JPS5860558A - スクライブ方法 - Google Patents
スクライブ方法Info
- Publication number
- JPS5860558A JPS5860558A JP56158228A JP15822881A JPS5860558A JP S5860558 A JPS5860558 A JP S5860558A JP 56158228 A JP56158228 A JP 56158228A JP 15822881 A JP15822881 A JP 15822881A JP S5860558 A JPS5860558 A JP S5860558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribe line
- slit
- beams
- scribing
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスクライプ方法に係り、特にエネルギービーム
を用いたスクライプ方法に関するものである。
を用いたスクライプ方法に関するものである。
第１図に示す如く通常、半導体クエハｔｌ）ｆ：用いて
半導体装置を製作する場合、複数個の同一機能を持った
半導体装置（チップ）（２）を一枚の半導体ウェハ上に
同時に製作し、その匝分割して各々のチップに分は使用
するのが通例である。
半導体装置を製作する場合、複数個の同一機能を持った
半導体装置（チップ）（２）を一枚の半導体ウェハ上に
同時に製作し、その匝分割して各々のチップに分は使用
するのが通例である。
従って半導体装置を製作する６、４に半導体クエハを分
割するのに必要な領域（３）を確保しておく必要があり
１通常分割する際の便宜のため直線の形状をした帯状値
域であるところからスクライプラインと呼ばれている。
割するのに必要な領域（３）を確保しておく必要があり
１通常分割する際の便宜のため直線の形状をした帯状値
域であるところからスクライプラインと呼ばれている。
本願は半導体に限らず、一般に小諷域に分割する場合に
適用可能である。スクライプラインは（た、燗々の半導
体装置の最も外側の領域を占めるものである。スクライ
プラインは半導体装置が機能に対して通常何ら付加的な
機能を与えないものであるので、これの占める面積は出
来るだけ少ないことが望ましい。特に半導体装置の集積
度の向上した超高密度ＩＣ（ＶＬＳＩ）についてはその
要求は著るしい。そのため、従来のダイヤモンドカッタ
ーによるスクライビングに替わって、レーザービーム等
のエネルギービームによるスフライ・ブ方法が用いられ
て来ている。
適用可能である。スクライプラインは（た、燗々の半導
体装置の最も外側の領域を占めるものである。スクライ
プラインは半導体装置が機能に対して通常何ら付加的な
機能を与えないものであるので、これの占める面積は出
来るだけ少ないことが望ましい。特に半導体装置の集積
度の向上した超高密度ＩＣ（ＶＬＳＩ）についてはその
要求は著るしい。そのため、従来のダイヤモンドカッタ
ーによるスクライビングに替わって、レーザービーム等
のエネルギービームによるスフライ・ブ方法が用いられ
て来ている。
レーザービームによるスクライプ装置の一部を第２図に
示す。レーザービームＵυは集光レンズａ湯によって集
光され、台座ｕｊ上に置かれ九半導体基板ａ４上を照射
し、照射され九部分を溶融させる。
示す。レーザービームＵυは集光レンズａ湯によって集
光され、台座ｕｊ上に置かれ九半導体基板ａ４上を照射
し、照射され九部分を溶融させる。
この様なビームスポットを半導体ウェー・上のスクライ
プラインに沿って移動させることにより。
プラインに沿って移動させることにより。
スクライプラインに沿りてチップを分割することが出来
る。
る。
しかし、実際に半導体クエ・・のスクライブに使用され
るレーザービーム装置のビームスポットは通常少なくと
も２０ｘｍ程度のスポット有効径を有しており、しかも
この様なビームを用いて加工してもスクライプ溝幅は３
０〜５０ｊ１ｍの幅となる。
るレーザービーム装置のビームスポットは通常少なくと
も２０ｘｍ程度のスポット有効径を有しており、しかも
この様なビームを用いて加工してもスクライプ溝幅は３
０〜５０ｊ１ｍの幅となる。
しかも、スクライプラインを加■する際に、ビームスポ
ットの中心が必ずしもスクライプラインの中心線に正確
に合うとは限らず、そのために加工上の余裕が必要であ
り、またレーザービームによる熱的な影響がスクライプ
ライン周辺の半導体素子ｔ！１（２）に与えるダメージ
を避ける必要からスクライプラインのＩ！（至）は実際
上は余裕をみて１０１００ａ度確保しておく必要があっ
た（第３図）。
ットの中心が必ずしもスクライプラインの中心線に正確
に合うとは限らず、そのために加工上の余裕が必要であ
り、またレーザービームによる熱的な影響がスクライプ
ライン周辺の半導体素子ｔ！１（２）に与えるダメージ
を避ける必要からスクライプラインのＩ！（至）は実際
上は余裕をみて１０１００ａ度確保しておく必要があっ
た（第３図）。
本発明はこの様なエネルギービームをスクライブに使用
する際の制約を大幅に軽減することを目的としてなされ
たものである。
する際の制約を大幅に軽減することを目的としてなされ
たものである。
以下、本発明を一実施例により１図面を用いながら説明
するっ第４図に於いて、スクライブライン領域（至）の
大部分は、レーザービームを効率よく反射する物質例え
ばＡｊ、 Ｍｏ、 Ｐ を等の金属等の反射部材によっ
て覆われている。スクライプラインの中央部には幅１０
４ａ楊度の細いスリットが設けられている。この様な反
射材のスリットは独自に形成してもよいが例えば、半導
体装置を製作する際電極岬線を形成する工種に於いて配
線の形成と同時に形成することも出来る。通常電極配線
の部分にはパッジベージ１ン用の８ ｔ ０２ ＋ ８
ｔ ３Ｎ４等の被膜が設けられているが、この様な膜
は通常のレーザービームの波長に対し透明であるので、
取り去りても残して置いても本発明の効果に大きな影響
はない。この嫌な構造のスクライプラインを採用するこ
とにより、スリットを外れたビームは反射され、ウエノ
・Ｇυに達しないためビームスポットの径によらずスク
ライプラインの中央に咳スリットとほぼ同一の１０μｍ
１ｌｌのエツチング溝を再現性よく形成することが出来
る。またビームスポットの中心が、スクライプラインの
中心線とはずれ（半導体プロセスではこのようなバラツ
キは、応々にして避けられない）ても加工性に関係はな
く作業性を大幅に改善することが出来る。
するっ第４図に於いて、スクライブライン領域（至）の
大部分は、レーザービームを効率よく反射する物質例え
ばＡｊ、 Ｍｏ、 Ｐ を等の金属等の反射部材によっ
て覆われている。スクライプラインの中央部には幅１０
４ａ楊度の細いスリットが設けられている。この様な反
射材のスリットは独自に形成してもよいが例えば、半導
体装置を製作する際電極岬線を形成する工種に於いて配
線の形成と同時に形成することも出来る。通常電極配線
の部分にはパッジベージ１ン用の８ ｔ ０２ ＋ ８
ｔ ３Ｎ４等の被膜が設けられているが、この様な膜
は通常のレーザービームの波長に対し透明であるので、
取り去りても残して置いても本発明の効果に大きな影響
はない。この嫌な構造のスクライプラインを採用するこ
とにより、スリットを外れたビームは反射され、ウエノ
・Ｇυに達しないためビームスポットの径によらずスク
ライプラインの中央に咳スリットとほぼ同一の１０μｍ
１ｌｌのエツチング溝を再現性よく形成することが出来
る。またビームスポットの中心が、スクライプラインの
中心線とはずれ（半導体プロセスではこのようなバラツ
キは、応々にして避けられない）ても加工性に関係はな
く作業性を大幅に改善することが出来る。
また反射部材として金属を用いればレーザービームによ
りもたらされる熱をすみやかに放熱し、半導体装置に対
する熱的なダメージも防ぐことが出来る。これらの効果
を総合して、ストライプライン領域關の幅は大＠に減少
させることが出来１例えば本実施例の場合従来の半分の
５０ｇ＞壕で縮めることが出来た。
りもたらされる熱をすみやかに放熱し、半導体装置に対
する熱的なダメージも防ぐことが出来る。これらの効果
を総合して、ストライプライン領域關の幅は大＠に減少
させることが出来１例えば本実施例の場合従来の半分の
５０ｇ＞壕で縮めることが出来た。
本実施例では半導体ウェハを用いた場合について述べて
いるが１本発明の方法は絶縁基板上に半導体膜ｆ：＃＆
置した例えばＳＯ８榊遣０クェハや半導体分野以外のレ
ーザ加工分野一般について一遍用することが出来ること
は勿論である。
いるが１本発明の方法は絶縁基板上に半導体膜ｆ：＃＆
置した例えばＳＯ８榊遣０クェハや半導体分野以外のレ
ーザ加工分野一般について一遍用することが出来ること
は勿論である。
又、スクライプラインは、直線形状に限らないことも勿
論である。
論である。
第１図は半導体ウェハ上に設・すられたスクライプライ
ンを説明する平面図、第２図はレーザービームスクライ
ブ装置の一部を示した断面図、！ｓ３図及びｇＩ！Ｊ４
図はそれぞれ従来及び本発明によるスクライブ方法を説
明するための断面図である。 図において、 １・・・・・・半導体ウェハ、 ２・・・・・・チップ予定領域。 ３・・・・・・スクライプライン、 １１・・・・・・レーザービーム、 １２・・・・・・集光レンズ、 １３・・・・・・台座、 １４・・・・・・半導体ウェハ、 ２１．３１・・・・・・半導体ウエノ・、２２．３２・
・・・・・半導体素子部分、２３．３３・・・・・・ス
クライブライン領域、２４．３４・・・・・・レーザー
ビーム、３５・・・・・・反射部材、 ３６・・・・・・スリン ト。 代１人 弁理士 則 近 憲 ＃ｉ（ほか１名）′看
１ 図 ３ 第、２図 ７３図 ８ 削 凸
ンを説明する平面図、第２図はレーザービームスクライ
ブ装置の一部を示した断面図、！ｓ３図及びｇＩ！Ｊ４
図はそれぞれ従来及び本発明によるスクライブ方法を説
明するための断面図である。 図において、 １・・・・・・半導体ウェハ、 ２・・・・・・チップ予定領域。 ３・・・・・・スクライプライン、 １１・・・・・・レーザービーム、 １２・・・・・・集光レンズ、 １３・・・・・・台座、 １４・・・・・・半導体ウェハ、 ２１．３１・・・・・・半導体ウエノ・、２２．３２・
・・・・・半導体素子部分、２３．３３・・・・・・ス
クライブライン領域、２４．３４・・・・・・レーザー
ビーム、３５・・・・・・反射部材、 ３６・・・・・・スリン ト。 代１人 弁理士 則 近 憲 ＃ｉ（ほか１名）′看
１ 図 ３ 第、２図 ７３図 ８ 削 凸
Claims (2)
- （１） スクライプラインの中央部にスリットを設け
たエネルギービームに対する反射部材を設け。 被加工物のエネルギービームによるスクライプを行なう
ことを特徴とするスクライプ方法。 - （２）前記被加工物が牛導体模であり、反射部材として
金属膜を用すたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のスクライプ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158228A JPS5860558A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | スクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158228A JPS5860558A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | スクライブ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860558A true JPS5860558A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15667072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158228A Pending JPS5860558A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | スクライブ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345658A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| WO2006075830A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Eo Technics Co., Ltd. | Method of processing an object having a passivation layer |
| JP2009188433A (ja) * | 2009-05-28 | 2009-08-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56158228A patent/JPS5860558A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345658A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| WO2006075830A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Eo Technics Co., Ltd. | Method of processing an object having a passivation layer |
| JP2009188433A (ja) * | 2009-05-28 | 2009-08-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
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