JPS5853200A - イオン線形加速器 - Google Patents

イオン線形加速器

Info

Publication number
JPS5853200A
JPS5853200A JP15188881A JP15188881A JPS5853200A JP S5853200 A JPS5853200 A JP S5853200A JP 15188881 A JP15188881 A JP 15188881A JP 15188881 A JP15188881 A JP 15188881A JP S5853200 A JPS5853200 A JP S5853200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer cylinder
conductor
sheath
supporting
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15188881A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6141120B2 (ja
Inventor
正俊 小寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RIKEN
Original Assignee
RIKEN
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RIKEN filed Critical RIKEN
Priority to JP15188881A priority Critical patent/JPS5853200A/ja
Publication of JPS5853200A publication Critical patent/JPS5853200A/ja
Publication of JPS6141120B2 publication Critical patent/JPS6141120B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イオン線形加速器の極板に高周波電圧を印加すると、極
板間の残留ガス中の電子が加速されて正極となっている
一方の極板を叩いて2次電子を発生させ、この2次電子
が更に高周波電界で加速されてそのとき正極となってい
る他方の極板を叩いてWK一次電子を発生させ、これを
繰返してイオン加速器内で電子が奮崩的に増加する(Y
ルチ/ナクタリング現象)。その結果加速器の高周波発
振器は過負荷となりその動作は阻害され、イオン加速器
の起動は困難となる。マルチノ4クタリング現象の発生
を阻止しながらイオン加速器を起動し安定な運転状lI
IK移行させるため、高周波発振器の出力管を短時間小
電力で励振しては電極表面に付蕾している異物を電子で
叩き出し、排気を一定時間行なって異物を排除する.i
れを繰返すことkより電蓼面の吸着物の減少を待ち、励
振電力を徐徐に増加させる.この方法では運転者の適確
な判断と忍耐が必要とされる.作業は数時間から数日を
要する。又別の手段としては電極間電圧を大きくして電
子の走行速健を高周波電圧の変化速度よr%早くするこ
とKよって増倍条件が成立しないようにする。しかし高
電圧の印加は放電を発生させ電力管を破壊する恐れがあ
るから短時間に電圧を引き下げねばならず、そのための
高速制御回路を必要とする。
本発明は上記のような従来技術の欠点を解消し、マルチ
/fクタリング現象を抑制して加速器の起動を確実容易
にするイオン線形加速器の構造を提供することである。
すなわち本発明はイオン線形加速器の電極間又は電極と
外筒間に直流電圧を加えられるような構成とし、それに
より高周波電圧による電子の電極間の往復運動の速健を
往路と復路で異なるようにして増倍条件を成立しないよ
うにし、迅速起動と安定運転を保証するよりKした本の
である。
第7%2図を参照して双チャンネルイオン加速器に本発
明を適用した第1の実施例を説明する。
外筒1内に、ドリフトチューブD、 −D、を植設した
一対の平行導体2,8がのびている。これらの平行導体
2,8を外筒1内に支持導体80が支持している。可動
短絡板6が支持導体80を上下動できるように取付けら
れている。これらの章持導体は外筒1から絶縁体4によ
り絶縁され、そして支持体の一方と外筒1との間に直流
ノ々イアス電圧源5がスイッチSを介して接続されてい
る。短絡板6と外筒内面との間には隙間があp1直流的
にはP縁状輝にあるが、短絡板6と支持導体80とFi
lff的に接続状態にある。このため平行導体8にステ
ム81,82.88を介して植設iれたドリフトチュー
ブ01eOs 、Os  と、平行導体2にステム(第
2図にその1つのステム22がみえる)を介して植設さ
れたトリアドチューブ七は同電位であり、この実施例で
は正電位となって(する。外筒lKステム11.11’
、Is等に より前記のドリフトチューブと交互に配置
きれ次ドリフトチューブdd  などは外筒1と同電位
であり、この夷1・ 叩 施儒では負電位となっている。このため2つの加速チャ
ンネルの各々の隣接ドリフトチューブ関に直流電界が確
立され、それKより起動時の残存電子が高周波電界で加
速されても往路とり路の速度がJl、?、結局電子の雪
崩的増倍Fi阻止される。
起動後もスイッチSを閉じるととKよシ運転中の偶発的
停止に続く起動によるマルチi4クタリンダ現象の発生
は阻止され、安定運転が保証される。
第3、を図を参照して単一チャンネルイオン加速器に本
発−を適用した第コの実施例を説明する。
第3図において、ドリフトチューブ0.=0.ヲ植設し
た一対の平行導体2.8が外筒1の中にのびている。こ
の平行導体8.8を外筒内に支持導体go、goが支持
しており、この支持導体に可動短絡板6が設けられてい
る。この可動板6は外筒内面から隙間をあけて離しであ
るが、支持体20.80とは密着している。支持導体2
0.8Gけ外筒1から絶縁体4により直流的に絶縁され
ている。直流バイアス電圧源6をスイッチSを介して一
方の支持導体20と外筒lとの間に接続する。
支持導体20.80は短絡板6を介して同電位(この実
施例では正電位)K保たれ、すべてのド+77 )デユ
ープ01〜O11#:を正電位に保たれる。外筒IFi
負電位に保持されており、そのためドリフトチューブと
外筒との関に直流電界が確立し、この直流胃、界が隣接
ドリフトチューブ間の起動時の残存電子の振動に偏倚力
を作用源せてマルチノ4クタリング現象の発生を抑制す
る。
イオン加速器の起動運転はよく知られているように、コ
枚の可動短絡板6を支持導体20.80に沿って動かし
て高周波発振器からの同軸ケーブルのループアンテナか
ら給電される波畏λのゴ倍の距離となる位置に固定して
レツヘル線Z、8に定在波を確立する贋イオンがドリフ
トチューブ0゜を出ると、ドリフトチューブO7との間
の加速電場により加速される。このドリフトチューブ0
2ヲ通過する関に高周波電位の位相はぎだけ変化してド
リフトチューブ03との間の電場はやはり加速電場とな
って陽イオンを加速する。以下このように順次下flL
K向って陽イオンは加速されていくのである。
絡11第コ実施例とも短絡板6を使用しているため高周
波電流はこの短絡板6の上表面に沿って流れ、そのため
絶縁体4に高周波電流が流れてこれを加熱劣化せしめる
という不都合は生じない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第7の実施例の縦断面図、第2図は第
1図のIT −1r’線に沿う横断面図である。 第3図は本発明の第一の実施例の縦断面図、第4図は第
3図の(It −[0’線に沿う横断面図である。 図中、1・・・外筒、0l−O5;d11d2・・・ド
リフト−テエープ、z;8・・・平行導体、20:80
・・・支持導体、番・・・絶縁体、5・・・直流・ぐイ
アスミ源、6・・・可動短絡板、S・・・スイッチ。 第1図 jll12図 第3図 第7図 手  続  補  正  書 。 □57.へ238 3、補正をする者 事件との関係  出願人 名称 (679)理化学研究所 4、代理人 5、補正命令の日付   自    発6゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外筒、この外筒内をのびそしてトリフトチ具−プを植設
    されている一対の平行導体、これらの平行導体を前記の
    外筒内に支持する支持導体、これらの支持導体に設けた
    可動短絡板、前記の支持導体を前記の外筒から絶縁する
    絶縁体、及び隣接ドリフトチューブ関又はドリフトチュ
    ーブと°外筒との関に直流電界を生ぜしめるため前記の
    支持体と前記の外筒とに接続はれた直流バイアス電圧源
    を備えたことを!像とするイオン線形加速器。
JP15188881A 1981-09-25 1981-09-25 イオン線形加速器 Granted JPS5853200A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15188881A JPS5853200A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 イオン線形加速器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15188881A JPS5853200A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 イオン線形加速器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5853200A true JPS5853200A (ja) 1983-03-29
JPS6141120B2 JPS6141120B2 (ja) 1986-09-12

Family

ID=15528391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15188881A Granted JPS5853200A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 イオン線形加速器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5853200A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183100A (ja) * 1988-01-08 1989-07-20 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 粒子加速器のマルチパクタリング防止構造
JPH01173489U (ja) * 1988-05-25 1989-12-08
WO2013002303A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 株式会社Quan Japan 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法
JP5686453B1 (ja) * 2014-04-23 2015-03-18 株式会社京都ニュートロニクス 荷電粒子加速器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH051970U (ja) * 1991-06-20 1993-01-14 ホシザキ電機株式会社 搬氷用コンベヤの氷除去装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183100A (ja) * 1988-01-08 1989-07-20 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 粒子加速器のマルチパクタリング防止構造
JPH01173489U (ja) * 1988-05-25 1989-12-08
WO2013002303A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 株式会社Quan Japan 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法
JP5142173B1 (ja) * 2011-06-30 2013-02-13 株式会社Quan Japan 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法
JP5686453B1 (ja) * 2014-04-23 2015-03-18 株式会社京都ニュートロニクス 荷電粒子加速器

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6141120B2 (ja) 1986-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2932720A (en) Metal welding methods
SU682150A3 (ru) Ионный двигатель
GB1433944A (en) Method and apparatus for producing electron emission from a field emission cathode
JPS6141120B2 (ja)
JPH07335163A (ja) イオンビーム発生方法およびその装置
Choi et al. Experimental studies of ionization processes in the breakdown phase of a transient hollow cathode discharge
JPH09237700A (ja) 高周波加減速器、および、その使用方法
JPH0423400B2 (ja)
JPS60246546A (ja) イオンビ−ム装置用グリツド
JPS59225525A (ja) 反応性イオンビ−ムエツチング装置
Eltchaninov et al. Electron beam accelerator with high pulse recurrence frequency
JPS62140339A (ja) マイクロ波イオン源
Rageh et al. Charge storage and arc cathode root initiation on aluminium oxide films
JP3577785B2 (ja) イオンビーム発生装置
US2530859A (en) Ion generators
JPS55134767A (en) Electronic impulse type ion engine
DE2454458B2 (de) Hochfrequenz-Plasmatriebwerk
RU2111601C1 (ru) Магнитодинамическое устройство
JPH0461072B2 (ja)
SU522674A1 (ru) Индукционный ускоритель электронов
DE942825C (de) Elektrische Entladungsroehre, vorwiegend mit Gasfuellung
JPH03145579A (ja) マイクロ波共振加熱型イオンエンジン
Yokoo et al. High-speed ion pump with a multipactor cathode—The multipactor ion pump
JPS62147643A (ja) イオン源引出し電極系
JPS6223987A (ja) ドライエツチング装置