JPS5854342A - 電子写真記録材料 - Google Patents
電子写真記録材料Info
- Publication number
- JPS5854342A JPS5854342A JP57152874A JP15287482A JPS5854342A JP S5854342 A JPS5854342 A JP S5854342A JP 57152874 A JP57152874 A JP 57152874A JP 15287482 A JP15287482 A JP 15287482A JP S5854342 A JPS5854342 A JP S5854342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording material
- electrophotographic recording
- photoconductor layer
- selenium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電性層支持体と、該層支持体上に施された
ハロゲンを含有するセレンから成る第１の光導電体層と
、該光導電体層上に施されたテルル及び場合により砒素
を含有するセレンから成る第２の光導電体層とから構成
される装子写真記録材料に関する。
ハロゲンを含有するセレンから成る第１の光導電体層と
、該光導電体層上に施されたテルル及び場合により砒素
を含有するセレンから成る第２の光導電体層とから構成
される装子写真記録材料に関する。
電子写真記録材料は、複写技術において広範に流普して
いる電子写真複写法で使用される１、この複写法は、活
性化光線で露光すると電気抵抗を変化する光導電性材料
の特性を利用した方法である。
いる電子写真複写法で使用される１、この複写法は、活
性化光線で露光すると電気抵抗を変化する光導電性材料
の特性を利用した方法である。
帯電しかつ活性化光線で露光した後、光４１１ｉ体層上
に光像に一致する電荷潜像が生じる。即ち、露光個所で
は、光導電性層の導電性は、′導電性層支持体上の電荷
が少なくとも一部分、いずれにせよ露光されなかった個
所よりは強度に逃げることができる程度に高められ、一
方露光されていない個所では、電荷は実質的に維持され
、該電荷は画像粉末、いわゆるトナーで可視化されかつ
生じたトナー画像は、必要に応じて、最終的に紙も］７
くはその他の基体に転写される１、電子写真で有効な物
質と、しては、有機ないし無機物質が使用される。就吊
、セレン、セ・ン合金及びセレンの化合物が特に有用で
ある。これらは特に無定形状態で重要な機能を発揮しか
光導電体の導電性の変化は、利用される光線の強度及び
波長に左右される。電子写真における実際的用途、例え
ば実務所用コピーにおいて有利である可視光範囲では、
無定形セレンは青色方向、即ち短波長領域で高い感光性
を呈し、それに対して長波長領域では低い感光性を呈す
るすぎない。
に光像に一致する電荷潜像が生じる。即ち、露光個所で
は、光導電性層の導電性は、′導電性層支持体上の電荷
が少なくとも一部分、いずれにせよ露光されなかった個
所よりは強度に逃げることができる程度に高められ、一
方露光されていない個所では、電荷は実質的に維持され
、該電荷は画像粉末、いわゆるトナーで可視化されかつ
生じたトナー画像は、必要に応じて、最終的に紙も］７
くはその他の基体に転写される１、電子写真で有効な物
質と、しては、有機ないし無機物質が使用される。就吊
、セレン、セ・ン合金及びセレンの化合物が特に有用で
ある。これらは特に無定形状態で重要な機能を発揮しか
光導電体の導電性の変化は、利用される光線の強度及び
波長に左右される。電子写真における実際的用途、例え
ば実務所用コピーにおいて有利である可視光範囲では、
無定形セレンは青色方向、即ち短波長領域で高い感光性
を呈し、それに対して長波長領域では低い感光性を呈す
るすぎない。
セレンに例えば砒素もしくはテルルを添加することによ
り、長波長のス被りトル範囲内のスペクトル感度を増大
させることができることは公知である。
り、長波長のス被りトル範囲内のスペクトル感度を増大
させることができることは公知である。
同様に、セレンにハロゲンを添加することにより好まし
からぬ残留電位を減少させることも公知であり、このこ
とは追求する価値があることであるが、他面ではハロゲ
ン含量が高すぎれば、暗所放電に不利に作用する３゜ 電子写真記録材料の光導電体は、複数の部分層から成っ
ているのが場合により有利であり、この場合には各々の
部分層の有利な特性を利用することができる１、この種
の記録材料は、例えば西独間特許第９４１７６７号明細
書及び同国特許出願公開第１５７２３７５号明細書に記
載されている。。
からぬ残留電位を減少させることも公知であり、このこ
とは追求する価値があることであるが、他面ではハロゲ
ン含量が高すぎれば、暗所放電に不利に作用する３゜ 電子写真記録材料の光導電体は、複数の部分層から成っ
ているのが場合により有利であり、この場合には各々の
部分層の有利な特性を利用することができる１、この種
の記録材料は、例えば西独間特許第９４１７６７号明細
書及び同国特許出願公開第１５７２３７５号明細書に記
載されている。。
しかしながら、このような配置形式において、例えば下
方の部分層のセレ／に残留電位を減少させるために１種
以上のノ・ロゲンを添加する場合には、製造過程で添加
量の測定に関して困難が生じる。即ち、このためにはそ
の都度のコピー速度において既にハロゲン１〜３ ｐｐ
ｍで十分であり、ノ・ロゲン濃度がより高くなれば、前
記の好ましからぬ高い暗所放電を惹起し、該光導電体を
電子写真の目的のために使用するには不適当にする。し
かし、この種の低い・・ロゲン濃度を実地において再現
可能に維持することは極めて困難である。更に、その都
度必要な濃度は供給される純粋セレンのチャージ毎に異
なるので、所要濃度は０．１ ｐｐｍまで精確に調整さ
れねばならない３、このような条件で、確実なかつ合理
的製作はほとんど不可能である３゜ 本発明の課題は、スペクトル感度が上方の部分層内のテ
ルル及び場合により砒素の割合によって調整される前記
形式の二層配置において、−面では残留電位をできるだ
け少なくし、他面では極めて少量の調量及びそのチャー
ジ依存性と結び付いた前記困難を排除することであった
。
方の部分層のセレ／に残留電位を減少させるために１種
以上のノ・ロゲンを添加する場合には、製造過程で添加
量の測定に関して困難が生じる。即ち、このためにはそ
の都度のコピー速度において既にハロゲン１〜３ ｐｐ
ｍで十分であり、ノ・ロゲン濃度がより高くなれば、前
記の好ましからぬ高い暗所放電を惹起し、該光導電体を
電子写真の目的のために使用するには不適当にする。し
かし、この種の低い・・ロゲン濃度を実地において再現
可能に維持することは極めて困難である。更に、その都
度必要な濃度は供給される純粋セレンのチャージ毎に異
なるので、所要濃度は０．１ ｐｐｍまで精確に調整さ
れねばならない３、このような条件で、確実なかつ合理
的製作はほとんど不可能である３゜ 本発明の課題は、スペクトル感度が上方の部分層内のテ
ルル及び場合により砒素の割合によって調整される前記
形式の二層配置において、−面では残留電位をできるだ
け少なくし、他面では極めて少量の調量及びそのチャー
ジ依存性と結び付いた前記困難を排除することであった
。
この課題は、導電性層支持体と、該層支持体上に施され
たハロゲンを含有するセレンから成る第１の光導電体層
と、該光導電体層上に施されたテルル及び場合により砒
素を含有するセレンから成る第２の光導電体層とから構
成された電子写真記録材料において、本発明に基づき層
支持体上に施された第１の光導電体層が付加的に砒素を
含有していることにより解決される。
たハロゲンを含有するセレンから成る第１の光導電体層
と、該光導電体層上に施されたテルル及び場合により砒
素を含有するセレンから成る第２の光導電体層とから構
成された電子写真記録材料において、本発明に基づき層
支持体上に施された第１の光導電体層が付加的に砒素を
含有していることにより解決される。
第１の光導電体層は砒素０．１〜５重量係、殊に０．３
〜１重１係を含有するのが有利である。
〜１重１係を含有するのが有利である。
第１の光導電体層中のハロゲン例えば塩素の割合は５〜
２００ｐｐｍであるべきである。付加的に、第２の光導
電体層は場合によりなおハロゲン１〜２００ ｐｐｍを
含有することができる。この第２０部分層は、完全蒸発
もしくは部分蒸発による公知方法に基づいて第１の部分
層上に施される。
２００ｐｐｍであるべきである。付加的に、第２の光導
電体層は場合によりなおハロゲン１〜２００ ｐｐｍを
含有することができる。この第２０部分層は、完全蒸発
もしくは部分蒸発による公知方法に基づいて第１の部分
層上に施される。
本発明によれば、第１の部分層に砒素を添加する結果と
して必要なハロゲンの割合が、砒素が添加されていない
ものよりも約２桁高くてもよい。５〜２００ ｐｐｍの
範囲内にありかつもはや臨界的ではない調量は、その都
度の精確なハロゲン濃度を調整するために従来程の高い
費用を必要としない。この際には、またその都度のセレ
ンチャージの変化せる特性による明らかな依存性も生ぜ
ずかつ層特性の再現性が常に得られる。
して必要なハロゲンの割合が、砒素が添加されていない
ものよりも約２桁高くてもよい。５〜２００ ｐｐｍの
範囲内にありかつもはや臨界的ではない調量は、その都
度の精確なハロゲン濃度を調整するために従来程の高い
費用を必要としない。この際には、またその都度のセレ
ンチャージの変化せる特性による明らかな依存性も生ぜ
ずかつ層特性の再現性が常に得られる。
更に、使用するセレンないしはセレン合金の酸素含量が
少なくなる程一層良好に本発明に基づく組成を有する層
の再現可能な製造が達成される。従って、２ ｐｌ−’
ｍ未満の酸素含量が望ましい。
少なくなる程一層良好に本発明に基づく組成を有する層
の再現可能な製造が達成される。従って、２ ｐｌ−’
ｍ未満の酸素含量が望ましい。
第１の層の層厚が約５５μｍでありかつ第２の層の層厚
が約５μＩｎである本発明に基づく電子写真記録材料の
二重層は、均一なセレン／テルル層より低い誘電性定数
を有する。それによシ、同じ層厚で有利に高い帯電可能
性が得られる。、第１の層は技術的に比較的容易に製造
される。
が約５μＩｎである本発明に基づく電子写真記録材料の
二重層は、均一なセレン／テルル層より低い誘電性定数
を有する。それによシ、同じ層厚で有利に高い帯電可能
性が得られる。、第１の層は技術的に比較的容易に製造
される。
第２の層もまた、層厚が小さく、ひいては熱定数が良好
になるために容易に均一にかつ成分の不均化の危険が生
じることなく形成される。更に、第２の層内の所定のテ
ルル含量を比較的広範な濃度範囲内で調整できることは
、記録材料のスペクトルもしくは積分感光範囲をその都
度の実地の要求に合せる可能性を提供する。
になるために容易に均一にかつ成分の不均化の危険が生
じることなく形成される。更に、第２の層内の所定のテ
ルル含量を比較的広範な濃度範囲内で調整できることは
、記録材料のスペクトルもしくは積分感光範囲をその都
度の実地の要求に合せる可能性を提供する。
次に実施例及び参考例で、本発明による電子写真記録材
料を詳細に説明しかつ公知技術水準に基づく記録材料に
比較してその利点を明らかにする。
料を詳細に説明しかつ公知技術水準に基づく記録材料に
比較してその利点を明らかにする。
参考例１（公知技術水準）
塩素２ Ｔｌ ｐ ｍを含有するセレン合金約５０２を
蒸発デートから２ にｌ Ｏ’ｎ及び圧力＜１’Ｏ−７
・マールで、常法で前処理した、温度が約７０℃である
アルミニウムドラム上に完全に蒸着させた。
蒸発デートから２ にｌ Ｏ’ｎ及び圧力＜１’Ｏ−７
・マールで、常法で前処理した、温度が約７０℃である
アルミニウムドラム上に完全に蒸着させた。
引続き蒸着した層上に、テルルを含有する第２のセレン
層を、例えば ｄ）テルル１５重量係及び塩素３０ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金Ｌｏｔを記録材料の所定の感度に基づい
て初期試料重量の約６０％の部分蒸発において２８０〜
３２０℃の温度で蒸着せるか又は 【））テルル６重量係及び塩素２５ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金５１を３２０℃の温度で蒸着させること
により施す。前記量は完全に蒸着させるか又は場合によ
り表面範囲内の許容されない勾配を避けるためにデート
内に残留する分が２〜５係になるまで蒸着させる。
層を、例えば ｄ）テルル１５重量係及び塩素３０ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金Ｌｏｔを記録材料の所定の感度に基づい
て初期試料重量の約６０％の部分蒸発において２８０〜
３２０℃の温度で蒸着せるか又は 【））テルル６重量係及び塩素２５ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金５１を３２０℃の温度で蒸着させること
により施す。前記量は完全に蒸着させるか又は場合によ
り表面範囲内の許容されない勾配を避けるためにデート
内に残留する分が２〜５係になるまで蒸着させる。
参考例２（公知技術水準）
参考例１と同じ条件下で操作するが、但しこの場合には
第１の層を形成するために蒸着されるセレン合金は塩素
２ｐｐｍの代りに４ ｐｐｍを含有する。
第１の層を形成するために蒸着されるセレン合金は塩素
２ｐｐｍの代りに４ ｐｐｍを含有する。
これにより、第１の部分層内の絶対的・・ロゲン含量は
極めて僅かであるにもかかわらず、参考例１及び２によ
る記録材料の層特性は著しく異なる、評言すれば帯電の
均−性及び暗所電圧降下において並びに電子写真的疲労
において差異が生じる。従って、既に・・ロゲン含量は
数ｐｐｍの差異でその効果が生じるので、ノ・ロゲンの
臨界的限界濃度はその都度使用するチャージの意図しな
い僅かな含量に程度の差こそあれ著しく左右される８従
って、再現可能な製品を得ることはほとんど不可能であ
る。
極めて僅かであるにもかかわらず、参考例１及び２によ
る記録材料の層特性は著しく異なる、評言すれば帯電の
均−性及び暗所電圧降下において並びに電子写真的疲労
において差異が生じる。従って、既に・・ロゲン含量は
数ｐｐｍの差異でその効果が生じるので、ノ・ロゲンの
臨界的限界濃度はその都度使用するチャージの意図しな
い僅かな含量に程度の差こそあれ著しく左右される８従
って、再現可能な製品を得ることはほとんど不可能であ
る。
実施例１（本発明による）
砒素０．５重量係及び塩素６０ ｐｐｍを含有するセレ
ン合金約５０１を、常法で前処理した約７０℃の温度を
有するアルミニウムドラム上に蒸発ｓ？−トから３００
℃及び圧力〈１ｏ ノ・−ルで蒸着させる。場合により
、表面範囲内での許容されない高さの砒素含量を回避す
るために初期試料重量の最後の２俤は中間接続されたシ
ャッタに向けて蒸発させる。
ン合金約５０１を、常法で前処理した約７０℃の温度を
有するアルミニウムドラム上に蒸発ｓ？−トから３００
℃及び圧力〈１ｏ ノ・−ルで蒸着させる。場合により
、表面範囲内での許容されない高さの砒素含量を回避す
るために初期試料重量の最後の２俤は中間接続されたシ
ャッタに向けて蒸発させる。
引続き、蒸着層上にテルルを含有する第２のセレン層を
例えば ｉ１’） テルル１５重相係及び塩素３０ｐｐｍの割
合を有するセレン合金１０９を記録材料の所宇の感度に
基づいて初期試料重量の約６０係の部分蒸発において２
８０〜３２０℃の温度で蒸着せるか又は １））テルル６重量係及び塩素２５ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金５７を３２０℃の温度で蒸着させること
により施す。前記量は完全に蒸着させるか又は場合によ
り表面範囲内の許容されない勾配を避けるためにセード
内に残留する分が２〜５係になるまで蒸着させる３、記
録桐材の電了写貞特性に対する第１の層内の・・ロゲン
含量の高さに基づく作用効果は極めて僅かに認めら得る
にすぎずかつ実地においてほとんど回避不可能である・
・ロゲン含量の変動は比較的広い範囲内でも問題になら
ないことが明らかである。、それにより１、記録材料の
容易に再現可能な特性を得ることができる。、ドイツ連
邦共和国ヴアルシュタ イン１ハインリツヒーハイネー □ シュトラーセ３６
例えば ｉ１’） テルル１５重相係及び塩素３０ｐｐｍの割
合を有するセレン合金１０９を記録材料の所宇の感度に
基づいて初期試料重量の約６０係の部分蒸発において２
８０〜３２０℃の温度で蒸着せるか又は １））テルル６重量係及び塩素２５ ｐｐｍの割合を有
するセレン合金５７を３２０℃の温度で蒸着させること
により施す。前記量は完全に蒸着させるか又は場合によ
り表面範囲内の許容されない勾配を避けるためにセード
内に残留する分が２〜５係になるまで蒸着させる３、記
録桐材の電了写貞特性に対する第１の層内の・・ロゲン
含量の高さに基づく作用効果は極めて僅かに認めら得る
にすぎずかつ実地においてほとんど回避不可能である・
・ロゲン含量の変動は比較的広い範囲内でも問題になら
ないことが明らかである。、それにより１、記録材料の
容易に再現可能な特性を得ることができる。、ドイツ連
邦共和国ヴアルシュタ イン１ハインリツヒーハイネー □ シュトラーセ３６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性層支持体と、該層支持体上に施された・・ロ
ゲンを含有するセレンから成る第１の光導電体層と、該
光導電体層上に施されたテルルを含有するセレンから成
る第２の九導山′体層とから構成された電子写ｙ〔記録
材料において、層支持体上に施された第１の光導電体層
が付加的に砒素を含有していることを特徴とする電子写
真記録材料。 ２、 第１の光導電体層が砒素０．１〜５重址チを特徴
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真記録材料１． ３、第１の光導電体層が砒素０．３〜１重量係を特徴す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子写真記録
材料。 ４、 第１の光導電体層がハロゲン５〜２００１−＋１
＋ｍを特徴する特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれ
か１項に記載の電子写真記録材料。、５、第１の光導電
体層がハロゲンとして塩素を特徴する特許請求の範囲第
１項〜第４項のいずれか１項に記載の電子写真記録材料
。 ６、第２の光導電体層がテルル１−４０重量係及び砒素
Ｏ〜１重量重量台徴する特許請求の範囲第１項〜第５項
のいずれが１項に記載の電子写真記録材料。 ７、第２の光導電体層がハロゲン１〜２００ ｐｐｍを
特徴する特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１項
に記載の電子写真記録材料９．８、 セレンが酸素２
ｐｐｍ未満を特徴する特許請求の範囲第１項〜第７項の
いずれが１項に記載の電子写真記録材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31352294 | 1981-09-05 | ||
| DE3135229A DE3135229C2 (de) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854342A true JPS5854342A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=6140967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152874A Pending JPS5854342A (ja) | 1981-09-05 | 1982-09-03 | 電子写真記録材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4513072A (ja) |
| JP (1) | JPS5854342A (ja) |
| DE (1) | DE3135229C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202445A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 電子写真装置の感光体用Ｓｅ材 |
| JPS61196254A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859411A (en) * | 1988-04-08 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
| US4920025A (en) | 1988-04-08 | 1990-04-24 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2803541A (en) * | 1953-05-29 | 1957-08-20 | Haloid Co | Xerographic plate |
| US2822300A (en) * | 1954-03-29 | 1958-02-04 | Horizons Inc | Photoconductive material |
| US2803542A (en) * | 1955-07-26 | 1957-08-20 | Haloid Co | Xerographic plate |
| US3639120A (en) * | 1966-06-16 | 1972-02-01 | Xerox Corp | Two-layered photoconductive element containing a halogen-doped storage layer and a selenium alloy control layer |
| NL155376B (nl) * | 1966-10-03 | 1977-12-15 | Rank Xerox Ltd | Xerografische plaat met panchromatische responsie. |
| JPS49112623A (ja) * | 1973-02-03 | 1974-10-26 | ||
| US4296191A (en) * | 1980-06-16 | 1981-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer |
-
1981
- 1981-09-05 DE DE3135229A patent/DE3135229C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57152874A patent/JPS5854342A/ja active Pending
- 1982-09-07 US US06/415,466 patent/US4513072A/en not_active Ceased
-
1986
- 1986-09-24 US US07/045,017 patent/USRE32744E/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202445A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 電子写真装置の感光体用Ｓｅ材 |
| JPS61196254A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4513072A (en) | 1985-04-23 |
| DE3135229A1 (de) | 1983-03-24 |
| DE3135229C2 (de) | 1983-11-17 |
| USRE32744E (en) | 1988-09-06 |
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