JPS5854345A - アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5854345A JPS5854345A JP15142581A JP15142581A JPS5854345A JP S5854345 A JPS5854345 A JP S5854345A JP 15142581 A JP15142581 A JP 15142581A JP 15142581 A JP15142581 A JP 15142581A JP S5854345 A JPS5854345 A JP S5854345A
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- JP
- Japan
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- drum
- tank
- amorphous silicon
- electrode plates
- photosensitive layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
体の製造方法に関するものである。
一般に電子写真感光体は導電性支持体上に光導電性感光
層を設けて構成される。而して従来、感光層の材質とし
ては、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム等が用いられ
ているが、これらは分光増感が必要とされたり或いは大
きな耐久性が得られず、又は材料が毒性を有する等の問
題がある。
層を設けて構成される。而して従来、感光層の材質とし
ては、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム等が用いられ
ているが、これらは分光増感が必要とされたり或いは大
きな耐久性が得られず、又は材料が毒性を有する等の問
題がある。
一方、電子写真感光体として必要な大面積の薄層状の感
光層を有利に形成し得ることから、水素化アモルファス
シリコン（以下「ａ−シリコン」と記す。）を感光層の
材質として用いることが研究されている。
光層を有利に形成し得ることから、水素化アモルファス
シリコン（以下「ａ−シリコン」と記す。）を感光層の
材質として用いることが研究されている。
ａ−シリコンの製造方法としては、いわゆるグロー放電
法が実用性のあるａ−シリコンを形成し得る方法として
知られている。この方法は真空槽内においてシランガス
等をグロー放電により分解し、その分解生成物によって
基板上に、水素が導入されたａ−シリコンを被着堆積す
るものであり、このように水素を導入することによって
、ａ−シリコンにおけるダングリングボンドが封鎖され
るので良好なａ−シリコンが得られるのである。
法が実用性のあるａ−シリコンを形成し得る方法として
知られている。この方法は真空槽内においてシランガス
等をグロー放電により分解し、その分解生成物によって
基板上に、水素が導入されたａ−シリコンを被着堆積す
るものであり、このように水素を導入することによって
、ａ−シリコンにおけるダングリングボンドが封鎖され
るので良好なａ−シリコンが得られるのである。
而してこのグロー放電法においては、基板上におけるａ
−シリコンの被着効率を大きくするため並びに感光層と
して必要な条件を満たす特性を得るためには、当該基板
を２００ − ＃！０℃の温度に加熱することが必要で
あり、このため線状、棒状又は網状の発熱ヒーターを基
板の背後に設けて、これにより必要な加熱を行なうよう
にしているが、斯かる加熱方式によれば基板全体を均一
の温度に加熱することが極めて困難であり、この結果、
基板の温度ムラによってａ−シリコンの被着状態、組織
状態にムラが生ずるようになり、しかもａ−シリコンに
おける光導電特性は微妙な条件の変化により大きく影響
されるため、結果として均一な特性を有する電子写真感
光体を得ることが困難であるＯ 更にヒーターが原料ガスに曝される場合においては、ヒ
ーター自体が相当の高温となるため、その熱によって原
料ガスが分解する作用が生じ、ヒーターが汚染される等
の問題もある。
−シリコンの被着効率を大きくするため並びに感光層と
して必要な条件を満たす特性を得るためには、当該基板
を２００ − ＃！０℃の温度に加熱することが必要で
あり、このため線状、棒状又は網状の発熱ヒーターを基
板の背後に設けて、これにより必要な加熱を行なうよう
にしているが、斯かる加熱方式によれば基板全体を均一
の温度に加熱することが極めて困難であり、この結果、
基板の温度ムラによってａ−シリコンの被着状態、組織
状態にムラが生ずるようになり、しかもａ−シリコンに
おける光導電特性は微妙な条件の変化により大きく影響
されるため、結果として均一な特性を有する電子写真感
光体を得ることが困難であるＯ 更にヒーターが原料ガスに曝される場合においては、ヒ
ーター自体が相当の高温となるため、その熱によって原
料ガスが分解する作用が生じ、ヒーターが汚染される等
の問題もある。
本発明は以上の如き事情に基いてなされたものであって
、ａ−シリコンより成る感光層を有し、しかもその全面
に亘って均一な特性を有する電子写真感光体を確実に製
造することのできる方法を提供することを目的とする。
、ａ−シリコンより成る感光層を有し、しかもその全面
に亘って均一な特性を有する電子写真感光体を確実に製
造することのできる方法を提供することを目的とする。
以下図面によって本発明の一実施例について説明する。
本発明においては、第１図に示すように、導電る電極板
２Ａ 、 、２Ｂを互に接するよう固定して設け、これ
を＃！２図に示すようにグロー放電製膜槽３内において
碍子架台参上に垂立して保持せしめ、この製膜槽３のベ
ースプレートｊを気密に貫通して伸びる、１電源ｔより
の今°−プル７Ａ 、 ７Ｂ ノ一方７ムを、一方の電
極板２ムに接続すると共に、他方のケーブル７Ｂを前記
一方の電極板２人の中心孔ｒを介してドラムｌ内に挿入
して他方の電極板２Ｂに接続せしめる。そして前記製膜
槽３内を、前記ベースプレートｓにおいて接続した、バ
ルブ９を有する排気路１０を介して排気ポンプ（図示せ
ず）によって排気すると共に、製膜槽３の上端に接続し
た原料ガス供給管／ｌよりシランガスと水素ガスとの混
合ガスより成る原料ガスを供給し、前記電源乙により電
極板２ム、 ＪＢを介して前記ドラムｌに通電すること
により当該ドラムｌを抵抗発熱せしめ、その温度を２０
０− ＃１０ ’Ｃに維持した状態で、前記製膜槽３の
外周面に設けた誘導コイル１２に高周波電源１３により
高周波電圧を印加して当該製膜槽３内にグロー放電を生
ぜしめ、これにより前記ドラムｌの外周面上にａ−シリ
コンを被着堆積せしめてａ−シリコン層を形成し、以っ
て当該ａ−シリコン層を感光層とするａ−シリコン電子
写真感光体を製造する。
２Ａ 、 、２Ｂを互に接するよう固定して設け、これ
を＃！２図に示すようにグロー放電製膜槽３内において
碍子架台参上に垂立して保持せしめ、この製膜槽３のベ
ースプレートｊを気密に貫通して伸びる、１電源ｔより
の今°−プル７Ａ 、 ７Ｂ ノ一方７ムを、一方の電
極板２ムに接続すると共に、他方のケーブル７Ｂを前記
一方の電極板２人の中心孔ｒを介してドラムｌ内に挿入
して他方の電極板２Ｂに接続せしめる。そして前記製膜
槽３内を、前記ベースプレートｓにおいて接続した、バ
ルブ９を有する排気路１０を介して排気ポンプ（図示せ
ず）によって排気すると共に、製膜槽３の上端に接続し
た原料ガス供給管／ｌよりシランガスと水素ガスとの混
合ガスより成る原料ガスを供給し、前記電源乙により電
極板２ム、 ＪＢを介して前記ドラムｌに通電すること
により当該ドラムｌを抵抗発熱せしめ、その温度を２０
０− ＃１０ ’Ｃに維持した状態で、前記製膜槽３の
外周面に設けた誘導コイル１２に高周波電源１３により
高周波電圧を印加して当該製膜槽３内にグロー放電を生
ぜしめ、これにより前記ドラムｌの外周面上にａ−シリ
コンを被着堆積せしめてａ−シリコン層を形成し、以っ
て当該ａ−シリコン層を感光層とするａ−シリコン電子
写真感光体を製造する。
本発明は以上のような方法であって、ドラムｌはその両
端の電極板ＪＡ 、 ＪＢによる通電によって抵抗発熱
するが、この発熱はドラムｌの全体において生ずるため
当該ドラムｌの外周面はその全面に亘って均一な温度と
なり、従って当該外周面上におけるａ−シリコンの被潜
堆積１！Ｉｆ、及びその条件がすべての部分において同
一であるので、膜厚、組織状態等の物性が均一でその光
導電特性が均一なａ−シリコン層が形成され、従ってそ
の全面に亘って均一な特性を有し、特に帯電特性の良好
な電子写真感光体を製造することができる。
端の電極板ＪＡ 、 ＪＢによる通電によって抵抗発熱
するが、この発熱はドラムｌの全体において生ずるため
当該ドラムｌの外周面はその全面に亘って均一な温度と
なり、従って当該外周面上におけるａ−シリコンの被潜
堆積１！Ｉｆ、及びその条件がすべての部分において同
一であるので、膜厚、組織状態等の物性が均一でその光
導電特性が均一なａ−シリコン層が形成され、従ってそ
の全面に亘って均一な特性を有し、特に帯電特性の良好
な電子写真感光体を製造することができる。
ここで前記ドラムｌは、電子写真感光体の支持体となる
ものであるので、光電流が流れる程度の導電性が必要と
されるが、上記の抵抗発熱による効果を十分に得るため
には、温ｒｉｌｏ℃における抵抗率が１．’７ Ｘ １
０−’Ω・備以上の金属をその材質として用いることが
好ましく、具体例としては、例えばステンレス鋼「ＳＵ
Ｓ ３１７ Ｊ、「ハステロイＢ」、インコネル等を挙
げることができ、これらは他の点においても電子写真感
光体用ドラムとして実用上十分な条件を具えたものであ
る。
ものであるので、光電流が流れる程度の導電性が必要と
されるが、上記の抵抗発熱による効果を十分に得るため
には、温ｒｉｌｏ℃における抵抗率が１．’７ Ｘ １
０−’Ω・備以上の金属をその材質として用いることが
好ましく、具体例としては、例えばステンレス鋼「ＳＵ
Ｓ ３１７ Ｊ、「ハステロイＢ」、インコネル等を挙
げることができ、これらは他の点においても電子写真感
光体用ドラムとして実用上十分な条件を具えたものであ
る。
本発明において、ａ−シリコンを形成する方法は任意で
あり、既述の如きグロー放電法のほか、スパッタ法、イ
オンブレーティング法、蒸着法等を利用することができ
るが、ａ−シリコンの被着堆積に方向性のないグロー放
電法によれば、図示の例におけるようにドラムｌを回転
せしめる必要がなく、この点からも均一なａ−シリコン
層を形成し得るので好ましい。
あり、既述の如きグロー放電法のほか、スパッタ法、イ
オンブレーティング法、蒸着法等を利用することができ
るが、ａ−シリコンの被着堆積に方向性のないグロー放
電法によれば、図示の例におけるようにドラムｌを回転
せしめる必要がなく、この点からも均一なａ−シリコン
層を形成し得るので好ましい。
グロー放電法における各部の具体的条件は公知であるが
、その−例を挙げると、製膜槽ｌ内の真空度は３ Ｘ
１０ ’ｌ’ｏｒｒ 、原料ガスのシランガスと水素
ガスとの割合は１０１１％その供給１１は１００ＣＣ７
分、高周波電源１３の周波数はＩＪＪｔ ＭＨｚ ｓ電
力はｏ、ｔｐｃｗである。
、その−例を挙げると、製膜槽ｌ内の真空度は３ Ｘ
１０ ’ｌ’ｏｒｒ 、原料ガスのシランガスと水素
ガスとの割合は１０１１％その供給１１は１００ＣＣ７
分、高周波電源１３の周波数はＩＪＪｔ ＭＨｚ ｓ電
力はｏ、ｔｐｃｗである。
以上支持体を構成すべき基板としてドラムを用いる場合
について説明したが、板状又はシート状の基板を用いる
場合にも、本発明を適用して同様な作用効果が得られる
。
について説明したが、板状又はシート状の基板を用いる
場合にも、本発明を適用して同様な作用効果が得られる
。
以上のように本発明によれば、ａ−シリコンより成る感
光層を有し、しかもその全面に亘って均一な特性を有す
る電子写真感光体を確実に製造することのできる方法を
提供することができる。
光層を有し、しかもその全面に亘って均一な特性を有す
る電子写真感光体を確実に製造することのできる方法を
提供することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明アモルファスシリコ
ン電子写真感光体の製造方法の一実施例について示す、
ドラムと電極板との説明用斜視図及びグロー放電法によ
る極膜装置の説明用断面図である・ １００．ドラム、コＡ、２Ｂ・・・電極板、３・・・グ
ロー放電製膜槽１．１００．ベースプレート、ｌ・・・
中心孔、１０・・・排気路、ｌｌ・・・原料ガス供給管
、／３・・・高周波電源。
ン電子写真感光体の製造方法の一実施例について示す、
ドラムと電極板との説明用斜視図及びグロー放電法によ
る極膜装置の説明用断面図である・ １００．ドラム、コＡ、２Ｂ・・・電極板、３・・・グ
ロー放電製膜槽１．１００．ベースプレート、ｌ・・・
中心孔、１０・・・排気路、ｌｌ・・・原料ガス供給管
、／３・・・高周波電源。
Claims (1)
- １）電気抵抗体より成る支持体に通電して抵抗発熱せし
めた状態において、当該支持体の表面にアモルファスシ
リコンを被着堆積せしめることにより感光層を形成せし
めることを特徴とするアモルファスシリコン電子写真感
光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15142581A JPS5854345A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15142581A JPS5854345A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854345A true JPS5854345A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15518335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15142581A Pending JPS5854345A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07261437A (ja) * | 1995-01-24 | 1995-10-13 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法 |
-
1981
- 1981-09-26 JP JP15142581A patent/JPS5854345A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07261437A (ja) * | 1995-01-24 | 1995-10-13 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法 |
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