JPS5860427A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5860427A JPS5860427A JP15757781A JP15757781A JPS5860427A JP S5860427 A JPS5860427 A JP S5860427A JP 15757781 A JP15757781 A JP 15757781A JP 15757781 A JP15757781 A JP 15757781A JP S5860427 A JPS5860427 A JP S5860427A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic
- film
- thin film
- constitution
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高品質・高性能な垂直磁気記録媒体に関する
ものである。
ものである。
従来の垂直磁気記録媒体は、ポリイミドあるいはポリエ
テレンテレフタレートなどのような軟質両分子フィルム
基板上に、りるいはガラス、石英。
テレンテレフタレートなどのような軟質両分子フィルム
基板上に、りるいはガラス、石英。
バイコール、陽極酸化アルマイト被覆アルミ合金。
アルミ合金、黄銅、ステンレス、アルミナ焼結体。
単結晶Ｓｉウェハーなとのような硬質基板上に、匝接垂
直磁気異方性全有するコバルト−クローム。
直磁気異方性全有するコバルト−クローム。
コバルト−レニウム曾金換をスパッタ法あるいは蒸層法
などにより形成せしめる方法、あるいは軟磁性層として
パーマロイ層を形成した後層１耳磁気異方性を有する磁
性膜形成時る方法により製造されてさた〇 軟質基板は、スパッタリングや蒸着などによる磁性膜形
成時に基板の熱変形が生じるため、尚記録密度全得るた
めに必賛な微少なヘッド浮子を実状することが難しく、
実際にはヘッド全接触状態で使用せさる全得なく、媒体
・ヘッドの摩耗は激しい欠点があった。
などにより形成せしめる方法、あるいは軟磁性層として
パーマロイ層を形成した後層１耳磁気異方性を有する磁
性膜形成時る方法により製造されてさた〇 軟質基板は、スパッタリングや蒸着などによる磁性膜形
成時に基板の熱変形が生じるため、尚記録密度全得るた
めに必賛な微少なヘッド浮子を実状することが難しく、
実際にはヘッド全接触状態で使用せさる全得なく、媒体
・ヘッドの摩耗は激しい欠点があった。
また硬質基板は、磁性膜形成時の熱変形かはとんとなく
、研磨によっても５００Ａ程度の表面柑度會４０ｃｒｎ
径程度の大面積にわたり谷筋に得ることができ、＾記録
密度會得るために必’！ ’＆ １５００ Ａ以下の磁
気ヘット゛の浮上あるいは接触状態を口］能とすること
かできる利点７治している。しかし、硬質基板ケ用いた
場合、フレギンプル々軟寅尚分子基板とは異なり、磁気
ヘッドと磁性媒体との接触時の応力集中によるヘッドク
ラッシュが生じ易い欠点があった０１一基板と磁性膜と
の付着力か弱い場合が多く、磁性膜の剥離會防ぐために
’ｌ”ｉ−？Ｃｒなとの下地層全形成しなけｆＬばなら
ない欠点があった。
、研磨によっても５００Ａ程度の表面柑度會４０ｃｒｎ
径程度の大面積にわたり谷筋に得ることができ、＾記録
密度會得るために必’！ ’＆ １５００ Ａ以下の磁
気ヘット゛の浮上あるいは接触状態を口］能とすること
かできる利点７治している。しかし、硬質基板ケ用いた
場合、フレギンプル々軟寅尚分子基板とは異なり、磁気
ヘッドと磁性媒体との接触時の応力集中によるヘッドク
ラッシュが生じ易い欠点があった０１一基板と磁性膜と
の付着力か弱い場合が多く、磁性膜の剥離會防ぐために
’ｌ”ｉ−？Ｃｒなとの下地層全形成しなけｆＬばなら
ない欠点があった。
［−尚性能垂直磁気Ｈピ録媒体には、大力最密構造Ｃｏ
−Ｃｒ結晶の太さな結晶磁気異方性ケ有するＣ軸を基板
垂直方向にジ虫く配向さぜることが必要とされる。発明
者らは、Ｃ軸配向に及ｅ−４、す基板の効釆金詳細に調
へた結果、５０〜５００ Ａ ４％度のミクロな表面の
荒扛を南する硬質基板（例えば仙胎込ｎた基板やアルマ
イ）Ｍ覆基板）はＣ軸配向葡著しく低下させること？見
出した。さらに、硬質基板を用いた場合、膜付着強度を
上は６／こめに−１・地層としてスパッタ法あるいは蒸
宥法などで’Ｌ”ｌ ｒ Ｃｒなと紫下地層として形成
膜″しめる方法？用いた場合、このような下地層のミク
ロな結晶粒オーダの表面荒扛や多結晶下地に由来するミ
クロな不均質すらもＣ軸配向全署しく低下させることを
見出した。このことは、通常鋭面研Ｍさ扛基板として使
用される硬質林料においても、Ｃ軸配向性の低−Ｆが避
は得ない問題となる。
−Ｃｒ結晶の太さな結晶磁気異方性ケ有するＣ軸を基板
垂直方向にジ虫く配向さぜることが必要とされる。発明
者らは、Ｃ軸配向に及ｅ−４、す基板の効釆金詳細に調
へた結果、５０〜５００ Ａ ４％度のミクロな表面の
荒扛を南する硬質基板（例えば仙胎込ｎた基板やアルマ
イ）Ｍ覆基板）はＣ軸配向葡著しく低下させること？見
出した。さらに、硬質基板を用いた場合、膜付着強度を
上は６／こめに−１・地層としてスパッタ法あるいは蒸
宥法などで’Ｌ”ｌ ｒ Ｃｒなと紫下地層として形成
膜″しめる方法？用いた場合、このような下地層のミク
ロな結晶粒オーダの表面荒扛や多結晶下地に由来するミ
クロな不均質すらもＣ軸配向全署しく低下させることを
見出した。このことは、通常鋭面研Ｍさ扛基板として使
用される硬質林料においても、Ｃ軸配向性の低−Ｆが避
は得ない問題となる。
本発明ばこ７しらの欠点全除去するため、非磁性基板上
にカス状有機化合物のプラズマ１合薄膜膜層ロー放電ヶ
用いて形成し、ぢらにその上に垂直磁気異方性を有する
コバルトわるいはコバルト基合金磁性膜を形成すること
を特徴とし、その目的は、基板の材質に影響さ７するこ
となく尚い垂直磁気異方性を治し、耐ヘッドクラツシユ
性に優扛た高品質垂直磁気記録媒体全実現することｅこ
ある０第１図は、非磁性基板上にガス状有機化合物を用
いてグロー放電によりプラズマ組合薄膜全形成する装置
の１例である。ペルジャー１内は真空ポンプ２により排
気され、化ツマカスは導入口３より多孔リンク４全通し
てペルジャー内に導入される。グロー放電は、上部電極
５と下部型＆６に高周波電源７全用いて高電圧が印加さ
れ、電極間で行われる。基板８はクロー中の一ト部電極
６の上部に固定さ扛る０ グロー放電によるプラズマ重合膜の形成方法の１例を次
に述べる０到達真空度１０ Ｔｏｒｒ以下とした後、
反応ガス全有機ガス単独またはＨｅ、Ａｒなどの不活性
ガス全ギヤリアガスとしてペルジャー内に導入し、圧力
ｆ ０．１〜２ Ｔｏｒｒに保ち、５〜１００Ｗの高周
波電力を印加し、基板」−にプラズマ重合膜が形成され
る。
にカス状有機化合物のプラズマ１合薄膜膜層ロー放電ヶ
用いて形成し、ぢらにその上に垂直磁気異方性を有する
コバルトわるいはコバルト基合金磁性膜を形成すること
を特徴とし、その目的は、基板の材質に影響さ７するこ
となく尚い垂直磁気異方性を治し、耐ヘッドクラツシユ
性に優扛た高品質垂直磁気記録媒体全実現することｅこ
ある０第１図は、非磁性基板上にガス状有機化合物を用
いてグロー放電によりプラズマ組合薄膜全形成する装置
の１例である。ペルジャー１内は真空ポンプ２により排
気され、化ツマカスは導入口３より多孔リンク４全通し
てペルジャー内に導入される。グロー放電は、上部電極
５と下部型＆６に高周波電源７全用いて高電圧が印加さ
れ、電極間で行われる。基板８はクロー中の一ト部電極
６の上部に固定さ扛る０ グロー放電によるプラズマ重合膜の形成方法の１例を次
に述べる０到達真空度１０ Ｔｏｒｒ以下とした後、
反応ガス全有機ガス単独またはＨｅ、Ａｒなどの不活性
ガス全ギヤリアガスとしてペルジャー内に導入し、圧力
ｆ ０．１〜２ Ｔｏｒｒに保ち、５〜１００Ｗの高周
波電力を印加し、基板」−にプラズマ重合膜が形成され
る。
ここに用いら扛る有機ガス（モノマ）は常温で気体でも
液体でもよく液体の場合＆、Ｊ１、キＡ−リアガスを用
いて蒸気會運び入れ扛は良い□ ｉ ７？：ｂンラズマ
重合法の特徴として、基板の神知葡問わず接着力が一般
に強くモノマはビニル基の′ような不飽和基を必ずしも
必要としない。具体例を幾つか列挙すると、ペンタメテ
ルシクロベ／タシロキサン、１．３．５− トリビニル
−１，，３，５−トリメチルシクロートリシロキザン、
ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、フェニルトリエ
トキシシラン、ｌ・リエトキシシランなどいわゆる廟槻
シリコン化合物や、テトラフルオロエチレン、り１−１
０トリフルオロエチレン、モノクロロペンタフルメロエ
タンなどのフッ素化合物、等、その形成膜が耐熱性がブ
ーぐれてい扛ば良い。
液体でもよく液体の場合＆、Ｊ１、キＡ−リアガスを用
いて蒸気會運び入れ扛は良い□ ｉ ７？：ｂンラズマ
重合法の特徴として、基板の神知葡問わず接着力が一般
に強くモノマはビニル基の′ような不飽和基を必ずしも
必要としない。具体例を幾つか列挙すると、ペンタメテ
ルシクロベ／タシロキサン、１．３．５− トリビニル
−１，，３，５−トリメチルシクロートリシロキザン、
ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、フェニルトリエ
トキシシラン、ｌ・リエトキシシランなどいわゆる廟槻
シリコン化合物や、テトラフルオロエチレン、り１−１
０トリフルオロエチレン、モノクロロペンタフルメロエ
タンなどのフッ素化合物、等、その形成膜が耐熱性がブ
ーぐれてい扛ば良い。
垂直磁気異方性磁性膜は、Ｃ軸力向に大きな結晶磁気異
方性を崩する六方最密構造のコノ（ルト。
方性を崩する六方最密構造のコノ（ルト。
コバルト−クロム、コバルト−ルテニウム、コノくルト
−レニウム、コバルトーオムミウム合金ｌｘ ト全、Ｃ
軸全基板垂直方向に強く配回させ膜形成することにより
作製される。作製法としては、スノくツタリンク（ＤＣ
、ＲＦ 、マグネトロン、イオンビーム）、真空蒸着、
イオンブレーティングなどが用いら扛る０ 以下実施例について説明するが、本発明の範囲全例ら制
限するものでにない０〜 （実施例１つ 非磁性基板としては、１．ガラス（２０ｍｍ Ｘ ２０
ｔａｎ ＸＯ，５ｗｎ）、２．ボリイζド（２０Ｘ２
０ Ｘｏ、０５ ）、３．単結晶Ｓｉウエノ・−（４０
φＸ Ｏ，２、鏡面研磨された（１１１３面）、４．陽
極酸化アルマイトアルミ合金基板（アルマイト層は２Ｉ
＃ｎ厚）、５．Ｔ１スノくツタガラス（Ｔｉ下地は０．
３μｍ厚、ガラスは２０Ｘ２０Ｘ０．５）、６． Ｃｒ
スパッタカラス（Ｃｒ下地は０．３μｍ厚；ガラスは２
０Ｘ２０ＸＯ０５）の６柚類を用いた。
−レニウム、コバルトーオムミウム合金ｌｘ ト全、Ｃ
軸全基板垂直方向に強く配回させ膜形成することにより
作製される。作製法としては、スノくツタリンク（ＤＣ
、ＲＦ 、マグネトロン、イオンビーム）、真空蒸着、
イオンブレーティングなどが用いら扛る０ 以下実施例について説明するが、本発明の範囲全例ら制
限するものでにない０〜 （実施例１つ 非磁性基板としては、１．ガラス（２０ｍｍ Ｘ ２０
ｔａｎ ＸＯ，５ｗｎ）、２．ボリイζド（２０Ｘ２
０ Ｘｏ、０５ ）、３．単結晶Ｓｉウエノ・−（４０
φＸ Ｏ，２、鏡面研磨された（１１１３面）、４．陽
極酸化アルマイトアルミ合金基板（アルマイト層は２Ｉ
＃ｎ厚）、５．Ｔ１スノくツタガラス（Ｔｉ下地は０．
３μｍ厚、ガラスは２０Ｘ２０Ｘ０．５）、６． Ｃｒ
スパッタカラス（Ｃｒ下地は０．３μｍ厚；ガラスは２
０Ｘ２０ＸＯ０５）の６柚類を用いた。
プラズマ重合膜は次のようにして形成した０到達真空度
２５ ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下ど（７た後キャリアガ
スとしてＡｒヲ用いてオクタメチルシクロテトラシロキ
サン全反応カスとしてペルジャー内に導入した。ＡｒＯ
流坩は標準状態侠算でＩｌｌ ｃｃ ／分、圧力全１．
０Ｔｏｒｒとし、１３．５６ ＭＨｚの篩周波−１１０
Ｗの′［イカで３分間印加し、約３２０入／分の膜形Ｉ
況速ＩＷで約９６ＯＡの重合膜全形成した。
２５ ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下ど（７た後キャリアガ
スとしてＡｒヲ用いてオクタメチルシクロテトラシロキ
サン全反応カスとしてペルジャー内に導入した。ＡｒＯ
流坩は標準状態侠算でＩｌｌ ｃｃ ／分、圧力全１．
０Ｔｏｒｒとし、１３．５６ ＭＨｚの篩周波−１１０
Ｗの′［イカで３分間印加し、約３２０入／分の膜形Ｉ
況速ＩＷで約９６ＯＡの重合膜全形成した。
垂曲峨気異万性膜はＲＦスパッタリンクによりＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜を形成した。スパッタリングＣＪ１１９．４原
子％Ｃｒ−Ｃｏ合金ターゲットケ用いて、到達真空度５
Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下、暎形成速度閉〜９０Ａ／
分。
ｒ合金膜を形成した。スパッタリングＣＪ１１９．４原
子％Ｃｒ−Ｃｏ合金ターゲットケ用いて、到達真空度５
Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下、暎形成速度閉〜９０Ａ／
分。
膜厚約１／ａの采件下にて、基板温度’（ｍ １１０〜
１６０℃、スパッタＡｒ圧ｆ １ 、０〜４０ Ｘ １
．ＯＴｏｒｒの範囲で変化させ、３水準のＣ軸配向の）
【なるＣｏ−Ｃｒ合金膜全作製した。
１６０℃、スパッタＡｒ圧ｆ １ 、０〜４０ Ｘ １
．ＯＴｏｒｒの範囲で変化させ、３水準のＣ軸配向の）
【なるＣｏ−Ｃｒ合金膜全作製した。
非磁性基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ膜を形ｈ’ｔ Ｌ、、た
場合と。
場合と。
非磁性基板上にプラズマ重合膜ｒｔヒ成した休・その上
にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した本発明の場合について、基板
Ｖこよる△θ＋１０ （六方稠密構造Ｃ軸の基板ｌＦ直
力方向分散角を表わし、Ｘ線ティフラクトメータによシ
測定された（０００２）ピークのロッキングカーブの半
値幅で定収さｒしる）の測定結果を表１〜３に示す。
にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した本発明の場合について、基板
Ｖこよる△θ＋１０ （六方稠密構造Ｃ軸の基板ｌＦ直
力方向分散角を表わし、Ｘ線ティフラクトメータによシ
測定された（０００２）ピークのロッキングカーブの半
値幅で定収さｒしる）の測定結果を表１〜３に示す。
表１
表２
表３
プラズマ重合膜を形成しない従来の方法においては、Ｓ
ｉウェハー、アルマイト下地、Ｔｉ下地、ｃｌ・下地の
△θ、。けカラス、ボリイｄド基板より太さいＯ しかし、本発明のプラズマ重合膜を形成１−７た１合は
、基板あるいは下地の影響かマスクさｆＬ 、△θ、０
は基板によらずほぼ一定の小部い値となる。
ｉウェハー、アルマイト下地、Ｔｉ下地、ｃｌ・下地の
△θ、。けカラス、ボリイｄド基板より太さいＯ しかし、本発明のプラズマ重合膜を形成１−７た１合は
、基板あるいは下地の影響かマスクさｆＬ 、△θ、０
は基板によらずほぼ一定の小部い値となる。
特に微測結晶粒オーク（５０〜５ｏｏｋ）の表面荒扛や
不均質を有するアルマイト下地、 Ｔｉ 、 Ｃｒ下地
において△θｓｏ Ｌ７）減少効果が著しい。寸だ、ス
パッタ条件によっては宍３に示１〜たように、カラス基
板においても本発明上用いることにょ９△θ、。を減少
さぜることかできる。さらに、表２ ＶＣ示したように
磁性膜の剥離が観察される場合においても、本発明によ
る磁性膜については剥離は認められないＯ （実施例２） 非磁性基板として、実施例１において使用したアルマイ
ト下地アルミ合金基板を使用し、実施例１と同様のプラ
ズマ重合膜形成法とＣｏ−Ｃｒ膜形成法を用いて、プラ
ズマ重合膜の厚さにょる△θ、。
不均質を有するアルマイト下地、 Ｔｉ 、 Ｃｒ下地
において△θｓｏ Ｌ７）減少効果が著しい。寸だ、ス
パッタ条件によっては宍３に示１〜たように、カラス基
板においても本発明上用いることにょ９△θ、。を減少
さぜることかできる。さらに、表２ ＶＣ示したように
磁性膜の剥離が観察される場合においても、本発明によ
る磁性膜については剥離は認められないＯ （実施例２） 非磁性基板として、実施例１において使用したアルマイ
ト下地アルミ合金基板を使用し、実施例１と同様のプラ
ズマ重合膜形成法とＣｏ−Ｃｒ膜形成法を用いて、プラ
ズマ重合膜の厚さにょる△θ、。
の変化を調べた結果を第２図に示す。△θ、０は、約０
．２μｍ厚のフ゛ラズマ重合膜を形成することにょシ８
．６°から４．８°にまで減少した。
．２μｍ厚のフ゛ラズマ重合膜を形成することにょシ８
．６°から４．８°にまで減少した。
（実施例３）
非磁性基板として実施例１において使用したＴｉスパッ
タガラス基板を用い、実施例１と同じプラズマ台金膜形
成を行い垂直異方性を鳴する磁性薄膜としてはコバルト
−ルテニウム合金膜’ｋＲＦスパッタリングによυ形成
した。スパッタリングは、純コバルト円板上にルテニウ
ムベレソトヲ配置したターゲット（ルテニウムベレット
の占める面積はターク゛ット全面積の約３０％である）
を用い、到達真空度５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以丁、基
板温度２００ ℃、膜形成速度２００＾／分、スパック
Ａｒ圧５．ＯＸ川−２’ｌ”ｏｒｒにて用い、約１μｍ
のコバルト−ルテニウム合金膜を形成した０フラズマ１
Ｌ合膜紮形成ぜずＴ１スパッタガラス基板上にコバルト
−ルテニウム合金膜を形成した場合の△θ５ｏは−１５
，４°で・（つったが、本発明のプラズマ重合膜全形ｈ
スした場合は約８．５°に減少した。
タガラス基板を用い、実施例１と同じプラズマ台金膜形
成を行い垂直異方性を鳴する磁性薄膜としてはコバルト
−ルテニウム合金膜’ｋＲＦスパッタリングによυ形成
した。スパッタリングは、純コバルト円板上にルテニウ
ムベレソトヲ配置したターゲット（ルテニウムベレット
の占める面積はターク゛ット全面積の約３０％である）
を用い、到達真空度５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以丁、基
板温度２００ ℃、膜形成速度２００＾／分、スパック
Ａｒ圧５．ＯＸ川−２’ｌ”ｏｒｒにて用い、約１μｍ
のコバルト−ルテニウム合金膜を形成した０フラズマ１
Ｌ合膜紮形成ぜずＴ１スパッタガラス基板上にコバルト
−ルテニウム合金膜を形成した場合の△θ５ｏは−１５
，４°で・（つったが、本発明のプラズマ重合膜全形ｈ
スした場合は約８．５°に減少した。
以上説明したように５本発明にょ）１．は非磁性基板上
にプラズマ重合膜を形成することにより、基板に原因し
たＣ軸配向の低−ト現象を防き゛、Ｃ軸配向全署しく改
善でさるとともに、磁性膜の剥離を生じせしめない効果
、軟質プラズマ重合１１Ｑの介在によるヘッド接触によ
る応力集１月Ｉ杵放の幼果を得ることができる。従って
、本発明ケ用いることにより、磁性膜形成上からの制約
を受けることなく、垂直磁気記録媒体が使用される記録
・再生システムの形態（ティスク、テープ、カードなと
）、環境、コス）ｋ考慮して基板選定が行なえるととも
に、高垂直磁気異方性葡治し而・１ヘツトクラツシユ性
に優れた高品質垂直磁気記録媒体金容易に実現できる利
点がある。
にプラズマ重合膜を形成することにより、基板に原因し
たＣ軸配向の低−ト現象を防き゛、Ｃ軸配向全署しく改
善でさるとともに、磁性膜の剥離を生じせしめない効果
、軟質プラズマ重合１１Ｑの介在によるヘッド接触によ
る応力集１月Ｉ杵放の幼果を得ることができる。従って
、本発明ケ用いることにより、磁性膜形成上からの制約
を受けることなく、垂直磁気記録媒体が使用される記録
・再生システムの形態（ティスク、テープ、カードなと
）、環境、コス）ｋ考慮して基板選定が行なえるととも
に、高垂直磁気異方性葡治し而・１ヘツトクラツシユ性
に優れた高品質垂直磁気記録媒体金容易に実現できる利
点がある。
第１図はプラズマ重合膜形成装置の概略図、第２図はプ
ラズマ重合膜厚による垂直磁気異方性Ｃ。 −Ｃｒ膜の△θＩ、ｏの変化全話す。 １・・・・・・ベルジャ、２・・・・・・真空ポンプ、
３・・・・モノマガス導入口、４・・・・・・モノマ拡
散用の多孔リング、５・・・・・上部電極、６・・・・
・下部電極、７・・・・・・高周波電源、８ ・・・・
基板 特許出願人 日本電信電話公社 丁 １ 図 ７２図 アフス゛゛マ重８欄厚（メ笥）
ラズマ重合膜厚による垂直磁気異方性Ｃ。 −Ｃｒ膜の△θＩ、ｏの変化全話す。 １・・・・・・ベルジャ、２・・・・・・真空ポンプ、
３・・・・モノマガス導入口、４・・・・・・モノマ拡
散用の多孔リング、５・・・・・上部電極、６・・・・
・下部電極、７・・・・・・高周波電源、８ ・・・・
基板 特許出願人 日本電信電話公社 丁 １ 図 ７２図 アフス゛゛マ重８欄厚（メ笥）
Claims (1)
- 非磁性基板上に、カス状有機化合物のグロー放電により
形成さ７した車台薄膜を設σ、さらＩＦ−七の上に基板
垂直方向に垂直磁気異方性をＭする六方最密構造のコバ
ルトメるいはコバルト基合金磁性膜を設けたこと全特徴
とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15757781A JPS5860427A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15757781A JPS5860427A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860427A true JPS5860427A (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=15652728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15757781A Pending JPS5860427A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167830A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-21 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体とその製造法 |
| JPS60243818A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15757781A patent/JPS5860427A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167830A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-21 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体とその製造法 |
| JPS60243818A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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