JPS5855592B2 - 磁気バブル検出装置 - Google Patents
磁気バブル検出装置Info
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- JPS5855592B2 JPS5855592B2 JP9865779A JP9865779A JPS5855592B2 JP S5855592 B2 JPS5855592 B2 JP S5855592B2 JP 9865779 A JP9865779 A JP 9865779A JP 9865779 A JP9865779 A JP 9865779A JP S5855592 B2 JPS5855592 B2 JP S5855592B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 36
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般に磁気バブルの検出装置に関し、特に磁気
抵抗効果を用いた磁気バブルの検出装置に関する。
抵抗効果を用いた磁気バブルの検出装置に関する。
磁気抵抗効果による磁気バブル検出装置の概略を述べれ
ば、垂直に磁化容易軸をもつガーネット等よりなる単結
晶磁性板と、該磁性板上に設けられる軟質磁性薄膜のパ
ーマロイ膜よりなる数百段のバブル伸張パターンと、同
様に上記磁性板上に設けられバブル伸張パターンに接続
される検出パターンとからなり、バブル伸張パターンに
より円形磁区（バブル磁区）をストレッチして蛇状磁区
（ストライプ磁区）とされたものを検出パターンに転送
し、この際における蛇状磁区からの浮遊磁界による検出
パターンの電気抵抗値の変化を利用してバブルの有無を
検出するごときものである。
ば、垂直に磁化容易軸をもつガーネット等よりなる単結
晶磁性板と、該磁性板上に設けられる軟質磁性薄膜のパ
ーマロイ膜よりなる数百段のバブル伸張パターンと、同
様に上記磁性板上に設けられバブル伸張パターンに接続
される検出パターンとからなり、バブル伸張パターンに
より円形磁区（バブル磁区）をストレッチして蛇状磁区
（ストライプ磁区）とされたものを検出パターンに転送
し、この際における蛇状磁区からの浮遊磁界による検出
パターンの電気抵抗値の変化を利用してバブルの有無を
検出するごときものである。
ところで、通常の転送路でのバブル転送の駆動磁界に対
するバイアス磁界マーヂンの大きさは、検出転送路では
減少する。
するバイアス磁界マーヂンの大きさは、検出転送路では
減少する。
即ちバイアス磁界が強い場合には、バブル伸張パターン
でのバブルの伸張が困難となり、反対にバイアス磁界が
弱い場合にはバブルは伸張するが、検出装置や他の各機
能部での誤動作の原因となる。
でのバブルの伸張が困難となり、反対にバイアス磁界が
弱い場合にはバブルは伸張するが、検出装置や他の各機
能部での誤動作の原因となる。
従ってバブル磁区の検出においては、バイアス磁界マー
ヂンが通常の転送路でのマーヂンと同じ程度に得られる
事が重要である。
ヂンが通常の転送路でのマーヂンと同じ程度に得られる
事が重要である。
第１図は非対称シェブロンを用いた従来の磁気バブル検
出装置で、ガーネット等よりなるバブル磁区材料上（図
示しない）に図示するごときパターンが配列されている
ものとし、またバイアス磁界が磁区材料面に垂直に、回
転磁界が面内に外部から印加されているものとする。
出装置で、ガーネット等よりなるバブル磁区材料上（図
示しない）に図示するごときパターンが配列されている
ものとし、またバイアス磁界が磁区材料面に垂直に、回
転磁界が面内に外部から印加されているものとする。
図中、１は非対称シェブロンからなるバブル伸張パター
ン、２はバフル伸張パターン１に接続される検出パター
ンで検出素子の形状はサーペンタインであり、また３は
転送路に続く非対称シェブロンである。
ン、２はバフル伸張パターン１に接続される検出パター
ンで検出素子の形状はサーペンタインであり、また３は
転送路に続く非対称シェブロンである。
以上の如き構成で、転送路を介し転送されたバプル磁区
は、前述したごとくバブル伸張パターン１によりストレ
ッチされ、ストライプ磁区とされる。
は、前述したごとくバブル伸張パターン１によりストレ
ッチされ、ストライプ磁区とされる。
このストライプ磁区は検出パターン２に転送されて、必
要な検出電圧を与える。
要な検出電圧を与える。
しかしながら、以上のような非対称シェブロンにより構
成されるバブル伸張パターンでは、磁区中に対して挟小
部４の間隔５が太き過ぎるので、非対称シェブロンの挟
小部４に蛇状磁区が転送された時に磁区が切断されるこ
とになり、また非対称シェブロンにおける非対称部８の
面積がバブルに比して大きい為に、先端部６に転送され
たバブルは伸張方向に伸ようとする力よりもパターン下
に円形状を保とうとする力の方が大きく、従ってバブル
が隣接する次のパターンの先端部７に十分に乗れないた
め、バブルの伸張性が悪い。
成されるバブル伸張パターンでは、磁区中に対して挟小
部４の間隔５が太き過ぎるので、非対称シェブロンの挟
小部４に蛇状磁区が転送された時に磁区が切断されるこ
とになり、また非対称シェブロンにおける非対称部８の
面積がバブルに比して大きい為に、先端部６に転送され
たバブルは伸張方向に伸ようとする力よりもパターン下
に円形状を保とうとする力の方が大きく、従ってバブル
が隣接する次のパターンの先端部７に十分に乗れないた
め、バブルの伸張性が悪い。
これを改善するにはバイアス磁界を小さくすると良いが
、検出器や他の各機能部でのバブルの誤動作の原因とな
り、高速駆動下では特に注意を要する。
、検出器や他の各機能部でのバブルの誤動作の原因とな
り、高速駆動下では特に注意を要する。
以上のように非対称シェブロン３はバブル伸張パターン
としては欠点があるが、バブル転送路としては、先端部
６に強い吸引磁界が生じるのでＴ−Ｉパターン等に比し
てバブルの駆動性が良く、またビット周期を小さくする
事が可能であるので、優れている。
としては欠点があるが、バブル転送路としては、先端部
６に強い吸引磁界が生じるのでＴ−Ｉパターン等に比し
てバブルの駆動性が良く、またビット周期を小さくする
事が可能であるので、優れている。
第２図はシェブロンを用いた従来の検出装置で、先の従
来例と同様にバブル磁区材料上に図示するごときパター
ンが配列されているものとし、また、バイアス磁界及び
面内回転磁界が外部印加されているものとする。
来例と同様にバブル磁区材料上に図示するごときパター
ンが配列されているものとし、また、バイアス磁界及び
面内回転磁界が外部印加されているものとする。
図中、１０はシェブロンからなるバブル伸張パターン、
９はバブル伸張パターン１０に接続される検出パターン
で先の従来例と同様サーペンタインであり、また１１は
転送路に続くシェブロンで、１２はシェブロンにおける
先端部を示すものとする。
９はバブル伸張パターン１０に接続される検出パターン
で先の従来例と同様サーペンタインであり、また１１は
転送路に続くシェブロンで、１２はシェブロンにおける
先端部を示すものとする。
このようにバブル伸張パターン１０がシェブロンである
場合には先の非対称シェブロンの場合と比べ、隣接して
多数の段数を配置することができるので、バブルの伸張
性が良くなるが、シェブロンにおける先端部１２に強い
吸引磁界が生じないのでバブルの駆動性が悪くなる。
場合には先の非対称シェブロンの場合と比べ、隣接して
多数の段数を配置することができるので、バブルの伸張
性が良くなるが、シェブロンにおける先端部１２に強い
吸引磁界が生じないのでバブルの駆動性が悪くなる。
以上述べた従来技術の欠点はバブル径が小さくなる程、
駆動周波数が大きくなる程、顕著に現われる。
駆動周波数が大きくなる程、顕著に現われる。
従って本発明は従来の技術の上記欠点を改善するもので
、その目的は、バブルの駆動性及び伸張性の優れた磁気
バブル検出装置を提供することにある。
、その目的は、バブルの駆動性及び伸張性の優れた磁気
バブル検出装置を提供することにある。
この目的を達成するための本発明の特徴は、非対称シェ
ブロンにおける良好なバブルの駆動性とシェブロンにお
ける良好なバブルの伸張性とを共に具備するように、従
来のシェブロンのバブル発生側に非対称部を有し、該非
対称部の転送方向の幅を従来の非対称シェブロンに比し
薄く変形した全体形状がほぼＬ字状の非対称親シェブロ
ンと、該親シェブロンと隣接する別の親シェブロンとに
より形成される空間部に配置される子シェブロンとから
構成される子持ちシェブロンの連続的なパターンからな
るバブル伸張パターンを有するごとき磁気バブル検出装
置にある。
ブロンにおける良好なバブルの駆動性とシェブロンにお
ける良好なバブルの伸張性とを共に具備するように、従
来のシェブロンのバブル発生側に非対称部を有し、該非
対称部の転送方向の幅を従来の非対称シェブロンに比し
薄く変形した全体形状がほぼＬ字状の非対称親シェブロ
ンと、該親シェブロンと隣接する別の親シェブロンとに
より形成される空間部に配置される子シェブロンとから
構成される子持ちシェブロンの連続的なパターンからな
るバブル伸張パターンを有するごとき磁気バブル検出装
置にある。
以下図面により実施例を説明する。
第３図は本発明による磁気バブル検出装置の一実施例で
、ガーネット等よりなるバブル磁区材料上（図示しない
）に図示するごときパターンが配列されているものとし
、またバイアス磁界が磁区材料面に垂直に、面内回転磁
界が時計方向に回転するごとく印加されているものとす
る。
、ガーネット等よりなるバブル磁区材料上（図示しない
）に図示するごときパターンが配列されているものとし
、またバイアス磁界が磁区材料面に垂直に、面内回転磁
界が時計方向に回転するごとく印加されているものとす
る。
図中１４はバブル伸張パターン、１３はバブル伸張パタ
ーン１４に連続する検出パターン、１５゜１６．１７，
１８，１９はバブル転送位置を示す。
ーン１４に連続する検出パターン、１５゜１６．１７，
１８，１９はバブル転送位置を示す。
バブル伸張パターン１４は、図示するごとく変形された
非対称親シェブロン２０と子シェブロン２１とから構成
される連続的なパターンからなる。
非対称親シェブロン２０と子シェブロン２１とから構成
される連続的なパターンからなる。
非対称親シェブロン２０は、従来のシェブロンのバブル
発生側に図示するごとき非対称部２５を有し、該非対称
部２５の転送方向の幅は従来の非対称シェブロンの非対
称部（第１図における非対称部８）の幅に比較して薄く
シ、全体形状をほぼＬ字状に構成する。
発生側に図示するごとき非対称部２５を有し、該非対称
部２５の転送方向の幅は従来の非対称シェブロンの非対
称部（第１図における非対称部８）の幅に比較して薄く
シ、全体形状をほぼＬ字状に構成する。
子シェブロン２１は、親シェブロン２０と隣接する別の
親シェブロンとにより形成される空間部に配置される。
親シェブロンとにより形成される空間部に配置される。
検出パターン１３は、親シェブロン２０と子シェブロン
２１とにより構成されるバブル伸張パターン１４の各パ
ターン相互の端部を接続すると共に各パターンの親シェ
ブロン２０と子シェブロン２１とを接続したごとき図示
するような形状のパターンにより構成される。
２１とにより構成されるバブル伸張パターン１４の各パ
ターン相互の端部を接続すると共に各パターンの親シェ
ブロン２０と子シェブロン２１とを接続したごとき図示
するような形状のパターンにより構成される。
以上のごとき構成で、転送路を介し転送された転送位置
１５におけるバブル磁区は、バブル伸張パターン１４に
おける１６，１７，１８，１９の夫々の転送位置に順次
に転送されストレッチされて、ストライプ磁区にされる
。
１５におけるバブル磁区は、バブル伸張パターン１４に
おける１６，１７，１８，１９の夫々の転送位置に順次
に転送されストレッチされて、ストライプ磁区にされる
。
このストライプ磁区は検出パターン１３に転送されて必
要な検出電圧を与える。
要な検出電圧を与える。
バブル伸張パターン１４の各パターンの非対称部２５の
幅は、各パターンの先端２４に十分な吸引磁界が生ずる
限りにおいて薄くしであるので、従ってパターン下に円
形状を保とうとする力が小さくバブルの伸張性が良い。
幅は、各パターンの先端２４に十分な吸引磁界が生ずる
限りにおいて薄くしであるので、従ってパターン下に円
形状を保とうとする力が小さくバブルの伸張性が良い。
また、バブル伸張パターン１４の各パターンにおいて、
子シェブロン２１が親シェブロンの挟小部２３と隣接す
る親シェブロンとの間隔を狭めるごとく配置されている
ので、間隙２２でストライプ磁区が切断されることはな
い。
子シェブロン２１が親シェブロンの挟小部２３と隣接す
る親シェブロンとの間隔を狭めるごとく配置されている
ので、間隙２２でストライプ磁区が切断されることはな
い。
更に、各パターンの先端２４には十分な吸引磁界が生ず
るので、ストライプ磁区の１駆動性もよく、通常の転送
路の駆動性と殆んど変わらない。
るので、ストライプ磁区の１駆動性もよく、通常の転送
路の駆動性と殆んど変わらない。
従ってバイアス磁界マーヂンは通常の直線転送マーヂン
の大きさと同等である。
の大きさと同等である。
なお付は加えるにギャップ余裕度も大きくなる。
一方、検出パターン１３はバブル伸張パターン１４と同
様の形状を有しているので、従来のサーペンタインに比
べ各パターンの先端部２６における吸引磁界が強く、従
って駆動性が良く、またバイアス磁界マーヂンはバブル
伸張パターン１４とほとんど変わらない。
様の形状を有しているので、従来のサーペンタインに比
べ各パターンの先端部２６における吸引磁界が強く、従
って駆動性が良く、またバイアス磁界マーヂンはバブル
伸張パターン１４とほとんど変わらない。
なお、検出パターンとして従来のサーペンタインを用い
ることも勿論である。
ることも勿論である。
以上説明したごとく本発明による磁気バブル検出装置に
よれば、バブル伸張パターンとして非対称シェブロンを
変形して利用しているので磁区の駆動性が良く、また非
対称シェブロンにおける挟小部近傍にシェブロンを配置
するごとくしたので磁区が切断されることはない。
よれば、バブル伸張パターンとして非対称シェブロンを
変形して利用しているので磁区の駆動性が良く、また非
対称シェブロンにおける挟小部近傍にシェブロンを配置
するごとくしたので磁区が切断されることはない。
更に、検出パターンにおいてもバブル伸張パターンと同
様に構成したので、磁区の駆動性が低下することはない
。
様に構成したので、磁区の駆動性が低下することはない
。
従って、本発明はバブルメモリ用検出装置として大いに
利用する事が出来る。
利用する事が出来る。
第１図は非対称シェブロンを用いた磁気バブル検出装置
の従来例、第２図はシェブロンを用いた磁気バブル検出
装置の従来例、第３図は本発明による磁気バブル検出装
置の実施例である。 １３・・・・・・検出パターン、１４・・・・・・バブ
ル伸張パターン、１５，１６，１７，１８，１９・・・
・・・バブル転送位置、２０・・・・・・親シェブロン
、２１・・・・・・子シェブロン、２２・・・・・・間
隙、２３・・・・・・挟小部、２４・・・・・・先端部
、２５・・・・・・非対称部。
の従来例、第２図はシェブロンを用いた磁気バブル検出
装置の従来例、第３図は本発明による磁気バブル検出装
置の実施例である。 １３・・・・・・検出パターン、１４・・・・・・バブ
ル伸張パターン、１５，１６，１７，１８，１９・・・
・・・バブル転送位置、２０・・・・・・親シェブロン
、２１・・・・・・子シェブロン、２２・・・・・・間
隙、２３・・・・・・挟小部、２４・・・・・・先端部
、２５・・・・・・非対称部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 垂直な磁化容易軸を有するバブル磁区材料上に設け
られるバブル伸張パターンによりバブル磁区をストライ
プ磁区に伸張し、該伸張されたストライプ磁区を、上記
バブル伸張パターンに連続する検出パターンに転送し、
検出電圧を得るごとき磁気バブル検出装置において、従
来のシェブロンのバブル発生側に非対称部を有し、該非
対称部の転送方向の幅を従来の非対称シェブロンに比し
薄く変形した全体形状がほぼＬ字状の非対称親シェブロ
ンと、該親シェブロンと隣接する別の親シェブロンとに
より形成される空間部に配置される子シェブロンとから
構成される子持ちシェブロンの連続的なパターンからな
るバブル伸張パターンを有することを特徴とする磁気バ
ブル検出装置。 ２ 検出パターンが、子持ちシェブロンから構成される
バブル伸張パターンにおける各パターン相互の端部を接
続すると共に非対称親シェブロンと子シェブロンとを接
続したパターンからなる特許請求の範囲第１項の磁気バ
ブル検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9865779A JPS5855592B2 (ja) | 1979-08-03 | 1979-08-03 | 磁気バブル検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9865779A JPS5855592B2 (ja) | 1979-08-03 | 1979-08-03 | 磁気バブル検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5625282A JPS5625282A (en) | 1981-03-11 |
| JPS5855592B2 true JPS5855592B2 (ja) | 1983-12-10 |
Family
ID=14225576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9865779A Expired JPS5855592B2 (ja) | 1979-08-03 | 1979-08-03 | 磁気バブル検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855592B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998383A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-06 | Nec Corp | 磁気記憶素子 |
| FR2593955B1 (fr) * | 1986-02-05 | 1988-05-20 | Sagem | Dispositif de memorisation a bulles magnetiques |
| FR2645321A1 (fr) * | 1989-03-31 | 1990-10-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection pour memoire a bulles magnetiques |
-
1979
- 1979-08-03 JP JP9865779A patent/JPS5855592B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5625282A (en) | 1981-03-11 |
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