JPS5853482B2 - アルミナイド抵抗器 - Google Patents
アルミナイド抵抗器Info
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- 229910000951 Aluminide Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000907 nickel aluminide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000779819 Syncarpia glomulifera Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001739 pinus spp. Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229940036248 turpentine Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミナイド抵抗器に関するものである。
従来、磁器基体などの耐熱性基体の上に、導電物質を含
む抵抗インクを焼きつけて作られた抵抗器に関しては、
多くの研究や発明が報告されている。
む抵抗インクを焼きつけて作られた抵抗器に関しては、
多くの研究や発明が報告されている。
たとえば、アメリカ特許第2924540号明細書や、
同第3052573号明細書には、金、白金、パラジウ
ム、酸化パラジウムあるいは銀のような貴金属の粉末と
、ガラスフリットとの混合物を磁器基体に塗布し、焼き
つけた抵抗器について述べられている。
同第3052573号明細書には、金、白金、パラジウ
ム、酸化パラジウムあるいは銀のような貴金属の粉末と
、ガラスフリットとの混合物を磁器基体に塗布し、焼き
つけた抵抗器について述べられている。
しかし、このような貴金属には、非常に高価であるとい
う欠点がある。
う欠点がある。
一方、貴金属を用いない抵抗器として、窒化チタン(T
iN)や炭化タングステン(W2 cs )を用いたも
のが知られている。
iN)や炭化タングステン(W2 cs )を用いたも
のが知られている。
これらは、いずれも、抵抗インクを焼きつけるとき、窒
素などの不活性雰囲気中で焼成することが必要であるた
め、空気中焼成にくらべ焼成がめんどうであり、かつ焼
成コストが大巾に高くなるという欠点をもっている。
素などの不活性雰囲気中で焼成することが必要であるた
め、空気中焼成にくらべ焼成がめんどうであり、かつ焼
成コストが大巾に高くなるという欠点をもっている。
本発明は、上述のような高価な貴金属を必要とせず、さ
らに空気中で焼きつけて製造することのできる抵抗器を
提供しようとするものである。
らに空気中で焼きつけて製造することのできる抵抗器を
提供しようとするものである。
すなわち、基本的にはアルミナイド成分とガラス成分と
を、重量比で10:90〜50:50の割合で含むもの
である。
を、重量比で10:90〜50:50の割合で含むもの
である。
そして、アルミナイド成分としてはニッケルアルミナイ
ド、またはコバルトアルミナイドの一方、または両方を
使用することが推奨される。
ド、またはコバルトアルミナイドの一方、または両方を
使用することが推奨される。
以下、その一実施例にもとづいて説明する。
図において、1はガラス、ポーセレン、あるいはアルミ
ナなどの磁器基体、2はその磁器基体1の上に焼きつけ
られた抵抗フィルムである。
ナなどの磁器基体、2はその磁器基体1の上に焼きつけ
られた抵抗フィルムである。
抵抗フィルム2は、ガラス成分4によって結合された、
ニッケルアルミナイド、またはコバルトアルミナイドの
いずれか一方、または両方の粉末粒子3を、導電物質と
して含む。
ニッケルアルミナイド、またはコバルトアルミナイドの
いずれか一方、または両方の粉末粒子3を、導電物質と
して含む。
ガラス成分4は、アルミナイドからなる導電物質の粉末
粒子3を結合させるとともに、抵抗フィルム2を磁器基
体1上に固着させる作用をもつものである。
粒子3を結合させるとともに、抵抗フィルム2を磁器基
体1上に固着させる作用をもつものである。
ここに言うニッケルアルミナイドは、ニッケルとアルミ
ニウムの化合物であり、ニッケル90重量%〜40重量
饅と、アルミニウム10重量饅〜60重量φの組成をも
つものである。
ニウムの化合物であり、ニッケル90重量%〜40重量
饅と、アルミニウム10重量饅〜60重量φの組成をも
つものである。
また、コバルトアルミナイドは、コバルトとアルミニウ
ムの化合物であり、コバルト95重量%〜30重量★と
、アルミニウム5重量%〜70重量★の組成をもつもの
である。
ムの化合物であり、コバルト95重量%〜30重量★と
、アルミニウム5重量%〜70重量★の組成をもつもの
である。
いずれも−1抵抗器としての特性に対しては、本質的に
、組成による変化はなく、さらに両者間には抵抗器の特
性に対して本質的な差はない。
、組成による変化はなく、さらに両者間には抵抗器の特
性に対して本質的な差はない。
これらの化合物は、従来から知られている合金製造技術
によって、容易に作られる。
によって、容易に作られる。
粉砕も、公知の技術によって、容易に実施できる。
本発明における抵抗フィルム2には、lO〜50重量優
のアルミナイド成分と、90〜50重量優のガラス成分
が含まれている。
のアルミナイド成分と、90〜50重量優のガラス成分
が含まれている。
ガラス成分の量が50重重量上り少なくなれば、皮膜の
基体に対する接着力が弱くなり、さらに抵抗フィルムの
抵抗値のばらつきが大きくなる。
基体に対する接着力が弱くなり、さらに抵抗フィルムの
抵抗値のばらつきが大きくなる。
一方、ガラス成分の量が90重量★を超えれば、アルミ
ナイド粒子同志の接触が少なくなり、このため抵抗値を
増大させ、電気的特性も劣化することになるため、好ま
しくない。
ナイド粒子同志の接触が少なくなり、このため抵抗値を
増大させ、電気的特性も劣化することになるため、好ま
しくない。
もつとも推奨すべき組成は、アルミナイド成分とガラス
成分との組成比が、重量比で15:85〜40:60の
範囲である。
成分との組成比が、重量比で15:85〜40:60の
範囲である。
ガラス成分は、アルミナイドの融点よりも低い温度で融
解するものでなければならない。
解するものでなければならない。
しかし、アルミナイドの焼付は過程中における空気酸化
を考慮すると、できるだけ焼付温度の低いガラスフリッ
トを使用することが好ましい。
を考慮すると、できるだけ焼付温度の低いガラスフリッ
トを使用することが好ましい。
たとえば、鉛硼酸ガラスフリット、あるいは鉛亜鉛硼酸
ガラスフリットなどはよい結果をもたらす。
ガラスフリットなどはよい結果をもたらす。
また、ガラスフリットは、従来より知られているガラス
フリフト製造の技術で作ることができる。
フリフト製造の技術で作ることができる。
たとえば、必要な出発物質を混合し、これを高温で溶か
して水中に高温から投入して急冷し、粉砕する。
して水中に高温から投入して急冷し、粉砕する。
急冷されたガラスフリットをボールミルなどでさらに微
粉化する。
粉化する。
抵抗フィルムは、以下に述べる抵抗インクを磁器基体の
上に塗りつけて、ガラスフリットによってきまる温度で
焼きつけることによって作ることができる。
上に塗りつけて、ガラスフリットによってきまる温度で
焼きつけることによって作ることができる。
すなわち、抵抗インクの主成分は、前述した組成比率の
アルミナイド粉末とガラスフリット粉末との混合物を含
んでいる。
アルミナイド粉末とガラスフリット粉末との混合物を含
んでいる。
この混合物を以下固形混合物と呼ぶ。
この固形混合物を適当な液体の中に分散させることによ
り、抵抗インクを作る。
り、抵抗インクを作る。
使用E[な分散液としての液体は、このアルミナイド粉
末およびガラスフリットに対して反応せず、かつ空気中
で焼成により消失し得る液体であればよい。
末およびガラスフリットに対して反応せず、かつ空気中
で焼成により消失し得る液体であればよい。
たとえば、水、有機溶剤、アルコール、テレピン油、あ
るいはアセテートのようなものでもよい。
るいはアセテートのようなものでもよい。
液体の粘度を調節するために有機レジンを加えてもよい
。
。
液体と固形混合物との重量比は、塗布方法により変わる
。
。
たとえば、スクリーン印刷法による場合には、lO〜4
5重量★の液体と、55〜90重量★の固形混合物であ
り、その粘度が500〜2000ポイズの値でよい。
5重量★の液体と、55〜90重量★の固形混合物であ
り、その粘度が500〜2000ポイズの値でよい。
抵抗インクの中に用いるアルミナイド粉末の大きさは、
0.05〜5μの平均粒子径をもつのが好ましく、また
、ガラスフリット粉末の平均粒子径は0.5〜30μの
ものが好ましい。
0.05〜5μの平均粒子径をもつのが好ましく、また
、ガラスフリット粉末の平均粒子径は0.5〜30μの
ものが好ましい。
この抵抗インクは、均一な厚さになるように、磁器基体
の上に、塗りつけられる。
の上に、塗りつけられる。
この塗りつける方法としては、ステンシルスクリーン印
刷、吹付け、印刷、浸漬、刷毛塗りのような方法を用い
ることができる。
刷、吹付け、印刷、浸漬、刷毛塗りのような方法を用い
ることができる。
磁器基体の上に塗りつけられた抵抗インクは乾燥され、
空気中でガラスフリットによってきまる温度で焼きつけ
られる。
空気中でガラスフリットによってきまる温度で焼きつけ
られる。
このとき、インク中に含まれる液体は蒸発する。
その結果、ガラス成分中に、アルミナイド粉末粒子が導
電物質として分散している抵抗フィルム2が磁器基体1
の上に固着する。
電物質として分散している抵抗フィルム2が磁器基体1
の上に固着する。
このようにして作られた抵抗フィルムは、その厚さ、お
よびアルミナイドの重量比率、またはその粒子径を調節
することにより、面積抵抗としてlOΩ〜IMΩの範囲
で変えることができる。
よびアルミナイドの重量比率、またはその粒子径を調節
することにより、面積抵抗としてlOΩ〜IMΩの範囲
で変えることができる。
次に、具体例をあげて、抵抗インク組成物により抵抗体
を作る方法を説明する。
を作る方法を説明する。
ニッケルアルミナイドとガラスフリットとの合計重量に
対する、ニッケルアルミナイドの重量比率を50%、3
5★、25%、■5%に作った。
対する、ニッケルアルミナイドの重量比率を50%、3
5★、25%、■5%に作った。
固形混合物の、全抵抗インク組成物に対する重量比率は
、74%である。
、74%である。
残余の26%は増粘剤と溶剤であり、この中の20%が
増粘剤である。
増粘剤である。
増粘剤にはセルローズアセテートブチレートを用い、溶
剤としてはカービトルアセテートを用いた。
剤としてはカービトルアセテートを用いた。
ガラスフリフトには、酸化鉛(PbO)70重量饅、弗
化鉛(PbF2)12重量弔、酸化硼素(B203)I
O重量優、および酸化亜鉛(ZnO)8重量優の組成の
ものを使用した。
化鉛(PbF2)12重量弔、酸化硼素(B203)I
O重量優、および酸化亜鉛(ZnO)8重量優の組成の
ものを使用した。
その平均粒子径は約2μである。
また、ニッケルアルミナイドの組成は、はぼ化学式Ni
Alで示されるものであり、その平均粒子径は約0.5
μである。
Alで示されるものであり、その平均粒子径は約0.5
μである。
この組成をもつペースト状の抵抗インクを三段ローラー
で作り、そしてスクリーン印刷法によりアルミナ磁器基
板上に印刷した。
で作り、そしてスクリーン印刷法によりアルミナ磁器基
板上に印刷した。
用いたスクリーンは200メツシユのステンレススチー
ル製のスクリーンである。
ル製のスクリーンである。
抵抗体の両端は、あらかじめ作製しておいた銀電極上に
印刷され、抵抗体の有効面積は4×4−の正方形とした
。
印刷され、抵抗体の有効面積は4×4−の正方形とした
。
抵抗インクを塗布した基板を、55分の焼成サイクルで
、500℃、10分間の最高温度を有する焼成電気炉中
に嘩督入れ、空気中で焼成した。
、500℃、10分間の最高温度を有する焼成電気炉中
に嘩督入れ、空気中で焼成した。
得られた抵抗フィルムの厚さは約20μであった。
その抵抗値および抵抗値のばらつきを次表に示す。
上表から明らかなように、抵抗値のばらつきが少なく、
再現性もよく、また電圧係数の値においても非常に優れ
た値を有するものである。
再現性もよく、また電圧係数の値においても非常に優れ
た値を有するものである。
このようにして、工業的にはほとんど用途の知られてい
ない安価なアルミナイドを主体として用いることにより
、貴金属を主体とする厚膜抵抗器の特性に匹敵する抵抗
器を作ることができる。
ない安価なアルミナイドを主体として用いることにより
、貴金属を主体とする厚膜抵抗器の特性に匹敵する抵抗
器を作ることができる。
これは、コバルトアルミナイドについてモ、同じことが
言える。
言える。
熱論、コバルトアルミナイドをニッケルアル□ナイドと
ともに使用してもよく、さらに使用目的に応じて、他の
成分をさらに添加含有させてもよい。
ともに使用してもよく、さらに使用目的に応じて、他の
成分をさらに添加含有させてもよい。
図は、本発明にかかるアルミナイド抵抗器の一実施例の
構造を示す。 1・・・・・・耐熱性基板、2・・・・・・抵抗フィル
ム、3・・・°°°アルミナイド粉末粒子、4・・・・
・・ガラス成分。
構造を示す。 1・・・・・・耐熱性基板、2・・・・・・抵抗フィル
ム、3・・・°°°アルミナイド粉末粒子、4・・・・
・・ガラス成分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アルミナイド成分10〜50重量★と、ガラス成分
90〜50重量★とを含むことを特徴とするアルミナイ
ド抵抗器。 2、特許請求の範囲第1項の記載において、前記アルミ
ナイド成分は、ニッケルアルミナイドおよびコバルトア
ルミナイドの、少なくとも一方であることを特徴とする
アルミナイド抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51056886A JPS5853482B2 (ja) | 1976-05-17 | 1976-05-17 | アルミナイド抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51056886A JPS5853482B2 (ja) | 1976-05-17 | 1976-05-17 | アルミナイド抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52139991A JPS52139991A (en) | 1977-11-22 |
| JPS5853482B2 true JPS5853482B2 (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13039897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51056886A Expired JPS5853482B2 (ja) | 1976-05-17 | 1976-05-17 | アルミナイド抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853482B2 (ja) |
-
1976
- 1976-05-17 JP JP51056886A patent/JPS5853482B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52139991A (en) | 1977-11-22 |
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