JPS5858731A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
- Publication number
- JPS5858731A JPS5858731A JP56157525A JP15752581A JPS5858731A JP S5858731 A JPS5858731 A JP S5858731A JP 56157525 A JP56157525 A JP 56157525A JP 15752581 A JP15752581 A JP 15752581A JP S5858731 A JPS5858731 A JP S5858731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- solvent
- spinner
- removal method
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジスト除去方法に関する。
一般に１半導体製品の製造過程において半導体ウェハに
ホトレジストの如きレジストを塗布する場合、レジスト
は主にウェハの表面上に塗布感れるが、一部はその周囲
や裏側に４ｍ付着してしまう。
ホトレジストの如きレジストを塗布する場合、レジスト
は主にウェハの表面上に塗布感れるが、一部はその周囲
や裏側に４ｍ付着してしまう。
このようなウェハの周囲や裏側へのレジストの付着が生
じると、ウェハが後工程で搬送中、あるいはカートリッ
ジ等に収容される際にレジストが剥れ落ち、その剥れ落
ちたレジストぐずが異物として半導体ベレットの特性に
悪影響を与え、歩ｗシの低下を来几してしまう。この問
題は半導体素子の微細化が進むにつれてますます重要と
なって来て訃フ、レジストの剥れによる異物の発生を低
減嘔ぜることか強く望まれている。
じると、ウェハが後工程で搬送中、あるいはカートリッ
ジ等に収容される際にレジストが剥れ落ち、その剥れ落
ちたレジストぐずが異物として半導体ベレットの特性に
悪影響を与え、歩ｗシの低下を来几してしまう。この問
題は半導体素子の微細化が進むにつれてますます重要と
なって来て訃フ、レジストの剥れによる異物の発生を低
減嘔ぜることか強く望まれている。
本発明の目的は、前記従来技術の課題に鑑み、ウェハの
周囲や裏面に付着し友しジス）ｋ溶かして除去すること
によフ、特性不良や外観不良をなくシ、歩Ｖ、りｔ−同
上させることのできるレジスト除去方法を提供すること
Ｋある。
周囲や裏面に付着し友しジス）ｋ溶かして除去すること
によフ、特性不良や外観不良をなくシ、歩Ｖ、りｔ−同
上させることのできるレジスト除去方法を提供すること
Ｋある。
この目的を達成するため、本発明によるレジスト除去方
法は、スピンナ上で回転しているウェハ゛の周囲部ＫＪ
ＩＩｆｌよりアセトンま友はシンナーのようなレジスト
溶剤を供給し、ウェハの周囲部に付着し友しジス）ｋ溶
解ａぜて除去するもので゛・ある。
法は、スピンナ上で回転しているウェハ゛の周囲部ＫＪ
ＩＩｆｌよりアセトンま友はシンナーのようなレジスト
溶剤を供給し、ウェハの周囲部に付着し友しジス）ｋ溶
解ａぜて除去するもので゛・ある。
・以下、本発明を図面に示す実施例に′したがって詳Ｊ
ＩＩＫ説明する。
ＩＩＫ説明する。
８１１図は本発明によるレジスト除去方法を実施するた
めＯ装置の概略断面図である。
めＯ装置の概略断面図である。
この実ｍ例において、ウェハ収容用の容器は上カップ１
と下カップ２とを有し、ウェハ３に保持して回転させる
スピンナ４は下刃ンプ２を貫通して容器内に回転可能に
設けられている。また、土カップ１の頂部には、レジス
ト供給用のノズル５が設けられている。一方、下カップ
２の底部には、廃液や気体を排出するための排…管６が
取り付けられて＾る。
と下カップ２とを有し、ウェハ３に保持して回転させる
スピンナ４は下刃ンプ２を貫通して容器内に回転可能に
設けられている。また、土カップ１の頂部には、レジス
ト供給用のノズル５が設けられている。一方、下カップ
２の底部には、廃液や気体を排出するための排…管６が
取り付けられて＾る。
また、本実施例においては、ウェハ３上に塗布筋れたレ
ジストアのうち、ウェハ３の周囲や裏面側に付着したレ
ジスト部分を除去するためのレジ溶剤供給ノズル８炉下
カツプ２を貫通して設けられている。七のため、レジス
ト溶剤供給ノズル８の先端はウェハ３の裏面側において
該ウェハ３の周囲部に付着したレジスト部分にアセト／
まｆｃはシンナーよりなるレジスト溶剤を供給するよう
構成逼れている。
ジストアのうち、ウェハ３の周囲や裏面側に付着したレ
ジスト部分を除去するためのレジ溶剤供給ノズル８炉下
カツプ２を貫通して設けられている。七のため、レジス
ト溶剤供給ノズル８の先端はウェハ３の裏面側において
該ウェハ３の周囲部に付着したレジスト部分にアセト／
まｆｃはシンナーよりなるレジスト溶剤を供給するよう
構成逼れている。
次に、本実施例の作用について説明する。レジスト７を
塗布したウェハ３１にスピンナ４上に保持しておき、ス
ピンナ４の回転によりウェハ３ｔ″所定の速度で回転芒
せる。ウェハ３ｔ−このようにして回転爆ぜながら、レ
ジスト溶剤供給、ノズルＢからウェハ３の周囲部に伺１
し几レジスト部分に向けて裏面側からレジスト溶剤を供
給することにより表面張力を利用しウェハの周囲及びウ
ェハ表面（レジスト塗布面）の最外周部のレジストは、
レジスト溶剤により溶解されて除去される。七の場合、
レジスト溶剤により溶解されるレジスト部分の範囲はス
ピンナの回転数によって制御できるが、ウェハ３の裏面
側や周囲面のレジスト部分は勿論すべて除去逼れる上に
、ウェハ３の表面（上ｒｋｉ）側のレジスト部分もたと
えば周囲から１−の領域は半導体ペレットをとることか
できないので、この領域のレジスト部分も溶解除去して
もよい。
塗布したウェハ３１にスピンナ４上に保持しておき、ス
ピンナ４の回転によりウェハ３ｔ″所定の速度で回転芒
せる。ウェハ３ｔ−このようにして回転爆ぜながら、レ
ジスト溶剤供給、ノズルＢからウェハ３の周囲部に伺１
し几レジスト部分に向けて裏面側からレジスト溶剤を供
給することにより表面張力を利用しウェハの周囲及びウ
ェハ表面（レジスト塗布面）の最外周部のレジストは、
レジスト溶剤により溶解されて除去される。七の場合、
レジスト溶剤により溶解されるレジスト部分の範囲はス
ピンナの回転数によって制御できるが、ウェハ３の裏面
側や周囲面のレジスト部分は勿論すべて除去逼れる上に
、ウェハ３の表面（上ｒｋｉ）側のレジスト部分もたと
えば周囲から１−の領域は半導体ペレットをとることか
できないので、この領域のレジスト部分も溶解除去して
もよい。
このように、本実施例によれば、ウェハ３の周囲部のレ
ジストはレジスト溶剤による溶ｐＩ４によって除去芒れ
るので、レジストぐずによる異物の発生や外観不良を防
止し、歩留りｔ同上させることができる。しかも、本実
施例では、不要部分のレジストが何ら機械的な力を要す
ることなく溶解除去されるので、レジスト除去時にレジ
ストぐずが異物としてウェハに付着するような問題も生
じないＯ 特に、本実施例では、レジスト溶剤がウェハの裏面側か
ら供給されるので、ウエノ・の裏面側の周ｌ！８に回９
込んだレジストも確実に除去できる。
ジストはレジスト溶剤による溶ｐＩ４によって除去芒れ
るので、レジストぐずによる異物の発生や外観不良を防
止し、歩留りｔ同上させることができる。しかも、本実
施例では、不要部分のレジストが何ら機械的な力を要す
ることなく溶解除去されるので、レジスト除去時にレジ
ストぐずが異物としてウェハに付着するような問題も生
じないＯ 特に、本実施例では、レジスト溶剤がウェハの裏面側か
ら供給されるので、ウエノ・の裏面側の周ｌ！８に回９
込んだレジストも確実に除去できる。
もつとも、レジスト溶剤はウェハの表面側から供給して
１よい。＃１２図はこのような場合Ｏ実施例を示す一〇
である。すなわち、第２図の実施例においては、レジス
ト溶剤供給ノズル８＃′ｉウエハ３の上側に設けられ、
ウェハ３の局１１に付着したレジスト部分に同けて斜め
外側方向にレジスト溶剤を供給し、不要なレジス）ｔ−
溶解δせて除去する。
１よい。＃１２図はこのような場合Ｏ実施例を示す一〇
である。すなわち、第２図の実施例においては、レジス
ト溶剤供給ノズル８＃′ｉウエハ３の上側に設けられ、
ウェハ３の局１１に付着したレジスト部分に同けて斜め
外側方向にレジスト溶剤を供給し、不要なレジス）ｔ−
溶解δせて除去する。
以上ｍ＃ｊｊｔ、、たように、本発明によれば、ウェハ
の周ＷＡ１８に付着したレジストが剥離して異物として
ウェハに付着し、特性不良や外観不良を起こすことｔ防
止でき、歩留り【同上させることが可能となる。
の周ＷＡ１８に付着したレジストが剥離して異物として
ウェハに付着し、特性不良や外観不良を起こすことｔ防
止でき、歩留り【同上させることが可能となる。
＃１図は本発明【実施するためのレジスト除去装置の一
実施例の断面図、１１２図はレジスト除去装置の他の実
施例の断面図である。 １・・・上カップ、２・・・下カップ、３・・・ウエノ
１．４・・・スピンナ、５・−・レジスト供給用のノズ
ル、６・・・排出管、７・・・レジスト、Ｂ−・レジス
ト溶剤供給ノズル。
実施例の断面図、１１２図はレジスト除去装置の他の実
施例の断面図である。 １・・・上カップ、２・・・下カップ、３・・・ウエノ
１．４・・・スピンナ、５・−・レジスト供給用のノズ
ル、６・・・排出管、７・・・レジスト、Ｂ−・レジス
ト溶剤供給ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回転するスピンナ上のウェハの周囲＠にレジスト溶
剤管供給し、ウェハの周囲部に付着したレジスト溶剤解
させて除去するレジスト除去方法。 λ レジスト溶剤ｔウェハの裏面側の周囲Ｗ６に供給し
、！！！面張力ｔ８用しウエノ・周囲及びウニノー表面
の最外周の一部のレジスト會ｉ去することｔ％黴とする
特許請求の範１！Ｉ＃１項記載のレジスト除去方法。 ３、 レジスト溶剤がアセトンまたはシンナーよりなる
こと’ｔａ徽とする特許請求の範囲＃１項またはＩＩＥ
Ｚ項記敏のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157525A JPS5858731A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157525A JPS5858731A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858731A true JPS5858731A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15651568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157525A Pending JPS5858731A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858731A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110118A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法および装置 |
| JPS60189937A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS6146028A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| JP2010118519A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの洗浄方法及び記憶媒体 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56157525A patent/JPS5858731A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110118A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法および装置 |
| JPS60189937A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS6146028A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| US8084194B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate edge treatment for coater/developer |
| JP2010118519A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの洗浄方法及び記憶媒体 |
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