JPS5853200A - イオン線形加速器 - Google Patents
イオン線形加速器Info
- Publication number
- JPS5853200A JPS5853200A JP15188881A JP15188881A JPS5853200A JP S5853200 A JPS5853200 A JP S5853200A JP 15188881 A JP15188881 A JP 15188881A JP 15188881 A JP15188881 A JP 15188881A JP S5853200 A JPS5853200 A JP S5853200A
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- JP
- Japan
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- outer cylinder
- conductor
- sheath
- supporting
- insulator
- Prior art date
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イオン線形加速器の極板に高周波電圧を印加すると、極
板間の残留ガス中の電子が加速されて正極となっている
一方の極板を叩いて2次電子を発生させ、この2次電子
が更に高周波電界で加速されてそのとき正極となってい
る他方の極板を叩いてWK一次電子を発生させ、これを
繰返してイオン加速器内で電子が奮崩的に増加する(Y
ルチ/ナクタリング現象)。その結果加速器の高周波発
振器は過負荷となりその動作は阻害され、イオン加速器
の起動は困難となる。マルチノ4クタリング現象の発生
を阻止しながらイオン加速器を起動し安定な運転状lI
IK移行させるため、高周波発振器の出力管を短時間小
電力で励振しては電極表面に付蕾している異物を電子で
叩き出し、排気を一定時間行なって異物を排除する.i
れを繰返すことkより電蓼面の吸着物の減少を待ち、励
振電力を徐徐に増加させる.この方法では運転者の適確
な判断と忍耐が必要とされる.作業は数時間から数日を
要する。又別の手段としては電極間電圧を大きくして電
子の走行速健を高周波電圧の変化速度よr%早くするこ
とKよって増倍条件が成立しないようにする。しかし高
電圧の印加は放電を発生させ電力管を破壊する恐れがあ
るから短時間に電圧を引き下げねばならず、そのための
高速制御回路を必要とする。
板間の残留ガス中の電子が加速されて正極となっている
一方の極板を叩いて2次電子を発生させ、この2次電子
が更に高周波電界で加速されてそのとき正極となってい
る他方の極板を叩いてWK一次電子を発生させ、これを
繰返してイオン加速器内で電子が奮崩的に増加する(Y
ルチ/ナクタリング現象)。その結果加速器の高周波発
振器は過負荷となりその動作は阻害され、イオン加速器
の起動は困難となる。マルチノ4クタリング現象の発生
を阻止しながらイオン加速器を起動し安定な運転状lI
IK移行させるため、高周波発振器の出力管を短時間小
電力で励振しては電極表面に付蕾している異物を電子で
叩き出し、排気を一定時間行なって異物を排除する.i
れを繰返すことkより電蓼面の吸着物の減少を待ち、励
振電力を徐徐に増加させる.この方法では運転者の適確
な判断と忍耐が必要とされる.作業は数時間から数日を
要する。又別の手段としては電極間電圧を大きくして電
子の走行速健を高周波電圧の変化速度よr%早くするこ
とKよって増倍条件が成立しないようにする。しかし高
電圧の印加は放電を発生させ電力管を破壊する恐れがあ
るから短時間に電圧を引き下げねばならず、そのための
高速制御回路を必要とする。
本発明は上記のような従来技術の欠点を解消し、マルチ
/fクタリング現象を抑制して加速器の起動を確実容易
にするイオン線形加速器の構造を提供することである。
/fクタリング現象を抑制して加速器の起動を確実容易
にするイオン線形加速器の構造を提供することである。
すなわち本発明はイオン線形加速器の電極間又は電極と
外筒間に直流電圧を加えられるような構成とし、それに
より高周波電圧による電子の電極間の往復運動の速健を
往路と復路で異なるようにして増倍条件を成立しないよ
うにし、迅速起動と安定運転を保証するよりKした本の
である。
外筒間に直流電圧を加えられるような構成とし、それに
より高周波電圧による電子の電極間の往復運動の速健を
往路と復路で異なるようにして増倍条件を成立しないよ
うにし、迅速起動と安定運転を保証するよりKした本の
である。
第7%2図を参照して双チャンネルイオン加速器に本発
明を適用した第1の実施例を説明する。
明を適用した第1の実施例を説明する。
外筒1内に、ドリフトチューブD、 −D、を植設した
一対の平行導体2,8がのびている。これらの平行導体
2,8を外筒1内に支持導体80が支持している。可動
短絡板6が支持導体80を上下動できるように取付けら
れている。これらの章持導体は外筒1から絶縁体4によ
り絶縁され、そして支持体の一方と外筒1との間に直流
ノ々イアス電圧源5がスイッチSを介して接続されてい
る。短絡板6と外筒内面との間には隙間があp1直流的
にはP縁状輝にあるが、短絡板6と支持導体80とFi
lff的に接続状態にある。このため平行導体8にステ
ム81,82.88を介して植設iれたドリフトチュー
ブ01eOs 、Os と、平行導体2にステム(第
2図にその1つのステム22がみえる)を介して植設さ
れたトリアドチューブ七は同電位であり、この実施例で
は正電位となって(する。外筒lKステム11.11’
、Is等に より前記のドリフトチューブと交互に配置
きれ次ドリフトチューブdd などは外筒1と同電位
であり、この夷1・ 叩 施儒では負電位となっている。このため2つの加速チャ
ンネルの各々の隣接ドリフトチューブ関に直流電界が確
立され、それKより起動時の残存電子が高周波電界で加
速されても往路とり路の速度がJl、?、結局電子の雪
崩的増倍Fi阻止される。
一対の平行導体2,8がのびている。これらの平行導体
2,8を外筒1内に支持導体80が支持している。可動
短絡板6が支持導体80を上下動できるように取付けら
れている。これらの章持導体は外筒1から絶縁体4によ
り絶縁され、そして支持体の一方と外筒1との間に直流
ノ々イアス電圧源5がスイッチSを介して接続されてい
る。短絡板6と外筒内面との間には隙間があp1直流的
にはP縁状輝にあるが、短絡板6と支持導体80とFi
lff的に接続状態にある。このため平行導体8にステ
ム81,82.88を介して植設iれたドリフトチュー
ブ01eOs 、Os と、平行導体2にステム(第
2図にその1つのステム22がみえる)を介して植設さ
れたトリアドチューブ七は同電位であり、この実施例で
は正電位となって(する。外筒lKステム11.11’
、Is等に より前記のドリフトチューブと交互に配置
きれ次ドリフトチューブdd などは外筒1と同電位
であり、この夷1・ 叩 施儒では負電位となっている。このため2つの加速チャ
ンネルの各々の隣接ドリフトチューブ関に直流電界が確
立され、それKより起動時の残存電子が高周波電界で加
速されても往路とり路の速度がJl、?、結局電子の雪
崩的増倍Fi阻止される。
起動後もスイッチSを閉じるととKよシ運転中の偶発的
停止に続く起動によるマルチi4クタリンダ現象の発生
は阻止され、安定運転が保証される。
停止に続く起動によるマルチi4クタリンダ現象の発生
は阻止され、安定運転が保証される。
第3、を図を参照して単一チャンネルイオン加速器に本
発−を適用した第コの実施例を説明する。
発−を適用した第コの実施例を説明する。
第3図において、ドリフトチューブ0.=0.ヲ植設し
た一対の平行導体2.8が外筒1の中にのびている。こ
の平行導体8.8を外筒内に支持導体go、goが支持
しており、この支持導体に可動短絡板6が設けられてい
る。この可動板6は外筒内面から隙間をあけて離しであ
るが、支持体20.80とは密着している。支持導体2
0.8Gけ外筒1から絶縁体4により直流的に絶縁され
ている。直流バイアス電圧源6をスイッチSを介して一
方の支持導体20と外筒lとの間に接続する。
た一対の平行導体2.8が外筒1の中にのびている。こ
の平行導体8.8を外筒内に支持導体go、goが支持
しており、この支持導体に可動短絡板6が設けられてい
る。この可動板6は外筒内面から隙間をあけて離しであ
るが、支持体20.80とは密着している。支持導体2
0.8Gけ外筒1から絶縁体4により直流的に絶縁され
ている。直流バイアス電圧源6をスイッチSを介して一
方の支持導体20と外筒lとの間に接続する。
支持導体20.80は短絡板6を介して同電位(この実
施例では正電位)K保たれ、すべてのド+77 )デユ
ープ01〜O11#:を正電位に保たれる。外筒IFi
負電位に保持されており、そのためドリフトチューブと
外筒との関に直流電界が確立し、この直流胃、界が隣接
ドリフトチューブ間の起動時の残存電子の振動に偏倚力
を作用源せてマルチノ4クタリング現象の発生を抑制す
る。
施例では正電位)K保たれ、すべてのド+77 )デユ
ープ01〜O11#:を正電位に保たれる。外筒IFi
負電位に保持されており、そのためドリフトチューブと
外筒との関に直流電界が確立し、この直流胃、界が隣接
ドリフトチューブ間の起動時の残存電子の振動に偏倚力
を作用源せてマルチノ4クタリング現象の発生を抑制す
る。
イオン加速器の起動運転はよく知られているように、コ
枚の可動短絡板6を支持導体20.80に沿って動かし
て高周波発振器からの同軸ケーブルのループアンテナか
ら給電される波畏λのゴ倍の距離となる位置に固定して
レツヘル線Z、8に定在波を確立する贋イオンがドリフ
トチューブ0゜を出ると、ドリフトチューブO7との間
の加速電場により加速される。このドリフトチューブ0
2ヲ通過する関に高周波電位の位相はぎだけ変化してド
リフトチューブ03との間の電場はやはり加速電場とな
って陽イオンを加速する。以下このように順次下flL
K向って陽イオンは加速されていくのである。
枚の可動短絡板6を支持導体20.80に沿って動かし
て高周波発振器からの同軸ケーブルのループアンテナか
ら給電される波畏λのゴ倍の距離となる位置に固定して
レツヘル線Z、8に定在波を確立する贋イオンがドリフ
トチューブ0゜を出ると、ドリフトチューブO7との間
の加速電場により加速される。このドリフトチューブ0
2ヲ通過する関に高周波電位の位相はぎだけ変化してド
リフトチューブ03との間の電場はやはり加速電場とな
って陽イオンを加速する。以下このように順次下flL
K向って陽イオンは加速されていくのである。
絡11第コ実施例とも短絡板6を使用しているため高周
波電流はこの短絡板6の上表面に沿って流れ、そのため
絶縁体4に高周波電流が流れてこれを加熱劣化せしめる
という不都合は生じない。
波電流はこの短絡板6の上表面に沿って流れ、そのため
絶縁体4に高周波電流が流れてこれを加熱劣化せしめる
という不都合は生じない。
第1図は本発明の第7の実施例の縦断面図、第2図は第
1図のIT −1r’線に沿う横断面図である。 第3図は本発明の第一の実施例の縦断面図、第4図は第
3図の(It −[0’線に沿う横断面図である。 図中、1・・・外筒、0l−O5;d11d2・・・ド
リフト−テエープ、z;8・・・平行導体、20:80
・・・支持導体、番・・・絶縁体、5・・・直流・ぐイ
アスミ源、6・・・可動短絡板、S・・・スイッチ。 第1図 jll12図 第3図 第7図 手 続 補 正 書 。 □57.へ238 3、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 (679)理化学研究所 4、代理人 5、補正命令の日付 自 発6゜
1図のIT −1r’線に沿う横断面図である。 第3図は本発明の第一の実施例の縦断面図、第4図は第
3図の(It −[0’線に沿う横断面図である。 図中、1・・・外筒、0l−O5;d11d2・・・ド
リフト−テエープ、z;8・・・平行導体、20:80
・・・支持導体、番・・・絶縁体、5・・・直流・ぐイ
アスミ源、6・・・可動短絡板、S・・・スイッチ。 第1図 jll12図 第3図 第7図 手 続 補 正 書 。 □57.へ238 3、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 (679)理化学研究所 4、代理人 5、補正命令の日付 自 発6゜
Claims (1)
- 外筒、この外筒内をのびそしてトリフトチ具−プを植設
されている一対の平行導体、これらの平行導体を前記の
外筒内に支持する支持導体、これらの支持導体に設けた
可動短絡板、前記の支持導体を前記の外筒から絶縁する
絶縁体、及び隣接ドリフトチューブ関又はドリフトチュ
ーブと°外筒との関に直流電界を生ぜしめるため前記の
支持体と前記の外筒とに接続はれた直流バイアス電圧源
を備えたことを!像とするイオン線形加速器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188881A JPS5853200A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | イオン線形加速器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188881A JPS5853200A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | イオン線形加速器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853200A true JPS5853200A (ja) | 1983-03-29 |
| JPS6141120B2 JPS6141120B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=15528391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15188881A Granted JPS5853200A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | イオン線形加速器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853200A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183100A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 粒子加速器のマルチパクタリング防止構造 |
| JPH01173489U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-08 | ||
| WO2013002303A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 株式会社Quan Japan | 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法 |
| JP5686453B1 (ja) * | 2014-04-23 | 2015-03-18 | 株式会社京都ニュートロニクス | 荷電粒子加速器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH051970U (ja) * | 1991-06-20 | 1993-01-14 | ホシザキ電機株式会社 | 搬氷用コンベヤの氷除去装置 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15188881A patent/JPS5853200A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183100A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 粒子加速器のマルチパクタリング防止構造 |
| JPH01173489U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-08 | ||
| WO2013002303A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 株式会社Quan Japan | 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法 |
| JP5142173B1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-13 | 株式会社Quan Japan | 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法 |
| JP5686453B1 (ja) * | 2014-04-23 | 2015-03-18 | 株式会社京都ニュートロニクス | 荷電粒子加速器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141120B2 (ja) | 1986-09-12 |
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