JPS5856420A - ダブルビ−ム露光方法 - Google Patents
ダブルビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5856420A JPS5856420A JP56155411A JP15541181A JPS5856420A JP S5856420 A JPS5856420 A JP S5856420A JP 56155411 A JP56155411 A JP 56155411A JP 15541181 A JP15541181 A JP 15541181A JP S5856420 A JPS5856420 A JP S5856420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- accelerating voltage
- exposure
- burnt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光方法に関し、ファインパターン
用の電子ビームとラフパターン用の電子ビームを併用し
て精粗パターンを効率よく形成しようとするものである
。
用の電子ビームとラフパターン用の電子ビームを併用し
て精粗パターンを効率よく形成しようとするものである
。
マスク、ウェハーの電子ビーム露光では、加速電圧ＶＡ
ｅ Ｋよってレジスト上の像の拡がシとレジスト感度が
異なる。第１図はこれを示すもので、ｇＢ、は低加速電
圧（ＶＡＣ＝５〜２０ ＫＶ ） （Ｄ電子ビーム、Ｅ
Ｂｙは高加速電圧（Ｖｈｃ＝２０〜５０ ＫＶ ） Ｃ
Ｄ電子ビームである０ １はレジストで、破線で示す領
域２．２′内がこれら電子ビームＥＢｘ、 ｅ ｇｉｒ
ｔ ＦＣ反応した、つまシ崩壊もしくは重合した反応領
域である。
ｅ Ｋよってレジスト上の像の拡がシとレジスト感度が
異なる。第１図はこれを示すもので、ｇＢ、は低加速電
圧（ＶＡＣ＝５〜２０ ＫＶ ） （Ｄ電子ビーム、Ｅ
Ｂｙは高加速電圧（Ｖｈｃ＝２０〜５０ ＫＶ ） Ｃ
Ｄ電子ビームである０ １はレジストで、破線で示す領
域２．２′内がこれら電子ビームＥＢｘ、 ｅ ｇｉｒ
ｔ ＦＣ反応した、つまシ崩壊もしくは重合した反応領
域である。
加速電圧の高い電子ビームＥＢＢけレジスト１内におい
て直進性が強く、さはど散乱せずに透過しようとする。
て直進性が強く、さはど散乱せずに透過しようとする。
仁のため反応領域２′は狭い（像の拡が夛が少なｈ）の
で微細（ファイン）−り一ンを描くＫは都合が良い。反
面レジストの感光効率は悪いので、長時間照射しなけれ
ば所望パターンの焼付けを完了できない。このため粗（
ラフ）なパターンを描＜Ｋは時間がかかシ過ぎて不利で
ある。
で微細（ファイン）−り一ンを描くＫは都合が良い。反
面レジストの感光効率は悪いので、長時間照射しなけれ
ば所望パターンの焼付けを完了できない。このため粗（
ラフ）なパターンを描＜Ｋは時間がかかシ過ぎて不利で
ある。
これに対し加速電圧の低い電子ビームＥＢＬはＶシスト
１中を内部原子と衝突して２次電子発生、散乱しｆｋが
ら進む傾向が強く、この衝突にょシ発生しｆｃ２次電子
電子Ｒ２ジスト１と反応して反応領域２を作る（レジス
トの反応は主として２次電子による）。この結果、レジ
スト１に照射される像は水筒型に拡がシ、７アインパタ
ーンの描写には適さないが、反応時間が短縮されるので
う７パターンの焼付には都合がよい。
１中を内部原子と衝突して２次電子発生、散乱しｆｋが
ら進む傾向が強く、この衝突にょシ発生しｆｃ２次電子
電子Ｒ２ジスト１と反応して反応領域２を作る（レジス
トの反応は主として２次電子による）。この結果、レジ
スト１に照射される像は水筒型に拡がシ、７アインパタ
ーンの描写には適さないが、反応時間が短縮されるので
う７パターンの焼付には都合がよい。
本発明は上述した電子ビームの特性の差を利用して微細
加工及び粗大加工が要求されるＩＣ用ウェハに対する焼
付けを適切に行ない、所要時間を短縮しようとするもの
である。本発明のダブルビーム露光方法は電子ビーム露
光装置に高加速電圧の電子ビーム発生源と低加速電圧の
電子ビーム発生源とを設け、フィールド内の所定部分を
該高速電圧の電子ビームで露光してファインパターンを
形成し、同時に該低加速電圧の電子ビームで露光してラ
フパターンを形成することを特徴とするが、以下図示の
実施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
加工及び粗大加工が要求されるＩＣ用ウェハに対する焼
付けを適切に行ない、所要時間を短縮しようとするもの
である。本発明のダブルビーム露光方法は電子ビーム露
光装置に高加速電圧の電子ビーム発生源と低加速電圧の
電子ビーム発生源とを設け、フィールド内の所定部分を
該高速電圧の電子ビームで露光してファインパターンを
形成し、同時に該低加速電圧の電子ビームで露光してラ
フパターンを形成することを特徴とするが、以下図示の
実施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す図で、１０は高加速電
圧（例えばＶａｃ＝３０ＫＶ）の電子ビーム発生源、１
１は低加速電圧（例えばＶＡｃ＝１０ＫＶ） Ｏ電子ビ
ーム発生源、１２はマスクまたはウェハーである。ウェ
ハー１２には、独立して制御される電子ビーム発生源１
０．１１から前述した電子ビームＥＢＨ＃ ＥＢＬが照
射される。そして高加速電圧の電子ビーム（メインビー
ム）ＥｌｌＨによりファインパターンの焼付けが行なわ
れ、また低加速電圧の電子ビーム（サブビーム） ＥＢ
Ｌ Ｋよシラフパターンの焼付けが行なわれる。ファイ
ンパターンの形成にはビームを強く絞って微小径にする
必要があシ、ラフパターン用ビームはこの逆であるが、
加速電圧が高いとビームは絞りやすい傾向があシ、従っ
てこの高加速電圧のファインパターン用ビーム、低加速
電圧の一ヲフパターン用ビームの組合せけ適切、合理的
である。
圧（例えばＶａｃ＝３０ＫＶ）の電子ビーム発生源、１
１は低加速電圧（例えばＶＡｃ＝１０ＫＶ） Ｏ電子ビ
ーム発生源、１２はマスクまたはウェハーである。ウェ
ハー１２には、独立して制御される電子ビーム発生源１
０．１１から前述した電子ビームＥＢＨ＃ ＥＢＬが照
射される。そして高加速電圧の電子ビーム（メインビー
ム）ＥｌｌＨによりファインパターンの焼付けが行なわ
れ、また低加速電圧の電子ビーム（サブビーム） ＥＢ
Ｌ Ｋよシラフパターンの焼付けが行なわれる。ファイ
ンパターンの形成にはビームを強く絞って微小径にする
必要があシ、ラフパターン用ビームはこの逆であるが、
加速電圧が高いとビームは絞りやすい傾向があシ、従っ
てこの高加速電圧のファインパターン用ビーム、低加速
電圧の一ヲフパターン用ビームの組合せけ適切、合理的
である。
下表に電子ビームの加速電圧とビームの拡がシおよびレ
ジスト感度との関係を示す。レジスト感度はＣ０Ｐｉ例
としたもので、この感度が高い程単位面積当シの露光時
間は少なくて済む。またビームの拡がシが小さい程微細
加工に適する。
ジスト感度との関係を示す。レジスト感度はＣ０Ｐｉ例
としたもので、この感度が高い程単位面積当シの露光時
間は少なくて済む。またビームの拡がシが小さい程微細
加工に適する。
上表からも明らかなように１加速電圧の高い電子ビーム
でファインパターンを焼付け、且つ加速！ 圧＋７）
低い電子ビームでラフ／＜ターン全焼付ける本発明のダ
ブルビーム露光方法によれば、一部ＫＫファインパター
ンを含む１枚のウェハのビーム照射に要する時間を、加
工精度を低下させることなく短縮できる利点がある。
でファインパターンを焼付け、且つ加速！ 圧＋７）
低い電子ビームでラフ／＜ターン全焼付ける本発明のダ
ブルビーム露光方法によれば、一部ＫＫファインパター
ンを含む１枚のウェハのビーム照射に要する時間を、加
工精度を低下させることなく短縮できる利点がある。
電子ビームによる露光は、走査法に依ることが多い。こ
の場合は数■四方程度の領域（フィールド）が露光対象
となり、電子ビームはこの領域を走査し、その間オンオ
フされることＫよシ所与のパターンを形成する。本発明
のダブルビームによる露光も同様であり、電子ビームＥ
Ｂｍ 、 ＥＢＬは同じフィールドを同時に走査し、そ
の間オンオフされて前者はファインノくターン、後者は
ラフノ（ターンを画く。１フイールドの露光が終るとス
テージ駆動モータが起動されてマスクまたはウェハーを
１フイ一ルド分移動させ、次のフィールドに対し露光を
行なう。以上同様である。
の場合は数■四方程度の領域（フィールド）が露光対象
となり、電子ビームはこの領域を走査し、その間オンオ
フされることＫよシ所与のパターンを形成する。本発明
のダブルビームによる露光も同様であり、電子ビームＥ
Ｂｍ 、 ＥＢＬは同じフィールドを同時に走査し、そ
の間オンオフされて前者はファインノくターン、後者は
ラフノ（ターンを画く。１フイールドの露光が終るとス
テージ駆動モータが起動されてマスクまたはウェハーを
１フイ一ルド分移動させ、次のフィールドに対し露光を
行なう。以上同様である。
以上説明したように本発明によれば強く絞り危機小径の
高加速電圧の電子ビームと、それより大径にした低加速
電圧の電子ビームによシ、精、粗パターンを゛精度よく
短い露光時間で描画でき、甚だ有効である。
高加速電圧の電子ビームと、それより大径にした低加速
電圧の電子ビームによシ、精、粗パターンを゛精度よく
短い露光時間で描画でき、甚だ有効である。
第１図は加速電圧の異なる電子ビームの説明図、第２図
は本発明の一実施例を示す説明図である。 図中、１０は高加速電圧の電子ビーム発生源、１１は低
加速電圧の電子ビーム発生源、１２はクエ” ｓ Ｅ
Ｂｗ ｅ ＫＢＬは電子ビームである。 出願人 富士通株式会社
は本発明の一実施例を示す説明図である。 図中、１０は高加速電圧の電子ビーム発生源、１１は低
加速電圧の電子ビーム発生源、１２はクエ” ｓ Ｅ
Ｂｗ ｅ ＫＢＬは電子ビームである。 出願人 富士通株式会社
Claims (1)
- 電子ビーム露光装置Ｋ１１Ｆ、、ｖ迷電圧の電子ビーム
発生源と低加速電圧の電子ビーム発生源と金設け、フィ
ールド内の所定部分ｉ該高加速電圧の電子ビームで露光
して７アインパターンを形成し、同時に該低加速電圧の
電子ビームで露光してラフパターン金形成することを特
徴とするダブルビーム露先方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155411A JPS5856420A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ダブルビ−ム露光方法 |
| DE8282305117T DE3277034D1 (en) | 1981-09-30 | 1982-09-28 | Electron beam exposure method and apparatus |
| EP19820305117 EP0081283B1 (en) | 1981-09-30 | 1982-09-28 | Electron beam exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155411A JPS5856420A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ダブルビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856420A true JPS5856420A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15605395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155411A Pending JPS5856420A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ダブルビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018280A (ko) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | 윤종용 | 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103729A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | Smith Kenneth C A | Electron beam ringraphic device |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155411A patent/JPS5856420A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103729A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | Smith Kenneth C A | Electron beam ringraphic device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018280A (ko) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | 윤종용 | 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 |
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