JPS5853507B2 - ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ

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【発明の詳細な説明】本発明は半導体ウェハを個々のチップに分割する方法に
関するものである。

ウェハを分割する方法としては何種類かの方法があるが
、最も一般的に用いられているのがスクライブ方式であ
る。

すなわち先端を研磨したダイヤモンド等によって半導体
基板上に傷線を引き、クラックを入れて切断する方法で
ある。

最近では線引きにレーザを用いるレーザスクライブ法も
さかんに使われるようになった。

このスクライブ工程の問題として、拡散工程を終えたチ
ップ表面の汚染や傷の発生がある。

実際、傷線をつける時に切り屑や塵あいがチップ表面に
付着することは避けられない。

これらの付着物を取り除くには一般にスクライバに集塵
器をつけたり、線引き後有機溶剤での洗滌がおこなわれ
ている。

しかし、これらの方法では付着物を完全に取り除くこと
は困難である。

特にレーザスクライブ法では第１図に示すように溶融飛
沫３または塵あい３′が半導体基板上１に被着したパッ
シベーション用ガラス層２に焼きつき、除去することは
ほとんど不可能である。

なお、４は線引き溝を示す。本発明はこの問題点を解決
して、チップ表面に損傷を与えることのないスクライブ
方法を提供するものである。

すなわち、チップ表面上に保護用感光性樹脂皮膜（以後
レジスト膜と称す）を形成した後スクライバにより傷線
をつける方法である。

上記レジスト膜にはパッシベーション用りんガラス層の
パッド窓あけに使用したレジスト膜を剥離しないで、そ
のまま用いるのが工数を増すこともなく最も効率的であ
る。

なお、保護効果を高める上からは上記レジスト膜厚は厚
い（０，５μ以上）方が好ましい。

第２図は本発明によるスクライブ線引き後のウェハ断面
図である。

上記線引き溝４の形成中に発生する溶融飛沫３や塵あい
３′は第１図に見られるようなチップ表面に直接ふれる
ことなく、上記レジスト膜５上に付着する。

この後、一般に行なわれている化学的溶解や加熱分解等
により上記しシスト膜５を取り除くと、それに付着した
飛沫３やや塵あい３′もともに完全に除去される。

本発明によるスクライブ法では半導体装置の特性あるい
は外観上での不良に結びつく付着物をパツシベーショ４
の窓開けに用いた樹脂膜を用いて２完全に取り除くこと
ができ、本来の工程の工数を増加させることなくスクラ
イブ工程での歩留りを大幅に向上させる。

特にチップ表面の汚れが許されない光学素子の製造には
その効能は犬である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のスクライブ線引き後の半導体装置の略図
的断面図、第２図は本発明による同断面図である。１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パッシベー
ション用ガラス層、３・・・・・・飛沫、３′・・・・
・・塵あい、４・・・・・・線引き溝、５・・・・・・
保護用レジスト膜。

【特許請求の範囲】