JPS5856187B2 - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
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- JPS5856187B2 JPS5856187B2 JP13008080A JP13008080A JPS5856187B2 JP S5856187 B2 JPS5856187 B2 JP S5856187B2 JP 13008080 A JP13008080 A JP 13008080A JP 13008080 A JP13008080 A JP 13008080A JP S5856187 B2 JPS5856187 B2 JP S5856187B2
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- Japan
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- magnetic
- bubble memory
- memory element
- manufacturing
- magnetic bubble
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子の製造方法の改良に関す
る。
る。
最近用いられるようになって来ている磁気バブルメモリ
装置は不揮発性であり、大容量高密度の記憶が可能、低
消費電力、小型軽量である管種々の特徴をもっているた
め大容量メモリとして将来が期待されている。
装置は不揮発性であり、大容量高密度の記憶が可能、低
消費電力、小型軽量である管種々の特徴をもっているた
め大容量メモリとして将来が期待されている。
この磁気バブルメモリ装置は、磁気バブルが磁界により
磁性薄膜内を自由に動かすことができることを利用した
もので、第１図に示す如く磁気バブルメモリ素子１、バ
ブルを駆動するための回転磁界発生用コイル２，２′、
バブルを安定に保持するためのバイアス磁界発生用磁石
３．３′等により構成されている。
磁性薄膜内を自由に動かすことができることを利用した
もので、第１図に示す如く磁気バブルメモリ素子１、バ
ブルを駆動するための回転磁界発生用コイル２，２′、
バブルを安定に保持するためのバイアス磁界発生用磁石
３．３′等により構成されている。
そしてメモリ素子１は第２図の断面図に示す如く、例え
ば非磁性のガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧ
Ｇ）基板４の上に液相エピタキシャル成長法により磁性
ガーネットの薄膜５を形成し、その上にＳｉＯ□等の絶
縁層６および導体パターン７を順次形成し、次いで全面
に第２の絶縁層８を形成し、その上にパーマロイパター
ン９を形威し、さらにその上に保護絶縁層１０を形成し
ている。
ば非磁性のガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧ
Ｇ）基板４の上に液相エピタキシャル成長法により磁性
ガーネットの薄膜５を形成し、その上にＳｉＯ□等の絶
縁層６および導体パターン７を順次形成し、次いで全面
に第２の絶縁層８を形成し、その上にパーマロイパター
ン９を形威し、さらにその上に保護絶縁層１０を形成し
ている。
このように形成された素子は、第２の絶縁層８としてス
パッタされた５ｉ０２が導体パターン７の形状をそのま
ま写し出しているため、導体パターン７の角部で非常に
薄くなり、また絶縁層８の上に形成されたパーマロイパ
ターン９に段が付き、その付近の磁化が一様にならず磁
気的不具合が生ずる。
パッタされた５ｉ０２が導体パターン７の形状をそのま
ま写し出しているため、導体パターン７の角部で非常に
薄くなり、また絶縁層８の上に形成されたパーマロイパ
ターン９に段が付き、その付近の磁化が一様にならず磁
気的不具合が生ずる。
そのため最近は第２の絶縁層８の平担化を計るためＳｉ
Ｏ２の代りに耐熱性樹脂が用いられるようになって来て
いる。
Ｏ２の代りに耐熱性樹脂が用いられるようになって来て
いる。
この耐熱性樹脂としてポリラダーオルガノシロキサン樹
脂が用いられるが、このポリラダーオルガノシロキサン
樹脂の上に蒸着形成されたパーマロイパターンはその保
磁力がＳｉＯ２の上に形成されたときよりも増大する現
象が生じ、バブルの駆動に余分な電力が必要となる。
脂が用いられるが、このポリラダーオルガノシロキサン
樹脂の上に蒸着形成されたパーマロイパターンはその保
磁力がＳｉＯ２の上に形成されたときよりも増大する現
象が生じ、バブルの駆動に余分な電力が必要となる。
本発明はこの欠点を改良するために案出されたものであ
る。
る。
このため本発明においては、非磁性基板の上に磁性薄膜
を形成し、その上に絶縁層を介して導体パターンを形成
し、次いで全面にポリラダーオルガノシロキサン系樹脂
を塗布して樹脂層を形成し、その上に磁性体膜を形成す
る諸工程よりなる磁気バブルメモリ素子の製造方法にお
いて、磁性体膜を形成する前に樹脂層の上に酸化し易い
金属にて中間層を形成しておくことを特徴とするもので
ある。
を形成し、その上に絶縁層を介して導体パターンを形成
し、次いで全面にポリラダーオルガノシロキサン系樹脂
を塗布して樹脂層を形成し、その上に磁性体膜を形成す
る諸工程よりなる磁気バブルメモリ素子の製造方法にお
いて、磁性体膜を形成する前に樹脂層の上に酸化し易い
金属にて中間層を形成しておくことを特徴とするもので
ある。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
本発明方法は第３図の如く非磁性基板１１の上に磁性薄
膜１２を形成し、その上に第１の絶縁層１３として５ｉ
０２を約１ｏｏｏ人スパッタする。
膜１２を形成し、その上に第１の絶縁層１３として５ｉ
０２を約１ｏｏｏ人スパッタする。
次にその上にＡＮ−Ｃｕ又はＡｕ等を用いて厚さ２００
０〜４０００人の導体パターン１４を形成する。
０〜４０００人の導体パターン１４を形成する。
次に基板全面にポリラダーオルガノシロキサン系樹脂を
２０００〜５０００人の厚さにスピンコードしたのち熱
硬化させて第２の絶縁層１５を形成する。
２０００〜５０００人の厚さにスピンコードしたのち熱
硬化させて第２の絶縁層１５を形成する。
次いでその上にＡＡ又はＴａ等の酸化し易い金属を３０
０人程鹿の厚さに蒸着して中間層１６を形成し、その上
にパーマロイを４０００Ａ程度の厚さに蒸着する。
０人程鹿の厚さに蒸着して中間層１６を形成し、その上
にパーマロイを４０００Ａ程度の厚さに蒸着する。
次いでこのパーマロイはホトリソグラフィ法によりパー
マロイパターン１７に形成される。
マロイパターン１７に形成される。
なおこの場合のエツチングにはイオンエツチングが用い
られるがパーマロイと同時にＡＡ又はＴａの中間層１６
も同時にエツチングしても良い。
られるがパーマロイと同時にＡＡ又はＴａの中間層１６
も同時にエツチングしても良い。
最後に樹脂を１μｍ程度スピンコードし熱硬化して保護
絶縁層１８を形成して完成する。
絶縁層１８を形成して完成する。
このように本発明方法により形成された磁気バフルメモ
リ素子は、そのパーマロイパターン１７の保磁力が第２
の絶縁層にＳ ｉ ０２を用いた場合と同程度に低下す
る。
リ素子は、そのパーマロイパターン１７の保磁力が第２
の絶縁層にＳ ｉ ０２を用いた場合と同程度に低下す
る。
１例として中間層１６としてＡｌ−Ｃｕ（Ｃｕ３％）を
厚さ４００人に蒸着した場合のパーマロイパターン１７
の保磁力Ｈｃは２．５０ｅとなり、Ｔａを蒸着温度２５
０°Ｃにて厚さ５００人に蒸着した場合にはパーマロイ
パターン１７の保磁力Ｈｅは１．２０ｅとなり、ＳｉＯ
２上に形成した場合のＨｃｌ、０〜１．２０ｅとほぼ同
じ値を得ることができた。
厚さ４００人に蒸着した場合のパーマロイパターン１７
の保磁力Ｈｃは２．５０ｅとなり、Ｔａを蒸着温度２５
０°Ｃにて厚さ５００人に蒸着した場合にはパーマロイ
パターン１７の保磁力Ｈｅは１．２０ｅとなり、ＳｉＯ
２上に形成した場合のＨｃｌ、０〜１．２０ｅとほぼ同
じ値を得ることができた。
なおこのパーマロイパターンの保磁力が低下する理由は
第２の絶縁層１５からパーマロイパターン１７へ炭素が
移動拡散するのを中間層１６が遮断するためである。
第２の絶縁層１５からパーマロイパターン１７へ炭素が
移動拡散するのを中間層１６が遮断するためである。
またｌとＴａに効果の差が現われているのはＡｌからＡ
ｌ２Ｏ３への酸化エネルギーが−３７６，７ｋｍ／ｍｏ
ｌであり、ＴａからＴａ２０５への酸化エネルギーが−
４７１，、ＯｋｃｌｌｌＡｎｏｌであって、ＴａＯ方が
酸化し易いためである。
ｌ２Ｏ３への酸化エネルギーが−３７６，７ｋｍ／ｍｏ
ｌであり、ＴａからＴａ２０５への酸化エネルギーが−
４７１，、ＯｋｃｌｌｌＡｎｏｌであって、ＴａＯ方が
酸化し易いためである。
以上説明した如く本発明方法は磁気バブルメモリ素子の
絶縁層にポリラダーオルガノシロキサン系樹脂を用いた
場合、パーマロイ薄膜との間に酸化し易い金属の中間層
を入れることにより、パーマロイパターンの保磁力の増
加を防止することを可能としたものである。
絶縁層にポリラダーオルガノシロキサン系樹脂を用いた
場合、パーマロイ薄膜との間に酸化し易い金属の中間層
を入れることにより、パーマロイパターンの保磁力の増
加を防止することを可能としたものである。
第１図は磁気バブルメモリ装置の１例を部分開切して示
した斜視図、第２図は従来の製造方法により形成された
磁気バブルメモリ素子の部分断面図、第３図は本発明の
製造方法により形成された磁気バブルメモリ素子の部分
断面図である。 １１・・・・・・非磁性基板、１２・・・・・・磁性薄
膜、１３・・・・・・第１の絶縁層、１４・・・・・・
導体パターン、１５・・・・・・第２の絶縁層（樹脂層
）、１６・・・・・・中間層（酸化され易い金属）、１
７・・・・・・バーマロイノ（ターン（磁性体膜）、１
８・・・・・・保護絶縁層。
した斜視図、第２図は従来の製造方法により形成された
磁気バブルメモリ素子の部分断面図、第３図は本発明の
製造方法により形成された磁気バブルメモリ素子の部分
断面図である。 １１・・・・・・非磁性基板、１２・・・・・・磁性薄
膜、１３・・・・・・第１の絶縁層、１４・・・・・・
導体パターン、１５・・・・・・第２の絶縁層（樹脂層
）、１６・・・・・・中間層（酸化され易い金属）、１
７・・・・・・バーマロイノ（ターン（磁性体膜）、１
８・・・・・・保護絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基板の上に磁性薄膜を形威し、その上に絶縁
層を介して導体パターンを形成し、次いで全面にポリラ
ダーオルガノシロキサン系樹脂を塗布して樹脂層を形成
し、その上に磁性体膜を形成する諸工程よりなる磁気バ
ブルメモリ素子の製造方法において、磁性体膜を形成す
る前に樹脂層の上に酸化し易い金属にて中間層を形成し
ておくことを特徴とする磁気バブルメモリ素子の製造方
法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモｊ素子
の製造方法において、ポリラダーオルガノシロキサン系
樹脂はフェノール基を含むものであることを特徴とする
磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子
の製造方法において、磁性体膜はＮ１２ Ｆ ｅを主成
分とするものであることを特徴とする磁気バブルメモリ
素子の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子
の製造方法において、酸化し易い金属はＡｌ又はＴａで
あることを特徴とする磁気バブルメモリ素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13008080A JPS5856187B2 (ja) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13008080A JPS5856187B2 (ja) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5755585A JPS5755585A (en) | 1982-04-02 |
| JPS5856187B2 true JPS5856187B2 (ja) | 1983-12-13 |
Family
ID=15025503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13008080A Expired JPS5856187B2 (ja) | 1980-09-20 | 1980-09-20 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856187B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121682A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Fujitsu Ltd | バブルメモリ素子 |
| KR101064326B1 (ko) | 2009-10-29 | 2011-09-14 | 고려대학교 산학협력단 | 전자 소자, 메모리 소자 및 이들의 제조방법 |
-
1980
- 1980-09-20 JP JP13008080A patent/JPS5856187B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5755585A (en) | 1982-04-02 |
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