JPS5857094B2 - カンコウセイソセイブツ - Google Patents
カンコウセイソセイブツInfo
- Publication number
- JPS5857094B2 JPS5857094B2 JP4752375A JP4752375A JPS5857094B2 JP S5857094 B2 JPS5857094 B2 JP S5857094B2 JP 4752375 A JP4752375 A JP 4752375A JP 4752375 A JP4752375 A JP 4752375A JP S5857094 B2 JPS5857094 B2 JP S5857094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive composition
- water
- light
- photosensitive
- sodium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真製板用、電子回路製作用およびカラーブラ
ウン管げい光体スクリーン製作用等に用いられる。
ウン管げい光体スクリーン製作用等に用いられる。
新規の高感度感光性組成物に関するものである。
写真製版や電子回路製作あるいは、カラーブラウン管げ
い光体スクリーンの製作工程において、感光性組成物を
感光させるための光源としては、炭素アーク、タングス
テン電球、超高圧水銀灯、キセノンランプ等が用いられ
ている。
い光体スクリーンの製作工程において、感光性組成物を
感光させるための光源としては、炭素アーク、タングス
テン電球、超高圧水銀灯、キセノンランプ等が用いられ
ている。
これらの光源からの光は波長３００〜３６０ｎｍの光も
含んでいるが、それよりも長波長の光も多量に含んでい
る。
含んでいるが、それよりも長波長の光も多量に含んでい
る。
そこで、それらの波長３６０ｎｍ以上の光をも感光性組
成物の光化学反応に有効に利用することは感度の向上に
役立ち、実用上きわめて望ましいことである。
成物の光化学反応に有効に利用することは感度の向上に
役立ち、実用上きわめて望ましいことである。
特に、写真製版、電子回路製作等の製造工程において、
所望の像形を得るために、写真乾板等を用いたマスクを
用い。
所望の像形を得るために、写真乾板等を用いたマスクを
用い。
それと基板上に存在する感光性組成物とを密着して使用
する場合が殆んどである。
する場合が殆んどである。
そうした場合においては、マスクによる光の３２０ｎｍ
付近の波長の光の吸収を考慮する必要がある。
付近の波長の光の吸収を考慮する必要がある。
本発明の目的は従来、アジド化合物の中で水溶性高分子
と組み合せて用いるに適したものとして知られている４
・４′−ジアジドスチルベン−２・２−ジスルホン酸二
ナトリウム塩（Ｉ）と比較して、長波長側に分光光吸収
を示す新規な水溶性アジド化合物とそれを用いて作製可
能な高感度の感光性組成物を提供することにあり、その
特徴は２・５−ビス（４′−アジド−／−スルホベンジ
リデン）シクロペンタノンおよびその塩類化合物からな
る群から選択された少なくとも１種類の水溶性芳香族ア
ジド化合物と非感光性水溶性高分子化合物を含むことに
ある。
と組み合せて用いるに適したものとして知られている４
・４′−ジアジドスチルベン−２・２−ジスルホン酸二
ナトリウム塩（Ｉ）と比較して、長波長側に分光光吸収
を示す新規な水溶性アジド化合物とそれを用いて作製可
能な高感度の感光性組成物を提供することにあり、その
特徴は２・５−ビス（４′−アジド−／−スルホベンジ
リデン）シクロペンタノンおよびその塩類化合物からな
る群から選択された少なくとも１種類の水溶性芳香族ア
ジド化合物と非感光性水溶性高分子化合物を含むことに
ある。
本発明における感光性組成物の感光成分として用いられ
るアジド化合物の実例としてはつぎのようなものがある
。
るアジド化合物の実例としてはつぎのようなものがある
。
すなわち、２・５−ビス（４′アジド−グースルホベン
ジリデン）シクロペンタノンニナトリウム塩（構造式■
等である。
ジリデン）シクロペンタノンニナトリウム塩（構造式■
等である。
上記構造式■に代表される本発明における感光性組成物
の感光成分であるアジド化合物は４−アジドベンズアル
デヒド−２−スルホン酸ナトリウムをシクロペンタノン
と縮合させることによって得られる。
の感光成分であるアジド化合物は４−アジドベンズアル
デヒド−２−スルホン酸ナトリウムをシクロペンタノン
と縮合させることによって得られる。
この場合、主に水溶液中あるいは、アルコールと水との
混合溶液中で縮合させる。
混合溶液中で縮合させる。
さらに上記化合物中、スルホン酸ナトリウムなる置換基
中のナトリウムにかわる原子または原子団としてＨ，、
ＫＮＨ，、Ｍｇ １ ／ ２、Ｃａｌ／２、Ａｌｌ／３
等を用いることができる。
中のナトリウムにかわる原子または原子団としてＨ，、
ＫＮＨ，、Ｍｇ １ ／ ２、Ｃａｌ／２、Ａｌｌ／３
等を用いることができる。
この縮合に用いられる４−アジドベンズアルデヒド−２
−スルホン酸ナトリウムは次のようにして得られる。
−スルホン酸ナトリウムは次のようにして得られる。
すなわち、たとえば、４・４′−ジアジドスチルベン−
２・２′−ジスルホン酸二ナトリウム塩（Ｉ）を中性の
過マンガン酸カリウムによって酸化すると４−アジドベ
ンズアルデヒド−２−スルホン酸ナトリウムが得られる
。
２・２′−ジスルホン酸二ナトリウム塩（Ｉ）を中性の
過マンガン酸カリウムによって酸化すると４−アジドベ
ンズアルデヒド−２−スルホン酸ナトリウムが得られる
。
構造式■で表わされるアジド化合物はスルホン酸のナト
リウム塩であり、実用上十分な水溶性を有している。
リウム塩であり、実用上十分な水溶性を有している。
しかし、このスルホン酸ナトリウム塩のナトリウムを他
の元素あるいは原子団、たとえば水素、カリウム、アン
モニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムアルミ
ニウム等Ｃ−置換することはもちろん可能であり、それ
らの置換体もナトリウム塩と同様に感光成分として利用
できる。
の元素あるいは原子団、たとえば水素、カリウム、アン
モニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムアルミ
ニウム等Ｃ−置換することはもちろん可能であり、それ
らの置換体もナトリウム塩と同様に感光成分として利用
できる。
ナトリウム塩をこれらの置換体に変えるためには、水溶
液中の複分解反応あるいは陽イオン交換樹脂によるイオ
ン交換反応が利用できる。
液中の複分解反応あるいは陽イオン交換樹脂によるイオ
ン交換反応が利用できる。
とくに、ナトリウムを水素あるいはアンモニウムで置換
した場合は、結果として得られるアジド化合物を用いる
ことによって、金属元素を含まないことを特徴とする水
溶性の感光性組成物を製造することができ、特に半導体
等の電子回路製作用感光性組成物として有用である。
した場合は、結果として得られるアジド化合物を用いる
ことによって、金属元素を含まないことを特徴とする水
溶性の感光性組成物を製造することができ、特に半導体
等の電子回路製作用感光性組成物として有用である。
本発明の感光性組成物の水溶性高分子化合物成分として
は多種類のものが用いられる。
は多種類のものが用いられる。
とくに有効に用いられるのは、ゼラチン、ポリ（Ｎ−ビ
ニルピロリドン）、単独あるいは混合物と、アクリルア
ミド−ジアセトンアクリルアミド共重合体等である。
ニルピロリドン）、単独あるいは混合物と、アクリルア
ミド−ジアセトンアクリルアミド共重合体等である。
これらの水溶性高分子化合物と、すでに述べたアンド化
合物とを混合することによって、高感度の感光性組成物
とすることができる。
合物とを混合することによって、高感度の感光性組成物
とすることができる。
このようなして得られた感光性組成物は水溶性であり、
その水溶液を基板表面に塗布し、乾燥することによって
、その基板表面に感光性組成物の被膜を形成することが
できる。
その水溶液を基板表面に塗布し、乾燥することによって
、その基板表面に感光性組成物の被膜を形成することが
できる。
その被膜に、所望の形状を有する穴のあいた、あるいは
実効的に光に対して透明あるいは不透明なマスクを通し
て、超高圧水銀灯やタングステン電球等からの光を照射
した後に水洗すると、光が照射された部分の被膜は不溶
化しているので、基板表面に残留し、光が照射されなか
った部分の被膜は水溶性を維持しているから基板表面か
ら除去され所望の形状の被膜像が形成される。
実効的に光に対して透明あるいは不透明なマスクを通し
て、超高圧水銀灯やタングステン電球等からの光を照射
した後に水洗すると、光が照射された部分の被膜は不溶
化しているので、基板表面に残留し、光が照射されなか
った部分の被膜は水溶性を維持しているから基板表面か
ら除去され所望の形状の被膜像が形成される。
このような工程によって、光の照射部分のみに高分子化
合物の被膜を付着残留せしめるという技術は、現在様々
の製品の製作に利用されていることはよく知られている
。
合物の被膜を付着残留せしめるという技術は、現在様々
の製品の製作に利用されていることはよく知られている
。
たとえば、前記した写真製版技術、電子回路製作技術あ
るいは、カラーブラウン管げい光体スクリーンの製作技
術などがその例である。
るいは、カラーブラウン管げい光体スクリーンの製作技
術などがその例である。
本発明の感光性組成物は、これらの加工技術に応用可能
であり、高感度で、しかも有機溶媒を必要としないとい
う特徴を備えており、実用上きわめて有用である。
であり、高感度で、しかも有機溶媒を必要としないとい
う特徴を備えており、実用上きわめて有用である。
以下本発明を実施例によって詳述する。
実施例 １
２・５−ビス（４′−アジド−２７−スルホベンジリデ
ン）シクロペンタノンニナトリウム塩の合成とそれを用
いた感光性組成物の感光度測定例である。
ン）シクロペンタノンニナトリウム塩の合成とそれを用
いた感光性組成物の感光度測定例である。
４−アジドベンズアルデヒド−２−スルホン酸ナトリウ
ムの粗結晶（約１０重量％の塩化ナトリウムを含む）１
．４７ｆｔを水３４ｒＩｌｌに溶解し、それにシクロペ
ンタノン０．２７ ｒｒｔｌと水酸化ナトリウム０．２
２ｆとを加えて溶解し、１晩放置した液中に生成した橙
黄色粉末を吸収口過によって母液と分離し、減圧乾燥し
て、橙黄色粉末０．８４Ｐを得た。
ムの粗結晶（約１０重量％の塩化ナトリウムを含む）１
．４７ｆｔを水３４ｒＩｌｌに溶解し、それにシクロペ
ンタノン０．２７ ｒｒｔｌと水酸化ナトリウム０．２
２ｆとを加えて溶解し、１晩放置した液中に生成した橙
黄色粉末を吸収口過によって母液と分離し、減圧乾燥し
て、橙黄色粉末０．８４Ｐを得た。
水を溶媒として用いた再結晶によって、この橙黄色粉末
を精製し、精製物について、赤外吸収スペクトル、水素
核磁気共鳴吸収の測定および、元素分析を行なった結果
、この化合物は目的物、すなわち、構造式■で示される
２・５−ビス（４’−−ｙシト−２′−スルホベンジリ
デン）シクロペンタノンニナトリウム塩であることがわ
かった。
を精製し、精製物について、赤外吸収スペクトル、水素
核磁気共鳴吸収の測定および、元素分析を行なった結果
、この化合物は目的物、すなわち、構造式■で示される
２・５−ビス（４’−−ｙシト−２′−スルホベンジリ
デン）シクロペンタノンニナトリウム塩であることがわ
かった。
この化合物の水溶液中における光吸収スペクトルの測定
結果を第１図に示す。
結果を第１図に示す。
■は従来の４・４′−ジアジスチルベン−２・グージス
ルホン酸二す） ＩＪウム酸のスペクトル、■は上記化
合物のそれである。
ルホン酸二す） ＩＪウム酸のスペクトル、■は上記化
合物のそれである。
このようにして得られた２・５−ビス（４′−アシド−
２’−スルホベンジリデン）シクロベンタノンニナトリ
ウム塩を水に溶解して０．２％水溶液を調製しｔもつぎ
に、高分子成分として、ポリ（Ｎ−ビニルピロリドン）
、Ｋ−９０（ＧＡＦ社製商品名）を水に溶解して３．７
％水溶液としこれに接着促進剤として、信越化学製、Ｓ
ｈｉｎ−Ｅ ｔｓｕＳ １ｌｉｃｏｎｅ ＫＢＭ ６
０３を高分子に対して３重量％添加した。
２’−スルホベンジリデン）シクロベンタノンニナトリ
ウム塩を水に溶解して０．２％水溶液を調製しｔもつぎ
に、高分子成分として、ポリ（Ｎ−ビニルピロリドン）
、Ｋ−９０（ＧＡＦ社製商品名）を水に溶解して３．７
％水溶液としこれに接着促進剤として、信越化学製、Ｓ
ｈｉｎ−Ｅ ｔｓｕＳ １ｌｉｃｏｎｅ ＫＢＭ ６
０３を高分子に対して３重量％添加した。
上記高分子水溶液系に２・５−ピース（４’−７ジドー
２′−スルホベンジリデン）シクロベンタノンニナトリ
ウム塩水溶液ヲ、２・５−ビス（４′−アジド−２７−
スルホベンジリデン）シクロペンタノンニナトリウム塩
が高分子に対して５重量％になるように添加して感光性
組成物とした。
２′−スルホベンジリデン）シクロベンタノンニナトリ
ウム塩水溶液ヲ、２・５−ビス（４′−アジド−２７−
スルホベンジリデン）シクロペンタノンニナトリウム塩
が高分子に対して５重量％になるように添加して感光性
組成物とした。
その感光性組成物の感光度を次のような方法で測定した
。
。
すなわち、上記の感光性組成物水溶液をガラス板に流し
塗りによって塗布し、温風乾燥して、厚さ３〜５μｍの
感光性乾燥被膜とし、それにガラス板側からガラス板を
通して、階段状に照度の異なる光を一定時間照射し、つ
ぎに温水によってガラス板を洗い、不溶化に至らなかっ
た被膜の部分を水で溶解除去しガラス板に残留している
不溶化被膜を観察して、不溶化に必要な最低露光量（照
度と露光時間との積）を求めた。
塗りによって塗布し、温風乾燥して、厚さ３〜５μｍの
感光性乾燥被膜とし、それにガラス板側からガラス板を
通して、階段状に照度の異なる光を一定時間照射し、つ
ぎに温水によってガラス板を洗い、不溶化に至らなかっ
た被膜の部分を水で溶解除去しガラス板に残留している
不溶化被膜を観察して、不溶化に必要な最低露光量（照
度と露光時間との積）を求めた。
光照射の光源としては、２５０Ｗのタングステン電球を
用い、それらの距離３５ＣｒｒＬの位置において露光を
行なった。
用い、それらの距離３５ＣｒｒＬの位置において露光を
行なった。
この露光位置における光の照度は１万１Ｘであった。
照度を階段的に変えて露光を行なうためには、光学密度
が０．０６ずつ階段的に変化している。
が０．０６ずつ階段的に変化している。
イーストマン・コダック社製のステップタブレットを使
用した。
用した。
上記の実験によって得た結果を、感光性組成物の相対感
度（感光性組成物の不溶化に必要な最低露光量の逆数を
適当な単位を用いて表わしたもの）の単位で表わすと１
６となった。
度（感光性組成物の不溶化に必要な最低露光量の逆数を
適当な単位を用いて表わしたもの）の単位で表わすと１
６となった。
ここで単位１の感光度とは、具体的にいえば、２５０Ｗ
のタングステン電球からの照度１万ｌｘの光を２分間照
射したときに不溶化が起こり、２分間よりも短い時間の
照射では不溶化が起こらないような場合の感光度のこと
である。
のタングステン電球からの照度１万ｌｘの光を２分間照
射したときに不溶化が起こり、２分間よりも短い時間の
照射では不溶化が起こらないような場合の感光度のこと
である。
この感光度は、従来の感光性化合物、すなわち４・４’
−ジアジスチルベン−２・２’−ジスルホン酸二ナトリ
ウム塩を用いた場合の感光度６に較べて十分に高いこと
がわかる。
−ジアジスチルベン−２・２’−ジスルホン酸二ナトリ
ウム塩を用いた場合の感光度６に較べて十分に高いこと
がわかる。
すなわち、本発明の方法によって合成したアジド化合物
を用いて製造した感光性組成物が、上記市販のアジド化
合物を用いて製造した感光性組成物よりも高感度であり
、このことは本発明が高感度の感光性組成物を得る上に
おいてきわめて有用なものであることを示している。
を用いて製造した感光性組成物が、上記市販のアジド化
合物を用いて製造した感光性組成物よりも高感度であり
、このことは本発明が高感度の感光性組成物を得る上に
おいてきわめて有用なものであることを示している。
第１図は各種水溶性有機アジド化合物の分子吸光係数と
光の波長との関係を表わす図である。
光の波長との関係を表わす図である。
Claims (1)
- １２・５−ビス（４′−アジド−／−スルホベンジリデ
ン）シクロペンタノンおよび、その塩類化合物からなる
群から選択された少くとも１種類の水溶性芳香族アジド
化合物と非感光性水溶性高分子化合物とよりなることを
特徴とする感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4752375A JPS5857094B2 (ja) | 1975-04-21 | 1975-04-21 | カンコウセイソセイブツ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4752375A JPS5857094B2 (ja) | 1975-04-21 | 1975-04-21 | カンコウセイソセイブツ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51123628A JPS51123628A (en) | 1976-10-28 |
| JPS5857094B2 true JPS5857094B2 (ja) | 1983-12-19 |
Family
ID=12777466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4752375A Expired JPS5857094B2 (ja) | 1975-04-21 | 1975-04-21 | カンコウセイソセイブツ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857094B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292881A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
| JPS63181234A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Toshiba Corp | カラ−受像管蛍光面の形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980010618A (ko) * | 1996-07-16 | 1998-04-30 | 손욱 | 포토레지스트 조성물 |
-
1975
- 1975-04-21 JP JP4752375A patent/JPS5857094B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292881A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
| JPS63181234A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Toshiba Corp | カラ−受像管蛍光面の形成方法 |
| EP0277722A3 (en) * | 1987-01-22 | 1989-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Formation method and photoresist composition for phosphor screens of colour picture tubes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51123628A (en) | 1976-10-28 |
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