JPS5854869A - 整流装置 - Google Patents
整流装置Info
- Publication number
- JPS5854869A JPS5854869A JP15211181A JP15211181A JPS5854869A JP S5854869 A JPS5854869 A JP S5854869A JP 15211181 A JP15211181 A JP 15211181A JP 15211181 A JP15211181 A JP 15211181A JP S5854869 A JPS5854869 A JP S5854869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- point
- current
- circuit
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
- H02M7/10—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ゲート信号（二よシ自己消弧能力を持つゲー
トターンオフサイリスタ（以下、ＧＴＯサイリスクとい
う）を各アーム（二接続した単相整流装置に関するもの
である。
トターンオフサイリスタ（以下、ＧＴＯサイリスクとい
う）を各アーム（二接続した単相整流装置に関するもの
である。
交流電力を直流電力（：変換する場合、通常はダイオー
ドあるいはサイリスタを接続したブリッジ回路が用いら
れる。単相交流を直流（二置換する場合いわゆる純ブリ
ッジ（全ブリッジアームがサイリスタで構成されるブリ
ッジ）を用いた場合、サイリスクには自己点弧能力は有
るが、消弧能力は無いため、入力電流の力率は自ＥＩＥ
（二制御する事は出来ない。又、直流側電圧が反転する
と、電力が直流側から交流側へ逆（＝返還され、いわゆ
る逆変換器として働く。この場合は、交流側では電流が
電圧（二対して進む関係となるため、電源電圧（二よ如
転流を行わせるためにはいわゆる制御進み角を転流電圧
を確保する条件ζ二て、設定する必要がある。これら力
率や、逆変換動作時の制御進み角の制約等の問題を解決
するだめ（−１純ブリッジ回路（ニサイリスタの代わり
に自己消弧能力のあるＧＴＯサイリスクを用いる方法が
考えられる。第１図は単相交流を直流（二置換する回路
（： ＧＴＯサイリスクを用いたもので、ＧＴ１〜ＧＴ
４はＧＴＯサイリスタを示す。又、ＬＬは交流側インダ
クタンス、ＬＤは直流側インダクタンス、Ｌは負荷回路
である。ところで、ＧＴＯサイリスクは、自己消弧能力
が有るため、電流遮断時の電流減衰時間等は外部要因（
＝左右されず、場合によってはかなシ高速で電流遮断が
行われる。この様な場合、回路（−インダクタンス分が
有る場合には、急激な電流変化（′″、より電圧上昇が
起る可能性があるため、ＧＴＯサイリスクのアノードと
カソードの間（＝第１図の様なコンデンサＣ１、ダイオ
ードＤ１、抵抗器Ｒ１で構成される様なサージ吸収回路
を設ける。
ドあるいはサイリスタを接続したブリッジ回路が用いら
れる。単相交流を直流（二置換する場合いわゆる純ブリ
ッジ（全ブリッジアームがサイリスタで構成されるブリ
ッジ）を用いた場合、サイリスクには自己点弧能力は有
るが、消弧能力は無いため、入力電流の力率は自ＥＩＥ
（二制御する事は出来ない。又、直流側電圧が反転する
と、電力が直流側から交流側へ逆（＝返還され、いわゆ
る逆変換器として働く。この場合は、交流側では電流が
電圧（二対して進む関係となるため、電源電圧（二よ如
転流を行わせるためにはいわゆる制御進み角を転流電圧
を確保する条件ζ二て、設定する必要がある。これら力
率や、逆変換動作時の制御進み角の制約等の問題を解決
するだめ（−１純ブリッジ回路（ニサイリスタの代わり
に自己消弧能力のあるＧＴＯサイリスクを用いる方法が
考えられる。第１図は単相交流を直流（二置換する回路
（： ＧＴＯサイリスクを用いたもので、ＧＴ１〜ＧＴ
４はＧＴＯサイリスタを示す。又、ＬＬは交流側インダ
クタンス、ＬＤは直流側インダクタンス、Ｌは負荷回路
である。ところで、ＧＴＯサイリスクは、自己消弧能力
が有るため、電流遮断時の電流減衰時間等は外部要因（
＝左右されず、場合によってはかなシ高速で電流遮断が
行われる。この様な場合、回路（−インダクタンス分が
有る場合には、急激な電流変化（′″、より電圧上昇が
起る可能性があるため、ＧＴＯサイリスクのアノードと
カソードの間（＝第１図の様なコンデンサＣ１、ダイオ
ードＤ１、抵抗器Ｒ１で構成される様なサージ吸収回路
を設ける。
ところがこの様な回路は次の様な欠点がある。
第一（＝それぞれのＧＴＯｉ二対して、同一のサージ吸
収回路が必要であ）、回路のインダクタンス分（−よっ
てはこの容量が、大形化するため、全体が複雑（＝なり
大型化する。又、コンデンサＣ１は、ＧＴＯサイリスタ
ＧＴ１が、オフした時（ニダイオードＤ１を通して充電
されるが、この放電は抵抗器Ｒ１を通して行われるため
この分は損失となり、効率の低下につながる。
収回路が必要であ）、回路のインダクタンス分（−よっ
てはこの容量が、大形化するため、全体が複雑（＝なり
大型化する。又、コンデンサＣ１は、ＧＴＯサイリスタ
ＧＴ１が、オフした時（ニダイオードＤ１を通して充電
されるが、この放電は抵抗器Ｒ１を通して行われるため
この分は損失となり、効率の低下につながる。
本発明はこの点を改良するため（−なされたもので、Ｇ
ＴＯサイリスタのサージ吸収回路の簡略化と高効率化を
図った整流装置を提供することを目的とする。
ＴＯサイリスタのサージ吸収回路の簡略化と高効率化を
図った整流装置を提供することを目的とする。
以下、図示した実施例（二基いて本発明を説明する。第
２図は、本発明の一実施例を示す回路図である。ＧＴＩ
〜ＧＴ４はＧＴＯサイリスタを示し、単相ブリッジ回路
を構成している。ＣＣＩ、ＣＣ２はコンデンサであり、
ブリッジのアーム間にまたがって接続されている。又、
ダイオードＤＤ１〜ＤＤ４は、コンデンサの放電防止用
のものである。又、Ｔ１は交流入力側の高圧器、ＬＬは
交流側インダクタンス、ＬＤは直流側インダクタンス、
Ｌは負荷回路を示す。
２図は、本発明の一実施例を示す回路図である。ＧＴＩ
〜ＧＴ４はＧＴＯサイリスタを示し、単相ブリッジ回路
を構成している。ＣＣＩ、ＣＣ２はコンデンサであり、
ブリッジのアーム間にまたがって接続されている。又、
ダイオードＤＤ１〜ＤＤ４は、コンデンサの放電防止用
のものである。又、Ｔ１は交流入力側の高圧器、ＬＬは
交流側インダクタンス、ＬＤは直流側インダクタンス、
Ｌは負荷回路を示す。
次に第２図及び第３図のタイムチャートに基いてこの回
路の動作を説明する。第３図（二於けるｔｏ−１１の期
間では、ＧＴＯサイリスタＧＴＩ 、ＧＴ２１ニゲ一ト
点弧パルスが与えられているため、直流電流は、直流側
インダクタンスＬＤの影響でＧＴ２− ＧＴｌ −ＬＤ
−Ｌを通して環流している。次（二１１の時点にてＧＴ
ＯサイリスタＧＴ２ に消弧信号を与え、ＧＴＯサイリ
スタＧＴ４ ｉ二点弧信号を与えると、ＧＴＯサイリス
タＧＴＺを流れていた電流は、 ＧＴＯサイリスタＧＴ
４ に移り、コンデンサＣＣ２を通して流れる。コンデ
ンサＣＣ２はこの電流（二て充電されるため、ｔ。
路の動作を説明する。第３図（二於けるｔｏ−１１の期
間では、ＧＴＯサイリスタＧＴＩ 、ＧＴ２１ニゲ一ト
点弧パルスが与えられているため、直流電流は、直流側
インダクタンスＬＤの影響でＧＴ２− ＧＴｌ −ＬＤ
−Ｌを通して環流している。次（二１１の時点にてＧＴ
ＯサイリスタＧＴ２ に消弧信号を与え、ＧＴＯサイリ
スタＧＴ４ ｉ二点弧信号を与えると、ＧＴＯサイリス
タＧＴＺを流れていた電流は、 ＧＴＯサイリスタＧＴ
４ に移り、コンデンサＣＣ２を通して流れる。コンデ
ンサＣＣ２はこの電流（二て充電されるため、ｔ。
の時点（二てこの充電々圧が電源電圧よ）低くなると、
交流側電源よりＬ Ｌ −ＤＤ２− ＣＣ２−ＤＤ４を
経由して逆（＝電流が流れ、見かけ上はコンデンサｃｃ
２の充電々流が減少する事（＝なる。次（二ｔ、の時点
（二て、この交流側からの電流の値が直流電流値（二等
しくなると、ダイオードＤＤ２がオフし、電流は、ＧＴ
４− ＤＤ４− ＴＩ −ＬＬ −ＤＤＩ −ＧＴｌ
−ＬＤ −Ｌを通して流れ、電力は交流側より直流側へ
変換される。次（二を番の期間にてＧＴＯサイリスタＧ
ＴＩじ消弧信号を、又、ＧＴＯサイリスタＧＴ３ に点
弧信号を与えると、ＧＴＯサイリスタＧＴＩを流れてい
た電流はＧ’Ｉ’ＯサイリスタＧＴ３へ移行し、コンデ
ンサＣＣ１を通して電流が流れるため、コンデンサＣＣ
１はこの電流（二より充電される。次の時点ｔ１１にて
コンデンサｃｃ１の電圧が電源電圧より高くなると、今
度はコンデンサｃｃ１を電源としてＣＣＩ −ＤＤｌ−
ＬＬ−ＤＤ３を通して電流が流れ、コンデンサｃｃ１の
充電々流は見かけを減少する。ｔ６の時点では、このコ
ンデンサｃｃ１からの電流が直流゛電流（二等しくなる
だめ、ダイオードＤＤ１はオフし、電流はＧ’ｌ’４−
ＤＤ４− ＤＤ３− ＧＴ３− ＬＤ −Ｌ を通し
て流れ、いわゆる環流モードとなる。次の半サイクル以
降は、これと同じ繰返しとなる。
交流側電源よりＬ Ｌ −ＤＤ２− ＣＣ２−ＤＤ４を
経由して逆（＝電流が流れ、見かけ上はコンデンサｃｃ
２の充電々流が減少する事（＝なる。次（二ｔ、の時点
（二て、この交流側からの電流の値が直流電流値（二等
しくなると、ダイオードＤＤ２がオフし、電流は、ＧＴ
４− ＤＤ４− ＴＩ −ＬＬ −ＤＤＩ −ＧＴｌ
−ＬＤ −Ｌを通して流れ、電力は交流側より直流側へ
変換される。次（二を番の期間にてＧＴＯサイリスタＧ
ＴＩじ消弧信号を、又、ＧＴＯサイリスタＧＴ３ に点
弧信号を与えると、ＧＴＯサイリスタＧＴＩを流れてい
た電流はＧ’Ｉ’ＯサイリスタＧＴ３へ移行し、コンデ
ンサＣＣ１を通して電流が流れるため、コンデンサＣＣ
１はこの電流（二より充電される。次の時点ｔ１１にて
コンデンサｃｃ１の電圧が電源電圧より高くなると、今
度はコンデンサｃｃ１を電源としてＣＣＩ −ＤＤｌ−
ＬＬ−ＤＤ３を通して電流が流れ、コンデンサｃｃ１の
充電々流は見かけを減少する。ｔ６の時点では、このコ
ンデンサｃｃ１からの電流が直流゛電流（二等しくなる
だめ、ダイオードＤＤ１はオフし、電流はＧ’ｌ’４−
ＤＤ４− ＤＤ３− ＧＴ３− ＬＤ −Ｌ を通し
て流れ、いわゆる環流モードとなる。次の半サイクル以
降は、これと同じ繰返しとなる。
以上の説明は、電力が交流側から直流側へ変換サレるモ
ード（二ついて行ったが、電力が直流側から交流側へ変
換されるいわゆる電力回生モード（二ついても、全く同
様の説明が可能である。
ード（二ついて行ったが、電力が直流側から交流側へ変
換されるいわゆる電力回生モード（二ついても、全く同
様の説明が可能である。
以上説明した様に本発明（′−よると、ブリッジ回路１
： ＧＴＯサイリスタを用いた場合（＝電流遮断時の回
路のインダクタンス分（＝含まれるエネルギをコンデン
サに一時的）＝蓄える事を交互（＝繰返す事（二より損
失の少い回路を実現する事が出来る上、エネルギ吸収の
コンデンサを二つのＧＴＯサイリスクで共有する事が出
来るため、余分な回路を減少される事が出来る。しかも
、ＧＴＯサイリスタの自己消弧能力を十分（二活用出来
るため、電源側の位相に無関係（−電流遮断を行う事が
出来、入力電力の力率を良くシ、シかも回生ブレーキモ
ード（二ても転流失敗の無い運転を実現する事が出来る
。
： ＧＴＯサイリスタを用いた場合（＝電流遮断時の回
路のインダクタンス分（＝含まれるエネルギをコンデン
サに一時的）＝蓄える事を交互（＝繰返す事（二より損
失の少い回路を実現する事が出来る上、エネルギ吸収の
コンデンサを二つのＧＴＯサイリスクで共有する事が出
来るため、余分な回路を減少される事が出来る。しかも
、ＧＴＯサイリスタの自己消弧能力を十分（二活用出来
るため、電源側の位相に無関係（−電流遮断を行う事が
出来、入力電力の力率を良くシ、シかも回生ブレーキモ
ード（二ても転流失敗の無い運転を実現する事が出来る
。
第１図は従来装置を示す回路図、第２図は本発明の一実
施例を示す回路図、第３図は第２図（−示した回路の動
作を説明するだめのタイムチャートである。 ＧＴＩ−Ｃ）Ｔ４・・・ＧＴＯサイリスクＤＤ１〜ＤＤ
４・・・ダイオード ｃｃ１〜ＣＣ２・・・コンデンサ Ｌ・・・・・・・・・・・・・・負荷回路（７３１７）
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第
１図 Ｄ 第２図 Ｄ
施例を示す回路図、第３図は第２図（−示した回路の動
作を説明するだめのタイムチャートである。 ＧＴＩ−Ｃ）Ｔ４・・・ＧＴＯサイリスクＤＤ１〜ＤＤ
４・・・ダイオード ｃｃ１〜ＣＣ２・・・コンデンサ Ｌ・・・・・・・・・・・・・・負荷回路（７３１７）
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第
１図 Ｄ 第２図 Ｄ
Claims (1)
- 交流電力を直流電力（二置換するブリッジ整流回路の各
アーム（ニゲートターンオフサイリスタとダイオードを
直列接続し、上記各接続点間にコンデンサを接続したこ
とを特徴とする整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15211181A JPS5854869A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15211181A JPS5854869A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854869A true JPS5854869A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15533293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15211181A Pending JPS5854869A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854869A (ja) |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15211181A patent/JPS5854869A/ja active Pending
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