JPS5852647A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5852647A JPS5852647A JP15126581A JP15126581A JPS5852647A JP S5852647 A JPS5852647 A JP S5852647A JP 15126581 A JP15126581 A JP 15126581A JP 15126581 A JP15126581 A JP 15126581A JP S5852647 A JPS5852647 A JP S5852647A
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- JP
- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0616—Hydrazines; Hydrazones
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0668—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
- G03G5/067—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group containing hetero rings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に関し、更に詳細にはヒドラゾ
ン系化合物から成る新規な有機光導電性物質を含有する
感光層を有する電子写真用感光体に関するものである。
ン系化合物から成る新規な有機光導電性物質を含有する
感光層を有する電子写真用感光体に関するものである。
従来、遊子写真感光体で用いる光導′区(シ料として、
セレン、硫化カドミウム、酸化111j鉛などの無機光
導電性材料が知られている。これらの光導電性材料は、
数多くの利点、例えば暗所で適当な電位に帯電できるこ
と、暗所で′電荷の逸散が少ないことあるいはうし照射
によって速かに電荷を起散できるなどの利点をもってい
る反面、各種の欠点を有している。例えば、セレン系感
光体では、温度、湿度、ごみ、順方などの要因で容易に
結晶化が進み、特に雰囲気幅度が40℃を越えると結晶
化が著しくなり、帯′屯性の低−ドや画像に白い斑点が
発生するといった欠点がある。捷た、セレン系感光体や
硫化カドミウム系感光体は、多湿下の経時の使用におい
て安定した感度と耐久性が得られない欠点がある。
セレン、硫化カドミウム、酸化111j鉛などの無機光
導電性材料が知られている。これらの光導電性材料は、
数多くの利点、例えば暗所で適当な電位に帯電できるこ
と、暗所で′電荷の逸散が少ないことあるいはうし照射
によって速かに電荷を起散できるなどの利点をもってい
る反面、各種の欠点を有している。例えば、セレン系感
光体では、温度、湿度、ごみ、順方などの要因で容易に
結晶化が進み、特に雰囲気幅度が40℃を越えると結晶
化が著しくなり、帯′屯性の低−ドや画像に白い斑点が
発生するといった欠点がある。捷た、セレン系感光体や
硫化カドミウム系感光体は、多湿下の経時の使用におい
て安定した感度と耐久性が得られない欠点がある。
また、酸化唾鉛系118光体は、ローズベンガルに代表
される増感色素による増感効果を必要としているが、こ
の様な増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光光に
よる光退色を生じるだめ長期に亘って安定した画像を与
えることができない欠点を有している。
される増感色素による増感効果を必要としているが、こ
の様な増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光光に
よる光退色を生じるだめ長期に亘って安定した画像を与
えることができない欠点を有している。
一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする各種の有
機光導電性ポリマーが提案されて来だが、これらのポリ
マーは、前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性
などの点で優れているにもかかわらず、今日までその実
用化が困難であったのは、未だ十分な成膜性が得られて
おらず、また感度、耐久性および環境変化による安定性
の点で無機系光導電材料に較べ劣っているためであった
。また、米国特許第3837851号公報などに記載の
トリアリールピラゾリン化合物、米国特許第I5098
7号公報、英国特許第930988 号公報などに記
載のヒドラゾン化合物や特開1@55−53278号公
報な戸に記・1父の4−クロロオキサゾール化合物など
の低分子の有機光導電材料が提案されている。との峰な
低分子の有機光導′醒材料は、使用するバインダーを適
当に選択することによって、有機光J1−電性ボリマー
の分野で問題となっていだ成1漠性の欠点を解消できる
(1になったが、感度の点で十分なものとは言えない。
機光導電性ポリマーが提案されて来だが、これらのポリ
マーは、前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性
などの点で優れているにもかかわらず、今日までその実
用化が困難であったのは、未だ十分な成膜性が得られて
おらず、また感度、耐久性および環境変化による安定性
の点で無機系光導電材料に較べ劣っているためであった
。また、米国特許第3837851号公報などに記載の
トリアリールピラゾリン化合物、米国特許第I5098
7号公報、英国特許第930988 号公報などに記
載のヒドラゾン化合物や特開1@55−53278号公
報な戸に記・1父の4−クロロオキサゾール化合物など
の低分子の有機光導電材料が提案されている。との峰な
低分子の有機光導′醒材料は、使用するバインダーを適
当に選択することによって、有機光J1−電性ボリマー
の分野で問題となっていだ成1漠性の欠点を解消できる
(1になったが、感度の点で十分なものとは言えない。
本発明の目的は、’t3fl 4の欠点もしく←j二不
利を解消した新規な′11L子写兵11&光体を11?
−供することにある。
利を解消した新規な′11L子写兵11&光体を11?
−供することにある。
本発明の別の目的に41、新規な有機光カ電性材料を提
供することにある。
供することにある。
本発明の別の目的d1、’NT、両発生層と重荷輸送層
のM層構造からなる感光層で用いる軍r1°f楠床物質
に適した化合物を提供することにある。
のM層構造からなる感光層で用いる軍r1°f楠床物質
に適した化合物を提供することにある。
本発明のかかる]二」的は、’T”M己一般式(1)で
示されるヒドラゾン糸化合物を含有する層を11°する
電子写真感光体によってI木酸さ7′17る。
示されるヒドラゾン糸化合物を含有する層を11°する
電子写真感光体によってI木酸さ7′17る。
1′t。
式中、賜および)12け、水素原子、置換若しくは未置
換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、1so−プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、
アミル基、t−アミル基、オクチル基、2−エチルヘキ
シル基、2−ヒドロギシエチル基、2−メトキシエチル
基、2−クロロエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、
3−メi・キシプロピル基、4−メトキシブチル基、3
−スルホプロピル基など)、置換若しくは未置換のアラ
ルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナ
フチルメチル基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル
基、トリクロロベンジル基、エチルベンジル基、メトキ
シベンジル基、シアノベンジル基など)または置換若し
くは未置換のアリール基(例えば、フェニル基、トリル
基、キシリル基、ビフェニル基、エチルフェニル基、メ
トキシエチル基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニ
ル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シ
アノフェニル基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基
、N、N−ジエチルアミノフェニルX、、N、N−ジ−
プロピルアミノフェニル基、N、N−ジベンジルアミノ
フェニル基、モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニ
ル基、ピロリジノフェニル基など)を示す。
換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、1so−プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、
アミル基、t−アミル基、オクチル基、2−エチルヘキ
シル基、2−ヒドロギシエチル基、2−メトキシエチル
基、2−クロロエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、
3−メi・キシプロピル基、4−メトキシブチル基、3
−スルホプロピル基など)、置換若しくは未置換のアラ
ルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナ
フチルメチル基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル
基、トリクロロベンジル基、エチルベンジル基、メトキ
シベンジル基、シアノベンジル基など)または置換若し
くは未置換のアリール基(例えば、フェニル基、トリル
基、キシリル基、ビフェニル基、エチルフェニル基、メ
トキシエチル基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニ
ル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シ
アノフェニル基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基
、N、N−ジエチルアミノフェニルX、、N、N−ジ−
プロピルアミノフェニル基、N、N−ジベンジルアミノ
フェニル基、モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニ
ル基、ピロリジノフェニル基など)を示す。
Aは、複素環基を示し、好捷しくけ下記一般式(a)
、 (+)) 、 (c)および(d)で示される。
、 (+)) 、 (c)および(d)で示される。
一般式
%式%
■
也
R5およびR,は、置換捷だは未置換のアルキル基(例
えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1so−
プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル基、t−ブ
チル基、n−アミル基、5ec−’アミル基、t−アミ
ル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オ
クチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、2−クロロエチル基、3−1’ロロプロビル
基、2−メトキシエチル基、3−メトキシプロピル基、
3−エトキシプロピル基、3−シアノプロピル基など)
を示す。
えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1so−
プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル基、t−ブ
チル基、n−アミル基、5ec−’アミル基、t−アミ
ル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オ
クチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、2−クロロエチル基、3−1’ロロプロビル
基、2−メトキシエチル基、3−メトキシプロピル基、
3−エトキシプロピル基、3−シアノプロピル基など)
を示す。
R,は、置換若しくは未置換のアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、is。
チル基、エチル基、プロピル基、is。
−プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、アミル基、t
−アミル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、2−
ヒドロキシエチル基、2−メトキシエチル基、2−クロ
ロエチル基、:ウーヒドロキシブロビル基、3−メトキ
シフェニル基、4−メトキシブチル基、3−スルホプロ
ピル基など)、置換若しくは未置換のアラルキル基(例
えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル
基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、トリクロ
ロベンジル基、エチルフェニル基、メトキシエチル基、
シアノベンジル基など)または置換若しくは未置換のア
リール基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基
、ビフェニル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル
基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジクロ
ロフェニル基、トリクロロフェニル基、ジアノフェニル
基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基、N、N−ジ
エチルアミノフェニルJA、N、N−シーフロビルアミ
ノフェニル基、N、N−ジエチルアミノフェニルノ書、
モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニル基、ピロリ
ジノフェニル基など)を示す。川は、置換されてもよい
アリール基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ビフェニル基、エチルフェニル基、メトキシフェニ
ル基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジク
ロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シアノフェニ
ル基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基、N、N−
ジエチルアミノフェニル−s、N、N−/−プロピルア
ミノフェニル基、 N、N−ジベンジルアミノフェニル
基、モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニル基、ピ
ロリジノフェニル基ナト)を示す。Xは、水素原子剤た
はハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、など)
を示す。
−アミル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、2−
ヒドロキシエチル基、2−メトキシエチル基、2−クロ
ロエチル基、:ウーヒドロキシブロビル基、3−メトキ
シフェニル基、4−メトキシブチル基、3−スルホプロ
ピル基など)、置換若しくは未置換のアラルキル基(例
えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル
基、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、トリクロ
ロベンジル基、エチルフェニル基、メトキシエチル基、
シアノベンジル基など)または置換若しくは未置換のア
リール基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基
、ビフェニル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル
基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジクロ
ロフェニル基、トリクロロフェニル基、ジアノフェニル
基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基、N、N−ジ
エチルアミノフェニルJA、N、N−シーフロビルアミ
ノフェニル基、N、N−ジエチルアミノフェニルノ書、
モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニル基、ピロリ
ジノフェニル基など)を示す。川は、置換されてもよい
アリール基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ビフェニル基、エチルフェニル基、メトキシフェニ
ル基、ジメトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジク
ロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シアノフェニ
ル基、N、N−ジ−メチルアミノフェニル基、N、N−
ジエチルアミノフェニル−s、N、N−/−プロピルア
ミノフェニル基、 N、N−ジベンジルアミノフェニル
基、モルホリノフェニル基、ピペラジノフェニル基、ピ
ロリジノフェニル基ナト)を示す。Xは、水素原子剤た
はハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、など)
を示す。
Z2は、2−ピリジン環、4−ピリジン環、2−キノリ
ン環、4−キノリン環、チアゾリン環、チアゾール環、
ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、オキサゾリ
ン環、オギサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ナフト
オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール
環、ナフトセレナゾール環、イミダシリン環、イミダゾ
ール環、ベンゾイミダゾール環、ナンドイミダゾール環
、インドリン環などの5員または6員の複素環を完成す
るに必要な原子群を示す。また、lは、0または1であ
る。
ン環、4−キノリン環、チアゾリン環、チアゾール環、
ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、オキサゾリ
ン環、オギサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ナフト
オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール
環、ナフトセレナゾール環、イミダシリン環、イミダゾ
ール環、ベンゾイミダゾール環、ナンドイミダゾール環
、インドリン環などの5員または6員の複素環を完成す
るに必要な原子群を示す。また、lは、0または1であ
る。
これらの複素環は、塩素原子、臭素原子、沃素原子など
のハロゲン原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基
、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル
基、l−ブチルIII;、n−アミル基、t−アミル基
などのアルギル基、n−ヒドロキシエチル基、3−ヒド
ロキシプロピル基、2−メトキシエチル基、3−メトキ
シプロピル基、3−工トキシプロピル基、3−シアノプ
ロピル基などの置換アルギル基、ベンジル基、フェネチ
ル基などのアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシ
リル基、ビフェニル基などのアリール基、クロロフェニ
ル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シ
ーアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ニトロフェ
ニル基、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基など
の置換フェニル基、ニトロ基、ンアノ基、ヒドロキシ基
、アミン基などによってIM換されることができる。
のハロゲン原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基
、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル
基、l−ブチルIII;、n−アミル基、t−アミル基
などのアルギル基、n−ヒドロキシエチル基、3−ヒド
ロキシプロピル基、2−メトキシエチル基、3−メトキ
シプロピル基、3−工トキシプロピル基、3−シアノプ
ロピル基などの置換アルギル基、ベンジル基、フェネチ
ル基などのアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシ
リル基、ビフェニル基などのアリール基、クロロフェニ
ル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、シ
ーアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ニトロフェ
ニル基、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基など
の置換フェニル基、ニトロ基、ンアノ基、ヒドロキシ基
、アミン基などによってIM換されることができる。
Z3は、−8−基、−〇−1たは〉CI−■2基を示す
。
。
Z、け、複素環(例えば、チアゾリン環、チアゾール環
、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、オキサゾ
ール環、オキサゾリン環、ペンゾオキザゾール環、ナフ
トオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾー
ル環、ナフトイミダゾール環、ベンゾセレナゾール環、
ナフトセレナゾール環、インドリン環、2−キノリ/環
、4、−キノリン環、2−ピリジン環、4−ピリジン環
、トリアゾール環、チアジアゾール環、インベンゾイミ
ダゾール環、インベンゾイミダゾール環など)を完成す
るに必要な原子群を示す。これらの複素環は、ハロゲン
原子(例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子など)、
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基、アミル基、オクチル基なト)、アルコキシ
基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基など)、アリール基(例えば、フェニル基、
トリル基、キシリル基、クロロフェニル基、ブロモフェ
ニル基など)、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ア
ミ7基、アルギルアミノ基(列えげ、N−メチルアミノ
基、N−エチルアミノ7、%、N−プロピルアミノ基、
N、N−ンメチルアミノ基、N、N−ジエチルアミノ基
、N、N−ジプロピルアミノ基など)によって置換され
ることもできる。
、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、オキサゾ
ール環、オキサゾリン環、ペンゾオキザゾール環、ナフ
トオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾー
ル環、ナフトイミダゾール環、ベンゾセレナゾール環、
ナフトセレナゾール環、インドリン環、2−キノリ/環
、4、−キノリン環、2−ピリジン環、4−ピリジン環
、トリアゾール環、チアジアゾール環、インベンゾイミ
ダゾール環、インベンゾイミダゾール環など)を完成す
るに必要な原子群を示す。これらの複素環は、ハロゲン
原子(例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子など)、
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基、アミル基、オクチル基なト)、アルコキシ
基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基など)、アリール基(例えば、フェニル基、
トリル基、キシリル基、クロロフェニル基、ブロモフェ
ニル基など)、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ア
ミ7基、アルギルアミノ基(列えげ、N−メチルアミノ
基、N−エチルアミノ7、%、N−プロピルアミノ基、
N、N−ンメチルアミノ基、N、N−ジエチルアミノ基
、N、N−ジプロピルアミノ基など)によって置換され
ることもできる。
また、nl:0,17だr12を示し、mけ〇−土たは
1を示す。
1を示す。
前記一般式(1)で示されるヒドラゾン系化合物の代表
例を以丁に示す。
例を以丁に示す。
ヒドラゾン系化合物の例
Aが一般式(a)に相当する化合物:
(1)
113
021T!
o、i−r。
(6)
■
0、H。
211m
2115
(9)
02)(。
113
奄
CH3
(16)
(17)
CH3
c2f−1゜
■
C)211゜
(22)
ち
0.11゜
■
02)(、OOH。
2N5
02I−1゜
0、H。
1
02H400H。
曜
C2H。
(37)
■
0211゜
02t r。
(45) 0)f
。
。
■
02H。
(48) OH。
02H。
(49) 01−I。
011゜
C21(。
(52)
H3
1
C2If。
(54)
0、H3
0□H6
021−1゜
021−T。
02I−1゜
■
021(40(!If3
(32H。
02H。
0I(。
Aが一般式(I〕)に相当する化合物:OH3U211
’ (69) (70) (71) (72) (73) 唱 02H,00H3 (76) (77) (78) Aが一般式(C)で示される化曾+//J:(92)O
ff。
’ (69) (70) (71) (72) (73) 唱 02H,00H3 (76) (77) (78) Aが一般式(C)で示される化曾+//J:(92)O
ff。
1
(93) Ol−1゜N
−01−( 02I−I。
−01−( 02I−I。
tJ 2 tj 5
(97) 、1.3(98
) 0ti3021−1゜ Aが一般式(d)で示される化合物: 0H。
) 0ti3021−1゜ Aが一般式(d)で示される化合物: 0H。
(102)
OH3
02Ll。
(103)
OH。
02H。
(104) 0l−Ts
011゜
(106)
113
■
C!113
―
011゜
(110)
1
021T。
(コ、I−T、011
021−T。
021−I、0H
(117)
OH。
これらのヒドラゾン系化合物は、1種または2wi以上
組合せて用いることができる。
組合せて用いることができる。
これらの化合物は、一般式
%式%
(式中、R1、Z(および口]は、前記と同義語である
。)で示される複素環ヒドラジンと一般式(式中、A1
1(、およびn tj:、FIfT R己と回−痘Wt
4である。)で示されるカルボニル化合物を月1いて常
法により容易に合成することができる。
。)で示される複素環ヒドラジンと一般式(式中、A1
1(、およびn tj:、FIfT R己と回−痘Wt
4である。)で示されるカルボニル化合物を月1いて常
法により容易に合成することができる。
次に、具体的な合成例を記載する。
合成例1(前記yii 2の化合物)
0211゜
で示されるヒドラゾンの地酸jM 4.6 f (0,
02モル)と2−ホルミルチアゾール24y(0,02
モル)をメタノール70−および水50 mlの混合溶
媒中で30分攪拌し、反応させた。反応液を犬着の水に
注入して中和した後、沖過し、乾燥した。この固形物を
エタノールで再結晶して結晶442(収率76イ)を得
た。
02モル)と2−ホルミルチアゾール24y(0,02
モル)をメタノール70−および水50 mlの混合溶
媒中で30分攪拌し、反応させた。反応液を犬着の水に
注入して中和した後、沖過し、乾燥した。この固形物を
エタノールで再結晶して結晶442(収率76イ)を得
た。
元素分析: 013H1t N482
泪w値代) 実験値(9g)
0 54.17 54.12
H4,174,14
N 19.44 19.47
合成例2(前記/1616の化合物)
C2Hデ
で示されるヒドラゾンの塩酸塩4.8f(0,02モル
)と2−ホルミルベンゾチアゾール3.71(002モ
ル)をメタノール70−および水5゜−の混合溶媒中で
30分攪拌し、反応させた。
)と2−ホルミルベンゾチアゾール3.71(002モ
ル)をメタノール70−および水5゜−の混合溶媒中で
30分攪拌し、反応させた。
反応液を水で中和した後、濾過し、乾燥した。
この固形物をエタノールで再結晶して結晶4.9f(収
率71幇)を得だ。
率71幇)を得だ。
元素分析: 02oH2ON、8
計算値(蟹) 実験値(駒
0 68.97 61’!、92H5,75
5,78 N ]、6.09 16.07合成
例3(前記/厄66の化合物) 021 ]。
5,78 N ]、6.09 16.07合成
例3(前記/厄66の化合物) 021 ]。
で示されるヒドラゾンの塩酸JU、4.69 (0,0
2モル)と3−ホルミル−1O−メチルノエノチアジン
4.8 F(0,02モル)をメタノール7〇−および
水507の混合溶媒中で30分4’yL押し1、反応さ
亡た。反応液を水で中不日した後、r過し、乾燥した。
2モル)と3−ホルミル−1O−メチルノエノチアジン
4.8 F(0,02モル)をメタノール7〇−および
水507の混合溶媒中で30分4’yL押し1、反応さ
亡た。反応液を水で中不日した後、r過し、乾燥した。
この固形物をエタノールで11■結晶して結晶(収率6
4誦)を得た。
4誦)を得た。
元素分析: h、 ’、30□31−12+I N48
2計算値(%) 実験値(96) 0 66、35 ti 6.331−■4.8
1 4.85 N 13.46 13.48 合成例4(前記A85の化合物) 02H。
2計算値(%) 実験値(96) 0 66、35 ti 6.331−■4.8
1 4.85 N 13.46 13.48 合成例4(前記A85の化合物) 02H。
で示されるヒドラゾンの塩酸塩3.6y(o、02モル
)と3−ホルミル−9−エチルカルバソール4.7f(
0,02f)を合成例1と同様に反応させて反応液を得
た。この反応液を水で中和した後、濾過し、乾燥した。
)と3−ホルミル−9−エチルカルバソール4.7f(
0,02f)を合成例1と同様に反応させて反応液を得
た。この反応液を水で中和した後、濾過し、乾燥した。
この固形物をエタノールで再結晶した。この結果、5.
6r(収率81%)の結晶を得た。
6r(収率81%)の結晶を得た。
元素分析: 0.oH2oN4S
計算値(π) 実験値(%)
0 68.97 68.94H5,755,
72 N 16.09 16.12合成例5(前
記扁101の化合物) ■ OH。
72 N 16.09 16.12合成例5(前
記扁101の化合物) ■ OH。
で示されるヒドラゾンの塩酸塩3.3f(0,02モル
)と1−メチル−2−フェニル−6−ホルミルベンゾチ
アゾ−ル4.79(0,02モル)を合成例1と同様に
反応させて反応液を得た。
)と1−メチル−2−フェニル−6−ホルミルベンゾチ
アゾ−ル4.79(0,02モル)を合成例1と同様に
反応させて反応液を得た。
この反応液を水で中和した後、P禍し、乾燥1〜だ。こ
の固形物をエタノールで再結晶した。この結果5.2
f (収率759K)の結晶を得だ。
の固形物をエタノールで再結晶した。この結果5.2
f (収率759K)の結晶を得だ。
元素分析: (L3.、II、7N、S泪n値(%)
実験値(%) 0 65、71 65.751−1
4.90 4.88N 20.17
2f−1,14本発明に用いられる他のヒドラジン
系化合物も同様にして合成することができる。
実験値(%) 0 65、71 65.751−1
4.90 4.88N 20.17
2f−1,14本発明に用いられる他のヒドラジン
系化合物も同様にして合成することができる。
一般式(1)で示さhるヒドラゾン系化合物をN有する
′電子写真感光体としては、何機光導山;物質を用いた
いずれのタイプの′電子写真感光体にも適用できるが好
ましいタイプとしては1)電子供与性物質と電子受容性
物質との組合せにより電荷移動錯体を形成した亀の。
′電子写真感光体としては、何機光導山;物質を用いた
いずれのタイプの′電子写真感光体にも適用できるが好
ましいタイプとしては1)電子供与性物質と電子受容性
物質との組合せにより電荷移動錯体を形成した亀の。
2)有機光導電体に染料を添加して増感したもの。
3)正孔マトリックスに顔料分散したもの。
4)電荷発生層と電荷輸送層に機能分離したもの。
5)染料と樹脂とから成る共晶錯体と有機光導電体を柄
成分とするもの。
成分とするもの。
6)電荷移動錯体中に有機ないし無機の電荷発生材料を
添加したもの。
添加したもの。
等があり、中でも3)〜6)がStしいタイプである。
更に4)タイプの感光体とした場合、つまり電荷発生層
と・電荷輸送層の二層に機能分離した感光体の電荷輸送
層に用いる電荷輸送材料として一般式(1)で示される
ヒドラゾン系化合物を使用した場合、特に感光体の感度
が良くなり残留電位も低い。又この場合、繰返し使用時
における感度の低F残留軍位の上昇も実用上無視しうる
程度に抑えることができる。そこで4)タイプの感光体
について詳しく述べる。
と・電荷輸送層の二層に機能分離した感光体の電荷輸送
層に用いる電荷輸送材料として一般式(1)で示される
ヒドラゾン系化合物を使用した場合、特に感光体の感度
が良くなり残留電位も低い。又この場合、繰返し使用時
における感度の低F残留軍位の上昇も実用上無視しうる
程度に抑えることができる。そこで4)タイプの感光体
について詳しく述べる。
層構成としては導電層、電荷発生層、電荷輸送層が必須
であり、電荷発生層は電荷輸送層の上部あるいは下部の
いずれであっても良いが、繰返し使用するタイプの電子
写真感光体にお・いては主として物理強IWの面から、
場合によっては帯電性の面から、導電層、電荷発生層、
電荷輸送層の順に、積層することが好号しい。導′Iに
層と′141.荀ボ生1・りどの扱ス′1件を向上する
1−1的で必要に応じて接着層を設けることができる。
であり、電荷発生層は電荷輸送層の上部あるいは下部の
いずれであっても良いが、繰返し使用するタイプの電子
写真感光体にお・いては主として物理強IWの面から、
場合によっては帯電性の面から、導電層、電荷発生層、
電荷輸送層の順に、積層することが好号しい。導′Iに
層と′141.荀ボ生1・りどの扱ス′1件を向上する
1−1的で必要に応じて接着層を設けることができる。
本発明で用いる′lPL荷輸送層Vま、前記一般式(1
)で示されるヒドラゾン化合慟と結着剤と(i−滴当な
溶剤に溶解せ[7めた溶液を塗布し、乾燥せしめること
により形成さけ−ることか好ましい。ここに用いる結着
剤としては、例えばポリスルホン、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル4tl JIW 、’¥「酸ビ
ニルイ針脂、フェノール樹脂、エポキン樹脂、ポリエス
テルが1脂、アルギド樹脂、ポリカーボネ・−ト、ポリ
ウレタンあるいはこれらの樹脂の繰す返し単位のうち2
つ以上を含む共重合体樹脂などを挙げることができ、特
にポリエステル樹脂、ポリカーボネートが好捷しいもの
である。また、ポ!] H−ビニルカルバゾールの様
にそれ自身電荷輸送能力をもつ光導電性ポリマーをバイ
ンダーとしても使用することができる。
)で示されるヒドラゾン化合慟と結着剤と(i−滴当な
溶剤に溶解せ[7めた溶液を塗布し、乾燥せしめること
により形成さけ−ることか好ましい。ここに用いる結着
剤としては、例えばポリスルホン、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル4tl JIW 、’¥「酸ビ
ニルイ針脂、フェノール樹脂、エポキン樹脂、ポリエス
テルが1脂、アルギド樹脂、ポリカーボネ・−ト、ポリ
ウレタンあるいはこれらの樹脂の繰す返し単位のうち2
つ以上を含む共重合体樹脂などを挙げることができ、特
にポリエステル樹脂、ポリカーボネートが好捷しいもの
である。また、ポ!] H−ビニルカルバゾールの様
にそれ自身電荷輸送能力をもつ光導電性ポリマーをバイ
ンダーとしても使用することができる。
この結着剤と’ME荷輸送化合物との配合割合は、結着
剤100重量部当り電荷輸送化合物を10〜500重量
とすることが好ましい。この電荷輸送層の厚さは、2〜
100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンである。
剤100重量部当り電荷輸送化合物を10〜500重量
とすることが好ましい。この電荷輸送層の厚さは、2〜
100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンである。
壕だ、電荷輸送層を設ける時に用いる塗布方法としては
、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアーナイフコーティング法など
の通常の方法を用いることができる。
、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアーナイフコーティング法など
の通常の方法を用いることができる。
また、本発明の′電荷輸送層を形成させる際に用いる溶
剤としては、多数の有用な有機溶剤を包含している。代
表的なものとして、例えばベンゼン、ナフタリン、トル
エン、キシレ/、メシチレン、クロロベンゼンなどの芳
香族系炭化水素類、アセトン、2−ブタノンなどのケト
ン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレンなど
のハロゲン化脂肪族系炭化水素類、テトラヒドロフラン
、エチルエーテルなどの環状若しくは直鎖状のエーテル
類など、あるいはこれらの混合溶剤を挙げることができ
る。
剤としては、多数の有用な有機溶剤を包含している。代
表的なものとして、例えばベンゼン、ナフタリン、トル
エン、キシレ/、メシチレン、クロロベンゼンなどの芳
香族系炭化水素類、アセトン、2−ブタノンなどのケト
ン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレンなど
のハロゲン化脂肪族系炭化水素類、テトラヒドロフラン
、エチルエーテルなどの環状若しくは直鎖状のエーテル
類など、あるいはこれらの混合溶剤を挙げることができ
る。
本発明の電荷輸送層には、柚々の添加剤を含有させるこ
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、Ji
化ジフェニル、0−ターフェニル、P−ターフェニル
、ンブチルフタレート、ジメチルグリコールツクレート
、ジオクチルヲタレ−1・、トリフェニル燐酸、メチル
ナフタリン、ペンジノエノン、塩素化パラフィン、ジラ
ウリルチオプロピオネート、3.5−ジニトロザリチル
酸、各種フルオロカーボン類、シリコンオイル、シリコ
ンゴムあるいはジブチルヒドロキシトルエン、2.2’
−メチレンービ、<−(6−1−7’fルー4−メチル
フェノール)、α−トコフエコール、2−1−オクチル
−5−クロロハイドロキノン、2,5−ジ−t−オクチ
ルハイドロキノンなどのフェノール性化合物類などを挙
げることができる。
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、Ji
化ジフェニル、0−ターフェニル、P−ターフェニル
、ンブチルフタレート、ジメチルグリコールツクレート
、ジオクチルヲタレ−1・、トリフェニル燐酸、メチル
ナフタリン、ペンジノエノン、塩素化パラフィン、ジラ
ウリルチオプロピオネート、3.5−ジニトロザリチル
酸、各種フルオロカーボン類、シリコンオイル、シリコ
ンゴムあるいはジブチルヒドロキシトルエン、2.2’
−メチレンービ、<−(6−1−7’fルー4−メチル
フェノール)、α−トコフエコール、2−1−オクチル
−5−クロロハイドロキノン、2,5−ジ−t−オクチ
ルハイドロキノンなどのフェノール性化合物類などを挙
げることができる。
電荷発生1・、4に用いる電荷発生材料としては尤を吸
収し極めて1坊い効率で′イ荷担体を発生する材料であ
れば、いずれの材料であっても使用することができ、好
ましい材料としては、セレン、セレン・テルル、セレン
・ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無
機物質やピリラム系染料、チオピリリウム系染料、トリ
アリールメタン系染料、チアジン系染料、シアニン系染
料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、インジゴ
系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ス
クアリックIt M料、アゾ系顔料、多環キノン系槌料
等のM磯物質があげられる。電荷発生層の膜厚は5μ以
下好ましくは0.05〜3μが望ましい。
収し極めて1坊い効率で′イ荷担体を発生する材料であ
れば、いずれの材料であっても使用することができ、好
ましい材料としては、セレン、セレン・テルル、セレン
・ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無
機物質やピリラム系染料、チオピリリウム系染料、トリ
アリールメタン系染料、チアジン系染料、シアニン系染
料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、インジゴ
系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ス
クアリックIt M料、アゾ系顔料、多環キノン系槌料
等のM磯物質があげられる。電荷発生層の膜厚は5μ以
下好ましくは0.05〜3μが望ましい。
本発明で用いうる電荷発生物質の代表例をF記に示す。
電荷発生物質
(1) アモルファスノリコン
(2) セレン−テルル
(3) セレンーヒ素
(4)硫化カドミウム
(5)
・1F!
41)
5〕1
(241
5;3
2
(2日
4
ct ct(33)
r′:〔
(Jす
(38)
C=0 0=C
C=n 0=C
5゛ン
16
(a+1
C−00S−C
r脣(
11
”、!+15 0
.、u。
.、u。
(5I)
l
]C2H,,(ちll5 5F〕 (幡 1 0 (− (財) スクエアリック酸メチル染刺 (59)インシコ染料(C,1,,1g、78000
)−チオインジゴ染f4 (C!、 1.116788
00 )(61) β−型銅フタ口シアニン 63 これらの顔料は、1種または21fff1以上第11↓
合せて用いることができる。また、これC〕の顔料の結
晶2ちすは、α型、β四1あるいはその他のl”IIれ
のものであってもよいが、特にβ型が好ましい。
]C2H,,(ちll5 5F〕 (幡 1 0 (− (財) スクエアリック酸メチル染刺 (59)インシコ染料(C,1,,1g、78000
)−チオインジゴ染f4 (C!、 1.116788
00 )(61) β−型銅フタ口シアニン 63 これらの顔料は、1種または21fff1以上第11↓
合せて用いることができる。また、これC〕の顔料の結
晶2ちすは、α型、β四1あるいはその他のl”IIれ
のものであってもよいが、特にβ型が好ましい。
本発明においては、前述の化合物な・用いて電荷発生層
を形成させる際、前述の化合物を九空蒸着、スパッタリ
ング、グロー放電などによって、その化合物の層を形成
することができる。
を形成させる際、前述の化合物を九空蒸着、スパッタリ
ング、グロー放電などによって、その化合物の層を形成
することができる。
4
また、適当な結着剤に前述の化合物を分散させ、この分
散液を適当な塗布方法によって塗布して層を形成するこ
とができる。その他、バインダー・フリーにして前述の
化合物の層を形成することもできる。前述の化合物を分
散させる際には、ボールミル、アトライターなどを用い
た公知の方法により分散でき、粒子サイズを5ミクロン
以下、好ましくは2ミクロン1メ[、最適には0.5ミ
クロン以下とすることが望せしい。寸だ、前述の化合物
をエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエ
チレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジエチ
ルアミンプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン
、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンンルジメチ
ルアミン、トリジメチルアミノメチルフェノールなどの
アミン系溶剤に溶かして塗布することもできる。塗布方
法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコ
ーチインク法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
5 フグ法、カーテンコーティング法などの通常の方法を用
いることができる。
散液を適当な塗布方法によって塗布して層を形成するこ
とができる。その他、バインダー・フリーにして前述の
化合物の層を形成することもできる。前述の化合物を分
散させる際には、ボールミル、アトライターなどを用い
た公知の方法により分散でき、粒子サイズを5ミクロン
以下、好ましくは2ミクロン1メ[、最適には0.5ミ
クロン以下とすることが望せしい。寸だ、前述の化合物
をエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエ
チレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジエチ
ルアミンプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン
、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンンルジメチ
ルアミン、トリジメチルアミノメチルフェノールなどの
アミン系溶剤に溶かして塗布することもできる。塗布方
法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコ
ーチインク法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
5 フグ法、カーテンコーティング法などの通常の方法を用
いることができる。
本発明で用いる電荷発生層の膜厚け、5ミクロン以下、
好1しくは0.01ミクロン〜1ミクロンが適当である
。
好1しくは0.01ミクロン〜1ミクロンが適当である
。
前述の化合物を分散させるだめの結着剤としては、ポリ
ビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、塩化ゴム、
ポリビニルトルエン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
エチルセルロース、ポリビニルピリジン、スチレン−無
水マレイン酸コポリマーなどをφげることができる。こ
の様な結着剤が電荷発生層に占める割合は、電荷発生層
の総軍h[の80重量%以下、好ましくは50重量%以
下が望才しい。
ビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、塩化ゴム、
ポリビニルトルエン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
エチルセルロース、ポリビニルピリジン、スチレン−無
水マレイン酸コポリマーなどをφげることができる。こ
の様な結着剤が電荷発生層に占める割合は、電荷発生層
の総軍h[の80重量%以下、好ましくは50重量%以
下が望才しい。
また、本発明の電子写真感光体では、電信i発生層より
上層の重荷輸送j・;iのキャリア注入を均一にするた
めに、必要に応じて電荷発生層の表面を研磨し、鏡面仕
上げをすることができる。
上層の重荷輸送j・;iのキャリア注入を均一にするた
めに、必要に応じて電荷発生層の表面を研磨し、鏡面仕
上げをすることができる。
鏡面仕上げ法としては、例えば特開昭55−15535
6号公報に開示された方法を用いることができる。
6号公報に開示された方法を用いることができる。
導電層としては、導電性が付与されていれば良く、従来
用いられているいずれのタイプの導電層であってもさし
つかえない。
用いられているいずれのタイプの導電層であってもさし
つかえない。
接着層の材質としてはカゼイン、ポリビニルアルコール
、ニトロセルロース、ヒドロキシメチルセルローズ、ポ
リアミド等の従来用いられてきた各種バインダーが用い
られる。
、ニトロセルロース、ヒドロキシメチルセルローズ、ポ
リアミド等の従来用いられてきた各種バインダーが用い
られる。
接着層の厚さは01〜5μ好甘しくけ05〜3μが適当
である。
である。
本発明に用いられるトリアゾール系化合物は正孔輸送性
であり、導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に5撹層
した感光体を使用する場合、電荷輸送層表面を負に帯電
する必要があり帯電、露光すると露光部では電荷発生層
において生成した正孔が電荷輸送層に注入され、そのあ
と表面に達して負電荷を中和し表面゛電位の減衰が生じ
未露光部との間に靜′亀コントラストが生じる。
であり、導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に5撹層
した感光体を使用する場合、電荷輸送層表面を負に帯電
する必要があり帯電、露光すると露光部では電荷発生層
において生成した正孔が電荷輸送層に注入され、そのあ
と表面に達して負電荷を中和し表面゛電位の減衰が生じ
未露光部との間に靜′亀コントラストが生じる。
顕像化するには従来用いられてきた種々の現6“ン
像法を用いることができる。
(4)タイプ以外の感光体に関しては、これまで提案さ
れた数多くの特許公報や文献に実力化の帽様が記されて
いるので、ここでは詳細な記述を省略するが、これらの
タイプの感光体にも本発明のヒドラゾン化合物は有効で
ある。
れた数多くの特許公報や文献に実力化の帽様が記されて
いるので、ここでは詳細な記述を省略するが、これらの
タイプの感光体にも本発明のヒドラゾン化合物は有効で
ある。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機だ利用するの
みならずレーザープリンター、CRTプリンター、電子
写真式製版システムなどの電子写真応用分野にも広く用
いることができる。
みならずレーザープリンター、CRTプリンター、電子
写真式製版システムなどの電子写真応用分野にも広く用
いることができる。
次に本発明の実施例を示す。
実施例1
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
.1.29.28%アンモニア水11、水222 ml
)をマイヤーバーで塗布乾燥し、塗工f、t1. OS
’ / 771’の接着層を形成した。次に下記構造を
有するジスアゾ顔料51とブチラール樹脂(ブチラール
化1f63モル96 ) 27をエタノール95m1に
溶かした液と共に分散した後、接着層上に塗工し乾燥後
の塗工縫が0.2f/m’の(′、Y〜 電荷発生層を形成した。
.1.29.28%アンモニア水11、水222 ml
)をマイヤーバーで塗布乾燥し、塗工f、t1. OS
’ / 771’の接着層を形成した。次に下記構造を
有するジスアゾ顔料51とブチラール樹脂(ブチラール
化1f63モル96 ) 27をエタノール95m1に
溶かした液と共に分散した後、接着層上に塗工し乾燥後
の塗工縫が0.2f/m’の(′、Y〜 電荷発生層を形成した。
次に前記Δ62のヒドラゾン系化合物51、ボIJ−4
,4’−ジオキシジフェニル−2,2−グロパンカーボ
ネート(粘度平均分子量30000 )5vfニジクロ
ルメタン1.5011Ilに溶かした液を電荷発生層上
に、塗布乾燥し傾工敗が109/lriの電荷輸送層を
形成した。
,4’−ジオキシジフェニル−2,2−グロパンカーボ
ネート(粘度平均分子量30000 )5vfニジクロ
ルメタン1.5011Ilに溶かした液を電荷発生層上
に、塗布乾燥し傾工敗が109/lriの電荷輸送層を
形成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口Ii機■製
静市複写紙試験装置ModeeSP−428を用いてス
タチック方式でθ5’ KVでコロナ帯電し、暗所で1
0秒間保持した後照度5 luxで露光し帯電特性を調
べた。
静市複写紙試験装置ModeeSP−428を用いてス
タチック方式でθ5’ KVでコロナ帯電し、暗所で1
0秒間保持した後照度5 luxで露光し帯電特性を調
べた。
初期電位vO(V)、暗所での10秒間の電位保持率を
Rv(%)、半減衰露光量をE%I7?ux−sec)
とし本感光体の帯電特性を示す。
Rv(%)、半減衰露光量をE%I7?ux−sec)
とし本感光体の帯電特性を示す。
Voユニー80V
9
Rv : 87π
E% : 4.7/ux@sec
実施例2
厚さ100μのアルミ板上に下記顔料を真空蒸着(−厚
さ0.15μの電荷発生層を++6成した。
さ0.15μの電荷発生層を++6成した。
次にポリエステル樹脂(バイロン200、東洋紡績(m
> 5 tと前記/I62の例示ヒドラゾン系化合物
57をそれぞれジクロルメタン1.50 mlに溶カし
た液を′重荷発生]Δ上に塗布乾燥し、令工吐が11y
/靜の′亀荷輸J8層全形成した。
> 5 tと前記/I62の例示ヒドラゾン系化合物
57をそれぞれジクロルメタン1.50 mlに溶カし
た液を′重荷発生]Δ上に塗布乾燥し、令工吐が11y
/靜の′亀荷輸J8層全形成した。
この様にして作成した電子写真感光体を実施例1と同様
にして帯電特性を調べ、その結果を下記に示した。
にして帯電特性を調べ、その結果を下記に示した。
Vo : −470V
■もv : 859に0
E!A: 5.77?ux−sec
実施例3〜48
前記実施例1で用いた前記42のヒドラゾン系化合物に
代えて、表1に示すヒドラゾン系化合物を用いたほかは
、全く同様の方法によって電子写真感光体を作成1−だ
。
代えて、表1に示すヒドラゾン系化合物を用いたほかは
、全く同様の方法によって電子写真感光体を作成1−だ
。
各感光体について実施例1と同様の方法によって帯電特
性を測定した。これらの結果を表1に示す。
性を測定した。これらの結果を表1に示す。
71
1−5す
(+’一
実施例49
アルミ板上にセレン・テルル(テルル10に)を真空蒸
着し厚さ0.8μの電荷発生層を形成した。
着し厚さ0.8μの電荷発生層を形成した。
次に実施例1で用いた電荷輸送層と同じものを塗布乾燥
しη:工址をllf/ff/とした。
しη:工址をllf/ff/とした。
この様にして作成した電子写真感光板を実施例1と同様
にして帯電特性を調べ、その結果を次に示す。
にして帯電特性を調べ、その結果を次に示す。
7;1
Vo : −560V
Rv : 89%
EIA: 2.7 Jux・sec
実施例50
実施例1で用いた重訂:AIのヒドラゾン系化合物5
fとポリ−N−ビニルツノlレバソー#(分子量30万
)5グをンクロルメタン150−に溶解しだ液にβ型銅
フタロシアニン107を添加し、分散後、太於例1で用
いたカゼイン層を設けたアルミ板のカゼイン層のLに塗
布1−2、乾燥後の塗工計を10 ? / +rlとし
だ。
fとポリ−N−ビニルツノlレバソー#(分子量30万
)5グをンクロルメタン150−に溶解しだ液にβ型銅
フタロシアニン107を添加し、分散後、太於例1で用
いたカゼイン層を設けたアルミ板のカゼイン層のLに塗
布1−2、乾燥後の塗工計を10 ? / +rlとし
だ。
この様にし7て作成した感光体の侶・′屯1111定を
実施例1と同様にして行い、その結果を次に示す。
実施例1と同様にして行い、その結果を次に示す。
但し、帯電1極性を■としに0
vO: +51Ov
T(、v : 87%
E!A: 6.6 /uxIIsec実施例51
表面が清浄にされた0、21厚のモリブデン板(基板)
をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固゛ン4 定した。θCK槽内を排気し約5 X 1O−6t、o
rrの真空度にした。その後ヒーターの入力電圧を上昇
させモリブデン基板温度を150℃に安定させた。
をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固゛ン4 定した。θCK槽内を排気し約5 X 1O−6t、o
rrの真空度にした。その後ヒーターの入力電圧を上昇
させモリブデン基板温度を150℃に安定させた。
その後水素ガスとシランガス(水素ガスに対し15容計
% )を槽内へ導入しガス流lと蒸着槽メインバルブを
調整して(1,5Lorrに安定させた。
% )を槽内へ導入しガス流lと蒸着槽メインバルブを
調整して(1,5Lorrに安定させた。
次に誘導コイルに5MHz の高周波電力を投入し槽
内のコイル内部にグローIk電を発生させ30Wの人力
゛11エカとした。E記条件で基板−Lにアモルファス
シリコン層を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保
った段グロー放′蹴を中止した。
内のコイル内部にグローIk電を発生させ30Wの人力
゛11エカとした。E記条件で基板−Lにアモルファス
シリコン層を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保
った段グロー放′蹴を中止した。
その後加熱ヒーター、高周波′町原をオフ状帳とし基板
ml朋が100℃になるのを待ってから水素ガス、シラ
ンガスの流出バルブを閉じ、一旦槽内を10−5tor
r以下(/cした後大気圧にもどし基板を取り出した。
ml朋が100℃になるのを待ってから水素ガス、シラ
ンガスの流出バルブを閉じ、一旦槽内を10−5tor
r以下(/cした後大気圧にもどし基板を取り出した。
次いでこのアモルファスシリコン層を形成した。
こうして得られた感光体を’Fi′I電露元実験装置に
設置しe6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射した。
設置しe6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射した。
光像はタングステンランプ光源を用い′ン5
透過型のデストチヤードを)K+ して照射された。
その後直ちに(94+J ′市外の用像剤(トナーとキ
ャリヤーを含む)を感光杯表面にカスゲートず2゜こと
によって感光体表面に蒔好なトナー画像を得た。
ャリヤーを含む)を感光杯表面にカスゲートず2゜こと
によって感光体表面に蒔好なトナー画像を得た。
特許出願人 キャノン床式会社
コピ了株戊会社
′ン(j
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式(1)で示される化合物の少なくとも1種を
含有する層を有することを特徴とする電子写真感光体。 lち (式中、Aは置換または未置換の複素環基を示す。Zl
は、置換まだは未置換の複素環を完成するに必要な原子
群を示す。也および鴇は、水素原子、置換若しくは未置
換のアルキル基、置換若しくは未置換のアラルキル基ま
たは置換若しくは未置換のアリール基を示す。nは、0
゜1または2を示す。mは、0または1を示す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126581A JPS5852647A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126581A JPS5852647A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852647A true JPS5852647A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15514877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15126581A Pending JPS5852647A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195659A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4606987A (en) * | 1984-07-10 | 1986-08-19 | Toray Industries, Inc. | Hydrazone or semicarbazone electrophotographic photosensitive material |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15126581A patent/JPS5852647A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195659A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4606987A (en) * | 1984-07-10 | 1986-08-19 | Toray Industries, Inc. | Hydrazone or semicarbazone electrophotographic photosensitive material |
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