JPS5852844A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ｉｌｉ！ｉ集積度でかつ高速動作を可能なら
しめるバイポーラ型半導体集積回路装置Ｃ以下、Ｂ　１
　ｐ−Ｉ　Ｃと記す）の絶縁構造に関する。

従来、Ｂｉｐ−ＩＣＥおいて、高集積化、高速化を目的
として薄いエピタキシャル層を厚い酸化膜によ）分離す
る構造が導入されつつある。ここで、素子間の分離領域
幅が集＆度を決定する重要な因子の１つとなっておシ、
この幅はエピタキシャル層の厚さが一定ならｄ、埋込コ
レクタ領域の間隔によって決定されていた。ところが、
従来は、絶縁酸化膜直下に設けられるチャンネルストッ
パ領域は埋込コレクタ領域に比べて極めて浅く形成され
ていた。この為に、埋込コレクタと基板との間の接合に
生じるビルトイン電圧によル、約１μｍ１！度空乏層が
基板側に拡がってい石。さらに、実際の素子動作中には
、前記接合には電源電圧がバイアスされる為に、空乏層
の拡がルは一段と増加する。このような時、隣接する埋
込コレクタ領域から互いに拡がった空乏層が接触すると
、素子間の分離が行なわれなくなる。

第１図は、恢米の集積回路装置を示す。第１図において
、比抵抗が約１５Ω・１のＰ型基板１の主面に選択的に
砒素を拡散してＮ＋型埋込コレクタ領域２を設ける。埋
込コレクタ領域２の接合深さ社約２μｍである。次にＮ
型エピタキシャル層３を設けた後１選択的に絶縁酸化膜
４をエピタキシＰｇチャンネルストッパ領域５が同時に
形成される。従来、このチャンネルストッパ領域は酸化
膜４の底面から深さが０．３μｍ１１度であうた。ヒの
為、埋込コレクタ領域３から基板１申に拡がった空乏層
領域６が５図に示す様に、接触するｔｓになる。この様
な接触が起る限界のマスク上の埋込コレクタ領域間隔は
、ビルトイン電圧のみがバイアスされたとして、埋込コ
レクＩｇＡ竣の横方向拡散（約２μｍ）と空乏層の拡が
り（約１μｍ）との両餞分の和で約６ｐｍとなる。この
為に、寮際には余裕を見込んで７μｍの間隔でマスクが
設計噛れる。

本発明の目的は、上述の空乏層の接触を防ぐ事により埋
込コレクタ領域の間隔を縮小する事が可能で、従って高
集積度かつ高速動作が実現し得るバイポーラ型半導体集
積回路装置を提供する事にあるＯ 本発明の半導体集積回路装置は、絶縁分離酸化物によシ
各素子形成領域が分離され、前記絶縁分離酸化物の直下
にチャンネルストッパ領域が設けられ、このチャンネル
ストッパ領域は、隣夛合う込コレクタ領域よりは洩〈設
けられている構成を有する。

つぎに本発明を実施例によシ説明する。

第２図は本発明の一実施例の断面図である。第２図にお
いて、マスク上の埋込コレクタ９域か６μｍで、第１図
で説明したのと同様の工程を経て絶縁酸化膜４を埋設す
る。この時、ｍ化＠４を形成する直前に行う砿素のイオ
ン注入条件を４００ＫｅＶの加速エネルギーで％　５Ｘ
１０”〜５Ｘ１０”１１０ドーズ量、及び１５０ＫｅＶ
の加速エネルギーでＩ　Ｘ　１０１１〜１　ｘ　１０”
　ｃｍ−のドーズ量の２段注入を行う。徒者の注入条件
の目的は、酸化膜４直下のボロンの濃度の不足を補う為
である。この様なイオン注入条件で形成されたチャンネ
ルストッパ領域１５は％酸化膜４の底面から約１７μｍ
の深さで形成された。この様な構造において、埋込コレ
クタ領域２から基板１に拡がる９乏層領域１６は、第２
図の様に、充分に深いチャンネルストッパ領域１５に抑
えられて殆んど埋込コレクタ領域の接合の曲率をもった
部分には形成されない。この為空乏層間Ｓ社図の様に充
分に離れ、接触の恐れは解消される。

上述の様に本発明によれば、埋込コレクタ領域の間隔を
従来の構造よりもさらに縮少する参が可能となシ、高集
ａｔ、高速動作が実機出来るＢｉｐ−ＩＣを得る事が出
来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体集積回路装置の断面図。 第２図は本発明の一実施例の断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｎ　
糊込；レクタ領域、３・・・・・・Ｎｌｌエピタキシャ
ル層、４・・・・・・絶縁分離酸化膜、５．１５・・・
・・・ＰｒＩ！チャンネルストッパ領域１６＊１６・・
・・・・空乏層。 ＋７　　団 ス　Ｚし

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 酸化物絶縁分離構造を有するバイヂーラ型半導体集積回
   路装置において、前記絶縁分離の絶縁酸化物直下に設け
   るチャンネルストッパ領域を、隣埋込；レクタ領域よ〕
   は浅く設けた◆を４！徽とする半導体集積回路装置。