JPS5854632A - 電子ビ−ム露光方式 - Google Patents
電子ビ−ム露光方式Info
- Publication number
- JPS5854632A JPS5854632A JP56154217A JP15421781A JPS5854632A JP S5854632 A JPS5854632 A JP S5854632A JP 56154217 A JP56154217 A JP 56154217A JP 15421781 A JP15421781 A JP 15421781A JP S5854632 A JPS5854632 A JP S5854632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- amount
- exposure
- substrate
- drift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の）臂ターン形成の際電子ビー
ムを照射して露光を行なう電子ビーム露光方式に関する
。
ムを照射して露光を行なう電子ビーム露光方式に関する
。
一般忙半導体集積回路等の半導体装置を製造するには、
半導体基板の表面に回路のΔターｙを形成する必要があ
り、このΔターン形成には。
半導体基板の表面に回路のΔターｙを形成する必要があ
り、このΔターン形成には。
通常紫外線等の光を刹用したホトリソグラフィーが用い
られ石・ところで、近年集積回路は、さもに高い集積化
が要求されるため、ノターン形成にはよ勤黴細な加工技
術が必要とｔｓている・そのために、善にＩｌターン形
成の際に必要な感光性樹ｌｌｌＷｃ対する露光を上記の
ような紫外傾向にある・ この電子ビームによる露光方法は、！スクデツンタを先
は半導体基板の表面に例えば電子♂−ム用感光性樹脂膜
を形成し、電子ビームを照射する・この電子ビームは、
通常固定された電子Ｃ−五発生装置から発生し、この電
子ビーム発生装置は例えば電子銃、コンデンサレンズ系
。
られ石・ところで、近年集積回路は、さもに高い集積化
が要求されるため、ノターン形成にはよ勤黴細な加工技
術が必要とｔｓている・そのために、善にＩｌターン形
成の際に必要な感光性樹ｌｌｌＷｃ対する露光を上記の
ような紫外傾向にある・ この電子ビームによる露光方法は、！スクデツンタを先
は半導体基板の表面に例えば電子♂−ム用感光性樹脂膜
を形成し、電子ビームを照射する・この電子ビームは、
通常固定された電子Ｃ−五発生装置から発生し、この電
子ビーム発生装置は例えば電子銃、コンデンサレンズ系
。
プラン中ンダ電極、アライメン）コイル系、アノ−チャ
ー（電子ビームを通す穴を有するプレート）、対向電極
および外囲器であるライナーチ１−デ等からなる。ここ
で、電子ビームを半導体麹層゛の表面の所定の位置に正
確忙照射するには、通常マスクブランクまたは半導体基
板を移動して行ない、電子ビームの進行方向は予め対向
電極の電界等により調整された後、照射中は変動Ｃ以下
ビームドリフトと称する）が生じないようにする必要が
ある・しかしながら、従来では電子ビームを照射中にお
いて、例えば上記コンデンサレンズ系の励磁電流等によ
る熱の影響、およびア・や−チャーで感光性樹脂が付着
して生ずるチャーシア、デ等の影響にょ）電子ビームの
進行方向がライナーチー−プ内で変動する場合がある。
ー（電子ビームを通す穴を有するプレート）、対向電極
および外囲器であるライナーチ１−デ等からなる。ここ
で、電子ビームを半導体麹層゛の表面の所定の位置に正
確忙照射するには、通常マスクブランクまたは半導体基
板を移動して行ない、電子ビームの進行方向は予め対向
電極の電界等により調整された後、照射中は変動Ｃ以下
ビームドリフトと称する）が生じないようにする必要が
ある・しかしながら、従来では電子ビームを照射中にお
いて、例えば上記コンデンサレンズ系の励磁電流等によ
る熱の影響、およびア・や−チャーで感光性樹脂が付着
して生ずるチャーシア、デ等の影響にょ）電子ビームの
進行方向がライナーチー−プ内で変動する場合がある。
このような電子ビームの変動、すなわちビームドリフト
量は上記コンデンサレンズ系のコイル電流等を変化させ
ない場合でも約０．２μ鯛程度まで生ずることがあシ、
また上記コイル励磁電流等を変化させ九場合にはビーム
）’１７７）量は約２． Ｏ１１ｍ位になることもある
。したがって、従来の電子ビーム露光方式では、露光中
にビームトリラドが生じて、／＃ターン形成の精度を著
しく損う欠点がある。
量は上記コンデンサレンズ系のコイル電流等を変化させ
ない場合でも約０．２μ鯛程度まで生ずることがあシ、
また上記コイル励磁電流等を変化させ九場合にはビーム
）’１７７）量は約２． Ｏ１１ｍ位になることもある
。したがって、従来の電子ビーム露光方式では、露光中
にビームトリラドが生じて、／＃ターン形成の精度を著
しく損う欠点がある。
ζめ豐鴨は、上記の事情を鑑みてなされたものテ、電子
ビームの照射による露光中和ビームドリフト量を測定し
、このビームドリフト量に応じて電子ビームの進行方向
を補正して、マスクブランクまたは半導体基板に対する
露光を正確に行なうことができ、それによって高精度の
・譬ターン形成を得ることのできる電子ビーム露光方式
を提供することを目的とする・ 以下図面を参照してこの発明の一実施例について説明す
る。第１図は、この発明の一実施例に係る電子ビーム露
光方式の構成（但し必要な部分のみ）を示すもので、電
子ビーム１１は電子ビーム発生装置１２から発生する・
この電子ビーム発生装置１２には、電子ビーム１１を出
力する電子銃１３が設けられ、この電子銃１３からの電
子ビーム１１の進行方向を調整する対向電極１４ｍ、１
４ｂが設けられている。この電子ビーム１１を／４ター
ン形成を行がう叩スクデランクまたは半導体基板１５に
照射して露光が行なわれ、この半導体基板１５は、例え
ばＸ。
ビームの照射による露光中和ビームドリフト量を測定し
、このビームドリフト量に応じて電子ビームの進行方向
を補正して、マスクブランクまたは半導体基板に対する
露光を正確に行なうことができ、それによって高精度の
・譬ターン形成を得ることのできる電子ビーム露光方式
を提供することを目的とする・ 以下図面を参照してこの発明の一実施例について説明す
る。第１図は、この発明の一実施例に係る電子ビーム露
光方式の構成（但し必要な部分のみ）を示すもので、電
子ビーム１１は電子ビーム発生装置１２から発生する・
この電子ビーム発生装置１２には、電子ビーム１１を出
力する電子銃１３が設けられ、この電子銃１３からの電
子ビーム１１の進行方向を調整する対向電極１４ｍ、１
４ｂが設けられている。この電子ビーム１１を／４ター
ン形成を行がう叩スクデランクまたは半導体基板１５に
照射して露光が行なわれ、この半導体基板１５は、例え
ばＸ。
Ｙ方向に移動可能なステージ１６上に設置される・さら
に、このステー−／１＃上には予め所定の・譬ターン形
成がなされた試料用半導体素子１１が設−される。この
素子１１は、例えば第２図（平面図）Ｋ示すようにシリ
コン等のＮ１１半導体基稜２１０表面に所定の基準点２
２かも一定の距離ａｓｂをもりてＰ型拡散層（゛以下Ｐ
層と称する）２３１〜ＸＳａが形成きれてなる。
に、このステー−／１＃上には予め所定の・譬ターン形
成がなされた試料用半導体素子１１が設−される。この
素子１１は、例えば第２図（平面図）Ｋ示すようにシリ
コン等のＮ１１半導体基稜２１０表面に所定の基準点２
２かも一定の距離ａｓｂをもりてＰ型拡散層（゛以下Ｐ
層と称する）２３１〜ＸＳａが形成きれてなる。
さらに、第１図に示すようにこの試料用半導体素子１１
に電子ビーム１１を照射した場合、２層２３１〜ｊｊｄ
とＮｆｉ基板２１間、すなわちＰＮ接合部間に生ずる起
電流を検出す石検出器ＺＪＩが設けられる・この検出器
１Ｍから出力される信号に応じて、例えば予め上記起電
Ｒ輸対応する電子ビーム１１のビームドリフト量を記憶
し、このビームドリフト量に基づいたデジタル信号を出
力するデータ処理装置１９が設けられる。そして、この
データ処理装置１９からのデジタル信号をアナログ信号
（例えば直流電圧）に変換するデジタル・アナログ変換
器（以下Ｄ−ム変換器）２０が設けられ、このＤ−ム変
換器２０のアナログ信号によって例えば電子ビーム発生
装置１２０対向電極２４ ａ ＊ Ｊ ４ ｂ間に印加
される電圧が調整される。
に電子ビーム１１を照射した場合、２層２３１〜ｊｊｄ
とＮｆｉ基板２１間、すなわちＰＮ接合部間に生ずる起
電流を検出す石検出器ＺＪＩが設けられる・この検出器
１Ｍから出力される信号に応じて、例えば予め上記起電
Ｒ輸対応する電子ビーム１１のビームドリフト量を記憶
し、このビームドリフト量に基づいたデジタル信号を出
力するデータ処理装置１９が設けられる。そして、この
データ処理装置１９からのデジタル信号をアナログ信号
（例えば直流電圧）に変換するデジタル・アナログ変換
器（以下Ｄ−ム変換器）２０が設けられ、このＤ−ム変
換器２０のアナログ信号によって例えば電子ビーム発生
装置１２０対向電極２４ ａ ＊ Ｊ ４ ｂ間に印加
される電圧が調整される。
このように構成される電子ビーム露光方式において、ま
ずステージ１６を移動して試料用素子１７０基準点２２
がほぼ電子ビーム１１の照射線上にくる如く設定する◎
そして、この試料用素子１７０表面に、第３図に示すよ
うに電子ビーム１１を例えばス４！ト状態にして照射す
る◎このとき、試料用素子１７のＮ型基板２１とその基
板２１表面に形成される２層２３からなるＰＮ接合部間
には起電流ｌが発生する０すなわち、基板２１０表面に
電子ビーム１１が照射されると、第４図に示す如く１通
常入射電子０は原子核との弾性散乱、および原子核、束
縛電子との非弾性散乱の影響を受けて、エネルギーを失
いながら基板２１内を移動する。このとき、例えば非弾
性散乱の際に失うエネルギーにより、価電子帯の電子が
励起されて電子、正孔対が発生する。この少数キャリヤ
（この場合は正孔である）の拡散長り２、すなわち少数
キャリヤが拡散によって移動し、再結合して消滅するま
での距離の範囲内４ＣＰＮ接合部が存在すれば、少数キ
ャリヤは分離し、起電流Ｉが発生する。
ずステージ１６を移動して試料用素子１７０基準点２２
がほぼ電子ビーム１１の照射線上にくる如く設定する◎
そして、この試料用素子１７０表面に、第３図に示すよ
うに電子ビーム１１を例えばス４！ト状態にして照射す
る◎このとき、試料用素子１７のＮ型基板２１とその基
板２１表面に形成される２層２３からなるＰＮ接合部間
には起電流ｌが発生する０すなわち、基板２１０表面に
電子ビーム１１が照射されると、第４図に示す如く１通
常入射電子０は原子核との弾性散乱、および原子核、束
縛電子との非弾性散乱の影響を受けて、エネルギーを失
いながら基板２１内を移動する。このとき、例えば非弾
性散乱の際に失うエネルギーにより、価電子帯の電子が
励起されて電子、正孔対が発生する。この少数キャリヤ
（この場合は正孔である）の拡散長り２、すなわち少数
キャリヤが拡散によって移動し、再結合して消滅するま
での距離の範囲内４ＣＰＮ接合部が存在すれば、少数キ
ャリヤは分離し、起電流Ｉが発生する。
なお、第４図に示す電子の散乱状態は、電子ビーム１１
の加速電圧が２０に＠Ｖ、電子数が５０％散乱の回数が
２４７、および散乱によりて失りた電子の蝦低のエネル
ギーは１ ｋ＠Ｖの場合である・このようにして、試料
用素子１７０基板２１０表面に電子ビーム１１を照射し
た場合、その照射位置とＰＮ接合部（第３図のｄ）ｔで
の距離をそのＰＮ接合間に発生する起電流【によって測
定することができる０具体的には、第５図に示すように
、拡散長り、（ＬＰ、 ＝ １．０畑、島す冨０、９７
４ｍ 、Ｌｐ、 ＝０．８μｍ ）をＡＩラメーーとし
た場合、起電流■に対する電子ビーム１１の照射位置か
らＰＮ接合部までの距離りを求めることができる。例え
ばＬＰ、が１，０μｍの場合、０．１Ｊｍ単位の距離ｔ
を求めることができる。なお、第５図は、電子ビーム１
１の加速電圧が２５ ｋ＠Ｖ。
の加速電圧が２０に＠Ｖ、電子数が５０％散乱の回数が
２４７、および散乱によりて失りた電子の蝦低のエネル
ギーは１ ｋ＠Ｖの場合である・このようにして、試料
用素子１７０基板２１０表面に電子ビーム１１を照射し
た場合、その照射位置とＰＮ接合部（第３図のｄ）ｔで
の距離をそのＰＮ接合間に発生する起電流【によって測
定することができる０具体的には、第５図に示すように
、拡散長り、（ＬＰ、 ＝ １．０畑、島す冨０、９７
４ｍ 、Ｌｐ、 ＝０．８μｍ ）をＡＩラメーーとし
た場合、起電流■に対する電子ビーム１１の照射位置か
らＰＮ接合部までの距離りを求めることができる。例え
ばＬＰ、が１，０μｍの場合、０．１Ｊｍ単位の距離ｔ
を求めることができる。なお、第５図は、電子ビーム１
１の加速電圧が２５ ｋ＠Ｖ。
電子ビーム電流！、がｓ Ｘ １０− （Ａ’ｌ、お
よびＰ型層１１の拡散の深さｘｊが１．５−の場合であ
る。また、電子ビーム電流Ｉ Ｂ （［６１＝８ Ｘ
１０−”［Ａ］。
よびＰ型層１１の拡散の深さｘｊが１．５−の場合であ
る。また、電子ビーム電流Ｉ Ｂ （［６１＝８ Ｘ
１０−”［Ａ］。
Ｉｂ２＝５ Ｘ １０−”（Ａ） −Ｉｂ５＝＝ａ Ｘ
１０−１１（：ム〕。
１０−１１（：ム〕。
Ｉ、４＝ ｌ Ｘ ］ ０−”（ム） 、 ｒｂｓ ＝
８ Ｘ １０−”［：Ａ：）。
８ Ｘ １０−”［：Ａ：）。
Ｉ６４ ＝５ Ｘ １０−１２１：ＡＩ −Ｉｂ７ ＝
３ Ｘ １０−”（Ａ〕）をノ臂うメータとした場合、
起電流■に対する距離りの関係は第６図に示す如くであ
るＯなお、この場合電子ビーム１１の加速電圧が２５
ｋ＠Ｖ、拡散長り、が０．８３踊、および拡散の深さｘ
ｉは１．５μｍである。
３ Ｘ １０−”（Ａ〕）をノ臂うメータとした場合、
起電流■に対する距離りの関係は第６図に示す如くであ
るＯなお、この場合電子ビーム１１の加速電圧が２５
ｋ＠Ｖ、拡散長り、が０．８３踊、および拡散の深さｘ
ｉは１．５μｍである。
したがって、上記のように試料用素子１１に電子ビーム
１１を照射した際、発生する起電流！を検出器１８によ
って検出しく第３図に示す）、この検出器１８からの出
力信号、′例えば起電流Ｉに対応するデジタル、信号を
第１図疋示すようにデータ処理装置１９へ入力する。こ
のデータ処理装置１９は、上記第５図および第６′図に
示す関係に基づいて電子ビーム１１の照射位置を計算し
て記憶する。この場合、試料用素子１１は、第２図に示
す如く予め基準点２２からＰＮ接合部までの距離ａ、ｂ
（例えばり、ｂ共１０細とする）が設定されていること
から、ビーム１１の位置をＸ軸、Ｙ軸からなる平面上の
点（Ｘ、、Ｙ・ ）として求めることができる・そして
、ステージ１６を移動させて／４ターン形成を行なう半
導体基板１５に電子ビーム１１ｔ−照射して露光を行な
う０この霧光が開始してから所定の時間経過後、再度ス
テー−）１６を移動させて試料用素子１１を上記の最初
の位置に設定し、上記と同様に電子ビーム１１をス／
ｖ ）状態で試料用素子１７に照射して、このときの電
子ビーム１１の位置（Ｘｓ ＊ Ｙｔ ）を上記と
同様に求める。この場合、ステージ１６の移動（ｘ、ｙ
方向）は、レーデ測長系等によって高ＮＦＩにコントロ
ールできるため、試料用素子１１は最初に設定された位
置と＃１ぼ同じ位置に設定される。したがって、電子ビ
ーム１１の位置（Ｘ＠ ｅ Ｙｅ ）と（Ｘｓ ＃
Ｙｔ ）から、それぞれの差ΔＸ、ΔＹを求めると、 ΔＸ＝Ｘ・−ｘｌ・・・・−・・・・・・・−・−・−
・・・・（１）ΔＹ＝Ｙ・−Ｙｌ・・−・・・−・・・
・・−−−−−−−−−（２）のようになる。すなわち
上記の式（１） 、 （２）に示すΔＸ、ΔＹＦｉ、電
子ビーム１１が露光中に移動した量、すなわちビームｒ
リフト量とな）、このビームＦリフト量がノｆターン形
成の精度上許容範囲外であれば、ΔＸ、ΔＹＩｅけ電子
ビーム１１の進行方向を対向電極１４＆、１４ｂに印加
する電圧等を変化させて補正する０具体的には、ΔＸ、
Δｙａデータ処理装置Ｉ９によって求められ、このデー
タ処理＊ｆｌ１９からΔＸ、ΔＹに対応するデジタル信
号が出力される。このデジタル信号に対応する直流電圧
がＤ−Ａ変換器２０等から電子ビーム発生装置１２の対
向電極１４ａ。
１１を照射した際、発生する起電流！を検出器１８によ
って検出しく第３図に示す）、この検出器１８からの出
力信号、′例えば起電流Ｉに対応するデジタル、信号を
第１図疋示すようにデータ処理装置１９へ入力する。こ
のデータ処理装置１９は、上記第５図および第６′図に
示す関係に基づいて電子ビーム１１の照射位置を計算し
て記憶する。この場合、試料用素子１１は、第２図に示
す如く予め基準点２２からＰＮ接合部までの距離ａ、ｂ
（例えばり、ｂ共１０細とする）が設定されていること
から、ビーム１１の位置をＸ軸、Ｙ軸からなる平面上の
点（Ｘ、、Ｙ・ ）として求めることができる・そして
、ステージ１６を移動させて／４ターン形成を行なう半
導体基板１５に電子ビーム１１ｔ−照射して露光を行な
う０この霧光が開始してから所定の時間経過後、再度ス
テー−）１６を移動させて試料用素子１１を上記の最初
の位置に設定し、上記と同様に電子ビーム１１をス／
ｖ ）状態で試料用素子１７に照射して、このときの電
子ビーム１１の位置（Ｘｓ ＊ Ｙｔ ）を上記と
同様に求める。この場合、ステージ１６の移動（ｘ、ｙ
方向）は、レーデ測長系等によって高ＮＦＩにコントロ
ールできるため、試料用素子１１は最初に設定された位
置と＃１ぼ同じ位置に設定される。したがって、電子ビ
ーム１１の位置（Ｘ＠ ｅ Ｙｅ ）と（Ｘｓ ＃
Ｙｔ ）から、それぞれの差ΔＸ、ΔＹを求めると、 ΔＸ＝Ｘ・−ｘｌ・・・・−・・・・・・・−・−・−
・・・・（１）ΔＹ＝Ｙ・−Ｙｌ・・−・・・−・・・
・・−−−−−−−−−（２）のようになる。すなわち
上記の式（１） 、 （２）に示すΔＸ、ΔＹＦｉ、電
子ビーム１１が露光中に移動した量、すなわちビームｒ
リフト量とな）、このビームＦリフト量がノｆターン形
成の精度上許容範囲外であれば、ΔＸ、ΔＹＩｅけ電子
ビーム１１の進行方向を対向電極１４＆、１４ｂに印加
する電圧等を変化させて補正する０具体的には、ΔＸ、
Δｙａデータ処理装置Ｉ９によって求められ、このデー
タ処理＊ｆｌ１９からΔＸ、ΔＹに対応するデジタル信
号が出力される。このデジタル信号に対応する直流電圧
がＤ−Ａ変換器２０等から電子ビーム発生装置１２の対
向電極１４ａ。
Ｆ４ｂに印加されることによって、電子ビーム１１の進
行方向を補正できるものである。
行方向を補正できるものである。
なお、上記実施例において、試料用半導体素子１７の基
準点２２等を見やすくするために、Ｐ型層１２３の表面
に酸化シリコン等の酸化属２４（第３図）を形成するこ
とが望ましい。壜た、試料用素子１１は、Ｎ型基板の場
合について説明したが、これに限ることなくＰ型基板で
もよく、その場合にはＰ型層２３はＮＷ層和する必要が
ある。
準点２２等を見やすくするために、Ｐ型層１２３の表面
に酸化シリコン等の酸化属２４（第３図）を形成するこ
とが望ましい。壜た、試料用素子１１は、Ｎ型基板の場
合について説明したが、これに限ることなくＰ型基板で
もよく、その場合にはＰ型層２３はＮＷ層和する必要が
ある。
以上詳述したように、この発明によれば、予めＰＮ接合
部を有する試料用半導体素子を設置し、この素子に電子
ビームを照射した際のＰＮ接合部間に発生する起電流を
検知して、露光中に生ずる電子ビームのビームドリフト
量を測定できる。したがって、このビームドリフト量に
応じて電子ビームの進行方向を補正して１ｗスクブラン
クまたは半導体基板に対する露光を正確に行なうことが
でき、高精度の７＋ターン形成を得ることができるもの
である。
部を有する試料用半導体素子を設置し、この素子に電子
ビームを照射した際のＰＮ接合部間に発生する起電流を
検知して、露光中に生ずる電子ビームのビームドリフト
量を測定できる。したがって、このビームドリフト量に
応じて電子ビームの進行方向を補正して１ｗスクブラン
クまたは半導体基板に対する露光を正確に行なうことが
でき、高精度の７＋ターン形成を得ることができるもの
である。
第１図はこの発明の一実パ施□例に係る電子ビーム露光
方式の構成図、第２図は試料用半導体素子の平面図、９
３図はその断面図、第４図は半導体基板における電子の
散乱状態を説明する図、［５図＞２び第６図は試料用半
導体素子に電子ビームを照射した際発生する起電流に対
して電子ビームの照射位置からＰＮ接合部までの距離の
関係を説明する図であゐ。 １１・・・電子ビーム、Ｚｊ−・・電子ビーム発生装置
、ｊＪ−・・電子銃、１４ａ、１４ｂ−・対向電極、１
５・・・半導体基板、１６−・・ステージ、１１−・試
料用半導体素子、２１・・・Ｎ型半導体基板、２３１〜
２１ｅ、２１・・・Ｐ型拡散層、２４・・・酸化膜・出
願人代理人 弁理士 鈴 圧風 彦第５ＷＡ ＰＮ＃合部まて゛め距＆１ｔＪ（。 第６図 μｍ）
方式の構成図、第２図は試料用半導体素子の平面図、９
３図はその断面図、第４図は半導体基板における電子の
散乱状態を説明する図、［５図＞２び第６図は試料用半
導体素子に電子ビームを照射した際発生する起電流に対
して電子ビームの照射位置からＰＮ接合部までの距離の
関係を説明する図であゐ。 １１・・・電子ビーム、Ｚｊ−・・電子ビーム発生装置
、ｊＪ−・・電子銃、１４ａ、１４ｂ−・対向電極、１
５・・・半導体基板、１６−・・ステージ、１１−・試
料用半導体素子、２１・・・Ｎ型半導体基板、２３１〜
２１ｅ、２１・・・Ｐ型拡散層、２４・・・酸化膜・出
願人代理人 弁理士 鈴 圧風 彦第５ＷＡ ＰＮ＃合部まて゛め距＆１ｔＪ（。 第６図 μｍ）
Claims (1)
- 移動可能なステージ上に設置される半導体素子の表面に
電子ビームを照射（て露光を行なう電子ビーム露光方式
くおいて、表面の所定の範囲内ＫＰＮ接合部を有し上記
ステージ上ＫＷ装置される試料用半導体素子と、この試
料用半導体素子の表面に上記電子ビームを照射した際上
記ＰＭ接合部間に発生する起電流を検出する検出器と、
この検出器からの出力信号に応じて上記電子ビームのビ
ームドリフト量を調整する手段とを具備し九ことを特徴
とする電子ビーム露光方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154217A JPS5854632A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電子ビ−ム露光方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154217A JPS5854632A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電子ビ−ム露光方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854632A true JPS5854632A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15579399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154217A Pending JPS5854632A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電子ビ−ム露光方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573516B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-06-03 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1981
- 1981-09-29 JP JP56154217A patent/JPS5854632A/ja active Pending
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