JPS585743A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS585743A JPS585743A JP56104115A JP10411581A JPS585743A JP S585743 A JPS585743 A JP S585743A JP 56104115 A JP56104115 A JP 56104115A JP 10411581 A JP10411581 A JP 10411581A JP S585743 A JPS585743 A JP S585743A
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- JP
- Japan
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- film
- mask
- layer
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘｌａ露光に用いられるＸ線篇充用ｉスクの
刺違方法に関する。
刺違方法に関する。
近時、サブ建り四ンの微細加工を実検するものとしてＸ
線篇光技術が注目されているが、このｘＩＩ露光ｌζ用
いられるＸ線露光マスクは、一般に第１図に示す如く形
成されてりる０すなわち、環状の枠体１の上面ＫＸ艙透
過率の大なる＊＊基叡２を貼り付け、この薄膜基板２上
にＸｌ１Ｉ叡収部材からなるマスクパターンＩを＊着し
て形成されている◇ とζろで、ｘｌｉｌはその透過率が騎いものであシ、こ
の友め薄ｊｌｌ基板２はＸ−が十分透過するよう＃ｃ１
にめて博く形成しなけれはならな一〇この九め、＊ｉｉ
ｍ基板１には通常滲みが数〔μ購〕以下のポリイミド勢
の有様物ｉ１膜や轍化シリコン勢の無機物薄膜が使用さ
れる。このように薄膜基板２が非常に薄いため、マスタ
製造時に薄膜！に徐１が変形したシ砿窮する勢の問題が
ある。
線篇光技術が注目されているが、このｘＩＩ露光ｌζ用
いられるＸ線露光マスクは、一般に第１図に示す如く形
成されてりる０すなわち、環状の枠体１の上面ＫＸ艙透
過率の大なる＊＊基叡２を貼り付け、この薄膜基板２上
にＸｌ１Ｉ叡収部材からなるマスクパターンＩを＊着し
て形成されている◇ とζろで、ｘｌｉｌはその透過率が騎いものであシ、こ
の友め薄ｊｌｌ基板２はＸ−が十分透過するよう＃ｃ１
にめて博く形成しなけれはならな一〇この九め、＊ｉｉ
ｍ基板１には通常滲みが数〔μ購〕以下のポリイミド勢
の有様物ｉ１膜や轍化シリコン勢の無機物薄膜が使用さ
れる。このように薄膜基板２が非常に薄いため、マスタ
製造時に薄膜！に徐１が変形したシ砿窮する勢の問題が
ある。
この問題は、特に薄膜基＆２の口径が大きい場合や博属
基板材料として無機物を用いる場合にｓＰ％／ｈて着し
一〇 そこで、大口後のＸ線露光用マ誠りを製造する場合、１
１１ｍ基板材料として有機物が用−られる◎鵬！１ｍ（
Ｉ）〜（ｅ）ｆｄこのようなＸ線露光用マスタの製造工
程１−示す図である。まず、第ｆｆ１ｌｌ（＆）に示す
如くシリコン基板４上ｌこ金からなるエツチング保■Ｉ
ｔｓ ｉ ｓ薄膜基板をなすポリイミド薄膜−１会勢の
導電ｍｙおよびレジスト１を１１１次形成し、レジス）
＃ＩＣ電子ビーム露光法を用い所望のパターンを形成す
る０次埴で、館２１１１（ｂ）に示す如くレジスト＃ｔ
−マスクとしてＸＩＩＩ！ｗＪＬ収部材である金９を導
電膜ｒにメッキし、その後レジスト１および尋亀膜りｔ
除去する。しかるのち、７リコン基板４を裏面エツチン
グしエツチング保―層５も除去することによって、餉２
図（ｅ） Ｋ示す如くＸ−露光用マスクが形成ξれる０
なお、エツチング＆護膜５Ｆｉシリコン基板４のエツチ
ング中にポリインド膜６がエツチング液に接触すること
を防止し、エツチング液との接触でポリインド膜６に変
形が生じることを防ぐ役割を果たしている◇ ところがこの種の方法では、前記シリコン基板４の裏面
エツチングのむらが大きいと金の保験膜５があるにも拘
らずボリイずド薄膜６に変形が妬生じ、ｘ！ＩＹスター
としての費用が困麺になると言う問題があった。この問
題は本発明者勢の鋭意研究により次のように解明され九
〇すなわち、前記ポリイミド薄ｍσにはその形成工程で
残留ｆ！が発生してｉる０エツチングむらがあるとエツ
チングの終了に近φ時点でポリイミド薄膜Ｃの裏向には
シリコンが残存する部分とシリコンが除去６れ皮部分と
か肱じる。シリコンが除去６れ皮部分では上記跣留膣の
緩和が起こり、シリコンが残存している部分でｒｘｌ！
４留歪は変化しない。その結果、ポリイミド薄に６に応
力の不均一が尭生じ、ボリイｉドＮＭｉＡ６が局所的に
一変形する０そして、この変形はシリコンのエツチング
が完全に終了し良後も残ることになる＠ 本実−は上記事情を考慮してなされたもので、その回的
とするところｉｔ、ｘｓｍ光用光用タスク体となる基板
をエツチングする際に、エツチングのむらに起因する有
機物薄膜の変形を未然に騎止する仁とのできるＸ細籐光
用ｉスクの製造方妹を提供することにある。
基板材料として無機物を用いる場合にｓＰ％／ｈて着し
一〇 そこで、大口後のＸ線露光用マ誠りを製造する場合、１
１１ｍ基板材料として有機物が用−られる◎鵬！１ｍ（
Ｉ）〜（ｅ）ｆｄこのようなＸ線露光用マスタの製造工
程１−示す図である。まず、第ｆｆ１ｌｌ（＆）に示す
如くシリコン基板４上ｌこ金からなるエツチング保■Ｉ
ｔｓ ｉ ｓ薄膜基板をなすポリイミド薄膜−１会勢の
導電ｍｙおよびレジスト１を１１１次形成し、レジス）
＃ＩＣ電子ビーム露光法を用い所望のパターンを形成す
る０次埴で、館２１１１（ｂ）に示す如くレジスト＃ｔ
−マスクとしてＸＩＩＩ！ｗＪＬ収部材である金９を導
電膜ｒにメッキし、その後レジスト１および尋亀膜りｔ
除去する。しかるのち、７リコン基板４を裏面エツチン
グしエツチング保―層５も除去することによって、餉２
図（ｅ） Ｋ示す如くＸ−露光用マスクが形成ξれる０
なお、エツチング＆護膜５Ｆｉシリコン基板４のエツチ
ング中にポリインド膜６がエツチング液に接触すること
を防止し、エツチング液との接触でポリインド膜６に変
形が生じることを防ぐ役割を果たしている◇ ところがこの種の方法では、前記シリコン基板４の裏面
エツチングのむらが大きいと金の保験膜５があるにも拘
らずボリイずド薄膜６に変形が妬生じ、ｘ！ＩＹスター
としての費用が困麺になると言う問題があった。この問
題は本発明者勢の鋭意研究により次のように解明され九
〇すなわち、前記ポリイミド薄ｍσにはその形成工程で
残留ｆ！が発生してｉる０エツチングむらがあるとエツ
チングの終了に近φ時点でポリイミド薄膜Ｃの裏向には
シリコンが残存する部分とシリコンが除去６れ皮部分と
か肱じる。シリコンが除去６れ皮部分では上記跣留膣の
緩和が起こり、シリコンが残存している部分でｒｘｌ！
４留歪は変化しない。その結果、ポリイミド薄に６に応
力の不均一が尭生じ、ボリイｉドＮＭｉＡ６が局所的に
一変形する０そして、この変形はシリコンのエツチング
が完全に終了し良後も残ることになる＠ 本実−は上記事情を考慮してなされたもので、その回的
とするところｉｔ、ｘｓｍ光用光用タスク体となる基板
をエツチングする際に、エツチングのむらに起因する有
機物薄膜の変形を未然に騎止する仁とのできるＸ細籐光
用ｉスクの製造方妹を提供することにある。
まず、本発明の概ｇＩ！會Ｉｌ！鴫する。前記ボリイ電
ＦｌＩ誤−は金からなるエツテンダ保饅層５で支持され
て−るが、金が柔らか一金属であるため、保一層５には
支持膜としての効果はほとんど′＆−０この問題の解決
策として剛性の為−物質を会の代ｐに用しることが考え
られるが、剛性の為−物質で前記裏面エツチング液とし
て用いる弗硝歇系の箪に耐え得る材質は存在しないのが
杭状である・そこで本実Ｉｊ１１者等は、支持膜として
金−機械的強度の大きな物質−金の３層栴造を用いる方
法を考えた。この方法では、まずシリコン基板勢の裏面
エツチングを下層の金まで行う。この揚台機械的強度の
大きな物質が全面番こ存在するためポリイミド薄膜は変
形しない。次に、下層の金を除去し機械的強度の大きな
物質をエツチングする。この場合、上記機械的強度の大
きな物質を薄く形成しておけは、エツチングむらが生じ
てもエツテンダ終了近くでポリイミド薄膜の下面に存残
するシリコン給の膜厚は略均−となシ、ポリイミド薄膜
に局所的な変形が生じることはない。
ＦｌＩ誤−は金からなるエツテンダ保饅層５で支持され
て−るが、金が柔らか一金属であるため、保一層５には
支持膜としての効果はほとんど′＆−０この問題の解決
策として剛性の為−物質を会の代ｐに用しることが考え
られるが、剛性の為−物質で前記裏面エツチング液とし
て用いる弗硝歇系の箪に耐え得る材質は存在しないのが
杭状である・そこで本実Ｉｊ１１者等は、支持膜として
金−機械的強度の大きな物質−金の３層栴造を用いる方
法を考えた。この方法では、まずシリコン基板勢の裏面
エツチングを下層の金まで行う。この揚台機械的強度の
大きな物質が全面番こ存在するためポリイミド薄膜は変
形しない。次に、下層の金を除去し機械的強度の大きな
物質をエツチングする。この場合、上記機械的強度の大
きな物質を薄く形成しておけは、エツチングむらが生じ
てもエツテンダ終了近くでポリイミド薄膜の下面に存残
するシリコン給の膜厚は略均−となシ、ポリイミド薄膜
に局所的な変形が生じることはない。
本発明はこのような点に着目し、基板ｓｕ＋ｉに第１の
エツチング保１層、機械的９１１度の大きな硬質１ｌＩ
ｆＩＡＳ細２のエツチング保饅層および有様物薄膜を鵬
次形成すると共−こ、上記基板をその外周部を秦して＆
面から迦択的擾こエツチングしたのち、上記第１のエツ
チング保一層を除去し、次ｉで上記硬質＊ｍをエツチン
グし、しかるのち上配亀２のエツチング保護層を除去す
るようにし良方法である〇 したがって本船１こよれは、基板の裏面エッチジグ時＃
Ｃは機械的強度の大きな硬質薄膜にょ）有機物ｌＩ腹が
支持され、ざらに硬質薄膜のよることを未然に防止する
ことができる。仁のため、エツチングむら−こ起因する
Ｘ−露光用マスクの変形を防止することができ、マスク
精度の陶土をはかることができる。
エツチング保１層、機械的９１１度の大きな硬質１ｌＩ
ｆＩＡＳ細２のエツチング保饅層および有様物薄膜を鵬
次形成すると共−こ、上記基板をその外周部を秦して＆
面から迦択的擾こエツチングしたのち、上記第１のエツ
チング保一層を除去し、次ｉで上記硬質＊ｍをエツチン
グし、しかるのち上配亀２のエツチング保護層を除去す
るようにし良方法である〇 したがって本船１こよれは、基板の裏面エッチジグ時＃
Ｃは機械的強度の大きな硬質薄膜にょ）有機物ｌＩ腹が
支持され、ざらに硬質薄膜のよることを未然に防止する
ことができる。仁のため、エツチングむら−こ起因する
Ｘ−露光用マスクの変形を防止することができ、マスク
精度の陶土をはかることができる。
以下、本ＩＡ明の詳細な國示の実施例によって貌−する
。
。
第Ｓ−一）〜（＠）は本梶明の一実施例に係わるＸ麹露
光用マスクの製造工程を示す閣である。ます、ＴｈＪＮ
！Ｇｌ（ａ）ｆこ示す如く向方位（１０６）の３インチ
極シリコン基板ＩＩの表向に厚８０．０２〔μ襲〕のチ
タン膜と厚さ０．４〔μ屏〕の金膜を真空蒸着法で形成
し鉗１のエツチング保護層１ｊを形成した。続いてグツ
ズｉ成長技衝を用φ２００（’Ｏ）で多結晶シリコン薄
膜１３ （硬質薄膜）をｌ＃８０．７ｃ岸購〕に形成し
、ざらに真空蒸着法奢こより上記電工のエツチング保諌
層１２と同様な＃＆２のエツチング保護層１４を形成し
九〇続いて、スピンコード法と３５０（”Ｏ）の加熱処
理を行μ鯖２のエツチング保饅層１４上に犀さ４〔μ賜
〕のポリインド薄膜１５ （有機物ｌＩＩ膜）を形成し
た。
光用マスクの製造工程を示す閣である。ます、ＴｈＪＮ
！Ｇｌ（ａ）ｆこ示す如く向方位（１０６）の３インチ
極シリコン基板ＩＩの表向に厚８０．０２〔μ襲〕のチ
タン膜と厚さ０．４〔μ屏〕の金膜を真空蒸着法で形成
し鉗１のエツチング保護層１ｊを形成した。続いてグツ
ズｉ成長技衝を用φ２００（’Ｏ）で多結晶シリコン薄
膜１３ （硬質薄膜）をｌ＃８０．７ｃ岸購〕に形成し
、ざらに真空蒸着法奢こより上記電工のエツチング保諌
層１２と同様な＃＆２のエツチング保護層１４を形成し
九〇続いて、スピンコード法と３５０（”Ｏ）の加熱処
理を行μ鯖２のエツチング保饅層１４上に犀さ４〔μ賜
〕のポリインド薄膜１５ （有機物ｌＩＩ膜）を形成し
た。
次に、通常の工程によシポリイきド薄１［１５上にＰＭ
ＭＡレジスト図示せずを厚８１〔μ賜〕臆布し、電子ビ
ーム露光法でドーズ量８０（μ瘤／傷雪〕の条件でパタ
ーン描画後ＳＡ健した０絖−て、ＰＭＭＡレジストパタ
ーンをマスクとしてポリインド薄膜ｌｊ上に厚ｇ０．６
（μ講〕の金メッキを施し、マスタパターン（−示せず
）を形威し良・そして、駿素プラズ！中でＰＭＭＡレジ
ストを除去し喪０ 次に、弗酸／硝酸基のエツチング箪を用１ｊＩ３園伽）
に示す如くシリコン基板１１をその周辺部を幀して裏面
から選択エツチングした。続−て、王水を用い第３図（
ｅ）に示す如く第１のエツチング保−Ｍ１１７を除去し
た。次−で、弗ｉｌｌ／硝酸系のエツチング液を用φ謝
Ｂ＃Ａ（ｇｉ）に示す如く多結晶シリコン薄膜ＩＪをエ
ツチングした。
ＭＡレジスト図示せずを厚８１〔μ賜〕臆布し、電子ビ
ーム露光法でドーズ量８０（μ瘤／傷雪〕の条件でパタ
ーン描画後ＳＡ健した０絖−て、ＰＭＭＡレジストパタ
ーンをマスクとしてポリインド薄膜ｌｊ上に厚ｇ０．６
（μ講〕の金メッキを施し、マスタパターン（−示せず
）を形威し良・そして、駿素プラズ！中でＰＭＭＡレジ
ストを除去し喪０ 次に、弗酸／硝酸基のエツチング箪を用１ｊＩ３園伽）
に示す如くシリコン基板１１をその周辺部を幀して裏面
から選択エツチングした。続−て、王水を用い第３図（
ｅ）に示す如く第１のエツチング保−Ｍ１１７を除去し
た。次−で、弗ｉｌｌ／硝酸系のエツチング液を用φ謝
Ｂ＃Ａ（ｇｉ）に示す如く多結晶シリコン薄膜ＩＪをエ
ツチングした。
しかるのち、王水を用い第２のエツチング保陸膜１４を
除去することによって、ｇｉ図（・）に示す如き構造が
得られた。
除去することによって、ｇｉ図（・）に示す如き構造が
得られた。
かくして形率され良Ｘ＠無光用マスタでは薄膜基板とし
て作用するポリインド薄膜１１の変Ｍｉ＄０．１（４ｍ
）以下と極めて小さく、４８度なマスタ構造が夷ｍされ
良。
て作用するポリインド薄膜１１の変Ｍｉ＄０．１（４ｍ
）以下と極めて小さく、４８度なマスタ構造が夷ｍされ
良。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるもので祉な
いｏＮえｄ１前記機械的惣縦の大きな硬質薄膜としては
多結晶シリ；ンに＠らず、験化シリコン、電化シリコン
或−はこれらの複合体を用−てもよい＠さら番ζ、剛性
の１Ｉｂ−金属タングステンを用いることも可能である
０ま良、前記薄膜基板をなすポリイミドの代りには有機
物であれは用いてもよ−。さらに、前記基板や各エツチ
ング保ｍ鳩等の材質も仕様に応じて適宜俊更することが
できる。ｔた、マスクパターンは有横物簿膜上に形成す
るに限らす、パターニングした有機物跡膜番こ埋め込む
ようにしてもよい。その他、本発明の蚤旨を逸脱しない
範囲で樟々変形して、実施することができる。
いｏＮえｄ１前記機械的惣縦の大きな硬質薄膜としては
多結晶シリ；ンに＠らず、験化シリコン、電化シリコン
或−はこれらの複合体を用−てもよい＠さら番ζ、剛性
の１Ｉｂ−金属タングステンを用いることも可能である
０ま良、前記薄膜基板をなすポリイミドの代りには有機
物であれは用いてもよ−。さらに、前記基板や各エツチ
ング保ｍ鳩等の材質も仕様に応じて適宜俊更することが
できる。ｔた、マスクパターンは有横物簿膜上に形成す
るに限らす、パターニングした有機物跡膜番こ埋め込む
ようにしてもよい。その他、本発明の蚤旨を逸脱しない
範囲で樟々変形して、実施することができる。
鯖１図はＸ１ｉｌｌ露光用マスクの概略物取を示す栖−
第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のＸ＃！露光用マスクの黴
造工程を示す図、“鯖３図（ａ）〜（・）は本発明の一
與施？ｌｌｋ係わるｘｓｍ光用マスクの製造工程を示す
−である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・第１のエツチング
保護層、１３・・・多結晶シリコン薄膜（硬質膜）Ｉ４
・・・絽２のエツチング保護層、１５・・・ポリインド
薄膜（有機物薄膜）。
第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のＸ＃！露光用マスクの黴
造工程を示す図、“鯖３図（ａ）〜（・）は本発明の一
與施？ｌｌｋ係わるｘｓｍ光用マスクの製造工程を示す
−である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・第１のエツチング
保護層、１３・・・多結晶シリコン薄膜（硬質膜）Ｉ４
・・・絽２のエツチング保護層、１５・・・ポリインド
薄膜（有機物薄膜）。
Claims (4)
- （１） 基鈑の＃ｌ！′ｒｋ１に廁１のエツチング保
麺層を形成するニーと、数珠一層上に機械的強にの大き
ｌＩ［ｉ！貿＊ｍを形紙する工程と、該薄膜上に１ｇ２
のエツチング保−鋤を形成する工程と、上記第２のエツ
チング保一層上に有機物簿膜を形成する工程と、上記有
様物薄鯵の表向゛或いは内ＩｌｌにｘＩＩ１１吸収部材
からなるマスクパターンを形成する工程と、創紀基＆を
その外周部を残してｌｋ面から趨択エツチングする工程
と、次１で前記第ｌのエツチング蛛Ｉ１層を除去する工
程と、次いで前記硬質薄膜をエツチングする工程と、し
かるのち前記第２のエツチング俺ｌＩ拳ｔ−除去するニ
ーとを真値し友ことを特徴とするＸ＊露光用マスクの開
運方法。 - （２） ｍ記番板として、シリコン或いはガラスを絢
いた仁とＶｒ％黴とする特許請求の範ＭｌｉＡ１項記叡
のＸ！Ｉ籐光月光用マスク造方法。 - （３）＃記録ｌおよび亀２のエツチング保護層として、
金を用いたことを特徴とする特許請求の範８１ｓ１項紀
載のＸ鱒篇充用マスクの製造方法。 - （４）前記硬質＃ＩＩ膜として、多結晶シリコン、酸化
シリコン、値化シリコン或いはこれらの被合体を用いた
ことを特徴とする特許請求の範Ｓ側１項紀載のＸ＠露露
光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104115A JPS585743A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104115A JPS585743A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585743A true JPS585743A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14372120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104115A Pending JPS585743A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP56104115A patent/JPS585743A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPH01162332A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
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