948A patent/JP2673429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572585A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Forming method for aluminum electrode |
| JPS62216369A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387890A (en) * | 1992-11-05 | 1995-02-07 | Gec Alsthom T & D Sa | Superconductive coil assembly particularly for a current limiter, and a current limiter including such a coil assembly |
| US6054392A (en) * | 1997-05-27 | 2000-04-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method of forming a contact hole in the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2673429B2 (ja) | 1997-11-05 |
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