JPS5858764A - 光付勢半導体装置 - Google Patents
光付勢半導体装置Info
- Publication number
- JPS5858764A JPS5858764A JP56158490A JP15849081A JPS5858764A JP S5858764 A JPS5858764 A JP S5858764A JP 56158490 A JP56158490 A JP 56158490A JP 15849081 A JP15849081 A JP 15849081A JP S5858764 A JPS5858764 A JP S5858764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- semiconductor layer
- type semiconductor
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光付勢半導体装置に関する。
従来、光付勢半導体装置は、例えば第１図に示すような
構造を有している。図中１は、Ｐ型半導体層からなるＰ
エミッタ層である。Ｐエミッタ層１上には、Ｎ型半導体
層からなるＮイー１層２を介してＰ型半導体層からなる
Ｐパー２層３が形成されている。Ｐパー２層３の中央部
には、所にの拡散深さを有するＮ型半導体層−からなる
補助エミッタ領域４が形成されている。
構造を有している。図中１は、Ｐ型半導体層からなるＰ
エミッタ層である。Ｐエミッタ層１上には、Ｎ型半導体
層からなるＮイー１層２を介してＰ型半導体層からなる
Ｐパー２層３が形成されている。Ｐパー２層３の中央部
には、所にの拡散深さを有するＮ型半導体層−からなる
補助エミッタ領域４が形成されている。
また、Ｐパー２層３の周辺部には、補助エミッタ領域４
を囲むようにしてＮ型半導体層からなる主エミツタ領域
５が形成されている。補助エミッタ領域４で囲」れた受
光部６には、所定の溝深さでＰベース１−３を開口した
受光溝７が形成されている。補助エミッタ領域４上には
、Ｐペースｉ＠ ３に跨がる補助電極８が形成されてお
り、主エミツタ領域５上ｌこは主陰極９が形成されてい
る。Ｐエミ′ツタ層１の下面には、陽ｔｄｉ １０が形
成さねている。
を囲むようにしてＮ型半導体層からなる主エミツタ領域
５が形成されている。補助エミッタ領域４で囲」れた受
光部６には、所定の溝深さでＰベース１−３を開口した
受光溝７が形成されている。補助エミッタ領域４上には
、Ｐペースｉ＠ ３に跨がる補助電極８が形成されてお
り、主エミツタ領域５上ｌこは主陰極９が形成されてい
る。Ｐエミ′ツタ層１の下面には、陽ｔｄｉ １０が形
成さねている。
このように構成された光付勢半導体装置１１は、例えば
第２図に示す如き濃度プロファイルを有している。しか
しながら、このような元村勢半導体装１１１１１の動作
時の空乏層１２の広がりＩは、第１図に示す如く、高電
圧が印加された場合には受光溝７の底部にまで達する。
第２図に示す如き濃度プロファイルを有している。しか
しながら、このような元村勢半導体装１１１１１の動作
時の空乏層１２の広がりＩは、第１図に示す如く、高電
圧が印加された場合には受光溝７の底部にまで達する。
このため、受光溝７の表面ｔこパッシベーション膜を形
成しなければならない。その結果、パッシベーション膜
によって光感度が低下すると共に、製造工程が複雑にな
る欠点があった。
成しなければならない。その結果、パッシベーション膜
によって光感度が低下すると共に、製造工程が複雑にな
る欠点があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、製造が容
易でしかも高い光感度を有する光付勢半導体装置を提供
するものである。
易でしかも高い光感度を有する光付勢半導体装置を提供
するものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第３図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中２０は、Ｐ型半導体層からなるＰエミッタ層である
。Ｐエミッタ層２０上Ｉこは、Ｎ型半導体層からなるＮ
ベース層２１か形成されている。
。Ｐエミッタ層２０上Ｉこは、Ｎ型半導体層からなるＮ
ベース層２１か形成されている。
Ｎベース層２１上には、Ｐ高濃度不純物領域２２を介し
てＰイー１層２３が形成されているつＰイー１層２３の
中央部には、所定の拡散深さのＮ型半導体層からなる補
助エミッタ領域２４が形成されている。Ｐイー１層２３
の周辺部には、補助エミッタ領域２４を囲むようｌこし
てＮ型半導体層からなる主エミツタ領域２５が形成され
ている。補助エミッタ領域２４で囲まれた受光部２６に
は、所定の溝深さでＰイー３層２３を開口した受光溝２
７が形成されている。
てＰイー１層２３が形成されているつＰイー１層２３の
中央部には、所定の拡散深さのＮ型半導体層からなる補
助エミッタ領域２４が形成されている。Ｐイー１層２３
の周辺部には、補助エミッタ領域２４を囲むようｌこし
てＮ型半導体層からなる主エミツタ領域２５が形成され
ている。補助エミッタ領域２４で囲まれた受光部２６に
は、所定の溝深さでＰイー３層２３を開口した受光溝２
７が形成されている。
補助エミッタ領域２４上には、Ｐイー１層２３４こ跨が
る補助室Ｖｉ２８が形成されている。
る補助室Ｖｉ２８が形成されている。
主エミツタ領域２５）：ｉこは、主陰極２９が形成され
ている。Ｐエミッタ層２０の下面には、陽極３０が形成
されている。
ている。Ｐエミッタ層２０の下面には、陽極３０が形成
されている。
ここで、Ｐ高濃度不純物領域２２は、動作時の空乏層３
ノの広がり■を受光溝２７の底部に達しｆＳいように抑
えるものであり、その濃度及び拡散深さはＰイー３層２
３とＮベース層２１の不純物濃度に応じて適宜設定する
のが望才しい。第４図は、このように構成された光付勢
半導体装ＩｔＨの濃度プロファイルの一例を示すもので
ある。
ノの広がり■を受光溝２７の底部に達しｆＳいように抑
えるものであり、その濃度及び拡散深さはＰイー３層２
３とＮベース層２１の不純物濃度に応じて適宜設定する
のが望才しい。第４図は、このように構成された光付勢
半導体装ＩｔＨの濃度プロファイルの一例を示すもので
ある。
このように構成された光付勢半導体装ｆｊ１３；によれ
ば、Ｐイー１層２３とＮペース層２ノと１ の関着こｐ ｂｅ度不純物領域２２が形成されているの
で、動作時に高畦圧が印加されても空乏層３ノの広がり
■はＰ高濃度不純側限の部分で抑えられ、受光溝２１の
唇部まで広がることはない。その結果、受光溝２７１こ
よる光感度の向上効果を十分に発揮せしめ、かつ、電界
が受光溝２７の表面からはみでるのを阻止できるのテ、
受光溝２７の表面にパッシベーション膜の形成を不要と
し、製造工程を簡略にすることができる。
ば、Ｐイー１層２３とＮペース層２ノと１ の関着こｐ ｂｅ度不純物領域２２が形成されているの
で、動作時に高畦圧が印加されても空乏層３ノの広がり
■はＰ高濃度不純側限の部分で抑えられ、受光溝２１の
唇部まで広がることはない。その結果、受光溝２７１こ
よる光感度の向上効果を十分に発揮せしめ、かつ、電界
が受光溝２７の表面からはみでるのを阻止できるのテ、
受光溝２７の表面にパッシベーション膜の形成を不要と
し、製造工程を簡略にすることができる。
以上説明した如く、本発明に係る光村勢半導体装置によ
れば、製造が容易でしかも高い光感度を有する等顕着な
効果を有するものである。
れば、製造が容易でしかも高い光感度を有する等顕着な
効果を有するものである。
第１図は、従来の光付勢半導体装置の断面Ｖ１第２図は
、同党付勢半導体装置の濃度プロファイルを示す特性図
、第３図は、本発明の一実施例の断面図、第４図は、同
実施忰１の濃度プロファイルを示す特性図である。 ２０・・・Ｐエミッタ層、２ノ・・・Ｎベースｊ−１２
２・・・Ｐ＋高高濃度不純物職域２３・・Ｐペース層、
２４・・・補助エミッタ領域、２５・・・主エミツタ領
域、２６・・・受光部、２１−・・受光溝、２８・・・
補助電極、２９・・・主陰極、３０・・・陽極、３ノ・
・・空乏層、３２・・光付勢半導体装置。
、同党付勢半導体装置の濃度プロファイルを示す特性図
、第３図は、本発明の一実施例の断面図、第４図は、同
実施忰１の濃度プロファイルを示す特性図である。 ２０・・・Ｐエミッタ層、２ノ・・・Ｎベースｊ−１２
２・・・Ｐ＋高高濃度不純物職域２３・・Ｐペース層、
２４・・・補助エミッタ領域、２５・・・主エミツタ領
域、２６・・・受光部、２１−・・受光溝、２８・・・
補助電極、２９・・・主陰極、３０・・・陽極、３ノ・
・・空乏層、３２・・光付勢半導体装置。
Claims (1)
- 隣接する層間にＰＮ接合を形成するように互に導′＃ｉ
型の異なる半導体層の４層を積層し、該半導体層の最上
層を補助エミッタ領域とこれを囲む主エミツタ領域とで
形成し、該補助エミッタ領域で囲まれた前記最上層の直
下の半導体層に所定深さの受光溝を形成し、かつ、該半
導体層の直下の半導体層に接する領域に所定の深さで、
高濃度不純物領域を形成したことを％徴とする光付勢半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158490A JPS5858764A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 光付勢半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158490A JPS5858764A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 光付勢半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858764A true JPS5858764A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15672872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158490A Pending JPS5858764A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 光付勢半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858764A (ja) |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56158490A patent/JPS5858764A/ja active Pending
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