JPS585387A - シンチレ−タ−物質 - Google Patents
シンチレ−タ−物質Info
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- JPS585387A JPS585387A JP57106994A JP10699482A JPS585387A JP S585387 A JPS585387 A JP S585387A JP 57106994 A JP57106994 A JP 57106994A JP 10699482 A JP10699482 A JP 10699482A JP S585387 A JPS585387 A JP S585387A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は、シンチレータ−物質に関する。この発明は
、高エネルギー光子、すなわちX線又はガンマ光子の超
高速検出器の制作及びトモグラフ(tomograph
)の制作に関し、特に有益である。
、高エネルギー光子、すなわちX線又はガンマ光子の超
高速検出器の制作及びトモグラフ(tomograph
)の制作に関し、特に有益である。
(背景技術)
光子の走行時間を最も正確に測定する手段の1つとして
、高速光!増倍管とプラスチックシンチレータ−とを用
いるものがある。通常使用されるプラスチックシンチレ
ータ−としては、数多くのものがあり、例えばPILO
T TJ又はNE 111などが知られている。ガンマ
光子との相互作用による非励起状態の間、すべてのプラ
スチックシンチレータ−は、1.5nSの時定数を有す
る光パルスを放出する。このパルスの強さ、すなわちパ
ルスの全党子数は、入射γ光子のエネルギーに比例する
。はぼ3000〜4o(1)光子/MeVの光出力は、
通常前記プラスチックシンチレータ−を介して得ること
ができる。
、高速光!増倍管とプラスチックシンチレータ−とを用
いるものがある。通常使用されるプラスチックシンチレ
ータ−としては、数多くのものがあり、例えばPILO
T TJ又はNE 111などが知られている。ガンマ
光子との相互作用による非励起状態の間、すべてのプラ
スチックシンチレータ−は、1.5nSの時定数を有す
る光パルスを放出する。このパルスの強さ、すなわちパ
ルスの全党子数は、入射γ光子のエネルギーに比例する
。はぼ3000〜4o(1)光子/MeVの光出力は、
通常前記プラスチックシンチレータ−を介して得ること
ができる。
第1図に示す装置は、時間又はプラスチックシンチレー
タ−の時間的変化、すなわち走行時間の差を求め、また
プラスチックシンチレータ−と他のシンチレータ−1と
を比較するために使用する。
タ−の時間的変化、すなわち走行時間の差を求め、また
プラスチックシンチレータ−と他のシンチレータ−1と
を比較するために使用する。
この装置は、薄いプラスチックシンチレータ−2a、2
bと高速光電増倍管3a、3bとからなる向い合った検
出器り1. D、を有する。高速光電増倍管3a、3b
は、高電圧電源4a、4bにそれぞれ電気的に接続され
る。更にこれらは、電気的増幅器、波高分析器及び計数
手段−これらは当業者にとって周知である−に電気的に
接続される。この、装置は、第1検出器り、から検出さ
れるγ光子の検出時間と、第2検出器D2から検出され
る別のγ光子の検出時間との時間差を測定することがで
きる。
bと高速光電増倍管3a、3bとからなる向い合った検
出器り1. D、を有する。高速光電増倍管3a、3b
は、高電圧電源4a、4bにそれぞれ電気的に接続され
る。更にこれらは、電気的増幅器、波高分析器及び計数
手段−これらは当業者にとって周知である−に電気的に
接続される。この、装置は、第1検出器り、から検出さ
れるγ光子の検出時間と、第2検出器D2から検出され
る別のγ光子の検出時間との時間差を測定することがで
きる。
この2つのγ光子は、それぞれ511 keVのエネル
ギーを有し、電子と陽電子の消滅によって生じるととも
に、陽電子放出基板を有する物体1の点6からそれぞれ
反対方向に放出される。
ギーを有し、電子と陽電子の消滅によって生じるととも
に、陽電子放出基板を有する物体1の点6からそれぞれ
反対方向に放出される。
これらの時間差の測定結果はばらつき、光電子増倍管3
a、3bと電気的手段5とが縦続接続された測定装置に
使用されるシンチレータ−の種類に基づいて変化するガ
ウス分布を示す。この分布は、スペクトルの半値幅(F
WHM)を示す。
a、3bと電気的手段5とが縦続接続された測定装置に
使用されるシンチレータ−の種類に基づいて変化するガ
ウス分布を示す。この分布は、スペクトルの半値幅(F
WHM)を示す。
直径20 mm 、厚さ2nのプラスチックシンチレー
ターノ場合、F′wHMハホぼ150pS(−11−ネ
ルギーしきい値は、事象が光電効果によってのみ起こる
ように選択されている)であり、検出された事象の90
%を利用することによりほぼ200 ps (エネルギ
ーしきい値は100 keV以上である)となる。
ターノ場合、F′wHMハホぼ150pS(−11−ネ
ルギーしきい値は、事象が光電効果によってのみ起こる
ように選択されている)であり、検出された事象の90
%を利用することによりほぼ200 ps (エネルギ
ーしきい値は100 keV以上である)となる。
プラスチックシンチレータ−の主な欠点は、プラスチッ
ク材料が原子番号の小さな元素によって形成されている
ことと、プラスチック材料が軽い原子から形成されてい
ることに基づき、低密度(はぼ1.1〜1.2 g/c
r/l)である−という点である。
ク材料が原子番号の小さな元素によって形成されている
ことと、プラスチック材料が軽い原子から形成されてい
ることに基づき、低密度(はぼ1.1〜1.2 g/c
r/l)である−という点である。
従って、この場合プラスチック材料とγ光子との相互作
用を支配する事象は、コンプトン効果である。すなわち
、入射γ光子のエネルギーとプラスチックシンチレータ
−に生じたエネルギーとの間には、何の関係もない。こ
の結果、γ放射の分光測定は不可能である。従って、光
電効果による相互作用を示す少数のγ光子を失うことな
く多数の相互作用を消滅させるか、又はγ光子のエネル
ギーとして分析可能なものの外に、相互作用を受けたす
べての光子を分析する必要がある。
用を支配する事象は、コンプトン効果である。すなわち
、入射γ光子のエネルギーとプラスチックシンチレータ
−に生じたエネルギーとの間には、何の関係もない。こ
の結果、γ放射の分光測定は不可能である。従って、光
電効果による相互作用を示す少数のγ光子を失うことな
く多数の相互作用を消滅させるか、又はγ光子のエネル
ギーとして分析可能なものの外に、相互作用を受けたす
べての光子を分析する必要がある。
光子の走行時間を極めて正確に測定するための別の先行
技術としては、フッ化セシウムC5Fを用いたシンチレ
ータ−がある。この技術に関しては、仏国特’I%’7
9 、o2os3に特に詳しく記載されている。フッ化
セシウムCsFは、原子番号が55と大きなセシウム原
子を有し、かつ高密度(はぼ4.6g/c771)であ
る。しかしながら、フッ化セシウムは次の2つの点に関
し、プラスチックよりも劣る。
技術としては、フッ化セシウムC5Fを用いたシンチレ
ータ−がある。この技術に関しては、仏国特’I%’7
9 、o2os3に特に詳しく記載されている。フッ化
セシウムCsFは、原子番号が55と大きなセシウム原
子を有し、かつ高密度(はぼ4.6g/c771)であ
る。しかしながら、フッ化セシウムは次の2つの点に関
し、プラスチックよりも劣る。
すなわち、螢光時定数は、はぼ2.5〜3ns(プラス
チックはほぼ1.5 ns )であり、このシンチレー
ション応答はほぼ1500〜2000光子/ MeV
(プラスチックはほぼ3000〜4000光子/ Me
V )である。しかしながら、フッ化セシウムは興味深
いエネルギーレベルでシンチレーションを行なう。51
1keVのγ光子を用いた場合、分解能はほぼ側%であ
る。
チックはほぼ1.5 ns )であり、このシンチレー
ション応答はほぼ1500〜2000光子/ MeV
(プラスチックはほぼ3000〜4000光子/ Me
V )である。しかしながら、フッ化セシウムは興味深
いエネルギーレベルでシンチレーションを行なう。51
1keVのγ光子を用いた場合、分解能はほぼ側%であ
る。
更に、第1図に示す装置のプラスチックシンチレータ−
2a、2bを同一形状のフッ化セシウムシンチレータ−
に置き換えれば、このフッ化セシウム量の作用によって
ほぼ220〜300 pgのFWHMが得られる。− 従って、プラスチックシンチレーションの時間パーフォ
ーマンスは、フッ化セシウムの時間ハーフォーマンスよ
りも良好である。しかしながら、フッ化セシウムの阻止
能がプラスチックのそれよりも高いという事実を考慮す
れば、同一の検出効果を得る場合、フッ化セシウムはプ
ラスチックよりも良好な時間パーフォーマンスを示す。
2a、2bを同一形状のフッ化セシウムシンチレータ−
に置き換えれば、このフッ化セシウム量の作用によって
ほぼ220〜300 pgのFWHMが得られる。− 従って、プラスチックシンチレーションの時間パーフォ
ーマンスは、フッ化セシウムの時間ハーフォーマンスよ
りも良好である。しかしながら、フッ化セシウムの阻止
能がプラスチックのそれよりも高いという事実を考慮す
れば、同一の検出効果を得る場合、フッ化セシウムはプ
ラスチックよりも良好な時間パーフォーマンスを示す。
しかしながら、プラスチックと比較した場合、フッ化セ
シウムの非常に高い吸湿性−例えばタリウムがドープさ
れたヨウ化ナトリウムNaI(TJ)が示す吸湿性以上
である−のために、フフ化セシウムの取り扱いは極めて
困難である。従って、シンチレータ−の製造に際し、フ
ッ化セシウムを使用する場合には、この物質を非常に強
固な容器に収納しなければならない。従って、フッ化セ
シウムは非常に高価であり、またその取り扱いがめんど
うである。
シウムの非常に高い吸湿性−例えばタリウムがドープさ
れたヨウ化ナトリウムNaI(TJ)が示す吸湿性以上
である−のために、フフ化セシウムの取り扱いは極めて
困難である。従って、シンチレータ−の製造に際し、フ
ッ化セシウムを使用する場合には、この物質を非常に強
固な容器に収納しなければならない。従って、フッ化セ
シウムは非常に高価であり、またその取り扱いがめんど
うである。
(発明の目的)
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するこ
とを目的とし、その特徴はフッ化バリウムからなるシン
チレータ−物質であって、励起状態で、フッ化バリウム
は極大中心が320OAの低速成分と、極太中心225
0 又の高速成分とを有する光放射を行ない、かつ結晶
格子の欠陥を軽減し高速成分の強さを増すために、純粋
に精練したシンチレータ−物質にある。
とを目的とし、その特徴はフッ化バリウムからなるシン
チレータ−物質であって、励起状態で、フッ化バリウム
は極大中心が320OAの低速成分と、極太中心225
0 又の高速成分とを有する光放射を行ない、かつ結晶
格子の欠陥を軽減し高速成分の強さを増すために、純粋
に精練したシンチレータ−物質にある。
例えば、この発明は超高速高エネルギー光子(X又はγ
光子)検出器、特に走行時間測定を求める検出器の制作
に有益である。また、この発明は陽電子トモグラフ、走
行時間トモグラフの制作に有益である。
光子)検出器、特に走行時間測定を求める検出器の制作
に有益である。また、この発明は陽電子トモグラフ、走
行時間トモグラフの制作に有益である。
(発明の構成及び作用)
以下この発明の詳細な説明する。
フッ化バリウム(BaF2)シンチレータ−は、プラス
チックシンチレータ−とほぼ等しい時間的変化レベルを
示し、フッ化セシウムシンチレータ−と比べて注目すべ
き利点があるばかりでなく、容易に使用でき、またプラ
スチックシンチレータ−よりも低価格である。バリウム
の原子番号(56)はセシウムのそれり55)よりもわ
ずかに大きい。従ってフッ化セシウムの密度が4.61
g/7であるのに対し、フッ化バリウムの密度は4.8
8 g/(7である。
チックシンチレータ−とほぼ等しい時間的変化レベルを
示し、フッ化セシウムシンチレータ−と比べて注目すべ
き利点があるばかりでなく、容易に使用でき、またプラ
スチックシンチレータ−よりも低価格である。バリウム
の原子番号(56)はセシウムのそれり55)よりもわ
ずかに大きい。従ってフッ化セシウムの密度が4.61
g/7であるのに対し、フッ化バリウムの密度は4.8
8 g/(7である。
X線又はγ光子に関するフッ化バリウムの阻止能は、フ
ッ化セシウムのそれよりも高い。またフッ化バリウムは
、水や多くの酸化溶媒、例えばエタノール、エチルエー
テル、アセトン及びメタノールなどに対して強い。更に
、フッ化バリウムは加工処理が容易で、ガラスよりも硬
いにもかかわらずもろさはない。従って第1図に示す装
置のプラスチックシンチレータ−28,2bを同一形状
のフッ化バリウムに置き換えることによって、フッ化バ
リウムの時間パーフォーマンスに関し、はぼ200I)
SのFWHMを得ることができる。
ッ化セシウムのそれよりも高い。またフッ化バリウムは
、水や多くの酸化溶媒、例えばエタノール、エチルエー
テル、アセトン及びメタノールなどに対して強い。更に
、フッ化バリウムは加工処理が容易で、ガラスよりも硬
いにもかかわらずもろさはない。従って第1図に示す装
置のプラスチックシンチレータ−28,2bを同一形状
のフッ化バリウムに置き換えることによって、フッ化バ
リウムの時間パーフォーマンスに関し、はぼ200I)
SのFWHMを得ることができる。
こ孔らの値は、フッ化バリウムのシンチレーション特性
によって説明することができる。この物質の放射は、高
速成分一時定数;はぼQ、8ms、光出力;はぼ100
0光子/MeV−と低速成分一時定数;はぼ600m5
、光出力−はぼ3000〜4000光子/MeV−から
なる。高速成分は、良好な時間パーフォーマンスを得る
ために、走行時間測定装置に用いられる。フッ化バリウ
ムのエネルギー分解能は、フッ化セシウムと同様に利用
され、同−又はより良好な結果を得る。エネルギー分析
は、時間分析と同期して行なわれ、高速成分の1000
光子/MeVを考慮するだけである。高速成分は、例え
ば511 keVの光子を用いた場合、エネルギー分解
能を約I%とする。このエネルギー分解能は、フッ化セ
シウムと同一である。また光放射が完全に終るまで、特
に1.5〜2μsの間、エネルギー分析を遅延させるこ
とができる。これは分析結果から確認することができる
。一方、分析時間の結果は、適当なアナログ又はデジタ
ルデノくイスに数μsの間保持される。この場合、51
1keVの光子に対するエネルギー分解能は、はぼ13
%である。このことは、陽電子トモグラフなどには非常
に有利である。しかし、散乱した放射の存在は極めて不
利となる。
によって説明することができる。この物質の放射は、高
速成分一時定数;はぼQ、8ms、光出力;はぼ100
0光子/MeV−と低速成分一時定数;はぼ600m5
、光出力−はぼ3000〜4000光子/MeV−から
なる。高速成分は、良好な時間パーフォーマンスを得る
ために、走行時間測定装置に用いられる。フッ化バリウ
ムのエネルギー分解能は、フッ化セシウムと同様に利用
され、同−又はより良好な結果を得る。エネルギー分析
は、時間分析と同期して行なわれ、高速成分の1000
光子/MeVを考慮するだけである。高速成分は、例え
ば511 keVの光子を用いた場合、エネルギー分解
能を約I%とする。このエネルギー分解能は、フッ化セ
シウムと同一である。また光放射が完全に終るまで、特
に1.5〜2μsの間、エネルギー分析を遅延させるこ
とができる。これは分析結果から確認することができる
。一方、分析時間の結果は、適当なアナログ又はデジタ
ルデノくイスに数μsの間保持される。この場合、51
1keVの光子に対するエネルギー分解能は、はぼ13
%である。このことは、陽電子トモグラフなどには非常
に有利である。しかし、散乱した放射の存在は極めて不
利となる。
前記低速及び高速成分の存在、時定数の存在及びフッ化
バリウムシンチレータ−の放射スペクトルの測定から次
のことがわかる:低速成分は、BaF、の結晶格子の欠
陥、すなわち格子に含まれる化学不純物又はバリウムと
フッ素の不充分な配列によって生ずる。これらの欠陥は
、中間レベルを禁止帯に導き、高い時定数(0,6μs
)を有する高速成分による波高よりも高い波高を生する
放射を生じさせる。この高速成分は、2000〜250
0 A間の放射バンドに対応し、極太中心は2250
Kであることが実験から得られている。低速成分は、波
高値力1はぼ2500′にであり、この波高値はBaF
、試料の作用によって6000 Hに達することもある
。また光放射の強さは、最大はぼ3200 Aである。
バリウムシンチレータ−の放射スペクトルの測定から次
のことがわかる:低速成分は、BaF、の結晶格子の欠
陥、すなわち格子に含まれる化学不純物又はバリウムと
フッ素の不充分な配列によって生ずる。これらの欠陥は
、中間レベルを禁止帯に導き、高い時定数(0,6μs
)を有する高速成分による波高よりも高い波高を生する
放射を生じさせる。この高速成分は、2000〜250
0 A間の放射バンドに対応し、極太中心は2250
Kであることが実験から得られている。低速成分は、波
高値力1はぼ2500′にであり、この波高値はBaF
、試料の作用によって6000 Hに達することもある
。また光放射の強さは、最大はぼ3200 Aである。
極大中心2250 Hの波高領域において、BaF2試
料の透過度は、高速成分の放射と関係が深い。従って、
走行スペクトルにおいて2250 Xで吸収作用を示す
試料は、放射スペクトルにおいて全くあるいはほとんど
高速成分を持たない。この現象は試料の吸収ピークの高
さに直接関係する。その結果、吸収ピークが大きくなる
程(試料の一定の厚さに対する)、高速に放射される光
子が少なくなる。
料の透過度は、高速成分の放射と関係が深い。従って、
走行スペクトルにおいて2250 Xで吸収作用を示す
試料は、放射スペクトルにおいて全くあるいはほとんど
高速成分を持たない。この現象は試料の吸収ピークの高
さに直接関係する。その結果、吸収ピークが大きくなる
程(試料の一定の厚さに対する)、高速に放射される光
子が少なくなる。
従って、与えられた性質(すなわち、与えられた不純物
レベルに対する)に対し、厚さが厚くなる程、高速に放
射される光子が少な(なる。
レベルに対する)に対し、厚さが厚くなる程、高速に放
射される光子が少な(なる。
こうして、2250 久におけるBaF、の”固有の一
放射は、この物質から作られたすべての試料に見られる
。しかし、この放射はBaF、格子の欠陥による吸収に
よってマスクされてしまうことがある。この欠陥は、光
放射を遅らせることによってより高い波高を有する放射
に変えてしまう。
放射は、この物質から作られたすべての試料に見られる
。しかし、この放射はBaF、格子の欠陥による吸収に
よってマスクされてしまうことがある。この欠陥は、光
放射を遅らせることによってより高い波高を有する放射
に変えてしまう。
従って、フッ化バリウムを純粋なものに改良する(化学
不純物や特にイオンの除去、及び格子欠陥の除去等)こ
とにより、フッ化バリウムの光放射に際し、低迷成分に
対する高速成分の強度を、一層強めることができる。
不純物や特にイオンの除去、及び格子欠陥の除去等)こ
とにより、フッ化バリウムの光放射に際し、低迷成分に
対する高速成分の強度を、一層強めることができる。
フ純粋フッ化バリウムは、トモグラフ、特に陽電子トモ
グラフや走行時間の検出器用シンチレータ−の制作に利
用することができる。なお、陽電子トモグラフに関して
は仏国特許出願第7902053に詳しく記載されてい
る。このことは、6後方放射”長又は”後方放射”距離
の減少圧よって、走行時間トモグラフや通常の陽電子ト
モグラフと比較した場合の陽電子トモグラフに効果があ
る。従 1つて、検出結果の同一数に対して再現され
た映像に存在する雑音が減少する。この利点は、検出結
果の数の比較から明らかであり、走行時間、陽電子゛ト
モグラフ及び通常の陽電子トモグラフに関し、同一特性
を得ることができる。
グラフや走行時間の検出器用シンチレータ−の制作に利
用することができる。なお、陽電子トモグラフに関して
は仏国特許出願第7902053に詳しく記載されてい
る。このことは、6後方放射”長又は”後方放射”距離
の減少圧よって、走行時間トモグラフや通常の陽電子ト
モグラフと比較した場合の陽電子トモグラフに効果があ
る。従 1つて、検出結果の同一数に対して再現され
た映像に存在する雑音が減少する。この利点は、検出結
果の数の比較から明らかであり、走行時間、陽電子゛ト
モグラフ及び通常の陽電子トモグラフに関し、同一特性
を得ることができる。
第2図の曲線は、陽電子放射基板に一様に分布するファ
ントム(phantom )の異なる直径φに関し、陽
電子源走行時間の測定装置から求めたFWHM(msで
表わす)と、走行時間トモグラフ、陽電子トモグラフか
ら求めた利得変化G(検出結果の計数率で表わす)との
関係を示す。これらの曲線は、FWHM改善の重要性を
示している。従って、FWHMが小さくなる程前記ゲイ
ンは増大し、かつ走行時間トモグラフ、陽電子トモグラ
フで被測定物質に注入するトレ゛−サー量は、通常の陽
電子トモグラフの場合に比べて少なくなる。
ントム(phantom )の異なる直径φに関し、陽
電子源走行時間の測定装置から求めたFWHM(msで
表わす)と、走行時間トモグラフ、陽電子トモグラフか
ら求めた利得変化G(検出結果の計数率で表わす)との
関係を示す。これらの曲線は、FWHM改善の重要性を
示している。従って、FWHMが小さくなる程前記ゲイ
ンは増大し、かつ走行時間トモグラフ、陽電子トモグラ
フで被測定物質に注入するトレ゛−サー量は、通常の陽
電子トモグラフの場合に比べて少なくなる。
前述したような方法で得られた純粋なフッ化バリウムシ
ンチレータ−を使用することによって、同一形状のシン
チレータ−としてフッ化セシウムシンチレータ−を使用
することにより得られる走行時間測定と比較して、少な
くとも測定誤差が1.3倍はど小さいFWHMを得るこ
とができる。
ンチレータ−を使用することによって、同一形状のシン
チレータ−としてフッ化セシウムシンチレータ−を使用
することにより得られる走行時間測定と比較して、少な
くとも測定誤差が1.3倍はど小さいFWHMを得るこ
とができる。
この時間測定に関する利点とは別に、フッ化バリウムの
減衰係数はフッ化セシウムに比べて多少大きいという利
点がある。これは、バリウムの原子番号がセシウムより
大きく、BaF、の密度がCsFよりも高いからである
。また、フッ化バリウムを使用することにより、走行時
間トモグラフ、陽電子トモグラフの感度をほぼ5〜10
%向上させることができる。更に、前述したようにフッ
化バリウムは水に対する親和力が全(ない。フッ化セシ
ウムのように、シンチレータ−製造のために容器内に密
封する(従って高価で使用しにくい)必要がない。フッ
化バリウムを用いる新規なシンチレータ−物質により、
シンチレータ−間の表面損失を軽減し、走行時間、陽電
子トモグラフに関しほぼ15%の感度向上を図ることが
できる。
減衰係数はフッ化セシウムに比べて多少大きいという利
点がある。これは、バリウムの原子番号がセシウムより
大きく、BaF、の密度がCsFよりも高いからである
。また、フッ化バリウムを使用することにより、走行時
間トモグラフ、陽電子トモグラフの感度をほぼ5〜10
%向上させることができる。更に、前述したようにフッ
化バリウムは水に対する親和力が全(ない。フッ化セシ
ウムのように、シンチレータ−製造のために容器内に密
封する(従って高価で使用しにくい)必要がない。フッ
化バリウムを用いる新規なシンチレータ−物質により、
シンチレータ−間の表面損失を軽減し、走行時間、陽電
子トモグラフに関しほぼ15%の感度向上を図ることが
できる。
従って、純粋なフッ化バリウムは、フッ化セシウムより
も、時間的挙動、検出効率、使用の容易性、シンチレー
タ−製造価格の点ですぐれている。
も、時間的挙動、検出効率、使用の容易性、シンチレー
タ−製造価格の点ですぐれている。
走行時間測定、陽電子トモグラフの検出器の製造にフッ
化バリウムを使用することにより、同質の映像に対しフ
ッ化セシウムで製造した検出器を使′用する同一タイプ
のトモグラフに必要な係数に比べて、少なくとも1.5
に等しい係数で試験を行なうために、被測定物質に注入
するトレーサーの量を減らすことができる。
化バリウムを使用することにより、同質の映像に対しフ
ッ化セシウムで製造した検出器を使′用する同一タイプ
のトモグラフに必要な係数に比べて、少なくとも1.5
に等しい係数で試験を行なうために、被測定物質に注入
するトレーサーの量を減らすことができる。
第1図はシンチレータ−の時間的変化を求めるための装
置の構成図、第2図は陽電子放射基板の □一定分布を
有するファントムの異なる直径φに関し、陽電子点源走
行時間の測定装置から得られたFWHMと、走行時間ト
モグラフ、陽電子トモグラフから得られた利得変化Gと
の関係を表わすグラフである。 l・・・・・・・・・・・・陽電子放射源2a12b・
・・シンチレータ− 3a、3b・・・光電増倍管 4a、4b・・・高圧電源 5・・・・・・・・・・・・電気的増幅器特許出願人 コミッサリア ア レネルジイ アトミック特許出願代
理人 弁理士 山 本 恵 − 一ネ
置の構成図、第2図は陽電子放射基板の □一定分布を
有するファントムの異なる直径φに関し、陽電子点源走
行時間の測定装置から得られたFWHMと、走行時間ト
モグラフ、陽電子トモグラフから得られた利得変化Gと
の関係を表わすグラフである。 l・・・・・・・・・・・・陽電子放射源2a12b・
・・シンチレータ− 3a、3b・・・光電増倍管 4a、4b・・・高圧電源 5・・・・・・・・・・・・電気的増幅器特許出願人 コミッサリア ア レネルジイ アトミック特許出願代
理人 弁理士 山 本 恵 − 一ネ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) フッ化・iリウムからなるシンチレータ−物
質であって、励起状態で、フッ1ヒバリウムは極大中心
が3200 Kの低速成分と、極大中心が225への高
速成分とを有する光放射を行ない、かつ結晶格子の欠陥
を軽減し高速成分の強さを増すために、純粋に精練され
てなることを特徴とするシンチレータ−物質。 (2、特許請求の範囲第1項に記載のシンチレータ−物
質を用いた超高速高エネルギー光子検出器。 (3)前記検出器が、光子走行時間測定を行なうことを
特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の検出器。 (4)特許請求の範囲第1項に記載のシンチレータ−物
質を用いたトモグラフ。 (5)前記トモグラフが、陽電子トモグラフであること
を特徴とする特許請求の範囲第4項に記載のトモグラブ
。 (6)前記トモグラフが走行時間トモグラフであること
を特徴とする特許請求の範囲第5項に記載のトモグラフ
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8112314 | 1981-06-23 | ||
| FR8112314A FR2508179B1 (fr) | 1981-06-23 | 1981-06-23 | Materiau pour scintillateurs, application a la realisation de detecteurs tres rapides de photons de grande energie et a la realisation de tomographes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585387A true JPS585387A (ja) | 1983-01-12 |
| JPH0359949B2 JPH0359949B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=9259786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106994A Granted JPS585387A (ja) | 1981-06-23 | 1982-06-23 | シンチレ−タ−物質 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4510394A (ja) |
| EP (1) | EP0069000B1 (ja) |
| JP (1) | JPS585387A (ja) |
| DE (1) | DE3270384D1 (ja) |
| FR (1) | FR2508179B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065290B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1994-01-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | ポジトロンct装置 |
| US5134293A (en) * | 1988-07-12 | 1992-07-28 | Universities Research Association, Inc. | Scintillator material |
| US5039858A (en) * | 1990-01-31 | 1991-08-13 | Anderson David F | Divalent fluoride doped cerium fluoride scintillator |
| FR2659453B1 (fr) * | 1990-03-12 | 1992-05-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour la visualisation de desintegrations de positons. |
| FR2775793B1 (fr) * | 1998-03-06 | 2000-05-12 | Robert Allemand | Procede de localisation et de selection en energie de photons gamma, application a la realisation de detecteurs rapides pour les tomographes a positons |
| NL1014401C2 (nl) * | 2000-02-17 | 2001-09-04 | Stichting Tech Wetenschapp | Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal. |
| US7041508B2 (en) * | 2002-02-06 | 2006-05-09 | Alerttechsystems, Llc | Positron annihilation monitor and method for detecting hazardous materials |
| JP4146648B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-09-10 | 三菱電機株式会社 | 吸収線量分布測定装置 |
| US7329874B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-02-12 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Lu1-xI3:Cex-a scintillator for gamma-ray spectroscopy and time-of-flight pet |
| US7129494B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-10-31 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Very fast doped LaBr3 scintillators and time-of-flight PET |
| US7084403B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-08-01 | General Electric Company | Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture |
| US7576329B2 (en) * | 2003-10-17 | 2009-08-18 | General Electric Company | Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture |
| US7405404B1 (en) | 2004-09-23 | 2008-07-29 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | CeBr3 scintillator |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4110080A (en) * | 1976-11-19 | 1978-08-29 | Hughes Aircraft Company | Reactive atmospheric processing crystal growth apparatus |
| GB2012800B (en) * | 1977-12-23 | 1982-08-18 | Gen Electric | Index matched phosphor scintillator structures |
| FR2447558A1 (fr) * | 1979-01-26 | 1980-08-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de visualisation d'un corps par detection du rayonnement d'un traceur contenu dans ce corps |
| US4292538A (en) * | 1979-08-08 | 1981-09-29 | Technicare Corporation | Shaped detector |
| US4398092A (en) * | 1979-08-08 | 1983-08-09 | Technicare Corporation | Shaped detector |
-
1981
- 1981-06-23 FR FR8112314A patent/FR2508179B1/fr not_active Expired
-
1982
- 1982-06-16 US US06/388,992 patent/US4510394A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-21 EP EP82401130A patent/EP0069000B1/fr not_active Expired
- 1982-06-21 DE DE8282401130T patent/DE3270384D1/de not_active Expired
- 1982-06-23 JP JP57106994A patent/JPS585387A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4510394A (en) | 1985-04-09 |
| FR2508179A1 (fr) | 1982-12-24 |
| DE3270384D1 (en) | 1986-05-15 |
| FR2508179B1 (fr) | 1985-11-15 |
| EP0069000A1 (fr) | 1983-01-05 |
| EP0069000B1 (fr) | 1986-04-09 |
| JPH0359949B2 (ja) | 1991-09-12 |
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