JPH0243330B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0243330B2
JPH0243330B2 JP56097705A JP9770581A JPH0243330B2 JP H0243330 B2 JPH0243330 B2 JP H0243330B2 JP 56097705 A JP56097705 A JP 56097705A JP 9770581 A JP9770581 A JP 9770581A JP H0243330 B2 JPH0243330 B2 JP H0243330B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
film
metal film
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56097705A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57211732A (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP9770581A priority Critical patent/JPS57211732A/ja
Priority to US06/389,388 priority patent/US4451544A/en
Priority to EP82105379A priority patent/EP0069265B1/en
Priority to DE8282105379T priority patent/DE3270382D1/de
Publication of JPS57211732A publication Critical patent/JPS57211732A/ja
Publication of JPH0243330B2 publication Critical patent/JPH0243330B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167—X-ray
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167—X-ray
    • Y10S430/168—X-ray exposure process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｘ線露光に用いられるＸ線露光用マ
スクの製造方法に関する。
近時、半導体素子の微細加工技術として光、電
子線或いはＸ線を利用した各種の露光法が開発さ
れている。そして、これらのうちで特にＸ線露光
法はサブミクロンの微細加工に好適するものとし
て注目されている。ところが、Ｘ線露光法にはそ
のマスク構造に関し以下に示すような解決すべき
問題が残つている。
第１図は従来のＸ線露光用マスクの概略構造を
示す断面図である。Ｘ線透過率の高い薄膜基板１
の表面にＸ線吸収部材、例えば金からなるマスク
パターン２が形成されている。また、薄膜基板１
の裏面には同基板１を固定保持する枠体３が取着
されている。ここで、上記薄膜基板１は、Ｘ線の
透過率の高いことが不可決でその厚さを数〔μ
ｍ〕以下にする必要があり、一般に酸化ケイ素や
窒化ケイ素等の無機物で形成されている。このた
め、薄膜基板１の強度が小さく、その面積を数
〔mm□〕以上に広くすることはできない。また、
大面積を得ようとすると前記枠体３を数〔mm□〕
間隔毎に設ける必要があり、構造の複雑化を招
く。さらに、枠体３の部分はＸ線露光に利用でき
ないので、全体の面積に比して有効利用できる面
積が狭くなる等の問題があつた。
一方、前記無機物からなる薄膜基板１の代り
に、第２図に示す如く有機物からなる薄膜基板４
を用いると、枠体３を多数個設けることなく大面
積を実現できるが、有機膜がゆえにマスク寸法が
不安定になると云う問題がある。この問題は、サ
ブミクロンの精度を要求される微細加工にあつて
は致命的な欠点となる。また、第１図および第２
図のいずれに示したマスクも、その製造工程が複
雑であつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、多数の枠体を設けるこ
となく薄膜基板の大面積化をはかり得、且つ寸法
安定性の向上をはかり得るＸ線露光用マスクを容
易に製造することのできるＸ線露光用マスクの製
造方法を提供することにある。
まず、本発明の概要を説明する。本発明の骨子
は、薄膜基板をＸ線透過率の高い絶縁膜で形成す
ると共に、該絶縁膜を島状に分割し、島と島との
間に金属膜を設けたことである。すなわち、絶縁
膜の島を格子状の金属膜で保持するようにしてい
る。したがつて、島の径を十分小さくできるの
で、薄膜基板を無機物で形成したとしても各島が
弾力性のある金属膜で保持されるため、その強度
および寸法安定性を十分保つことができる。しか
も、従来のように多数の枠体を設ける必要なく幅
の狭い金属膜を設けるのみでよいため、薄膜基板
面積の有効利用をはかり得る等の効果を奏する。
また、薄膜基板を有機膜で形成したとしても、そ
の寸法安定性を十分に保持することができる。
製造方法に関しての特徴は、導電性の基板表面
にＸ線透過率の高い絶縁膜を形成しこの絶縁膜に
格子状の溝およびマスクパターンに応じた溝を形
成したのち、電気メツキを施して上記各溝に金属
膜を形成し、しかるのち上記基板の中央部を除去
するようにしたことである。したがつて、特殊な
技法を用いることなく極めて容易に実施すること
ができる。さらに、前記格子状の金属膜とマスク
パターンとを同時に形成できるので、製造工程の
簡略化をはかり得る等の効果を奏する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
第３図ａ，ｂは本発明の第１の実施例に係わる
Ｘ線露光用マスクの概略構造を示すもので第３図
ａは平面図、第３図ｂは同図ａの矢視Ａ−Ａ断面
図である。図中１１は格子状に形成された、例え
ば金からなる金属膜であり、この金属膜１１で囲
まれた領域にはＸ線透過薄膜基板として作用する
酸化膜からなる絶縁膜１２が形成されている。そ
して、これら金属膜１１および絶縁膜１２からな
る円板体の下面周辺部にはSiからなる円環状の枠
体１３が取着されている。また絶縁膜１２には所
望パターンに溝が穿たれており、これらの溝内に
金等が埋め込まれマスクパターン１４が形成され
ている。
このような構造であれば、無機物である絶縁膜
１２が小さい径となり、かつ弾力性のある金属膜
１１にて保持されるので、その強度を十分に保つ
ことができる。そして、単一の絶縁膜１２を多数
個設けることによりＸ線露光に供される面積を広
くすることができる。
次に、上記実施例マスクの製造工程について説
明する。まず第４図ａに示す如く面方位（100）、
比抵抗0.001〔Ωcm〕４インチ径のSi基板２１の表
面を熱酸化技術を用いて酸化し厚さ500〔Å〕の熱
酸化膜２２を形成する。そして、気相成長技術を
用いて、第４図ｂに示す如くSi基板２１上に酸化
膜２３を１〔μｍ〕の厚さに形成する。次いで、
酸化膜２３の表面にレジストを塗布しこのレジス
トを露光現像し、第４図ｃに示す如くレジストパ
ターン２４を形成する。続いて、CF4とH2との混
合ガスを反応性気性気体とするリアクテイブイオ
ンエツチング技術を用い、第４図ｄに示す如く上
記レジストパターン２４をマスクとして酸化膜２
３，２２を選択エツチングし、その後レジストパ
ターン２４を除去する。ここで、選択エツチング
された酸化膜２２，２３により前記絶縁膜１２が
形成される。次いで、電気メツキ法を用い、第４
図ｅに示す如く酸化膜２２，２３の溝に金２５を
0.8〔μｍ〕の厚さに形成し、さらに熱酸化膜２２
の下面中央部を除去する。ここで、金２５により
前記金属膜１１およびマスクパターン１４が形成
される。なお、この実施例の場合Si基板を導電体
として電気メツキを行つたが、溝内への選択的な
電気メツキをより確実に行うためには、予めSi基
板の表面に薄い金属層等を形成しておけばよい。
次いでKOHを主成分とする溶液中で、第４図ｆ
に示す如くSi基板２１の中央部を口径60〔mmφ〕
だけエツチングする。ここで、上記エツチングさ
れずに残つたSi基板２１から前記枠体１３が形成
される。
かくして、前記第３図ａ，ｂに示したマスクが
製造されることになる。そしてこの場合、特殊な
工程を要することなく通常の工程を用いるのみで
よく、その実施が容易である。また、前記金属膜
１１およびマスクパターン１４が同時に形成され
るので、その工程の簡略化をもはかり得る。ま
た、以上の工程により形成したマスクの寸法安定
性は、2σ（0.1〔μｍ〕）の良好な精度を有してい
た。
第５図ａ，ｂは第２の実施例に係わるＸ線露光
用マスクを示すもので第５図ａは平面図、第５図
ｂは同図ａの矢視Ｂ−Ｂ断面図である。なお、第
３図ａ，ｂと同一部分には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。また前記マスクパター
ン１４は図示していない。この実施例が先に説明
した第１の実施例と異なる点は、前記格子状の金
属膜１１をマスク中央部にのみ形成したことであ
り、他は第１の実施例と同様である。また、その
製造方法も同様である。したがつて、先の第１の
実施例と同様の効果を奏する。
第６図ａ，ｂは第３の実施例に係わるＸ線露光
用マスクを示すもので、第６図ａは平面図、第６
図ｂは同図ａの矢視Ｃ−Ｃ断面図である。なお、
第３図ａ，ｂと同一部分には同一符号を付して、
その詳しい説明を省略する。この実施例が先に説
明した第１の実施例と異なる点は、マスク中央部
に格子状の金属膜１１を形成すると共に、その周
辺部を金属膜３１で形成したことである。また、
その製造方法については、先の第１および第２の
実施例と略同様である。したがつて、先の第１の
実施例と同様な効果を奏するのは勿論である。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記金属膜を形成する金
の代わりには、白金その他の重金属を用いること
ができる。また、前記絶縁膜は酸化膜に限るもの
ではなく、窒化ケイ素、多結晶シリコン、窒化ホ
ウ素或いはこれらの複合体でもよい。さらに、絶
縁膜をポリイミド等の有機膜で形成してもよい。
また、前記枠体はSi基板に限らず、ガラス基板を
用いてもよい。また、前記マスクパターンは必ず
しも絶縁体の溝に設ける必要はなく第７図に示す
如く絶縁膜の上面に形成してもよい。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で変形して実施する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来のＸ線露光
用マスクの概略構造を示す断面模式図、第３図
ａ，ｂは本発明の第１の実施例に係わるＸ線露光
用マスクの概略構造を示す平面図および断面図、
第４図ａ〜ｆは上記実施例マスクの製造工程を示
す図、第５図ａ，ｂは第２の実施例に係わるＸ線
露光用マイクの概略構造を示す平面図および断面
図、第６図ａ，ｂは第３の実施例を示すＸ線露光
用マスクの概略構造を示す平面図および断面図、
第７図は変形例を示す断面図である。 １１……金属膜、１２……絶縁膜、１３……枠
体、１４……マスクパターン、２１……Si基板、
２２，２３……酸化膜、２４……レジストパター
ン、２５……金、３１……金属膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 導電性の基板の表面にＸ線透過率の高い絶縁
    膜を形成する工程と、この絶縁膜に格子状の溝お
    よびマスクパターンに応じた溝を形成する工程
    と、しかるのち前記基板表面に電気メツキを施し
    上記各溝にＸ線透過率の低い金属膜を形成する工
    程と、しかるのち前記基板の中央部を除去する工
    程とを具備したことを特徴とするＸ線露光用マス
    クの製造方法。
JP9770581A 1981-06-24 1981-06-24 X ray exposing mask and manufacture thereof Granted JPS57211732A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9770581A JPS57211732A (en) 1981-06-24 1981-06-24 X ray exposing mask and manufacture thereof
US06/389,388 US4451544A (en) 1981-06-24 1982-06-17 Mask structure for X-ray lithography and method for manufacturing the same
EP82105379A EP0069265B1 (en) 1981-06-24 1982-06-18 Mask structure for x-ray lithography and method for manufacturing the same
DE8282105379T DE3270382D1 (en) 1981-06-24 1982-06-18 Mask structure for x-ray lithography and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9770581A JPS57211732A (en) 1981-06-24 1981-06-24 X ray exposing mask and manufacture thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57211732A JPS57211732A (en) 1982-12-25
JPH0243330B2 true JPH0243330B2 (ja) 1990-09-28

Family

ID=14199329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9770581A Granted JPS57211732A (en) 1981-06-24 1981-06-24 X ray exposing mask and manufacture thereof

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4451544A (ja)
EP (1) EP0069265B1 (ja)
JP (1) JPS57211732A (ja)
DE (1) DE3270382D1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4515876A (en) * 1982-07-17 1985-05-07 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. X-Ray lithography mask and method for fabricating the same
DE3338717A1 (de) * 1983-10-25 1985-05-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung einer roentgenmaske mit metalltraegerfolie
US4608326A (en) * 1984-02-13 1986-08-26 Hewlett-Packard Company Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows
US4632871A (en) * 1984-02-16 1986-12-30 Varian Associates, Inc. Anodic bonding method and apparatus for X-ray masks
DE3600169A1 (de) * 1985-01-07 1986-07-10 Canon K.K., Tokio/Tokyo Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren
US4708919A (en) * 1985-08-02 1987-11-24 Micronix Corporation Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure
US4696878A (en) * 1985-08-02 1987-09-29 Micronix Corporation Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask
ATA331285A (de) * 1985-11-13 1988-11-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Verfahren zur herstellung einer transmissionsmaske
CA1313792C (en) * 1986-02-28 1993-02-23 Junji Hirokane Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
EP0244496B1 (de) * 1986-05-06 1991-01-16 Ibm Deutschland Gmbh Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung
US4827138A (en) * 1988-02-26 1989-05-02 Texas Instruments Incorporated Filled grid mask
JPH02170410A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Hitachi Ltd 放射線露光用マスクおよびこれを用いた放射線露光方法
IL88837A (en) * 1988-12-30 1993-08-18 Technion Res & Dev Foundation Method for the preparation of mask for x-ray lithography
US5020083A (en) * 1989-04-21 1991-05-28 Lepton Inc. X-ray masks, their fabrication and use
US5051326A (en) * 1989-05-26 1991-09-24 At&T Bell Laboratories X-Ray lithography mask and devices made therewith
US5235626A (en) * 1991-10-22 1993-08-10 International Business Machines Corporation Segmented mask and exposure system for x-ray lithography
ATE184711T1 (de) * 1991-11-15 1999-10-15 Canon Kk Röntgenstrahlmaskenstruktur und - belichtungsverfahren sowie damit hergestelltes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren für die röntgenstrahlmaskenstruktur
JPH07117605B2 (ja) * 1992-03-13 1995-12-18 日本ピラー工業株式会社 回折格子
US5362575A (en) * 1992-12-31 1994-11-08 At&T Bell Laboratories Lithographic mask, comprising a membrane having improved strength
JP2606138B2 (ja) * 1994-06-02 1997-04-30 日本電気株式会社 電子ビーム描画装置用アパチャ
US5570405A (en) * 1995-06-06 1996-10-29 International Business Machines Corporation Registration and alignment technique for X-ray mask fabrication
JP3518097B2 (ja) * 1995-09-29 2004-04-12 株式会社ニコン 荷電粒子線転写装置，パターン分割方法，マスクおよび荷電粒子線転写方法
US5804336A (en) * 1996-08-13 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method of forming opaque border on semiconductor photomask
US6162564A (en) * 1997-11-25 2000-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask blank and method of producing mask
US20040104454A1 (en) * 2002-10-10 2004-06-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing the same
JP4220229B2 (ja) * 2002-12-16 2009-02-04 大日本印刷株式会社 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法
US20040197939A1 (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Clark Corey M. Method and apparatus for sub-micron device fabrication
KR101003577B1 (ko) * 2003-12-29 2010-12-23 엘지디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법
KR100911020B1 (ko) * 2007-10-29 2009-08-05 삼성전기주식회사 마스크, 이를 구비한 노광장치 및 전사방법
WO2016044173A1 (en) 2014-09-15 2016-03-24 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Ultralight robust plate materials

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3742230A (en) * 1972-06-29 1973-06-26 Massachusetts Inst Technology Soft x-ray mask support substrate
DE2416186C3 (de) * 1974-04-03 1978-12-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Maske zur Strukturierung dünner Schichten
DE2512086C3 (de) * 1975-03-19 1978-11-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung freitragender, dünner Metallstrukturen
JPS5317076A (en) * 1976-07-30 1978-02-16 Nec Corp Silicon mask for x-ray exposure and its production
DE2739502C3 (de) * 1977-09-02 1980-07-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Belichtung durch Korpuskularstrahlen-Schattenwurf und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JPS5516423A (en) * 1978-07-22 1980-02-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method of thick metal film pattern
JPS55142341A (en) * 1979-04-24 1980-11-06 Nec Corp Transfer mask for x-ray exposure
DE2922416A1 (de) * 1979-06-01 1980-12-11 Ibm Deutschland Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung
US4260670A (en) * 1979-07-12 1981-04-07 Western Electric Company, Inc. X-ray mask
JPS56112727A (en) * 1980-02-12 1981-09-05 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Manufacture of x-ray mask

Also Published As

Publication number Publication date
EP0069265B1 (en) 1986-04-09
DE3270382D1 (en) 1986-05-15
US4451544A (en) 1984-05-29
EP0069265A1 (en) 1983-01-12
JPS57211732A (en) 1982-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0243330B2 (ja)
US5233218A (en) Semiconductor wafer and process for producing same
JPS59188178A (ja) 赤外線検出装置
JPS6158974B2 (ja)
JPH10106943A (ja) マスク用基板の製造方法
US4284678A (en) High resolution mask and method of fabrication thereof
JP2904145B2 (ja) 荷電ビーム描画装置用アパチャおよびその製造方法
JP3554009B2 (ja) 微細パターン形成用マスク板およびその製造方法
JPS6327849B2 (ja)
JPS58100426A (ja) Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法
JPS6258541B2 (ja)
JPS59213131A (ja) Ｘ線露光用マスクの製造方法
JPS5923104B2 (ja) 軟ｘ線露光用マスクの製造方法
JPS61141158A (ja) バンプ電極形成方法
JPS5856334A (ja) 位置合わせマ−ク
JPS62500697A (ja) 太陽電池の重量軽減方法及び該方法により得られる電池
JPS641926B2 (ja)
JPS6020514A (ja) Ｘ線露光用マスク
JP2962049B2 (ja) Ｘ線マスク
JPH11283921A (ja) セル投射マスクの製造方法
JPS6169133A (ja) 軟ｘ線露光方法
JPS5934632A (ja) Ｘ線マスクの製造方法
JPS63293820A (ja) Ｘ線露光用マスクの製造方法
JPH0365652B2 (ja)
JPS5929421A (ja) マスクの製作方法