JPS60102642A - 電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法 - Google Patents
電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法Info
- Publication number
- JPS60102642A JPS60102642A JP58209977A JP20997783A JPS60102642A JP S60102642 A JPS60102642 A JP S60102642A JP 58209977 A JP58209977 A JP 58209977A JP 20997783 A JP20997783 A JP 20997783A JP S60102642 A JPS60102642 A JP S60102642A
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- Japan
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- selenium
- phosphorus
- alloy
- deposited film
- selenium alloy
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体用セレンまたはセレン合金蒸
着膜及びその製造方法に関するものであり、特にはセレ
ンまたはセレン合金中にリンをドーピングして感光体の
コントラストポテンシャルを制御することを特徴とする
。
着膜及びその製造方法に関するものであり、特にはセレ
ンまたはセレン合金中にリンをドーピングして感光体の
コントラストポテンシャルを制御することを特徴とする
。
電子写真法は物質の光導電性と静電気現象を利用した写
真法であり、幾つかの方式が確立されているが、そのう
ちセレン蒸着膜を電子写真感光体として使用し転写によ
って電子写真を得る方式をゼロックス法と呼んでいる。
真法であり、幾つかの方式が確立されているが、そのう
ちセレン蒸着膜を電子写真感光体として使用し転写によ
って電子写真を得る方式をゼロックス法と呼んでいる。
ゼロックス法は下記の工程から成っている：
（ａｌ 帯電；金属基板上に暗抵抗の高い無定形セレン
を蒸着した感光板の表面を帯電させる。
を蒸着した感光板の表面を帯電させる。
ｌｂｌ 露光（焼付）；光像で露光すると光の照射な受
けた部分のセレンは電気抵抗が下がり、表面の帯電電荷
は金属基板へ逃げ、感光板上の残存電荷密度は露光量に
応じて差を生じ、セレン面上に原画と同形の静電潜像が
できる。
けた部分のセレンは電気抵抗が下がり、表面の帯電電荷
は金属基板へ逃げ、感光板上の残存電荷密度は露光量に
応じて差を生じ、セレン面上に原画と同形の静電潜像が
できる。
（Ｃ１現像；上記感光板表面に炭素微粉を樹脂で被覆し
たトナーとガラス小球からなるキャリアの混合粉をふり
かけることによって潜像部にトナーが付着し、潜像は可
視像となる。
たトナーとガラス小球からなるキャリアの混合粉をふり
かけることによって潜像部にトナーが付着し、潜像は可
視像となる。
（ｄ） 転写；現像を終えた上記感光板表面に適当な紙
を載せ、背面からコロナ放電を行なわせると、感光板上
のトナーは紙に吸引され、トナー粉像は紙に転写される
。
を載せ、背面からコロナ放電を行なわせると、感光板上
のトナーは紙に吸引され、トナー粉像は紙に転写される
。
ｔｅｌ 定着；転写を終えたら紙をはがし、赤外線ヒー
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
以上の各工程を実施することにより原画の複写画像（電
子写真）が得られるが、複写された像の鮮明さ或いは原
画に対する再現性は感光体セレンの性能に大きく依存す
る。感光体の性能の判定には、（イ）一定出力のコロナ
放電により与えられる帯電電荷量を表すコロナ帯電特性
、（ロ）コロナ放電により帯電された感光体を暗所に保
持する間に失われる荷電量と関係する暗減衰特性、（／
→暗中で保持された荷電量が露光によって消失する速度
を表す帯電圧露光減衰特性、に）感光体を露光させた後
零まで消失せずに残る電位を表す残留電位等が考慮され
るが、セレンを複写機用の感光体として用いるためには
複写写真の色調がＭ要因子であり、この色調に大きく影
響する因子はコントラストポテンシャル、即ち非光照射
部と光照射部の表面電位差である。このため、色調を制
御するにはコントラストポテンシャルの制御、即ち光照
射部における残留電位の制御が重要となる。
子写真）が得られるが、複写された像の鮮明さ或いは原
画に対する再現性は感光体セレンの性能に大きく依存す
る。感光体の性能の判定には、（イ）一定出力のコロナ
放電により与えられる帯電電荷量を表すコロナ帯電特性
、（ロ）コロナ放電により帯電された感光体を暗所に保
持する間に失われる荷電量と関係する暗減衰特性、（／
→暗中で保持された荷電量が露光によって消失する速度
を表す帯電圧露光減衰特性、に）感光体を露光させた後
零まで消失せずに残る電位を表す残留電位等が考慮され
るが、セレンを複写機用の感光体として用いるためには
複写写真の色調がＭ要因子であり、この色調に大きく影
響する因子はコントラストポテンシャル、即ち非光照射
部と光照射部の表面電位差である。このため、色調を制
御するにはコントラストポテンシャルの制御、即ち光照
射部における残留電位の制御が重要となる。
従来、セレンの電子写真特性を改善する目的で種々の不
純物を添加する試みが為されてきた。従来から報告され
た添加不純物としては、Ｔｅ、Ａｓ、Ｓｉ、Ｓｂ、ハロ
ゲン、Ｃｕ 、 Ａｇ 、 Ｚｎ 他があるが、これら
不純物の添加目的は、 （１） 長波長域における感度の向上、（２）残留電位
の零に向けての低減、 （３）機械的強度や耐摩耗性の向上 等であった。これら従来技術では、不純物の添加により
セレン感光体のコントラストポテンシャルを所望に応じ
て自在に制御するに至っていな℃・。
純物を添加する試みが為されてきた。従来から報告され
た添加不純物としては、Ｔｅ、Ａｓ、Ｓｉ、Ｓｂ、ハロ
ゲン、Ｃｕ 、 Ａｇ 、 Ｚｎ 他があるが、これら
不純物の添加目的は、 （１） 長波長域における感度の向上、（２）残留電位
の零に向けての低減、 （３）機械的強度や耐摩耗性の向上 等であった。これら従来技術では、不純物の添加により
セレン感光体のコントラストポテンシャルを所望に応じ
て自在に制御するに至っていな℃・。
従って、本発明の目的は、複写機需要者側の要求に応じ
て所望水準の色調を有する感光体を供給しうるよう調節
されたコントラストポテンシャルを有するセレン或いは
セレン合金電子写真用感光体を提供することである。
て所望水準の色調を有する感光体を供給しうるよう調節
されたコントラストポテンシャルを有するセレン或いは
セレン合金電子写真用感光体を提供することである。
本発明者等は、セレン或いはセレン合金にリンを添加し
た場合、正負帯電時いずれにおいても残留電位を著しく
大きく変化させうろことを見出した。リンを無添加状態
から例えば１０００ ｐｐｍ添加状態の間で約３００Ｖ
の範囲で少しづつ残留電位は変化する。即ち、コントラ
ストポテンシャルはリン添加量に応じて少しづつほぼ一
定して変化するので、セレン或いはセレン合金における
リン添加Ｒとコントラストポテンシャルの相関図を作製
しておくことにより、所望の色調に対応するコントラス
トポテンシャルから添加すべきリン量を選定することが
できる。
た場合、正負帯電時いずれにおいても残留電位を著しく
大きく変化させうろことを見出した。リンを無添加状態
から例えば１０００ ｐｐｍ添加状態の間で約３００Ｖ
の範囲で少しづつ残留電位は変化する。即ち、コントラ
ストポテンシャルはリン添加量に応じて少しづつほぼ一
定して変化するので、セレン或いはセレン合金における
リン添加Ｒとコントラストポテンシャルの相関図を作製
しておくことにより、所望の色調に対応するコントラス
トポテンシャルから添加すべきリン量を選定することが
できる。
斯くして、本発明は、セレン或いはセレン合金中に０．
５ ｐｐｍ以上のリンを所要のコントラストポテンシャ
ルに応じて調節された量含有する電子写真感光体用セレ
ン或いはセレン合金蒸着膜を提供する。更に、本発明は
、電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着膜を製
造するに際し、原料セレン或いはセレン合金中へリンを
添加し、該リン含有原料セレン酸いはセレン合金を真空
蒸着するか、或いはセレン或いはセレン合金とリン単体
若しくはリン化合物とを同時蒸着することにより蒸着膜
中のリン含有量をｏ、 ｓ ｐｐｍ以上とすることを特
徴とする電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着
膜の製造方法を提供する。リン添加量の上限は他の感光
体特性への考１．５から１１０００ｐｐとするのが好ま
しい。
５ ｐｐｍ以上のリンを所要のコントラストポテンシャ
ルに応じて調節された量含有する電子写真感光体用セレ
ン或いはセレン合金蒸着膜を提供する。更に、本発明は
、電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着膜を製
造するに際し、原料セレン或いはセレン合金中へリンを
添加し、該リン含有原料セレン酸いはセレン合金を真空
蒸着するか、或いはセレン或いはセレン合金とリン単体
若しくはリン化合物とを同時蒸着することにより蒸着膜
中のリン含有量をｏ、 ｓ ｐｐｍ以上とすることを特
徴とする電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着
膜の製造方法を提供する。リン添加量の上限は他の感光
体特性への考１．５から１１０００ｐｐとするのが好ま
しい。
以下、本発明について具体的に説明する。
前述したように、セレン或いはセレン合金にリンを添加
した場合、正負帯電時いずれにおいても、コントラスト
ポテンシャルを著しく変化させることができる。第１及
び２図は正負帯電そ牙１ぞれについて、光照射後の残留
電位とリン添加量の関係を示すものである。データは、
１０ ｌｕｘの光照射１５秒後の残留電位である（詳細
は実施例において述べる）。コントラストポテンシャル
は、暗減衰を無視すると（リンは暗減資にほとんど影響
を及ぼさないのでこう仮定して差支えない）、初期表面
電位と残留電位との差として定義される。グラフかられ
かるように、リンの添加量を変化させることにより、正
負帯電時いずれの場合についても、残留電位をなだらか
に増加させることができる。従って、セレン或いはセレ
ン合金中のリン含有量を制御することにより、コントラ
ストポテンシャルの制御が可能となり、複写における色
調を自由に選択することができる。近時、正及び負帯電
複写方式に対する要求も進んでおり、正負帯電時いずれ
の場合についても１．ノン添加により残留電位を制御し
うろことは今後の複写機用感光体として大きなメリット
である。
した場合、正負帯電時いずれにおいても、コントラスト
ポテンシャルを著しく変化させることができる。第１及
び２図は正負帯電そ牙１ぞれについて、光照射後の残留
電位とリン添加量の関係を示すものである。データは、
１０ ｌｕｘの光照射１５秒後の残留電位である（詳細
は実施例において述べる）。コントラストポテンシャル
は、暗減衰を無視すると（リンは暗減資にほとんど影響
を及ぼさないのでこう仮定して差支えない）、初期表面
電位と残留電位との差として定義される。グラフかられ
かるように、リンの添加量を変化させることにより、正
負帯電時いずれの場合についても、残留電位をなだらか
に増加させることができる。従って、セレン或いはセレ
ン合金中のリン含有量を制御することにより、コントラ
ストポテンシャルの制御が可能となり、複写における色
調を自由に選択することができる。近時、正及び負帯電
複写方式に対する要求も進んでおり、正負帯電時いずれ
の場合についても１．ノン添加により残留電位を制御し
うろことは今後の複写機用感光体として大きなメリット
である。
本発明においては、純セレンのみならず、複写機感光体
用として一般に使用されるセレン合金はいずれも対象と
なしうるが、特にＳｅ −’ｌ’ｅ ｌ ｓｅ、 Ａｓ
、 Ｓｅ −Ｂｉ及びＳｅ −Ｓｂ 合金が代表例と
して挙げられる。
用として一般に使用されるセレン合金はいずれも対象と
なしうるが、特にＳｅ −’ｌ’ｅ ｌ ｓｅ、 Ａｓ
、 Ｓｅ −Ｂｉ及びＳｅ −Ｓｂ 合金が代表例と
して挙げられる。
本発明において使用する原料セレンは、ＳＯ２還元法、
真空蒸留法等の方法によりｌｉｔ ％されたもので純度
６Ｎ程度のものを用いると良い。セレン蒸着膜中にリン
を添加する手段として下記のような方法がある： （１，１リン単体若しくはリン化合物をセレンと混合し
て真空アンプル若しくは密閉容器内で溶解すること、 （２）ホスフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気
中でセレン或いはセレン合金を溶解すること、（３）ホ
スフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気中でセレ
ン或いはセレン合金を減圧蒸留すること。
真空蒸留法等の方法によりｌｉｔ ％されたもので純度
６Ｎ程度のものを用いると良い。セレン蒸着膜中にリン
を添加する手段として下記のような方法がある： （１，１リン単体若しくはリン化合物をセレンと混合し
て真空アンプル若しくは密閉容器内で溶解すること、 （２）ホスフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気
中でセレン或いはセレン合金を溶解すること、（３）ホ
スフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気中でセレ
ン或いはセレン合金を減圧蒸留すること。
その他、リン単体若しくはリン化合物とセレン或いはセ
レン合金を同時蒸着することによって本発明を実現しう
る。
レン合金を同時蒸着することによって本発明を実現しう
る。
リン含有セレン蒸着源を使用する場合、蒸着操作におい
て、蒸着源セレン中のリンの全てが蒸着膜中へ移行せず
その一部のみが移行するのでリンの添加にあたっては、
蒸着膜中の所要リン含有量以上のリンを蒸着源セレン中
に添加する必要がある。
て、蒸着源セレン中のリンの全てが蒸着膜中へ移行せず
その一部のみが移行するのでリンの添加にあたっては、
蒸着膜中の所要リン含有量以上のリンを蒸着源セレン中
に添加する必要がある。
蒸着源セレンを真空蒸着する際の条件は特に限定される
ものではなく、通常実施されている条件で十分である。
ものではなく、通常実施されている条件で十分である。
例えば、セレン蒸着膜を支持する基板としてはアルミニ
ウム、鋼等の金属あるいは金属化された紙あるいはプラ
スチック等の材料が用いられる。
ウム、鋼等の金属あるいは金属化された紙あるいはプラ
スチック等の材料が用いられる。
また、蒸着源温度は２５０℃〜５５０ ’Ｃ１基板温度
は５５℃〜７ｏ℃、冥空度は１ｏ−５Ｔｏｒｒ〜１０−
”ｆｏｒｒ、蒸着時間は６０分間〜１３０分間なる範囲
で適宜、好適な榮件を選択して実施し得る。
は５５℃〜７ｏ℃、冥空度は１ｏ−５Ｔｏｒｒ〜１０−
”ｆｏｒｒ、蒸着時間は６０分間〜１３０分間なる範囲
で適宜、好適な榮件を選択して実施し得る。
以下実施例に基づき本発明を更に詳しく説明する。
実施例１
第１表に示す不純物を含む純度６Ｎのセレンを用いてセ
レンの電子写真特性に及ぼすリンの影響を調べる実験を
行った。
レンの電子写真特性に及ぼすリンの影響を調べる実験を
行った。
第 １ 表
上記高純度セレンにリンを一定量添加してアンプル中に
真空封入してドーピングし、特性評価を行った。ドーピ
ングには揺動戸を用い、５００ ’Ｃで１５時間加熱溶
解してリンをセレン中にドーピングした。
真空封入してドーピングし、特性評価を行った。ドーピ
ングには揺動戸を用い、５００ ’Ｃで１５時間加熱溶
解してリンをセレン中にドーピングした。
上記混合物を抵抗加熱により５５ｗｎＸ５５ｍの鏡面仕
上げアルミニウム基板上へ蒸着した。
上げアルミニウム基板上へ蒸着した。
蒸着条件は次のとおりである。
蒸着源温度 ２７０ ’Ｃ
基板温度 ６０℃
真空度 ２ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ
蒸着時間 ６ｏ分間
以上の条件によりアルミニウム基板上へ形成したセレン
蒸着膜の厚さはいずれも５０μｍであった。
蒸着膜の厚さはいずれも５０μｍであった。
こうして得られたセレン蒸着膜について静電試験装置に
より下記条件にてその光重特性（残留電位）を調べた。
より下記条件にてその光重特性（残留電位）を調べた。
コロナ放電電圧 ５ＫＶ
光減衰時間 １５秒間
光照射時照度 ２０ルクス
除電照度及び時間 ２００００ルクス、２秒間繰り返し
数 ５０回 以上の条件下で測定した光照射１５秒後の残留電位とリ
ン添加量の関係を示したのが前述した第１及び２図であ
る。正負帯電時いずれの場合においても、リン添加量の
増加に伴い、残留電位が比較的一定にゆるやかに増加し
ていることがわかる。
数 ５０回 以上の条件下で測定した光照射１５秒後の残留電位とリ
ン添加量の関係を示したのが前述した第１及び２図であ
る。正負帯電時いずれの場合においても、リン添加量の
増加に伴い、残留電位が比較的一定にゆるやかに増加し
ていることがわかる。
実施例２
セレンとリンをそれぞれ別の蒸着源に入れ、抵抗加熱法
により蒸発させ、鏡面仕上げしたＡＩ 基板上に５０μ
ｍの厚さの膜を作った。セレンの蒸着条件は上述の場合
と同様であるが、リンの蒸着源温度は５０〜２ｏｏ℃で
制御して膜中のリンの含有量変化させた。その結果、膜
中のリンの含有量が増加するに従い、第１〜２図のよう
に残留電位が増加することが判った。
により蒸発させ、鏡面仕上げしたＡＩ 基板上に５０μ
ｍの厚さの膜を作った。セレンの蒸着条件は上述の場合
と同様であるが、リンの蒸着源温度は５０〜２ｏｏ℃で
制御して膜中のリンの含有量変化させた。その結果、膜
中のリンの含有量が増加するに従い、第１〜２図のよう
に残留電位が増加することが判った。
以上説明したように、本発明はリン添加量に依存して複
写の色調を需袂者の要望に応じて調節したものであり、
益々多様化する複写機業界において大なる役割りを果す
ものである。
写の色調を需袂者の要望に応じて調節したものであり、
益々多様化する複写機業界において大なる役割りを果す
ものである。
第１図及び第２図は、正帯電及び負帯電時それぞれにお
けるリン添加による残留電位の変化を表すグラフである
。 （臼訊巌蕎〉
けるリン添加による残留電位の変化を表すグラフである
。 （臼訊巌蕎〉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）セレン或いはセレン合金中に０．５ ｐｐｍ以上の
リンを所要のコントラストポテンシャルに応じて調節さ
れた量含有する電子写真感光体用セレン或いはセレン合
金蒸着膜。 ２）セレン合金がＳｅ −’ｌ’ｅ Ｉ Ｓｅ −ＡＳ
＋ Ｓｅ −Ｂｌ及びＳｅ −Ｓｂ合金から選択される
特許請求の範囲第１項記載のセレン或いはセレン合金蒸
着膜。 ３）電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着膜を
製造するに際し、原料セレン或いはセレン合金中へリン
を添加し、該リン含有原料セレン或いはセレン合金を真
空蒸着するととＫより蒸着膜中のリン含有量を０．５
ｐｐｍ以上とすることを特徴とする電子写真感光体用セ
レン或いはセレン合金蒸着膜の製造方法。 ４）セレン合金がＳｅ −Ｔｅ ＋ Ｓｅ −Ａｓ ＋
Ｓｅ −Ｂｉ及びＳｅ −Ｓｂ合金から選択される特
許請求の範囲第３項記載の方法。 ５）リン単体若しくはリン化合物をセレンと混合して真
空アンプル若しくは密閉容器内で溶解することによりリ
ン含有原料セレン或いはセレン合金とする特許請求の範
囲第３項記載の方法。 ６）ホスフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気中
でセレン或いはセレン合金を溶解することＫよりリン含
有原料セレン或いはセレン合金とする特許請求の範囲第
６項記載の方法。 ７）ホスフィンその他の揮発性のリン化合物の雰囲気中
でセレン或いはセレン合金を減圧蒸留することによりリ
ン含有原料セレン或いはセレン合金とする特許請求の範
囲第３項記載の方法。 ８）電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着膜を
製造するに際し、セレン或いはセレン合金とリン単体若
しくはリン化合物とを同時蒸着することにより蒸着膜中
のリン含有量を０．５ ｐｐｍ以上とすることを特徴と
する電子写真感光体用セレン或いはセレン合金蒸着膜の
製造方法。 ９）セレン合金がＳｅ −Ｔｅ ＋ Ｓｅ −Ａｓ ｒ
Ｓｅ −Ｂｉ及び５ｅ−Ｓｂ合金から選択される特許
請求の範囲第８項記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209977A JPS60102642A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法 |
| US06/626,500 US4585621A (en) | 1983-11-10 | 1984-06-29 | Vapor-deposited film of selenium or selenium alloy for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209977A JPS60102642A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102642A true JPS60102642A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0151182B2 JPH0151182B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16581810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209977A Granted JPS60102642A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4585621A (ja) |
| JP (1) | JPS60102642A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4822712A (en) * | 1988-04-08 | 1989-04-18 | Xerox Corporation | Reduction of selenium alloy fractionation |
| US4842973A (en) * | 1988-04-08 | 1989-06-27 | Xerox Corporation | Vacuum deposition of selenium alloy |
| US4859411A (en) * | 1988-04-08 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
| US4894307A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-16 | Xerox Corporation | Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys |
| US5002734A (en) * | 1989-01-31 | 1991-03-26 | Xerox Corporation | Processes for preparing chalcogenide alloys |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5177239A (ja) * | 1974-08-02 | 1976-07-05 | Licentia Gmbh | |
| JPS5740258A (en) * | 1980-08-23 | 1982-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3941591A (en) * | 1969-01-22 | 1976-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoconductive member employing a chalcogen alloy and a crystallization inhibiting element |
| DE3123608C2 (de) * | 1981-06-13 | 1985-01-10 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58209977A patent/JPS60102642A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-29 US US06/626,500 patent/US4585621A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JPS5177239A (ja) * | 1974-08-02 | 1976-07-05 | Licentia Gmbh | |
| JPS5740258A (en) * | 1980-08-23 | 1982-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4585621A (en) | 1986-04-29 |
| JPH0151182B2 (ja) | 1989-11-01 |
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