JPS5855459B2 - 半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体装置の試験方法Info
- Publication number
- JPS5855459B2 JPS5855459B2 JP10196878A JP10196878A JPS5855459B2 JP S5855459 B2 JPS5855459 B2 JP S5855459B2 JP 10196878 A JP10196878 A JP 10196878A JP 10196878 A JP10196878 A JP 10196878A JP S5855459 B2 JPS5855459 B2 JP S5855459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor devices
- moisture
- steam pressure
- test method
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置、特に、プラスチック封止された
半導体装置の品質・信頼性の評価方法のうち、耐湿性を
中心とした評価方法に関する。
半導体装置の品質・信頼性の評価方法のうち、耐湿性を
中心とした評価方法に関する。
従来、半導体装置の耐湿性を中心とした評価試験方法は
ＭＩ Ｉ、−８ＴＤ−２０２、ＭＩＬＳＴＤ−８８３、
ＪＩＳ等に定められている。
ＭＩ Ｉ、−８ＴＤ−２０２、ＭＩＬＳＴＤ−８８３、
ＪＩＳ等に定められている。
例えば８５℃−８５％ＲＨ環境に半導体装置を放置し、
湿気が侵入することによる電気的特性の変化を測定し、
耐湿性の判定をするという方法である。
湿気が侵入することによる電気的特性の変化を測定し、
耐湿性の判定をするという方法である。
この方法は、常温常湿等、実使用条件を加速した条件で
評価する方法であるが、判定を得るまでに、数百時間か
ら数千時間の期間が必要である。
評価する方法であるが、判定を得るまでに、数百時間か
ら数千時間の期間が必要である。
この方法を更に加速した条件として、スチームプレッシ
ャ（またはプレッシャクツカー）による高温高湿試験が
よく知られている。
ャ（またはプレッシャクツカー）による高温高湿試験が
よく知られている。
スチームプレッシャテストでは、数拾時間から、数百時
間で判定できるので非常に効率のよい試験方法である。
間で判定できるので非常に効率のよい試験方法である。
しかし、判定は主に電気的特性をスチームプレッシャの
ストレス印加後にテスタで測定して行うので半導体装置
（特にプラスチック封止タイプ）に水分が侵入していて
も、半導体チップの面に水分が到達していなげれば測定
値の変化として現われない場合がある。
ストレス印加後にテスタで測定して行うので半導体装置
（特にプラスチック封止タイプ）に水分が侵入していて
も、半導体チップの面に水分が到達していなげれば測定
値の変化として現われない場合がある。
本発明は、上記加速試験と、検出感度を高めるための方
法とを組み合せ、短時間に耐湿性を中心とした判定を行
う方法を提供するものである。
法とを組み合せ、短時間に耐湿性を中心とした判定を行
う方法を提供するものである。
本発明は、スチームプレッシャを行い、その後続いて０
℃以下の低温雰囲気に放置する方法である。
℃以下の低温雰囲気に放置する方法である。
スチームプレッシャは一般に１２１ ’ＣＩ ００％２
気圧の条件がよく用いられる。
気圧の条件がよく用いられる。
低温は一４０℃、又は−５５℃に設定するのがよい。
こうすると、半導体装置、特にプラスチック封止タイプ
のものの内部にスチームプレッシャで加速されて湿気が
侵入し、その後低温にさらされるので、侵入した水分が
凍結し、体積膨張により、半導体装置に微小なりラック
を生じることになる。
のものの内部にスチームプレッシャで加速されて湿気が
侵入し、その後低温にさらされるので、侵入した水分が
凍結し、体積膨張により、半導体装置に微小なりラック
を生じることになる。
その結果、半導体装置の電気的特性の劣化や変化が拡大
して検出されることになる。
して検出されることになる。
また、クランクが生じていなくても水分の凍結現象によ
り、半導体装置の構造変化を起すので、電気的特性の変
化以外にも、内部のワイヤボンドの断線などを検出する
ことも可能である。
り、半導体装置の構造変化を起すので、電気的特性の変
化以外にも、内部のワイヤボンドの断線などを検出する
ことも可能である。
この発明は、半導体装置に湿気が侵入しやすいかどうか
の判定に使うものでもし、侵入しない場合には、特性面
では何ら変化を起さない。
の判定に使うものでもし、侵入しない場合には、特性面
では何ら変化を起さない。
スチームプレッシャは、前記条件であれば５〜１０時間
程時間上く、また、後の低温放置も５〜１０時間でよい
ので、非常に短時間に耐湿性を中心とした判定が出来る
ものである。
程時間上く、また、後の低温放置も５〜１０時間でよい
ので、非常に短時間に耐湿性を中心とした判定が出来る
ものである。
低温放置に代って、温度サイクルでも同様の効果を期待
できるが、この場合には、必ず０℃以下の低温サイクル
からスタートしなげればならない。
できるが、この場合には、必ず０℃以下の低温サイクル
からスタートしなげればならない。
高温サイクルからスタートすると、スチームプレッシャ
で侵入した湿気が蒸発してしまう危険があるためである
。
で侵入した湿気が蒸発してしまう危険があるためである
。
Claims (1)
- １ 半導体装置の品質・信頼性の評価において、前処理
として高温多湿のスチームプレッシャーテストをし、続
いて０℃以下の低温放置または、０°Ｃ以下の低温サイ
クルからスタートする温度サイクルを行うことを特徴と
した半導体装置の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196878A JPS5855459B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | 半導体装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196878A JPS5855459B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | 半導体装置の試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5527982A JPS5527982A (en) | 1980-02-28 |
| JPS5855459B2 true JPS5855459B2 (ja) | 1983-12-09 |
Family
ID=14314659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10196878A Expired JPS5855459B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | 半導体装置の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855459B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110018296B (zh) * | 2019-05-29 | 2024-04-26 | 河南理工大学 | 一种膨胀岩水化过程中自由膨胀体积测试装置及测试方法 |
-
1978
- 1978-08-21 JP JP10196878A patent/JPS5855459B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5527982A (en) | 1980-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880010428A (ko) | 온라인 감시방법 및 장치 | |
| CN107490658B (zh) | 一种卷烟保润性能的评价方法 | |
| CN102590659A (zh) | 利用加速试验来评价电容器贮存寿命的方法 | |
| CN114779021A (zh) | 一种燃气机组发电机定子绝缘水平检测方法 | |
| JPS5855459B2 (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| CN106546290A (zh) | 半导体分立器件贮存寿命特征检测方法和系统 | |
| CN108593144A (zh) | 一种温度传感器质量检测系统 | |
| CN118758456A (zh) | 对海洋温度检测设备进行温度标定的方法及装置、设备 | |
| CN112782233B (zh) | 一种基于阵列气体传感器的气体识别方法 | |
| JPS6279375A (ja) | 絶縁膜の評価方法 | |
| CN110836911B (zh) | 一种基于表面电阻无损检测丝绸文物老化程度的方法 | |
| CN102455342B (zh) | 一种快速检测电镀氢脆的方法 | |
| CN114895154B (zh) | 复合绝缘子界面老化程度评估方法 | |
| CN106368778B (zh) | 用于运行内燃机的方法及相应的内燃机 | |
| CN110514796A (zh) | 一种基于经验曲线的样本采集检测方法及装置 | |
| JPH1123652A (ja) | 半導体装置の試験方法及び半導体装置 | |
| JPS6018945B2 (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| SU917019A1 (ru) | Способ контрол герметичности | |
| RU2024097C1 (ru) | Способ ускоренных испытаний электронно-оптического преобразователя | |
| JPH01237476A (ja) | 電子部品の検査方法、試験方法並びにこれらの装置 | |
| RU2668644C1 (ru) | Способ определения усталостного разрушения элементов конструкций из полимерного композиционного материала | |
| JPS63169538A (ja) | 半導体封止用樹脂の耐湿性評価方法 | |
| JPS58165041A (ja) | 半導体装置の耐湿試験方法 | |
| RU1779975C (ru) | Способ определени усили текучести при испытании проволочного образца на раст жение | |
| JPH02291976A (ja) | 回転電機コイル絶縁の診断方法 |